KR20100114842A - 반도체 장치 및 그 제작 방법 - Google Patents

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KR20100114842A
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šœ페이 야마자키
히로미치 고도
히데유키 키시다
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

In, Ga 등의 레어 메탈을 포함하지 않고, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터를 제공하고, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터에 있어서, 오프 전류를 저감하여 전기 특성을 안정시키는 것을 과제의 하나로 한다.
Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터에 있어서, 산화물층 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 적층하고, 산화물층과 소스 전극층 또는 드레인 전극층이 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 사이에 두고 중첩하도록 트랜지스터를 형성함으로써, 트랜지스터의 임계 값 전압의 변동을 저감하여 전기 특성을 안정시킬 수 있다.

Description

반도체 장치 및 그 제작 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은, 산화물 반도체를 사용하는 반도체 장치와, 상기 반도체 장치를 사용한 표시 장치 및 그들의 제작 방법에 관한 것이다.
금속 산화물은 다양하게 존재하고, 각종 용도에 사용되고 있다. 산화 인듐은 잘 알려져 있는 재료이며, 액정 디스플레이 등에서 필요하게 되는 투광성을 갖는 전극 재료로서 사용되고 있다.
금속 산화물 중에는, 반도체 특성을 나타내는 것이 있다. 반도체 특성을 나타내는 금속 산화물로서는, 예를 들어, 산화 텅스텐, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 아연 등이 있고, 이와 같은 반도체 특성을 나타내는 금속 산화물을 채널 형성 영역으로 하는 트랜지스터가 이미 알려져 있다(특허문헌 1 내지 특허문헌 4, 비특허문헌 1 참조).
그런데, 금속 산화물은 일원계 산화물뿐만이 아니라 다원계 산화물도 알려져 있다. 예를 들어, 동족계열(homologous series)을 갖는 InGaO3(ZnO)m(m: 자연수)는 In, Ga, 및 Zn을 갖는 다원계 산화물 반도체로서 알려져 있다(예를 들어, 비특허문헌 2 내지 비특허문헌 4 참조).
그리고, 상술한 바와 같은 In-Ga-Zn계 산화물로 구성되는 산화물 반도체는, 트랜지스터의 채널층으로서 적용할 수 있는 것이 확인되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 5, 비특허 문헌 5 및 비특허 문헌 6 참조).
특히, In-Ga-Zn계 산화물은, 고이동도, 투광성, 저온 성막 가능 등의 성질을 갖기 때문에, 플렉시블 디스플레이로 대표되는 차세대 디스플레이의 화소 트랜지스터로서 주목을 받고 있다.
한편, In-Ga-Zn계 산화물을 구성하는 In 및 Ga는 레어 메탈(rare metal)이기 때문에, 가격이 매우 비싸고, 트랜지스터의 비용 증대를 초래할 우려가 있다. 또한, In 및 Ga는 자원 자체의 고갈도 위험시되어 있고, 환경 보호의 시점에서 대체 재료의 발견이 요구되어 있다.
특개소60-198861호 공보 특개평8-264794호 공보 특표평11-505377호 공보 특개2000-150900호 공보 특개2004-103957호 공보
M.W.Prins, K.O.Grosse-Holz, G.Muller, J.F.M.Cillessen, J.B.Giesbers, R.P.Weening, and R.M.Wolf, "A ferroelectric transparent thin-film transistor", Appl.Phys.Lett., 17 June 1996, Vol.68, p.3650-3652 M.Nakamura, N.Kimizuka, and T.Mohri, "The Phase Relations in the In2O3-Ga2ZnO4-ZnO System at 1350℃", J.Solid State Chem., 1991, Vol.93, p.298-315 N.Kimizuka, M.Isobe, and M.Nakamura, "Syntheses and Single-Crystal Data of Homologous Compounds, In2O3(ZnO)m(m=3,4, and 5), InGaO3(ZnO)3, and Ga2O3(ZnO)m(m=7,8,9 and 16) in the In2O3-ZnGa2O4-ZnO System", J, Solid State Chem., 1995, Vol.116, p.170-178 M.Nakamura, N.Kimizuka, T.Mohori, M.Isobe, "동족계열, InFeO3(ZnO)m(m: 자연수)와 그 동형 화합물의 합성 및 결정 구조", 고체 물리, 1993, Vol.28, No.5, p.317-327 K.Nomura, H.Ohta, K.Ueda, T.Kamiya, M.Hirano, and H.Hosono, "Thin-film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor", SCIENCE, 2003, Vol.300, p.1269-1272 K.Nomura, H.Ohta, A.Takagi, T.Kamiya, M.Hirano, and H.Hosono, "Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors", NATURE, 2004, Vol.432, p.488-492
또한, 본 발명의 일 형태는, In 및 Ga 등의 레어 메탈을 포함하지 않고, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터를 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 일 형태는, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터에 있어서, 상기 트랜지스터의 임계 값 전압의 편차를 저감하는 것을 과제로 한다. 또한, 본 발명의 일 형태는, 상기 Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 사용한 반도체 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 본 발명의 일 형태는, 상기 산화물층을 사용한 트랜지스터를 갖는 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터에 있어서, 산화물층 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 적층하고, 산화물층과 소스 전극층 또는 드레인 전극층이 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 사이에 두고, 중첩하도록 트랜지스터를 형성한다.
본 발명의 일 형태는, 게이트 전극층과, 게이트 전극층 위에 게이트 절연층과, 게이트 절연층 위에 산화물층과, 산화물층 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 위에 소스 전극층 및 드레인 전극층을 갖고, 산화물층 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은, Zn를 포함하고, 산화물층 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 인듐을 포함하지 않고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 산화물층보다 도전율이 낮은 아모퍼스 구조이고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과 소스 전극층 및 드레인 전극층과는 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치이다.
본 발명의 다른 일 형태는, 게이트 전극층과, 게이트 전극층 위에 게이트 절연층과, 게이트 절연층 위에 산화물층과, 산화물층 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 위에 n형의 도전형을 갖는 버퍼층과, 버퍼층 위에 소스 전극층 및 드레인 전극층을 갖고, 산화물층 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체는, Zn를 포함하고, 산화물층 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 인듐을 포함하지 않고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 산화물층보다 도전율이 낮은 아모퍼스 구조이고, 버퍼층의 도전율은, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층의 도전율보다 높고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과 소스 전극층 및 드레인 전극층과는 버퍼층을 통하여 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치이다.
또한, 절연성 산화물은, 산화 실리콘인 것이 바람직하다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은, SiO2를 2.5wt% 이상 20wt% 이하 포함시킨 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은, SiO2를 7.5wt% 이상 12.5wt% 이하 포함시킨 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여 형성되는 것이 특히 바람직하다. 또한, 산화물층은, 산화물 반도체층인 것이 바람직하다. 또한, 산화물층은, 다결정 구조라도 좋다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층이 복수의 적층이고, 상층의 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은, 하층의 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층보다 다량의 절연성 산화물을 포함하는 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여 형성되어 있어도 좋다.
또한, 버퍼층은, Zn를 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은, 소스 전극층과 드레인 전극층의 사이에, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 겹치는 영역보다도 막 두께가 얇은 영역을 가져도 좋다. 또한, 게이트 전극층의 채널 방향의 폭이, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 및 산화물층의 채널 방향의 폭보다 넓어도 좋다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층의 단부의 아래에 공동이 형성되어 있어도 좋다. 또한, 산화물층의 단부가 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층에 의하여 덮여 있어도 좋다.
본 발명의 다른 일 형태는, 기판 위에 게이트 전극층을 형성하고, 게이트 전극층 위에 게이트 절연층을 형성하고, 게이트 절연층 위에 Zn를 포함시킨 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여, 산화물막을 형성하고, 산화물막 위에 SiO2와 Zn를 포함시킨 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여, 산화 실리콘을 포함하는 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 형성하고, 산화물막 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 에칭하여 산화물층과 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 위에 도전층을 성막하고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과 도전층을 에칭하여 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하고, SiO2와 Zn를 포함시킨 타깃은 SiO2를 2.5wt% 이상 20wt% 이하 포함하고, 산화물층 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 인듐을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제작 방법이다.
본 발명의 다른 일 형태는, 기판 위에 게이트 전극층을 형성하고, 게이트 전극층 위에 게이트 절연층을 형성하고, 게이트 절연층 위에 Zn를 포함시킨 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여, 산화물막을 형성하고, 산화물막을 에칭하여 산화물층을 형성하고, 산화물층 위에 SiO2와 Zn를 포함시킨 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여, 산화 실리콘을 포함하는 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 형성하고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 에칭하여, 산화물층을 덮도록 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 위에 도전층을 성막하고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과 도전층을 에칭하여 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하고, SiO2와 Zn를 포함시킨 타깃은 SiO2를 2.5wt% 이상 20wt% 이하 포함하고, 산화물층 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 인듐을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제작 방법이다.
또한, SiO2와 Zn를 포함시킨 타깃은, SiO2를 7.5wt% 이상 12.5wt% 이하 포함하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 산화물막 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 웨트 에칭함으로써, 산화물막을 사이드 에칭하고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층의 단부 아래에 공동을 형성하여도 좋다. 또한, 산화물층에 있어서의 소스 전극층과 드레인 전극층의 사이의 영역에, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 겹치는 영역보다도 막 두께가 얇은 영역을 형성하여도 좋다.
또한, "제 1", "제 2"라고 붙인 서수사(序數詞)는, 편의상 사용하는 것이며, 공정 순서 또는 적층 순서를 나타내는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 발명을 특정하기 위한 사항으로서 고유의 명칭을 나타내는 것이 아니다.
또한, 본 명세서 중에 있어서, "반도체 장치"란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리키고, 전기 광학 장치, 반도체 회로 및 전자 기기는 모두 반도체 장치이다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따르면, In 및 Ga 등의 레어 메탈을 포함하지 않고, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터에 있어서, 산화물층 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 적층하고, 산화물층과 소스 전극층 또는 드레인 전극층이 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 사이에 두고 중첩하도록 트랜지스터를 형성함으로써, 상기 트랜지스터의 임계 값 전압의 편차를 저감하여, 전기 특성을 안정시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태에 따르면, 상기 트랜지스터를 사용한 반도체 장치를 제공할 수 있다.
상기 트랜지스터를 표시 장치의 화소부 및 구동 회로부에 사용함으로써, 전기 특성이 안정된 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 4는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 5는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 6은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 7은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 8은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 9a1, 도 9a2, 도 9b1, 도 9b2는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 13a 내지 도 13c는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 14a 및 도 14b는 반도체 장치의 블록도를 설명하는 도면.
도 15는 신호선 구동 회로의 구성을 설명하는 도면.
도 16은 신호선 구동 회로의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 17은 신호선 구동 회로의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 18은 시프트 레지스터의 구성을 설명하는 도면.
도 19는 도 18에 도시하는 플립플롭의 접속 구성을 설명하는 도면.
도 20a1, 도 20a2, 도 20b는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 21은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 22는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 23은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 화소 등가 회로를 설명하는 도면.
도 24a 내지 도 24c는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 25a 및 도 25b는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 26a 및 도 26b는 전자 페이퍼의 사용 형태를 설명하는 도면.
도 27은 본 발명의 전자 서적의 일례를 도시하는 외관도.
도 28a 및 도 28b는 텔레비전 장치 및 디지털 포토 프레임의 예를 도시하는 외관도.
도 29a 및 도 29b는 유기기의 예를 도시하는 외관도.
도 30a 및 도 30b는 휴대 전화기의 일례를 도시하는 외관도.
