JP2010267955A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上に酸化物層と、
   前記酸化物層上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上にソース電極層と、
   前記酸化物半導体層上にドレイン電極層と、を有し、
   前記酸化物層及び前記酸化物半導体層は、Ｚｎを含み、
   前記酸化物層及び前記酸化物半導体層は、インジウムを含まず、
   前記酸化物半導体層は、前記酸化物層より導電率が低く、かつアモルファス構造を有し、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記絶縁性酸化物は、酸化シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記酸化物層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記酸化物層は、多結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記酸化物層及び前記絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層は、レアメタルを含まないことを特徴とする半導体装置。