JP5228298B2 - 半導体薄膜の加工方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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また半導体装置の製造方法において、
紫外光に対して透明な基板上に紫外光遮蔽膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜を含む前記基板上にソース・ドレイン電極およびオーミックコンタクト層を形成する工程と、
少なくとも前記オーミックコンタクト層を含む前記基板上に酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用膜を成膜する工程と、
前記半導体薄膜形成用膜上に保護膜を形成する工程と、
前記基板の下側から紫外光を照射しながら前記保護膜をマスクとして前記半導体薄膜形成用膜をウェットエッチングして、前記保護膜下に半導体薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
他の半導体装置の製造方法において、
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上および前記基板上にゲート絶縁膜、半導体薄膜形成用膜および保護膜形成用膜を連続して成膜する工程と、
前記保護膜形成用膜上に紫外光遮蔽膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜をマスクとして前記保護膜形成用膜をエッチングして、前記紫外光遮蔽膜下に保護膜を形成する工程と、
前記基板の上方側から紫外光を照射しながら前記紫外光遮蔽膜をマスクとして前記半導体薄膜形成用膜をウェットエッチングして、前記紫外光遮蔽膜下の前記保護膜下に半導体薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
さらに他の半導体装置の製造方法において、
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を含む前記基板上にゲート絶縁膜、半導体薄膜形成用膜および保護膜形成用膜を連続して成膜する工程と、
前記保護膜形成用膜に2つのコンタクトホールを形成する工程と、
前記保護膜形成用膜の各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜形成用膜の各上面および前記保護膜形成用膜上に金属からなる紫外光遮蔽膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜をマスクとして前記保護膜形成用膜をエッチングして、前記紫外光遮蔽膜下に前記2つのコンタクトホールを有する保護膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜を前記保護膜の各コンタクトホールを覆う2つの紫外光遮蔽膜に分離する工程と、
前記基板の上側から紫外光を照射しながら前記紫外光遮蔽膜および前記保護膜をマスクとして前記半導体薄膜形成用膜をウェットエッチングして、前記紫外光遮蔽膜下および前記保護膜下に半導体薄膜を形成する工程と、
前記半導体薄膜の周辺部上における前記紫外光遮蔽膜を覆い、前記半導体薄膜の周辺部以外に対応する部分に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の開口部を介して露出された前記2つの紫外光遮蔽膜保護膜の各上面に接続される2つのソース・ドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体薄膜の加工方法の一連の工程を示す断面図である。まず、図1(A)に示すように、基板1の上面に、プラズマCVD法により、酸化亜鉛からなる半導体薄膜2を成膜する。次に、半導体薄膜2の上面に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム、クロム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、紫外光遮蔽膜3を形成する。ここで、酸化亜鉛とは、ZnOのみならず、ZnOの他、Mg、Cd等を含むZnO系全体を意味するものである。
図2はこの発明の第2実施形態としての半導体薄膜の加工方法の一連の工程を示す断面図である。まず、図2(A)に示すように、紫外光に対して透明な基板1の上面に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム、クロム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、紫外光遮蔽膜3を形成する。
図3はこの発明の第3実施形態としての半導体薄膜の加工方法の一連の工程を示す断面図である。まず、図3(A)に示すように、紫外光に対して透明な基板1の上面に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム、クロム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、紫外光遮蔽膜3を形成する。次に、紫外光遮蔽膜3を含む基板1の上面に、プラズマCVD法により、酸化亜鉛からなる半導体薄膜2を成膜する。