도 31a 및 도 31b은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 32a 내지 도 32c는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 33a 내지 도 33c는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 34a 및 도 34b는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 35a 내지 도 35c는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하는 도면.
도 36은 계산에 사용한 ZnO의 단결정 구조를 설명하는 도면.
도 37a 내지 도 37e는 계산으로 구한 ZnO의 동경 분포 함수를 도시하는 도면.
도 38a 내지 도 38d는 계산으로 구한 ZnO의 동경 분포 함수를 도시하는 도면.
도 39a 내지 도 39e는 XRD 해석 시뮬레이션으로 구한 강도를 도시하는 도면.
도 40a 내지 도 40d는 XRD 해석 시뮬레이션으로 구한 강도를 도시하는 도면.
도 41a 내지 도 41c는 계산에 사용한 트랜지스터의 구조를 설명하는 도면.
도 42는 계산으로 구한 트랜지스터의 임계 값 전압을 도시하는 도면.
도 43은 계산으로 구한 트랜지스터의 포화 이동도를 도시하는 도면.
실시형태에 대하여, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 아래의 설명에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지 및 그 범위로부터 벗어남이 없이 그의 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 당업자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 본 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 동일 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 다른 도면간에서 공통적으로 사용하고, 그의 반복 설명은 생략한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 트랜지스터의 구조에 대하여, 도 1a 및 도 1b를 사용하여 설명한다.
본 실시형태의 보텀 게이트 구조의 트랜지스터를 도 1a 및 도 1b에 도시한다. 도 1a는 단면도이고, 도 1b는 평면도이다. 도 1a는 도 1b에 있어서의 선 A1-A2의 단면도이다.
도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터에는, 기판(100) 위에 게이트 전극층(101)이 형성되고, 게이트 전극층(101) 위에 게이트 절연층(102)이 형성되고, 게이트 절연층(102) 위에 산화물층(106)이 형성되고, 산화물층(106) 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)이 형성되고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 위에 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)이 형성되어 있다. 또한, 산화물층(106) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)은, 아연(Zn)을 포함한다.
게이트 전극층(101)은 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 탄탈, 텅스텐, 네오디뮴, 스칸듐 등의 금속 재료, 또는 이들 금속 재료를 주성분으로 하는 합금 재료, 또는 이들 금속 재료를 성분으로 하는 질화물을 사용하여 단층으로 형성하거나 또는 적층하여 형성한다. 알루미늄이나 구리 등의 저저항 도전성 재료로 형성하는 것이 바람직하지만, 내열성이 낮거나 또는 부식(腐食)하기 쉽다는 문제점이 있으므로, 내열성 도전성 재료와 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 내열성 도전성 재료로서는 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 탄탈, 텅스텐, 네오디뮴, 스칸듐 등을 사용한다.
예를 들어, 게이트 전극층(101)의 적층 구조로서는, 알루미늄층 위에 몰리브덴층이 적층된 2층의 적층 구조, 또는 구리층 위에 몰리브덴층이 적층된 2층의 적층 구조, 또는 구리층 위에 질화 티타늄층 또는 질화 탄탈층이 적층된 2층의 적층 구조, 또는 질화 티타늄층과 몰리브덴층이 적층된 2층의 적층 구조로 하는 것이 바람직하다. 3층의 적층 구조로서는, 텅스텐층 또는 질화 텅스텐층과, 알루미늄과 실리콘의 합금층, 또는 알루미늄과 티타늄의 합금층과, 질화 티타늄층 또는 티타늄층이 적층된 구조로 하는 것이 바람직하다.
산화물층(106)은, Zn-O계, 또는 Sn-Zn-O계의 산화물로 이루어지고, 산화물 반도체인 것이 바람직하다. 다만, 산화물층(106)은 반드시 산화물 반도체일 필요는 없고, 도전체적인 성질을 가져도 좋다. 여기서, 산화물층(106)은 비정질(아모퍼스) 구조, 다결정 구조, 단결정 구조 또는 결정립(나노 크리스탈)을 포함하는 구조 중, 어느 구조를 취하여도 좋다. 결정립(나노 크리스탈)은, 직경 1nm 내지 10nm, 대표적으로는 2nm 내지 4nm 정도이다. 또한, 결정 상태는, X선 회절(XRD: X-Ray Diffraction)의 분석에 의하여 평가하는 것으로 한다.
본 명세서 중에서, Zn-O계의 산화물이란, 적어도 Zn를 포함하는 산화물을 가리키며, Zn-O계의 산화물 반도체란 적어도 Zn를 포함하는 산화물 반도체를 가리킨다. 또한, Sn-Zn-O계의 산화물이란, 적어도 Sn 및 Zn를 포함하는 산화물을 가리키며, Sn-Zn-O계의 산화물 반도체란 적어도 Sn 및 Zn를 포함하는 산화물 반도체를 가리킨다. 또한, 상기 산화물 및 산화물 반도체 중에는, Fe, Ni, Mn 또는 Co로부터 선택된 하나 또는 복수의 금속 원소가 포함되어 있어도 좋다.
여기서, 산화물층(106)으로서, 전자 진성 이동도가 높은 다결정 구조나 단결정 구조의 산화물 반도체막을 사용함으로써, 트랜지스터의 이동도를 향상시킬 수 있다. 또한, 산화물층(106)을 비정질(아모퍼스) 구조 또는 결정립을 포함하는 구조로서 형성하고, 트랜지스터 제작시의 열 처리에 있어서, 산화물층(106)을 다결정 구조 또는 단결정 구조로서도 트랜지스터의 이동도를 향상시킬 수 있다.
산화물층(106)의 막 두께는, 10nm 내지 300nm로 하고, 바람직하게는 20nm 100nm로 한다.
절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)은, Zn-O계 또는 Sn-Zn-O계의 산화물 반도체에 절연성 산화물을 포함시킨 비정질(아모퍼스)막이고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 도전율은, 산화물층(106)의 도전율보다 낮다. 여기서, 절연성 산화물로서는, 산화 실리콘이 바람직하다. 또한, 절연성 산화물에는, 질소를 가하여도 좋다. 또한, 산화물층(106)과 마찬가지로 결정 상태는 X선 회절(XRD: X-Ray Diffraction)의 분석에 의하여 평가하는 것으로 한다.
또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)은 스퍼터링법으로 형성하고, 타깃으로서 SiO2를 2.5wt% 이상 20wt% 이하 포함시킨 타깃을 사용하는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 7.5wt% 이상 12.5wt% 이하 포함시킨 타깃을 사용한다.
절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 막 두께는, 10nm 내지 300nm로 하고, 바람직하게는 20nm 100nm로 한다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)은, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 사이에 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 중첩하는 영역보다 막 두께가 얇은 영역을 갖는다.
절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)에 산화 실리콘과 같은 절연성 산화물을 포함시킴으로써, 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 결정화를 억제하고, 도전율이 저감된 아모퍼스 구조로 할 수 있다. 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 결정화를 억제하고, 도전율이 저감된 아모퍼스 구조로 함으로써, 트랜지스터 제작시에 형성되는 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 백 채널에 형성되는 캐리어에 의한 임계 값 전압의 변화를 저감할 수 있다. 이로써, 트랜지스터의 특성의 변동을 저감하여 안정화시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 산화 실리콘과 같은 절연성 산화물을 포함시킴으로써, 트랜지스터 제작시에 300℃ 내지 600℃의 열 처리를 행하여도 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 결정화 또는 미결정립의 생성을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 나타내는 트랜지스터는, 인듐(In) 및 갈륨(Ga)과 같은 레어 메탈을 사용하지 않고, 산화물층(106) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)을 형성할 수 있기 때문에, 트랜지스터의 제작 비용을 억제할 수 있다.
소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)은, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 탄탈, 텅스텐, 네오디뮴, 스칸듐 등의 금속 재료, 또는 이들 금속 재료를 주성분으로 하는 합금 재료, 또는 이들 금속 재료를 성분으로 하는 질화물을 사용할 수 있다. 알루미늄이나 구리 등의 저저항 도전성 재료로 형성하는 것이 바람직하지만, 내열성이 낮거나 또는 부식하기 쉽다는 문제점이 있으므로 내열성 도전성 재료와 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 내열성 도전성 재료로서는 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 탄탈, 텅스텐, 네오디뮴, 스칸듐 등을 사용한다.
예를 들어, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)은, 제 1 도전층 및 제 3 도전층에 내열성 도전성 재료인 티타늄을 사용하여, 제 2 도전층에 네오디뮴을 포함하는 저저항의 알루미늄 합금을 사용하는, 3층 구조로 하는 것이 바람직하다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)을, 이러한 구성으로 함으로써, 알루미늄의 저저항성을 살리면서, 힐록의 발생을 저감할 수 있다. 또, 이것에 한정되지 않고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)은, 단층 구조로 하여도 좋고, 2층 구조로 하여도 좋으며, 4층 이상의 구조로 하여도 좋다.
다음에, 단결정 상태의 아연(Zn)을 포함하는 산화물 반도체(ZnO)에 절연성 산화물(SiO2)를 포함시킴으로써, SiO2를 포함하는 ZnO가 아모퍼스 구조를 취하는 것을 고전 분자 동력학 시뮬레이션에 의거하여 설명한다. 고전 분자 동력학법에서는, 원자간 상호 작용을 특징하는 경험적 포텐셜을 정의함으로써 각 원자에 작용하는 힘을 평가한다. 각 원자에 고전적 역학의 법칙을 적용하여 뉴턴(newton)의 운동 방정식을 수치적으로 품으로써, 각 원자의 운동(시간 발전)을 결정론적으로 추적할 수 있다.
이하에, 계산 모델과 계산 조건을 서술한다. 또한, 본 계산에 있어서는, 후지쯔(FUJITSU LIMITED)사 제품 분자 동력학 계산 소프트 “Materials Explorer”를 사용하고, 경험적 포텐셜로서는, Born-Mayer-Huggins 포텐셜을 사용하였다.
도 36에 계산 모델로서 사용한 896 원자로 이루어지는 단결정 구조의 ZnO를 도시한다. 도 36에 도시하는 바와 같이, 단결정 구조의 ZnO는 아연 원자(ZnO)(250)와 산소 원자(O)(251)에 의하여 형성된다. 이 구조의 아연 원자(ZnO)(250)를 치환량을 바꾸어 실리콘 원자(Si) 및 산소 원자(O)로 치환하였다. 각 원소의 전하(Zn:+2, O:-2, Si:+4)를 고려하고, 3개의 Zn를 2개의 Si와 1개의 O로 치환하였다. 치환량을 2.5wt%, 4.9wt%, 7.6wt%, 10.0wt%, 12.5wt%, 15.0wt%, 17.5wt%, 20.0wt%로 한 구조를 제작하였다. 치환량은, 이하의 수식(1)에서 정의한다. Zn를 Si 및 O로 치환한 구조를 ZnO 치환 구조라고 부른다.
[수식 1]
Figure pat00001
상술한 8종류의 ZnO 치환 구조 및 단결정 구조의 ZnO에 대하여, 온도 350℃, 압력 1atm, 총 계산 시간 400psec(시간 간격은 0.2fsec×200만 스탭), 원자 수, 온도, 압력 일정의 조건하에서, 고전 분자 동력학 시뮬레이션을 행하였다.
고전 분자 동력학 시뮬레이션의 결과에 의하여, 이체 상관 함수 계산을 행하여 구한 동경 분포 함수 g(r)에 대하여 도 37a 내지 도 38d에 도시한다. 도 37a는, 단결정 구조의 ZnO의 동경 분포 함수를 도시하고, 도 37b 내지 도 38d는 치환량 2.5wt% 내지 치환량 20wt%의 ZnO 치환 구조의 동경 분포 함수를 도시한다. 또한, 동경 분포 함수 g(r)란 어느 원자에서 거리 r만큼 떨어진 위치에 있어서 다른 원자가 존재하는 확률 밀도를 나타내는 함수이다. 원자들의 상관이 없어져 갈수록 g(r)은 1에 더 접근한다.
