JP2011124557A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. 半導体材料を含む基板に設けられた第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタの上方の第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、
   酸化物半導体層と、
   ゲート電極層と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極層の間にゲート絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第２のチャネル形成領域を有し、
   前記第２のチャネル形成領域を含む前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の表面に垂直な方向にＣ軸が配向している結晶構造を含むことを特徴とする半導体装置。
2. 半導体材料を含む基板に設けられた第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタの上方の第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、
   酸化物半導体層と、
   ゲート電極層と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極層の間にゲート絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第２のチャネル形成領域を有し、
   前記第２のチャネル形成領域は、キャリア濃度が、１×１０ ^１２ ／ｃｍ ^３ 未満であり、
   前記第２のチャネル形成領域を含む前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の表面に垂直な方向にＣ軸が配向している結晶構造を含むことを特徴とする半導体装置。
3. 半導体材料を含む基板に設けられた第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタの上方の第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、
   酸化物半導体層と、
   ゲート電極層と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極層の間にゲート絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第２のチャネル形成領域を有し、
   前記第２のチャネル形成領域は、キャリア濃度が、１×１０ ^１２ ／ｃｍ ^３ 未満であり、
   前記第２のチャネル形成領域を含む前記酸化物半導体層は、８０％以上の結晶質を含み、
   前記結晶質は、前記酸化物半導体層の表面に垂直な方向にＣ軸が配向している結晶構造を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層の水素濃度は、５×１０ ^１９ ／ｃｍ ^３ 以下であり、
   前記水素濃度は、二次イオン質量分析法によって測定された値であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層は、ＩｎＭＯ _３ （ＺｎＯ） _ｍ （ｍ＞０）で表記される材料を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層上に、ソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。