図4はこの発明の第4実施形態としての薄膜トランジスタ(半導体装置)の断面図を示す。この薄膜トランジスタでは、紫外光に対して透明なガラス等からなる基板11の上面の所定の箇所に設けられたアルミニウム、クロム等の金属からなる紫外光遮蔽膜12を備えている。紫外光遮蔽膜12を含む基板11の上面には紫外光に対して透明な窒化シリコン等からなる下地絶縁膜13が設けられている。
図9はこの発明の第5実施形態としての薄膜トランジスタ(半導体装置)の断面図を示す。この薄膜トランジスタにおいて、図4に示す薄膜トランジスタと異なる点は、紫外光遮蔽膜12を絶縁材料によって形成し、下地絶縁膜13を省略した点である。すなわち、図4に示す薄膜トランジスタでは、紫外光遮蔽膜12をアルミニウム等の金属によって形成しているため、下地絶縁膜13により、2つのオーミックコンタクト層16、17が紫外光遮蔽膜12を介して短絡するのを防止する必要がある。これに対し、図9に示す薄膜トランジスタでは、紫外光遮蔽膜12を絶縁材料によって形成しているので、下地絶縁膜13を省略することができる。
図10はこの発明の第6実施形態としての薄膜トランジスタ(半導体装置)の断面図を示す。この薄膜トランジスタでは、基板31の上面の所定の箇所に設けられたアルミニウム、クロム等からなるゲート電極32を備えている。この場合、基板31は紫外光に対して透明、非透明のいずれであってもよい。ゲート電極32を含む基板31の上面には窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜33が設けられている。
図21はこの発明の第7実施形態としての薄膜トランジスタ(半導体装置)の断面図を示す。この薄膜トランジスタにおいて、図10に示す薄膜トランジスタと異なる点は、紫外光遮蔽膜38を絶縁材料によって保護膜35と同一の平面形状に形成し、保護膜35の2つのコンタクトホール36、37に対応する部分における紫外光遮蔽膜38にコンタクトホール36a、37aを形成した点である。
図25はこの発明の第8実施形態としての薄膜トランジスタ(半導体装置)の断面図を示す。この薄膜トランジスタにおいて、図10に示す薄膜トランジスタと異なる点は、2つに分離された紫外光遮蔽膜38を保護膜35のコンタクトホール36、37を介して露出された半導体薄膜34のソース・ドレイン領域の上面およびその周囲における保護膜35の上面に設け、その各上面にソース・ドレイン電極42、43を設け、各紫外光遮蔽膜38にオーミックコンタクト層としての役目を持たせた点である。
2 半導体薄膜
3 紫外光遮蔽膜
4 レジスト膜
11 基板
12 紫外光遮蔽膜
13 下地絶縁膜
14、15 ソース・ドレイン電極
16、17 オーミックコンタクト層
18 半導体薄膜
19 保護膜
20 絶縁膜
21 ゲート電極
18a 半導体薄膜形成用膜
19a 保護膜形成用膜
31 基板
32 ゲート電極
33 ゲート絶縁膜
34 半導体薄膜
35 保護膜
36、37 コンタクトホール
38 紫外光遮蔽膜
39 開口部
40 上層絶縁膜
41 開口部
42、43 ソース・ドレイン電極
34a 半導体薄膜形成用膜
35a 保護膜形成用膜
38a 紫外光遮蔽膜形成用膜
Claims (15)
- 紫外光に対して透明な基板上に紫外光遮蔽膜を形成し、前記紫外光遮蔽膜および前記基板の上方側に半導体薄膜を形成し、前記紫外光遮蔽膜上における前記半導体薄膜上にマスキングパターンを形成し、前記基板の下方側から紫外光を照射しながら前記マスキングパターンをマスクとして前記半導体薄膜をウェットエッチングすることを特徴とする半導体薄膜の加工方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記マスキングパターンは前記紫外光遮蔽膜をマスクとした裏面露光により形成することを特徴とする半導体薄膜の加工方法。
- 紫外光に対して透明な基板上に紫外光遮蔽膜を形成し、前記紫外光遮蔽膜および前記基板の上方側に半導体薄膜を形成し、前記基板の下方側から紫外光を照射しながら前記半導体薄膜をウェットエッチングすることを特徴とする半導体薄膜の加工方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の発明において、前記半導体薄膜は酸化亜鉛を主たる材料とするものからなることを特徴とする半導体薄膜の加工方法。
- 紫外光に対して透明な基板上に紫外光遮蔽膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜を含む前記基板上にソース・ドレイン電極およびオーミックコンタクト層を形成する工程と、
少なくとも前記オーミックコンタクト層を含む前記基板上に酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用膜を成膜する工程と、
前記半導体薄膜形成用膜上に保護膜を形成する工程と、