도 37a 내지 도 38d에 있어서, 각 계산 모델의 동경 분포 함수 g(r)를 비교하면, 단결정 구조, 치환량이 2.5wt% 내지 7.6wt%의 ZnO 치환 구조까지는 거리 r가 장거리라도 동경 분포 함수 g(r)에 피크가 있고, 장거리 질서가 있는 것을 알 수 있다. 그러나, 치환량이 10.0wt% 이상의 ZnO 치환 구조에서는, 거리 r가 0.6nm 이상에 있어서, 동경 분포 함수 g(r)에 피크가 없어져, 장거리 질서를 갖지 않는 것을 알 수 있다. 상술한 것에 의하면, 치환량이 10.0wt% 이상의 ZnO 치환 구조에서는, 아모퍼스화한다는 것을 알 수 있다.
다음에, 고전 분자 동력학 시뮬레이션에 의하여 얻어진 8종류의 ZnO 치환 구조 및 단결정 구조의 ZnO에 대하여 XRD 해석 시뮬레이션을 행한 결과를 도 39a 내지 도 40d에 도시한다. 도 39a는, 단결정 구조의 ZnO의 X선 강도를 도시하고, 도 39b 내지 도 40d는 치환량 2.5wt% 내지 치환량 20.0wt%의 ZnO 치환 구조의 X선 강도를 도시한다. 또한, 계산에 사용한 X선의 파장은, 0.154138nm(Cu Kα)이다.
도 39a 내지 도 40d에 있어서, 각 계산 모델의 XRD 해석 시뮬레이션의 결과를 비교하면, ZnO 단결정 구조와 비교하여, 치환량이 2.5wt% 이상의 ZnO 치환 구조에서는 피크의 높이가 낮게 되기 시작하고 있다는 것을 알 수 있다. 이에 의하여, 치환량이 2.5wt% 이상이 되면, 단결정 구조의 전체적인 붕괴가 시작되어, 아모퍼스화가 시작하였다고 추측된다. 또한, 치환량이 7.6wt% 이하의 ZnO 치환 구조에서는 약간의 피크가 있지만, 10.0wt% 이상의 ZnO 치환 구조에서는 피크는 넓게 되어 있는 것을 알 수 있다. 그래서, 치환량이 10.0wt% 이상이 되면, ZnO 치환 구조는 거의 완전히 아모퍼스화한다고 추측된다.
상술한 계산 결과에 의하여, ZnO에 SiO2를 함유함으로써, ZnO가 아모퍼스 구조를 취하기 쉽게 되는 것이 시사되었다. 실제로 스퍼터링법을 사용하여 얻어지는 SiO2를 함유시킨 ZnO 박막은 형성 직후에 있어서, 비정질막이기 때문에, 이들 계산 결과에 의거하면 SiO2를 함유시킴으로써 열처리를 행한 경우도 ZnO의 결정화를 저해하고 비정질(아모퍼스) 구조를 유지할 수 있다고 도출된다.
다음에, ZnO로 이루어지는 산화물 반도체층 위에 절연성 산화물 SiO2를 포함하는 ZnO로 이루어지는 산화물 반도체층을 적층한 트랜지스터의 효과에 대하여, 계산기에 의한 계산 결과에 의거하여 설명한다. 여기서는, 백 채널에 발생하는 캐리어에 의한 트랜지스터의 임계 값 전압의 변화에 대하여, 검증을 행한다. 또한, 본 명세서 중에서 백 채널이란, 트랜지스터의 활성층에 있어서의, 소스 전극층 또는 드레인 전극층과 중첩하지 않는 부분을 가리킨다.
도 41a 내지 도 41c에 계산 모델로서 사용한 트랜지스터의 구조를 도시한다. 각 트랜지스터는, 게이트 전극층(601)과, 게이트 전극층(601) 위에 형성된 게이트 절연층(602)과, 게이트 절연층(602) 위에 형성된 산화물 반도체로 이루어지는 활성층과, 활성층 위에 형성된 소스 전극층 또는 드레인 전극층(605a, 605b)에 의하여 구성된다. 각 트랜지스터의 채널 길이는 10㎛, 채널 폭은 100㎛로 하였다. 게이트 전극층(601)은 막 두께 100nm의 텅스텐을 상정하고, 일 함수를 4.6eV로 가정하였다. 또한, 게이트 절연층(602)은 막 두께 100nm의 산화질화 실리콘을 상정하고, 유전율을 4.1로 가정하였다. 또한, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(605a, 605b)은 막 두께 100nm의 티타늄을 상정하고, 일 함수를 4.3eV로 가정하였다.
여기서, 산화물 반도체는 산소 결손이나 수분이나 수소의 침입에 의하여, 잉여의 캐리어를 형성하는 것이 알려져 있다. 트랜지스터의 백 채널은, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(605a, 605b)을 에칭할 때 생기는 플라즈마 대미지에 의하여, 산소 결손이 생기기 쉽고, 잉여의 캐리어가 발생하기 쉽다. 또한, 대기 중이나 층간막으로부터의 수분이나 수소 등의 침입에 의하여, 백 채널에 잉여의 캐리어가 발생할 수도 있다. 따라서, 각 트랜지스터의 백 채널에, 에칭이나 성막 등의 공정에 의한 산소 결손이나, 수분 및 수소 등의 침입에 의하여 발생한 캐리어(전자)를 설정하였다.
도 41a에 도시하는 구조 A의 트랜지스터는, 단층의 산화물 반도체층(606)으로 이루어지는 활성층을 갖는다. 산화물 반도체층(606)은, 막 두께 60nm의 Zn-O계 비단결정막을 상정하여, 전자 진성 이동도는, 40cm2/Vs, 밴드 갭(Eg)은 3.05eV, 전자 친화력(x)은 4.3eV로 가정하였다.
도 41b에 도시하는 구조 B의 트랜지스터는, 산화물 반도체층(616)과 산화물 반도체층(616) 위에 형성된 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(613)의 적층 구조의 활성층을 갖는다. 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(613)은, 막 두께 30nm의 산화 실리콘을 포함하는 Zn-O계 비단결정막을 상정하고, 전자 진성 이동도는, 4cm2/Vs로 가정하였다. 상술한 고전 분자 동력학 시뮬레이션에 의하여 나타낸 바와 같이, 산화 실리콘을 포함함으로써, Zn-O계 비단결정막은 아모퍼스화하므로, 전자 진성 이동도는 저하하는 것으로 한다. 산화물 반도체층(616)은, 막 두께 30nm의 Zn-O계 비단결정막을 상정하고, 전자 진성 이동도는, 40cm2/Vs로 가정하였다. 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(613) 및 산화물 반도체층(616) 모두, 밴드 갭(Eg)은 3.05eV, 전자 친화력(x)은 4.3eV로 가정하였다.
도 41c에 도시하는 구조 C의 트랜지스터는, 산화물 반도체층(626)과 산화물 반도체층(626) 위에 형성된 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(623)의 적층 구조의 활성층을 갖는다. 다만, 구조 C의 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(623)은 구조 B의 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(613)보다 많은 산화 실리콘을 함유한다. 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(623)은, 막 두께 30nm의 산화 실리콘을 포함하는 Zn-O계 비단결정막을 상정하고, 전자 진성 이동도는, 0.4cm2/Vs로 가정하였다. 구조 B보다 많은 산화 실리콘을 포함함으로써, Zn-O계 비단결정막의 전자 진성 이동도는 구조 B보다 저하하는 것으로 한다. 산화물 반도체층(626)은, 막 두께 30nm의 Zn-O계 비단결정막을 상정하고, 전자 진성 이동도는, 40cm2/Vs로 가정하였다. 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(623) 및 산화물 반도체층(626) 모두, 밴드 갭(Eg)은 3.05eV, 전자 친화력(x)은 4.3eV로 가정하였다.
상술한 각 트랜지스터의 백 채널의 표면으로부터 5nm의 깊이에, 에칭이나 성막 등의 공정에 의한 산소 결손이나, 수분 및 수소 등의 침입에 의하여 발생한 캐리어(전자)를 캐리어 농도 5×1016cm-3, 1×1017cm-3, 2.5×1017cm-3, 5×1017cm-3, 1×1018cm-3로 설정하고, 각 캐리어 농도에 있어서의 임계 값 전압을 계산기에 의한 계산으로 산출하였다.
또한, 상술한 모델의 계산에는, Silvaco사제의 디바이스 시뮬레이션 소프트 “ATLAS”를 사용하였다.
도 41a 내지 도 41c에 도시하는 각 구조의 트랜지스터의 임계 값 전압의, 백 채널의 캐리어 농도 의존성을 도 42에 도시한다. 도 42에 있어서, 세로 축은 각 구조의 트랜지스터의 임계 값 전압(Vth[V])을 도시하고, 가로 축은 각 구조의 활성층의 백 채널에 발생하는 캐리어 농도(cm-3)를 도시한다.
본 계산에서는, 트랜지스터의 임계 값 전압(Vth[V])을 게이트 전압(Vg[V])을 가로 축, 드레인 전류의 제곱근(Id1 /2)을 세로 축에 플롯(plot)한 그래프에 있어서, 최대 기울기인 Id1 /2의 접선을 외삽(外揷)하였을 때의 Vg 축과의 교점으로 정의한다.
도 42에 도시하는 바와 같이, 구조 A의 트랜지스터는, 백 채널의 캐리어 농도가 증가됨에 따라, 임계 값 전압의 임계 값도 증가된다. 백 채널의 캐리어 농도 5×1016cm-3 내지 1×1018cm-3에 대하여, 구조 A의 임계 값 전압은 2.7V 정도 시프트한다.
구조 A와 비교하면, 활성층이 산화물 반도체층(616)과 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(613)의 적층 구조인 구조 B는, 백 채널의 캐리어 농도에 대한 임계 값 전압의 절대 값의 증가가 작아진다. 백 채널의 캐리어 농도 5×1016cm-3 내지 1×1018cm-3에 대하여, 구조 B의 임계 값 전압은 0.7V 정도 밖에 시프트 하지 않는다.
절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(623)이 구조 B보다 많은 산화 실리콘을 포함하는 구조 C는, 백 채널의 캐리어 농도에 대한 임계 값 전압의 절대 값의 증가가 구조 B보다 더 작아진다. 백 채널의 캐리어 농도 5×1016cm-3 내지 1×1018cm-3에 대하여, 구조 C의 임계 값 전압은 0.4V 정도 밖에 시프트 하지 않는다.
또한, 도 41a 내지 도 41c에 도시하는 각 구조의 트랜지스터의 포화 이동도의 백 채널의 캐리어 농도 의존성을 도 43에 도시한다. 세로 축은 각 구조의 트랜지스터의 포화 이동도(μFE(sat)[cm2/Vs])를 도시하고, 가로 축은 도 42와 마찬가지다.
도 43을 보면, 구조 B, 구조 C의 트랜지스터는, 구조 A의 트랜지스터와 대략 같은 정도의 포화 이동도를 갖고, 백 채널의 캐리어 농도가 증가됨에 따라, 구조 A의 이동도에 가까워지는 것을 알 수 있다. 따라서, 전자 진성 이동도가 낮은 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 적층하고, 백 채널의 캐리어에 의한 임계 값 전압의 변화를 저감하여도, 트랜지스터의 포화 이동도 및 온 전류를 유지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 트랜지스터의 활성층을, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과 산화물 반도체층과의 적층 구조로 함으로써, 트랜지스터의 포화 이동도를 저하시키지 않고, 백 채널의 캐리어에 의한 임계 값 전압의 변화를 저감할 수 있는 것이 시사되었다. 따라서, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과 산화물 반도체층을 적층한 활성층을 갖는 트랜지스터를 화상 표시 장치의 화소부에 사용함으로써, 스위칭 트랜지스터의 임계 값 전압의 편차를 저감하고, 각 화소간의 휘도의 편차를 저감할 수 있다.
또한, 도 1a 및 도 1b에 도시하는 역 스태거 구조의 트랜지스터에서는, 트랜지스터의 활성층을 산화물층(106)과 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 2층 구조로 하였지만, 본 실시형태에 나타내는 트랜지스터는 이것에 한정되지 않는다. 도 34a 및 도 34b에 도시하는 바와 같이, 산화물층(106) 위에 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103a)을 형성하고, 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103a) 위에 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103b)을 형성하는 3층 적층 구조로 하여도 좋다. 또한, 도 34a는 도 34b에 있어서의 선 A1-A2의 단면도이다. 여기서, 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103b)은, 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103a)보다 많은 절연성 산화물을 포함한다. 예를 들어, 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103a)을 형성할 때의 타깃으로서는, SiO2를 2.5wt% 이상 12.5wt% 이하 포함시킨 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5wt% 이상 10wt% 이하 포함시킨 것을 사용한다. 또한, 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103b)을 형성할 때의 타깃으로서는, SiO2를 7.5wt% 이상 20wt% 이하 포함시킨 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10wt% 이상 15wt% 이하 포함시킨 것을 사용한다. 다만, 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103a)을 형성할 때의 타깃보다 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103b)을 형성할 때의 타깃이 많은 SiO2를 포함하는 것으로 한다. 상술한 바와 같이, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 적층하여 단계적으로 함유하는 절연성 산화물의 양을 증가시킴으로써, 트랜지스터의 전기 특성의 향상을 도모할 수 있다. 물론 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 3층 이상의 적층 구조로 하여도 좋다. 백 채널 측으로부터 게이트 전극 측으로 향하여 절연성 산화물의 농도가 낮게 되도록 산화물 반도체층을 형성하면 좋다. 또한, 도 34a 및 도 34b에 도시하는 트랜지스터는, 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103a), 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103b)을 제외하고, 도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터와 대응하는 부위에 관하여 도면의 부호도 도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터와 동일한 것을 사용한다.
또한, 도 1a 및 도 1b에 도시하는 역 스태거 구조의 트랜지스터에서는, 게이트 전극층(101)의 채널 방향의 폭이, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)의 채널 방향의 폭보다 좁은 구조로 되어 있지만, 본 실시형태에 나타내는 트랜지스터는 이것에 한정되지 않는다. 도 10a 및 도 10b에 도시하는 바와 같이, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)의 채널 방향의 폭보다 게이트 전극층의 채널 방향의 폭이 넓은 게이트 전극층(201)을 사용하여도 좋다. 또한, 도 10a 및 도 10b에 있어서의 선 A1-A2의 단면도이다. 이와 같은 구조를 취함으로써, 게이트 전극층(201)에 의하여 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)을 차광할 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 신뢰성 향상을 도모할 수 있다. 또한, 도 10a 및 도 10b에 도시하는 트랜지스터는, 게이트 전극층(201)을 제거하고, 도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터와 대응하는 부위에 관하여 도면의 부호도 도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터와 동일한 것을 사용한다.
또한, 도 1a 및 도 1b에 도시하는 역 스태거 구조의 트랜지스터에서는, 산화물층(106)과 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)이 산화물층(106)의 단부에 있어서 직접 접촉하지만, 본 실시형태에 나타내는 트랜지스터는 이것에 한정되지 않는다. 도 11a 및 도 11b에 도시하는 바와 같이, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)에 대하여 산화물층(106)의 면적이 작고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 단부의 아래에 공동(210)이 형성되는 구조로 하여도 좋다. 공동(210)은, 산화물층(106), 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103), 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a(또는 105b)), 게이트 절연층(102)에 둘러싸이도록 형성된다. 또한, 도 11b에 도시하는 바와 같이, 산화물층(106) 위에 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)이 형성되지 않는 부분에서는, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 대신에 트랜지스터의 보호 절연층이 공동(210)을 형성한다. 공동(210)은, 산화물층(106)보다 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)이 웨트 에칭에 대한 에칭 레이트가 작은 것을 이용하여 용이하게 형성할 수 있다. 이와 같은 구조를 취함으로써, 산화물층(106)과 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)이 직접 접촉하지 않게 되므로, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)으로부터 산화물층(106) 단부로 직접 흐르는 오프 전류를 저감할 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 도 11a 및 도 11b에 도시하는 트랜지스터는, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 단부의 아래에 공동(210)이 형성되어 있는 것 이외는, 도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터와 같은 구조를 취하고, 도면의 부호도 도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터와 동일한 것을 사용한다.
또한, 도 12a 및 도 12b에 도시하는 바와 같이, 산화물층(226)의 단부가 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(223)에 의하여 덮이는 구조로 하여도 좋다. 또한, 도 12a는 도 12b에 있어서의 선 A1-A2의 단면도이다. 이와 같은 구조로 함으로써, 산화물층(226)과 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)이 직접 접촉하지 않게 되므로, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)으로부터 산화물층(226)의 단부로 직접 흐르는 오프 전류를 저감할 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 신뢰성 향상을 도모할 수 있다. 또한, 도 12a 및 도 12b에 도시하는 트랜지스터는, 산화물층(226)의 단부가 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(223)에 의하여 덮이는 것 이외는, 도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터와 동일 구조를 취하고, 도면의 부호도 도 1a 및 도 1b에 도시하는 트랜지스터와 동일한 것을 사용한다.
상술한 바와 같은 구성으로 함으로써, In, Ga 등의 레어 메탈을 포함하지 않고, Zn을 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터를 제공할 수 있다. 또한, Zn을 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터에 있어서, 산화물층 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 적층하여, 산화물층과 소스 전극층 또는 드레인 전극층이 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 사이에 두고 중첩하도록 트랜지스터를 형성함으로써, 상기 트랜지스터의 임계 값 전압의 편차를 저감하여, 전기 특성을 안정시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다. 또한, 본 실시형태에서 나타낸 구성끼리를 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는 실시형태 1에서 나타낸 트랜지스터를 포함하는 표시 장치의 제작 공정에 대하여 도 2a 내지 도 8 및 도 9a1, 도 9a2, 도 9b1, 도 9b2를 사용하여 설명한다. 도 2a 내지 도 3c는 단면도이고, 도 4 내지 도 8은 평면도이고, 도 4 내지 도 8의 선 A1-A2 및 선 B1-B2는 도 2a 내지 도 3c의 단면도의 선 A1-A2, 선 B1-B2에 대응한다.
우선, 기판(100)을 준비한다. 기판(100)은, 바륨 보로실리케이트 유리, 알루미노 보로실리케이트 유리, 또는 알루미노 실리케이트 유리 등, 퓨전(fusion)법이나 플로트(float)법으로 제작되는 무 알칼리 유리 기판, 세라믹 기판 이외에, 본 제작 공정의 처리 온도에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 스테인리스 합금 등의 금속 기판의 표면에 절연막을 형성한 기판을 적용하여도 좋다. 기판(100)의 크기는 320mm×400mm, 370mm×470mm, 550mm×650mm, 600mm×720mm, 680mm×880mm, 730mm×920mm, 1000mm×1200mm, 1100mm×1250mm, 1150mm×1300mm, 1500mm×1800mm, 1900mm×2200mm, 2160mm×2460mm, 2400mm×2800mm, 또는 2850mm×3050mm 등을 사용할 수 있다.
또한, 기판(100) 위에 하지막으로서 절연막을 형성하여도 좋다. 하지막으로서는, CVD법이나 스퍼터링법 등을 사용하여 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 또는 질화산화 실리콘막을 단층으로 형성하거나 또는 적층하여 형성하면 좋다. 기판(100)으로서 유리 기판과 같은 가동 이온을 함유하는 기판을 사용하는 경우, 하지막으로서 질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막 등의 질소를 함유하는 막을 사용함으로써 가동 이온이 산화물 반도체층에 침입되는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 게이트 전극층(101)을 포함하는 게이트 배선, 용량 배선(108), 및 제 1 단자(121)를 형성하기 위한 도전막을 스퍼터링법이나 진공 증착법으로 기판(100) 전체 면에 형성한다. 다음에, 포토리소그래피 공정을 행하여 레지스트 마스크를 형성하고, 에칭에 의하여 불필요한 부분을 제거함으로써, 배선 및 전극(게이트 전극층(101)을 포함하는 게이트 배선, 용량 배선(108), 및 제 1 단자(121))을 형성한다. 이 때, 단절 및 단선을 방지하기 위하여 적어도 게이트 전극층(101)의 단부에 테이퍼 형상이 형성되도록 에칭하는 것이 바람직하다. 이 단계에서의 단면도를 도 2a에 도시한다. 또한, 이 단계에서의 평면도가 도 4에 상당한다.
게이트 전극층(101)을 포함하는 게이트 배선과 용량 배선(108), 단자부의 제 1 단자(121)는 실시형태 1에서 제시한 도전성 재료를 사용하여 단층으로 형성하거나 또는 적층하여 형성할 수 있다.
여기서, 게이트 전극층(101)의 채널 방향의 폭이, 이후의 공정에서 제작하는 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)의 채널 방향의 폭보다 넓게 되도록 게이트 전극층(101)을 형성하여도 좋다. 이와 같이, 게이트 전극층(101)을 형성함으로써, 도 10a 및 도 10b에 도시하는 바와 같은 트랜지스터를 형성할 수 있다. 도 10a 및 도 10b에 도시하는 바와 같은 트랜지스터에서는, 게이트 전극층(201)에 의하여, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)을 차광할 수 있다.
다음에, 게이트 전극층(101) 위에 게이트 절연층(102)을 전체 면에 형성한다. 게이트 절연층(102)은 CVD법이나 스퍼터링법 등을 사용하여 형성하고, 막 두께를 50nm 내지 400nm로 한다.
게이트 절연층(102)은 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 산화 탄탈막 등의 절연막을 사용하여, 이들의 재료로 이루어지는 단층 구조 또는 적층 구조로 하여 형성하여도 좋다.
또한, 게이트 절연층(102)으로서, 유기 실란 가스를 사용한 CVD법에 의하여, 산화 실리콘층을 형성할 수도 있다. 유기 실란 가스로서는, 규산 에틸(TEOS: 화학식 Si(OC2H5)4), 테트라메틸실란(TMS: 화학식 Si(CH3)4), 테트라메틸시클로테트라실록산(TMCTS), 옥타메틸시클로테트라실록산(OMCTS), 헥사메틸디실라잔(HMDS), 트리에톡시실란(SiH(OC2H5)3), 트리스디메틸아미노실란(SiH(N(CH3)2)3) 등의 실리콘 함유 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 게이트 절연층(102)으로서, 알루미늄, 이트륨, 또는 하프늄의 산화물, 질화물, 산화질화물, 또는 질화산화물의 하나, 또는 그들의 화합물을 적어도 2종 이상 포함하는 화합물을 사용할 수도 있다.