前記基板の下側から紫外光を照射しながら前記保護膜をマスクとして前記半導体薄膜形成用膜をウェットエッチングして、前記保護膜下に半導体薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の発明において、前記紫外光遮蔽膜は金属からなり、前記ソース・ドレイン電極および前記オーミックコンタクト層は、前記紫外光遮蔽膜上および前記基板上に形成された下地絶縁膜上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項5に記載の発明において、前記紫外光遮蔽膜は絶縁材料からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項5に記載の発明において、前記オーミックコンタクト層はITOからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項5に記載の発明において、さらに、前記保護膜を覆う絶縁膜を成膜する工程と、
前記半導体薄膜上における前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上および前記基板上にゲート絶縁膜、半導体薄膜形成用膜および保護膜形成用膜を連続して成膜する工程と、
前記保護膜形成用膜上に紫外光遮蔽膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜をマスクとして前記保護膜形成用膜をエッチングして、前記紫外光遮蔽膜下に保護膜を形成する工程と、
前記基板の上方側から紫外光を照射しながら前記紫外光遮蔽膜をマスクとして前記半導体薄膜形成用膜をウェットエッチングして、前記紫外光遮蔽膜下の前記保護膜下に半導体薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の発明において、前記紫外光遮蔽膜は金属からなり、前記半導体薄膜を形成した後に、
前記紫外光遮蔽膜を覆い、前記紫外光遮蔽膜の一部に対応する部分に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の開口部に対応する部分における前記紫外光遮蔽膜に開口部を形成して、前記紫外光遮蔽膜を2つに分離する工程と、
前記保護膜に2つのコンタクトホールを形成して、これらのコンタクトホールを介して前記半導体薄膜の2つのソース・ドレイン領域を露出させる工程と、
前記保護膜の各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜の各ソース・ドレイン領域に接続される2つのソース・ドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の発明において、前記紫外光遮蔽膜は絶縁材料からなり、前記半導体薄膜を形成した後に、
前記紫外光遮蔽膜を覆い、前記紫外光遮蔽膜の一部に対応する部分に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜および前記保護膜に2つのコンタクトホールを形成して、これらのコンタクトホールを介して前記半導体薄膜の2つのソース・ドレイン領域を露出させる工程と、
前記紫外光遮蔽膜および前記保護膜の各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜の各ソース・ドレイン領域に接続される2つのソース・ドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を含む前記基板上にゲート絶縁膜、半導体薄膜形成用膜および保護膜形成用膜を連続して成膜する工程と、
前記保護膜形成用膜に2つのコンタクトホールを形成する工程と、
前記保護膜形成用膜の各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜形成用膜の各上面および前記保護膜形成用膜上に金属からなる紫外光遮蔽膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜をマスクとして前記保護膜形成用膜をエッチングして、前記紫外光遮蔽膜下に前記2つのコンタクトホールを有する保護膜を形成する工程と、
前記紫外光遮蔽膜を前記保護膜の各コンタクトホールを覆う2つの紫外光遮蔽膜に分離する工程と、
前記基板の上側から紫外光を照射しながら前記紫外光遮蔽膜および前記保護膜をマスクとして前記半導体薄膜形成用膜をウェットエッチングして、前記紫外光遮蔽膜下および前記保護膜下に半導体薄膜を形成する工程と、
前記半導体薄膜の周辺部上における前記紫外光遮蔽膜を覆い、前記半導体薄膜の周辺部以外に対応する部分に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の開口部を介して露出された前記2つの紫外光遮蔽膜保護膜の各上面に接続される2つのソース・ドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項13に記載の発明において、前記紫外光遮蔽膜はITOからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項5〜14のいずれかに記載の発明において、前記半導体薄膜は酸化亜鉛を主たる材料とするものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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