본 실시형태에서는, 고밀도 플라즈마 장치의 챔버에 재료 가스로서 모노 실란 가스(SiH4)와 아산화 질소(N2O)와 희소 가스를 도입하여 10Pa 내지 30Pa의 압력하에서 고밀도 플라즈마를 발생시켜, 게이트 전극층(101) 위에 막 두께 100nm의 산화질화 실리콘막인 게이트 절연층(102)을 형성한다. 본 실시형태에서는, 고밀도 플라즈마 장치는 1×1011/cm3 이상의 플라즈마 밀도를 달성할 수 있는 장치를 가리킨다. 예를 들어, 3kW 내지 6kW의 마이크로파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시킴으로써 게이트 절연층(102)을 형성한다. 게이트 절연층(102)의 형성시, 챔버에 도입하는 모노실란 가스(SiH4)와 아산화질소(N2O)의 유량 비율은 1:10 내지 1:200의 범위로 한다. 또한, 챔버에 도입하는 희소 가스로서는 헬륨, 아르곤, 크립톤, 크세논 등을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 가격이 저렴한 아르곤을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 고밀도 플라즈마 장치에 의하여 얻어진 게이트 절연층(102)은 일정한 두께의 막이 형성되기 때문에 단차(段差) 피복성이 뛰어나다. 또한, 고밀도 플라즈마 장치에 의하여 얻어지는 절연막은 얇은 막 두께를 정밀하게 제어할 수 있다.
고밀도 플라즈마 장치에 의하여 얻어지는 절연막은, 종래의 평행 평판형의 PCVD 장치에 의하여 얻어지는 절연막과 크게 상이하고, 같은 에천트를 사용하여 에칭 속도를 비교한 경우에 있어서, 종래의 평행 평판형의 PCVD 장치에 의하여 얻어지는 절연막의 10% 이상 혹은 20% 이상 늦고, 고밀도 플라즈마 장치에 의하여 얻어는 절연막은 치밀한 막이라고 할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 산화 질화물이란, 그 조성으로서, 질소 원자보다 산소 원자가 많은 물질을 가리키고, 질화 산화물이란, 그 조성으로서, 산소 원자보다 질소 원자가 많은 물질을 가리킨다.
또한, 산화물층(106)을 형성하기 위한 산화물막(113)을 형성하기 전에, 기판(100)이 설치된 챔버 내에 아르곤 가스를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 역 스퍼터링을 행하여, 게이트 절연층의 표면에 부착되어 있는 성막 시에 발생하는 분상 물질(파티클, 먼지라고도 함)을 제거하는 것이 바람직하다. 또한, 역 스퍼터링을 행함으로써, 게이트 절연층(102) 표면의 평탄성을 향상시킬 수도 있다. 역 스퍼터링이란, 타깃 측에 전압을 인가하지 않고, 아르곤 분위기하에서 기판 측에 RF 전원을 사용하여 전압을 인가하여 기판에 플라즈마를 형성하여 표면을 개질하는 방법이다. 또한, 아르곤 분위기 대신에 질소, 헬륨 등을 사용하여도 좋다. 또한, 아르곤 분위기에 산소, N2O 등을 첨가한 분위기에서 행하여도 좋다. 또한, 아르곤 분위기에 Cl2, CF4 등을 첨가한 분위기에서 행하여도 좋다. 역 스퍼터링 처리 후, 대기에 노출시키지 않고 산화물막(113)을 형성함으로써, 게이트 절연층(102)과, 산화물층(106)의 계면에 먼지나 수분이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 게이트 절연층(102) 위에 산화물층(106)을 형성하기 위한 산화물막(113)을 스퍼터링법을 사용하여 아르곤 등의 희소 가스와 산소 가스의 분위기하에서 형성한다. 이 때, 아르곤 등의 희소 가스의 유량의 비율보다 크게 하여 형성하거나, 또는 산소 가스를 사용하지 않고 아르곤 등의 희소 가스만의 분위기 하에서 형성함으로써, 산화물층(106)의 도전율을 향상시킬 수 있다. 산화물막(113)으로서는, Zn-O계 또는 Sn-Zn-O계의 산화물을 사용할 수 있다. 또한, 펄스 직류(DC) 전원을 사용하면, 성막시에 발생하는 분상(粉狀) 물질을 경감할 수 있고, 막 두께 분포도 균일하게 되기 때문에 바람직하다. 또한, 산화물막(113)의 막 두께는 10nm 내지 300nm로 하고, 바람직하게는 20nm 내지 100nm로 한다.
다음에, 산화물막(113) 위에 대기에 노출시키지 않고 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)을 형성하기 위한 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)을 스퍼터링법을 사용하여 아르곤 등의 희소 가스와 산소 가스의 분위기하에서 성막한다. 여기서, 절연성 산화물로서는 산화 실리콘이 바람직하다. 이 때, 산소 가스의 유량의 비율을 크게 하여 형성함으로써, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 도전율을 저감시킬 수 있다. 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)으로서는, Zn-O계 또는 Sn-Zn-O계의 산화물 반도체를 사용할 수 있다. 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)을 형성할 때, SiO2를 2.5wt% 이상 20wt% 이하 포함시킨 타깃을 사용하는 것이 바람직하고, SiO2를 7.5wt% 이상 12.5wt% 이하 포함시킨 타깃을 사용하는 것이 더 바람직하다. 또한, 펄스 직류(DC) 전원을 사용하면, 형성시에 발생되는 분상 물질을 경감할 수 있어, 막 두께 분포도 균일하게 되기 때문에 바람직하다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)의 막 두께는 10nm 내지 300nm로 하고, 바람직하게는 20nm 내지 100nm로 한다. 이 단계에서의 단면도를 도 2b에 도시하였다.
절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)에 산화 실리콘과 같은 절연성 산화물을 포함시킴으로써, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)은 아모퍼스 구조를 취한다. 또한, 산화물 반도체를 열 처리한 경우에 결정화해 버리는 것을 억제할 수 있다.
절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)의 형성은, 먼저 역 스퍼터링을 행한 챔버와 동일 챔버를 사용하여도 좋고, 먼저 역 스퍼터링을 행한 챔버와 상이한 챔버로 형성하여도 좋다.
스퍼터링법으로서는 스퍼터링용 전원에 고주파 전원을 사용하는 RF 스퍼터링법, 직류 전류를 사용하는 DC 스퍼터링법, 펄스적으로 바이어스를 주는 펄스 DC 스퍼터링법 등이 있다. RF 스퍼터링법은, 주로 절연막을 형성하는 경우에 사용되고, DC 스퍼터링법은 주로 금속막을 형성하는 경우에 사용된다.
또한, 재료가 상이한 타깃을 복수 설치할 수 있는 다원(多元) 스퍼터링 장치도 있다. 다원 스퍼터링 장치는, 동일 챔버에서 상이한 재료막을 적층으로 형성할 수도 있고, 동일 챔버에서 복수 종류의 재료를 동시에 방전시켜 성막할 수도 있다.
또한, 챔버 내부에 자석 기구를 구비한 마그네트론 스퍼터링법을 사용하는 스퍼터링 장치나, 글로우 방전을 사용하지 않고 마이크로파를 사용하여 발생시킨 플라즈마를 사용하는 ECR 스퍼터링법을 사용하는 스퍼터링 장치가 있다.
또한, 스퍼터링법을 사용하는 성막 방법으로서 성막 중에 타깃 물질과 스퍼터링 가스 성분을 화학 반응시켜 이들의 화합물 박막을 형성하는 리액티브 스퍼터링법이나 성막 중에 기판에도 전압을 가하는 바이어스 스퍼터링법도 있다.
다음에, 포토리소그래피 공정을 행하여, 레지스트 마스크를 형성하고, 산화물막(113) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)을 에칭한다. 에칭에는 구연산이나 옥살산 등의 유기산을 에천트로서 사용할 수 있다. 여기서는, ITO07N(Kanto Chemical Co.,Inc. 제조)를 사용한 웨트 에칭에 의하여 불필요한 부분을 제거하고, 산화물막(113) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)을 섬 형상으로 하고, 산화물층(106) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111)을 형성한다. 산화물 반도체층(106) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111)의 단부를 테이퍼 형상으로 에칭함으로써, 단차 형상에 의한 배선의 단절을 방지할 수 있다.
여기서, 산화 실리콘과 같은 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)은, 산화물막(113)보다 웨트 에칭에 대한 에칭 레이트가 작다. 산화물막(113)과 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)을 적층하여 웨트 에칭을 행하면, 산화물막(113)은 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)보다 크게 사이드 에칭이 진행되게 된다. 따라서, 도 11a 및 도 11b에 도시하는 바와 같이, 산화물층(106)의 단부는, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111)의 단부와 비교하여 도려 낸 형상이 되고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111)의 단부 아래에 공동(210)이 형성된다. 이로써, 이후의 공정에서 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)을 형성할 때, 상기 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 산화물층(106)의 단부가 접촉하지 않도록 할 수 있고, 상기 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 산화물층(106)의 단부 사이에서 직접 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 산화물막(113)과 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)을 적층하여 형성한 후에, 포토리소그래피 공정에 의하여 산화물층(106)과 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111)을 형성하지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 산화물막(113)을 형성하고, 포토리소그래피 공정에 의하여 산화물층(106)을 형성하고, 그리고 나서 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)을 형성하고, 포토리소그래피 공정에 의하여 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111)을 형성하여도 좋다. 이 때, 도 12a 및 도 12b에 도시하는 바와 같이, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)(절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(223))으로 산화물층(106)(산화물층(226))을 덮는 바와 같은 구조로 한다. 이로써, 이후의 공정에서 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)을 형성할 때, 상기 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 산화물층(226)의 단부가 접촉하지 않도록 할 수 있고, 상기 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 산화물층(226)의 단부 사이에서 직접 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 여기서의 에칭은 웨트 에칭에 한정되지 않고 드라이 에칭을 사용하여도 좋다. 드라이 에칭에 사용하는 에칭 장치로서는, 반응성 이온 에칭법(RIE법)을 사용한 에칭 장치나, ECR(Electron Cyclotron Resonance)이나 ICP(Inductively Coupled Plasma) 등의 고밀도 플라즈마원을 사용한 드라이 에칭 장치를 사용할 수 있다. 또한, ICP 에칭 장치와 비교하여 넓은 면적에 걸쳐 일정한 방전이 얻어지기 쉬운 드라이 에칭 장치로서는, 상부 전극을 접지시키고, 하부 전극에 13.56MHz의 고주파 전원을 접속하고, 또한, 하부 전극에 3.2MHz의 저주파 전원을 접속한 ECCP(Enhanced Capacitively Coupled Plasma) 모드의 에칭 장치가 있다. 이 ECCP 모드의 에칭 장치라면, 예를 들어, 기판으로서 제 10 세대의 한 변이 3m를 넘는 사이즈의 기판을 사용하는 경우에도 대응할 수 있다.
다음에, 포토리소그래피 공정을 행하고, 레지스트 마스크를 형성하고, 에칭에 의하여 게이트 절연층(102)의 불필요한 부분을 제거하여 게이트 전극층(101)과 같은 재료의 배선이나 전극층에 도달하는 콘택트 홀을 형성한다. 이 콘택트 홀은 후에 형성하는 도전막과 직접 접속하기 위하여 형성한다. 예를 들어, 구동 회로부에 있어서, 게이트 전극층과 소스 전극층 또는 게이트 전극층과 드레인 전극층이 직접 접하는 트랜지스터나, 단자부의 게이트 배선과 전기적으로 접속하는 단자를 형성하는 경우에 콘택트 홀을 형성한다. 이 단계에서의 단면도를 도 2c에 도시하였다. 또한, 이 단계에서의 평면도가 도 5에 상당한다.
다음에, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111) 및 게이트 절연층(102) 위에 금속 재료로 이루어지는 도전막(112)을 스퍼터링법이나 진공 증착법으로 형성한다. 이 단계의 평면도를 도 2d에 도시하였다.
도전막(112)의 재료로서는 실시형태 1에서 제시한 도전성 재료를 사용하여 단층으로 형성하거나 또는 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 도전막(112)은 제 1 도전층 및 제 3 도전층이 내열성 도전성 재료인 티타늄으로 이루어지고, 제 2 도전층이 네오디뮴을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어지는 구성으로 하여도 좋다. 도전막(112)을 이와 같은 구성으로 함으로써, 알루미늄의 저저항성을 살리면서, 힐록의 발생을 저감할 수 있다.
다음에, 포토리소그래피 공정을 행하여, 레지스트 마스크(131)를 형성하고, 에칭에 의하여 불필요한 부분을 제거하여 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b), 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 접속 전극(120)을 형성한다. 이 때의 에칭 방법으로서 웨트 에칭 또는 드라이 에칭을 사용한다. 예를 들어, 도전막(112)으로서 제 1 도전층 및 제 3 도전층에 티타늄을 사용하고, 제 2 도전층에 네오디뮴을 포함하는 알루미늄 합금을 사용하는 경우에는, 과산화 수소수 또는 가열 염산, 또는 플루오르화 암모늄을 포함하는 질산 수용액을 에천트에 사용하여 웨트 에칭할 수 있다. 예를 들어, KSMF-240(Kanto Chemical Co.,Inc. 제조)을 사용하여, 제 1 도전층 내지 제 3 도전층으로 이루어지는 도전막(112)을 일괄로 에칭할 수 있다. 이 에칭 공정에 있어서, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111)의 노출 영역도 일부 에칭되어, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 사이에, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 중첩하는 영역보다 막 두께가 얇은 영역을 갖는, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)이 형성되게 된다. 따라서, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)의 채널 형성 영역은 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 막 두께가 얇은 영역과 중첩하게 된다.
도전막(112)으로서, 제 1 도전층 및 제 3 도전층에 티타늄을 사용하고, 제 2 도전층에 네오디뮴을 포함하는 알루미늄 합금을 사용하는 경우에는, 도전막(112) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111)의 에칭을 과산화 수소수 또는 가열 염산, 또는 플루오르화 암모늄을 포함하는 질산 수용액을 에천트로 하는 에칭으로 한번에 행할 수 있기 때문에, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 단부는 일치하고, 연속적인 구조로 할 수 있다. 또한, 웨트 에칭을 사용하기 때문에, 에칭이 등방적으로 행해지고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)의 단부는 레지스트 마스크(131)보다 후퇴한다. 상술한 공정으로 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물 반도체층(106)을 채널 형성 영역으로 하는 트랜지스터(170)를 제작할 수 있다. 이 단계에서의 단면도를 도 3a에 도시한다. 또한, 이 단계에서의 평면도가 도 6에 상당한다.
또한, 이 포토리소그래피 공정에 있어서, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 같은 재료인 제 2 단자(122)를 단자부에 남긴다. 또한, 제 2 단자(122)는 소스 배선(소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)을 포함하는 소스 배선)과 전기적으로 접속된다.
또한, 단자부에 있어서, 접속 전극(120)은 게이트 절연막에 형성된 콘택트 홀을 통하여 단자부의 제 1 단자(121)와 직접 접속된다. 또한, 여기서는 도시하지 않지만, 상술한 공정과 같은 공정을 거쳐 구동 회로의 트랜지스터의 소스 배선 또는 드레인 배선과 게이트 전극을 직접 접속할 수 있다.
상술한 포토리소그래피 공정에 있어서는, 도전층(112)을 섬 형상으로 에칭하는 공정과 소스 전극층 및 드레인 전극층(105a, 105b)을 형성하는 공정에서, 2장의 마스크를 사용할 필요가 있다. 그러나, 다계조(고계조) 마스크를 사용하여 형성한, 복수(대표적으로는 2종류)의 두께의 영역을 갖는 레지스트 마스크를 사용하면, 레지스트 마스크의 매수를 저감할 수 있기 때문에, 공정 간략화, 저비용화를 도모할 수 있다. 다계조 마스크를 사용하는 포토리소그래피 공정에 대하여, 도 33a 내지 도 33c를 사용하여 설명한다.
우선 도 2b의 상태에서 상술한 방법으로 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114) 위에 도전막(112)을 형성하고, 투과한 광이 복수의 강도가 되는 다계조(고계조) 마스크를 사용한 노광에 의하여, 도 33a에 도시하는 바와 같이 복수의 상이한 막 두께의 영역을 갖는 레지스트 마스크(132)를 도전막(112) 위에 형성한다. 레지스트 마스크(132)는, 게이트 전극층(101)의 일부와 중첩하는 영역에 막 두께가 얇은 영역을 갖는다. 다음에, 레지스트 마스크(132)를 사용하여 도전막(112), 산화물막(113) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막(114)을 에칭함으로써 섬 형상으로 가공하고, 도전층(115), 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111), 산화물층(106), 및 제 2 단자(124)를 형성한다. 이 단계에서의 단면도가 도 33a에 상당한다.
그리고 나서, 레지스트 마스크(132)를 애싱하고, 레지스트 마스크(131)를 형성한다. 레지스트 마스크(131)는, 도 33b에 도시하는 바와 같이, 애싱에 의하여 면적이 축소하고, 두께가 얇아지고, 막 두께가 얇은 영역의 레지스트는 제거된다.
마지막에, 레지스트 마스크(131)를 사용하여 도전층(115) 및 제 2 단자(124)를 에칭하여, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b), 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 제 2 단자(122)를 형성한다. 레지스트 마스크(132)가 축소됨으로써, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b), 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103), 산화물층(106) 및 제 2 단자(122)의 단부도 에칭된다. 이 단계에서의 단면도가 도 33c에 상당한다. 또한, 제 1 단자(121)에 대해서는, 후의 공정에서 보호 절연층(107)을 형성한 후, 게이트 절연층(102) 및 보호 절연층(107)을 에칭하여 콘택트 홀을 형성하고, 투명 도전막을 형성하여 FPC와 접속한다. 상술한 바와 같이, 다계조 마스크를 사용하여 트랜지스터(170)를 제작할 수 있다.
다음에, 레지스트 마스크(131)를 제거한 후, 200℃ 내지 600℃, 대표적으로는 250℃ 내지 500℃의 열 처리(광 어닐링도 포함함)를 행하는 것이 바람직하다. 여기서는 노(爐)에 넣고, 대기 분위기 하에서 350℃, 1시간의 열 처리를 행한다. 이 열 처리에 의하여 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)의 원자 레벨의 재배열이 행해진다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)은, 산화 실리콘과 같은 절연성 산화물을 포함하기 때문에, 이 열 처리에 의한 결정화를 피할 수 있고, 아모퍼스 구조를 유지할 수 있다. 또한, 산화물층(106)을 비정질(아모퍼스) 구조 또는 경정립을 포함하는 구조로서 형성한 경우, 이 열 처리에 있어서 산화물층(106)을 다결정화함으로써, 트랜지스터의 도전율을 향상시킬 수 있다. 또한, 열 처리를 행하는 타이밍은, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 형성 후라면 특히 한정되지 않고, 예를 들어, 화소 전극의 형성 후에 행하여도 좋다.
또한, 노출되어 있는 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 채널 형성 영역에, 산소 라디칼 처리를 행하여도 좋다. 산소 라디칼 처리를 행함으로써, 트랜지스터를 노멀리 오프로 할 수 있다. 또한, 라디칼 처리를 행함으로써, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 에칭에 의한 대미지를 회복할 수 있다. 라디칼 처리는 O2, N2O 분위기 하에서, 바람직하게는 N2, He, 또는 Ar의 어느 것에 산소를 포함하는 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 분위기에 Cl2, CF4를 첨가한 분위기 하에서 라디칼 처리를 행하여도 좋다. 또한, 라디칼 처리는, 무(無) 바이어스로 행하는 것이 바람직하다.
다음에, 트랜지스터(170)를 덮는 보호 절연층(107) 및 수지층(133)을 형성한다. 우선, 보호 절연층(107)을 형성한다. 보호 절연층(107)은 PCVD법이나 스퍼터링법 등을 사용하여 얻어지는 질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 산화 탄탈막 등을 사용할 수 있다. 특히, 고밀도 플라즈마 장치를 사용하여 질화 실리콘막을 형성하는 것이 바람직하다. 고밀도 플라즈마 장치를 사용함으로써, PCVD법을 사용한 경우보다 보호 절연층(107)을 치밀하게 형성할 수 있다. 이와 같은 보호 절연층(107)을 형성함으로써, 수분이나 수소 이온이나 OH- 등이 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)에 침입하는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 포토리소그래피 공정을 행하여 레지스트 마스크를 형성하고, 보호 절연층(107)의 에칭에 의하여 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105b)에 도달하는 콘택트 홀(125)을 형성한다. 또한, 여기서의 에칭에 의하여 제 2 단자(122)에 도달하는 콘택트 홀(127), 접속 전극(120)에 도달하는 콘택트 홀(126)도 형성한다.
다음에, 표시 장치의 화소부에 있어서, 보호 절연층(107) 위에 수지층(133)을 형성한다. 수지층(133)은, 감광성 또는 비감광성의 유기재료인 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 레지스트 또는 벤조시클로부텐, 또는 이것들의 적층 등을 사용하여, 막 두께 0.5㎛ 내지 3㎛ 정도의 범위로 형성한다. 감광성의 폴리이미드를 도포법으로 형성하면, 공정수를 삭감할 수 있으므로 바람직하다. 노광, 현상, 소성을 행하고, 표시 장치의 화소부에 수지층(133)을 형성하지만, 이 때, 콘택트 홀(125) 및 용량 배선(108)과 중첩하는 부분에는, 수지층(133)을 형성하지 않는다. 수지층(133)을 형성함으로써, 수분이나 수소 등이, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 수지층(133)을 형성함으로써, 수지층(133) 위에 형성하는 화소 전극을 평탄하게 형성할 수 있다.
다음에, 투명 도전막을 형성한다. 투명 도전막의 재료로서는, 산화 인듐(In2O3)이나 산화인듐 산화주석 합금(In2O3-SnO2, ITO라고 기재함) 등을 스퍼터링법이나 진공 증착법 등을 사용하여 형성한다. 이와 같은 재료의 에칭 처리는 염산계의 용액에 의하여 행한다. 그러나, 특히 ITO의 에칭은 잔사가 발생하기 쉬우므로, 에칭 가공성을 개선하기 위하여 산화 인듐 산화 아연 합금(In2O3-ZnO)을 사용하여도 좋다.
다음에, 포토리소그래피 공정을 행하여 레지스트 마스크를 형성하고, 에칭에 의하여 필요하지 않는 부분을 제거하여 화소 전극층(110)을 형성한다.
또한, 이 포토리소그래피 공정에 있어서, 용량부에 있어서의 게이트 절연층(102) 및 보호 절연층(107)을 유전체로서 용량 배선(108)과 화소 전극층(110)으로 저장 용량이 형성된다.
또한, 이 포토리소그래피 공정에 있어서, 접속 전극(120) 및 제 2 단자(122)를 레지스트 마스크로 덮고, 단자부에 형성된 투명 도전막(128, 129)을 남긴다. 투명 도전막(128, 129)은 FPC와의 접속에 사용할 수 있는 전극이 된다. 제 1 단자(121)와 직접 접속된 접속 전극(120) 위에 형성된 투명 도전막(128)은, 게이트 배선의 입력 단자로서 기능하는 접속용의 단자 전극이 된다. 제 2 단자(122) 위에 형성된 투명 도전막(129)은, 소스 배선의 입력 단자로서 기능하는 접속용의 단자 전극이다.
계속하여, 레지스트 마스크를 제거하고, 이 단계에서의 단면도를 도 3b에 도시한다. 또한, 이 단계에서의 평면도가 도 7에 상당한다.
또한, 본 실시형태에서는, 보호 절연층(107)을 형성하고, 그 위에 수지층(133)을 형성하였지만, 본 실시형태는 그들에 한정되지 않는다. 도 3c에 도시하는 바와 같이, 트랜지스터(170)를 덮도록 수지층(133)을 형성하고 나서, 수지층(133) 위에 보호 절연층(107)을 형성하여도 좋다. 이 순서로 보호 절연층(107) 및 수지층(133)을 형성하면, 수지층(133)에 의하여 보호 절연층(107)을 형성할 때에 생기는 플라즈마 대미지로부터, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 및 산화물층(106)을 보호할 수 있다.
또한, 도 9a1, 도 9a2는, 도 3b 및 도 3c에서의 게이트 배선 단자부의 평면도 및 단면도를 각각 도시한다. 도 9a1은 도 9a2 중의 C1-C2선에 따른 단면도에 상당한다. 도 9a1에 있어서, 보호 절연층(154) 위에 형성되는 투명 도전막(155)은 입력 단자로서 기능하는 접속용 단자 전극이다. 또한, 도 9a1에 있어서, 단자부에서는, 게이트 배선과 같은 재료로 형성되는 제 1 단자(151)와, 소스 배선과 같은 재료로 형성되는 접속 전극(153)이 게이트 절연층(152)을 사이에 두고 겹쳐 직접 접하여 도통시킨다. 또한, 접속 전극(153)과 투명 도전층(155)이 보호 절연층(154)에 형성된 콘택트 홀을 사이에 두고 직접 접하여 도통시킨다.
또, 도 9b1, 및 도 9b2는, 소스 배선 단자부의 평면도 및 단면도를 각각 도시한다. 또한, 도 9b1은, 도 9b2 중의 D1-D2선에 따른 단면도에 상당한다. 도 9b1에 있어서, 보호 절연막(154) 위에 형성되는 투명 도전막(155)은, 입력 단자로서 기능하는 접속용의 단자 전극이다. 또한, 도 9b1에 있어서, 단자부에서는 게이트 배선과 같은 재료로 형성되는 전극(156)이, 제 2 단자(150)의 아래쪽에 게이트 절연층(152)을 개재하여 중첩한다. 전극(156)은 제 2 단자(150)와 전기적으로 접속되지 않고, 전극층(156)을 제 2 단자(150)와 상이한 전위, 예를 들어, 플로팅, GND(접지 전위), 0V 등으로 설정하면, 노이즈 대책을 위한 용량, 또는 정전기 대책을 위한 용량을 형성할 수 있다. 또한, 제 2 단자(150)는 보호 절연층(154)을 사이에 두고 투명 도전막(155)과 전기적으로 접속되어 있다.
게이트 배선, 소스 배선, 및 용량 배선은 화소 밀도에 따라 복수개 형성된다. 또한, 단자부에 있어서는, 게이트 배선과 같은 전위의 제 1 단자, 소스 배선과 같은 전위의 제 2 단자, 용량 배선과 같은 전위의 제 3 단자 등이 복수 나란하게 배치된다. 각각의 단자의 수는, 각각 임의의 수로 형성하면 좋은 것으로 하고, 실시자가 적절하게 결정하면 좋다.
이로써 보텀 게이트형의 n채널형 트랜지스터인 트랜지스터(170)를 갖는 화소 트랜지스터부, 저장 용량을 완성시킬 수 있다. 또한, 이들을 개개의 화소에 대응하여, 매트릭스 형상으로 배치하여 화소부를 구성함으로써, 액티브 매트릭스형의 표시 장치를 제작하기 위한 한쪽의 기판으로 할 수 있다. 본 명세서에서는 편의상 이러한 기판을 액티브 매트릭스 기판이라고 부른다.
액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치를 제작하는 경우에는, 액티브 매트릭스 기판과, 대향 전극이 형성된 대향 기판 사이에 액정층을 형성하고, 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판을 고정한다. 또한, 대향 기판에 형성된 대향 전극과 전기적으로 접속하는 공통 전극을 액티브 매트릭스 기판 위에 형성하고, 공통 전극과 전기적으로 접속하는 제 4 단자를 단자부에 형성한다. 이 제 4 단자는, 공통 전극을 고정 전위, 예를 들어 GND, 0V 등에 설정하기 위한 단자이다.
또한, 본 실시형태는 도 7의 화소 구성에 한정되지 않고, 도 7과는 상이한 평면도의 예를 도 8에 도시한다. 도 8에서는 용량 배선을 형성하지 않고, 화소 전극과 이웃하는 화소의 게이트 배선과 보호 절연층 및 게이트 절연층을 사이에 두고 중첩하여 저장 용량을 형성하는 예이며, 이 경우, 용량 배선 및 용량 배선과 접속하는 제 3 단자는 생략할 수 있다. 또한, 도 8에 있어서, 도 7과 동일 부분에는 동일 부호를 사용한다.
액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서는, 매트릭스 형상으로 배치된 화소 전극을 구동시킴으로써, 화면상에 표시 패턴이 형성된다. 상세하게는 선택된 화소 전극과 상기 화소 전극에 대응하는 대향 전극의 사이에 전압이 인가됨으로써, 화소 전극과 대향 전극 사이에 배치된 액정층의 광학 변조가 행하여지고, 이 광학 변조가 표시 패턴으로서 관찰자에게 인식된다.
액정 표시 장치의 동영상 표시에 있어서, 액정 분자 자체의 응답이 느리기 때문에 잔상이 발생하거나, 또는 동영상의 흐릿함이 생긴다는 문제가 있다. 액정 표시 장치의 동영상 특성을 개선하기 위하여, 전체 면 흑색 표시를 1프레임 간격으로 행하는, 소위 흑색 삽입이라고 불리는 구동 기술이 있다.
또한, 일반적인 수직 동기 주파수를 1.5배 또는 더욱 바람직하게는 2배 이상으로 하는 것으로, 응답 속도를 개선하는 것과 동시에 각 프레임 내의 분할된 복수 필드마다 기록하는 계조를 선택하는, 소위, 배속 구동이라고 불리는 구동 기술도 있다.
또한, 액정 표시 장치의 동영상 특성을 개선하기 위하여, 백 라이트로서 복수의 LED(발광 다이오드) 광원 또는 복수의 EL 광원 등을 사용하여 면 광원을 구성하고, 면 광원을 구성하는 각 광원을 독립적으로 1프레임 기간 내에서 간헐 점등 구동하는 구동 기술도 있다. 면 광원으로서 3종류 이상의 LED를 사용하여도 좋고, 백색 발광의 LED를 사용하여도 좋다. 독립적으로 복수의 LED를 제어할 수 있기 때문에, 액정층의 광학 변조의 변환 타이밍에 맞추어 LED의 발광 타이밍을 동기시킬 수도 있다. 이 구동 기술은, LED를 부분적으로 소등시킬 수 있으므로, 특히 일 화면을 차지하는 검은 표시 영역의 비율이 많은 영상 표시의 경우에는, 소비 전력의 저감 효과를 도모할 수 있다.
이들의 구동 기술을 조합함으로써, 액정 표시 장치의 동영상 특성 등의 표시 특성을 종래보다 개선할 수 있다.
본 실시형태에서 얻어지는 n채널형 트랜지스터는, 산화물 반도체층을 채널 형성 영역에 사용하여, 양호한 동적 특성을 갖기 때문에, 이들의 구동 기술을 조합할 수 있다.
또한, 발광 표시 장치를 제작하는 경우, 유기 발광 소자의 한쪽의 전극(캐소드라고도 함)은, 저전원 전위, 예를 들어 GND, 0V 등으로 설정하기 위하여, 단자부에 캐소드를 저전원 전위, 예를 들어 GND, 0V 등으로 설정하기 위한 제 4 단자가 형성된다. 또한, 발광 표시 장치를 제작하는 경우에는, 소스 배선, 및 게이트 배선에 더하여 전원 공급선을 형성한다. 따라서, 단자부에는, 전원 공급선과 전기적으로 접속하는 제 5 단자를 형성한다.
상술한 공정에 의하여, In, Ga 등의 레어 메탈을 포함하지 않고, Zn을 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터를 제공할 수 있다. 또한, Zn을 포함하는 산화물층을 사용한 트랜지스터에 있어서, 산화물층 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 적층하여, 산화물층과 소스 전극층 또는 드레인 전극층이 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 사이에 두고 중첩하도록 트랜지스터를 형성함으로써, 상기 트랜지스터의 임계 값 전압의 편차를 저감하여, 전기 특성을 안정시킬 수 있다. 또한, 오프 전류를 저감할 수도 있다.
상기 트랜지스터를 표시 장치의 화소부 및 구동 회로부에 사용함으로써, 전기 특성이 높고 신뢰성이 좋은 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 도시한 트랜지스터와는 다른 형상의 트랜지스터에 대하여 도 31a 및 도 31b를 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 보텀 게이트 구조의 트랜지스터를 도 31a 및 도 31b에 도시한다. 도 31a 및 도 31b에 도시하는 트랜지스터에는, 기판(100) 위에 게이트 전극층(101)이 형성되고, 게이트 전극층(101) 위에 게이트 절연층(102)이 형성되고, 게이트 절연층(102) 위에 산화물층(106)이 형성되고, 산화물층(106) 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)이 형성되고, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103) 위에 버퍼층(301a, 301b)이 형성되고, 버퍼층(301a, 301b) 위에 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)이 형성되어 있다. 또한, 산화물층(106) 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)은, 아연(Zn)을 포함한다. 즉, 도 31a 및 도 31b에 도시하는 트랜지스터는, 실시형태 1에 있어서, 도 1a 및 도 1b에서 도시한 트랜지스터의 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)과 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 사이에 버퍼층(301a, 301b)을 형성한 트랜지스터이다.
소스 영역 또는 드레인 영역으로서 기능하는 버퍼층(301a, 301b)으로서는, 산화물층(106)과 마찬가지로 Zn-O계 또는 Sn-Zn-O계의 산화물 반도체로 이루어지는 비단결정막을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, Zn-O계 또는 Sn-Zn-O계의 질소를 포함시킨 산화물 반도체로 이루어지는 비단결정막을 사용하여도 좋다. 버퍼층(301a, 301b)은 n형의 도전형을 갖고, 그 도전율은 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)의 도전율보다 높게 되도록 한다. 여기서, 버퍼층(301a, 301b)은 비정질(아모퍼스) 구조, 다결정 구조, 단결정 구조 또는 결정립(나노 크리스털)을 포함하는 구조 중, 어느 구조를 취하여도 좋다. 결정립(나노 크리스털)은, 직경 1nm 내지 10nm, 대표적으로는 2nm 내지 4nm 정도이다.
버퍼층(301a, 301b)에 사용하는 산화물 반도체막은, 스퍼터링법을 사용하여 아르곤 등의 희소 가스와 산소 가스의 분위기하에서 형성한다. 이 때, 아르곤 등의 희 가스의 유량의 비율을 산소 가스의 유량의 비율보다 크게 하여 형성하거나, 또한, 산소 가스를 사용하지 않고, 아르곤 등의 희소 가스만의 분위기하에서 형성함으로써, 버퍼층(301a, 301b)의 도전율을 향상시킬 수 있다. 또한, 산소 가스 대신에, 질소 가스를 사용하여도 버퍼층(301a, 301b)의 도전율을 향상시킬 수 있다.
버퍼층(301a, 301b)에 사용하는 산화물 반도체막의 막 두께는 5nm 내지 20nm로 한다. 물론, 막 중에 결정립이 포함되는 경우, 포함되는 결정립의 사이즈가 막 두께를 초과하는 크기가 되지 않는다.
상술한 바와 같이, 버퍼층(301a, 301b)을 형성함으로써, 산화물층(106)과, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)의 사이에서, 쇼트키 접합보다도 열적 안정성을 향상시킬 수 있고, 트랜지스터의 동작 특성을 안정시킬 수 있다. 또한, 도전성이 좋기 때문에 높은 드레인 전압이라도 양호한 이동도를 유지할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 트랜지스터의 버퍼층(301a, 301b) 이외의 구조와 재료에 대해서는, 실시형태 1을 참조하기 바란다.
본 실시형태의 트랜지스터의 제작 공정은, 실시형태 2에서 나타낸 트랜지스터의 제작 공정과 대략 마찬가지다. 우선, 실시형태 2에서 나타낸 방법으로, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)을 형성하기 위한 산화물 반도체막까지 형성하고, 연속적으로 버퍼층(301a, 301b)을 형성하기 위한 산화물 반도체막을, 상술한 방법을 사용하여 스퍼터링 성막한다. 다음에, 포토리소그래피 공정에 의하여, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(111) 및 산화물층(106)과 마찬가지로, 버퍼층(301a, 301b)을 형성하기 위한 산화물 반도체막을 섬 형상으로 에칭하여, 산화물 반도체막(302)을 형성한다(도 32a 참조). 또한, 실시형태 2에서 나타낸 방법으로, 도전막(112)의 형성까지 행한다(도 32b 참조). 다음에, 포토리소그래피 공정에 의하여, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b), 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)과 마찬가지로 산화물 반도체막(302)을 에칭하여, 버퍼층(301a, 301b)을 형성한다(도 32c 참조). 이후의 공정은 실시형태 2와 마찬가지다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 실시형태 1 내지 실시형태 3에 나타낸 트랜지스터와는 상이한 형상의 트랜지스터에 대하여 도 35a 내지 도 35c를 사용하여 설명한다.
도 35a에 도시하는 트랜지스터에는, 기판(100) 위에 게이트 전극층(101)이 형성되고, 게이트 전극층(101) 위에 게이트 절연층(102)이 형성되고, 게이트 절연층(102) 위에 산화물층(316)이 형성되고, 산화물층(316) 위에 버퍼층(301a, 301b)이 형성되고, 버퍼층(301a, 301b) 위에 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)이 형성되고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 및 산화물층(316) 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313)이 형성되어 있다.
또한, 산화물층(316)은, 아연(Zn)을 포함하고, 실시형태 1에서 나타낸 산화물층(106)과 마찬가지의 것을 사용한다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313)은 SiO2로 대표되는 절연성 산화물과 아연(Zn)을 포함하는, 산화물층(106)보다 도전율이 낮은 산화물 반도체층이고, 실시형태 1에서 나타낸 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(103)과 마찬가지의 것을 사용한다. 또한, 기판(100), 게이트 전극층(101), 게이트 절연층(102), 버퍼층(301a, 301b), 소스 전극층 및 드레인 전극층(105a, 105b)은 각각 실시형태 1 내지 실시형태 3에서 사용한 것과 마찬가지다.
절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313)은, 산화물층(316)의 주변부와 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 사이의 부분이 산화물층(316)과 접한다. 산화물층(316)은, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 사이에 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 중첩하는 영역보다 막 두께가 얇은 영역을 갖고, 주변부와, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b) 사이의 부분이 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313)과 접한다. 또한, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313)과 산화물층(316)의 단부가 일치하는 연속적인 구조로 하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 구성으로 함으로써, 산화물층(316)의 백 채널 측의 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 중첩하지 않는 부분에 축적되는 차지를, 도전율이 저감된, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313)으로 방출할 수 있다. 또한, 차지가 산화물층(316)의 백 채널 측에 침입하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 35b에 도시하는 바와 같이, 트랜지스터 위에 보호 절연층(107)을 형성하고, 보호 절연층(107)을 덮도록 수지층(133)을 형성함으로써, 수분, 수소 또는 OH-가 산화물층(316)으로 침입하여 차지가 축적되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 화소 전극층(110)은 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313), 보호 절연층(107) 및 수지층(133)에 콘택트 홀을 형성하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 콘택트를 취하도록 한다.
또한, 도 35c에 도시하는 바와 같이, 트랜지스터 위에 수지층(133)을 형성하고, 수지층(133)을 덮도록 보호 절연층(107)을 형성하여도 좋다. 이에 따라, 수분, 수소 또는 OH-가 산화물층(316)에 침입하여, 차지가 축적되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 수지층(133)에 의하여 보호 절연층(107)을 형성할 때 생기는 플라즈마 대미지로부터, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313) 및 산화물층(316)을 보호할 수 있다. 또한, 화소 전극층(110)은, 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(313), 수지층(133) 및 보호 절연층(107)에 콘택트 홀을 형성하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(105a, 105b)과 콘택트를 취하도록 한다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 나타낸 보텀 게이트형 트랜지스터를 2개 사용한 인버터 회로에 대하여 도 13a 내지 도 13c를 사용하여 설명한다.
화소부를 구동하기 위한 구동 회로는, 인버터 회로, 용량, 저항 등을 사용하여 구성한다. 2개의 n채널형 TFT를 조합하여 인버터 회로를 형성하는 경우, 인핸스먼트형 트랜지스터와 디플리션형 트랜지스터를 조합하여 형성하는 경우(이하, EDMOS 회로라고 함)와, 인핸스먼트형 TFT끼리 형성하는 경우(이하, EEMOS 회로라고 함)가 있다. 또한, n채널형 TFT의 임계 값 전압이 양의 경우는, 인핸스먼트형 트랜지스터로 정의하고, n채널형 TFT의 임계 값 전압이 음의 경우는, 디플리션형 트랜지스터로 정의하고, 본 명세서를 통하여 이 정의에 따르는 것으로 한다.
화소부와 구동 회로는, 동일 기판 위에 형성하고, 화소부에서는, 매트릭스 형상으로 배치한 인핸스먼트형 트랜지스터를 사용하여 화소 전극으로의 전압 인가의 온/오프를 전환한다. 이 화소부에 배치하는 인핸스먼트형 트랜지스터는 산화물 반도체를 사용한다.
구동 회로의 인버터 회로의 단면 구조를 도 13a에 도시한다. 또한, 도 13a에서는, 제 1 트랜지스터(430a) 및 제 2 트랜지스터(430b)로서 도 1a 및 도 1b에 도시하는 구조의 역 스태거형 트랜지스터를 사용한다. 그러나, 본 실시형태에서 나타내는 인버터 회로에 사용할 수 있는 트랜지스터는, 이 구조에 한정되지 않는다.
도 13a에 도시하는 제 1 트랜지스터(430a)는, 기판(400) 위에 제 1 게이트 전극층(401a)이 형성되고, 제 1 게이트 전극층(401a) 위에 게이트 절연층(402)이 형성되고, 게이트 절연층(402) 위에 제 1 산화물층(406a)이 형성되고, 제 1 산화물층(406a) 위에 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(403a)이 형성되고, 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(403a) 위에 제 1 배선(405a) 및 제 2 배선(405b)이 형성된다. 마찬가지로, 제 2 트랜지스터(430b)도 기판(400) 위에 제 2 게이트 전극층(401b)이 형성되고, 제 2 게이트 전극층(401b) 위에 게이트 절연층(402)이 형성되고, 게이트 절연층(402) 위에 제 2 산화물층(406b)이 형성되고, 제 2 산화물층(406b) 위에 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(403b)이 형성되고, 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(403b) 위에 제 2 배선(405b) 및 제 3 배선(405c)이 형성된다. 여기서, 제 2 배선(405b)은, 게이트 절연층(402)에 형성된 콘택트 홀(414)을 통하여 제 2 게이트 전극층(401b)과 직접 접속된다. 또한, 각부의 구조나 재료는, 상술한 실시형태에 나타내는 트랜지스터를 참조하기 바란다.
제 1 배선(405a)은, 접지 전위의 전원선(접지 전원선)이다. 이 접지 전위의 전원선은 음의 전압(VDL)이 인가되는 전원선(음 전원선)으로 하여도 좋다. 제 3 배선(405c)은, 양의 전압 VDD가 인가되는 전원선(양 전원선)이다.
도 13a에 도시하는 바와 같이, 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(403a)과 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(403b)의 양쪽에 전기적으로 접속하는 제 2 배선(405b)은, 게이트 절연층(402)에 형성된 콘택트 홀(414)을 통하여 제 2 트랜지스터(430b)의 제 2 게이트 전극층(401b)과 직접 접속한다. 직접 접속시킴으로써, 양호한 콘택트를 얻을 수 있고, 접촉 저항을 저감할 수 있다. 제 2 게이트 전극층(401b)과 제 2 배선(405b)을 다른 도전막, 예를 들어 투명 도전막을 개재하여 접속하는 경우와 비교하여, 콘택트 홀의 개수의 저감, 콘택트 홀의 개수의 저감에 의한 구동 회로 등의 점유 면적의 축소를 도모할 수 있다.
또한, 구동 회로의 인버터 회로의 평면도를 도 13c에 도시한다. 도 13c에 있어서, 쇄선 Z1-Z2로 절단한 단면이 도 13a에 상당한다.
또한, EDMOS 회로의 등가 회로를 도 13b에 도시한다. 도 13a 및 도 13c에 도시하는 회로 접속은, 도 13b에 상당하고, 제 1 트랜지스터(430a)를 인핸스먼트형의 n채널형 트랜지스터로 하고, 제 2 트랜지스터(430b)를 디프레션형의 n채널형 트랜지스터로 하는 예이다.
동일 기판 위에 인핸스먼트형의 n채널형 트랜지스터와 디프레션형의 n채널형 트랜지스터를 제작하는 방법은, 예를 들어, 제 1 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(403a) 및 제 1 산화물층(406a)과, 제 2 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층(403b) 및 제 2 산화물층(406b)을 상이한 재료나 상이한 성막 조건을 사용하여 제작한다. 또한, 산화물 반도체층의 상하에 게이트 전극을 형성하여 임계 값을 제어하고, 한쪽의 TFT가 노멀리 온(normally on)이 되도록 게이트 전극에 전압을 가하고, 다른 한쪽의 TFT가 노멀리 오프(normally off)가 되도록 하여 EDMOS 회로를 구성하여도 좋다.
또한, EDMOS 회로뿐만 아니라, 제 1 트랜지스터(430a) 및 제 2 트랜지스터(430b)를 인핸스먼트형의 n채널형 트랜지스터로 함으로써, EEMOS 회로를 제작할 수도 있다. 그 경우, 제 2 배선(405b)과 제 2 게이트 전극층(401b)을 접속하는 대신에 제 3 배선(405c)과 제 2 게이트 전극층(401b)을 접속한다.
본 실시형태에서 사용하는 트랜지스터는, Zn를 포함하는 산화물층 위에 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 적층하고, 산화물층과 소스 전극층 또는 드레인 전극층이 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 사이에 두고 중첩하도록 트랜지스터를 형성함으로써, 상기 트랜지스터의 임계 값 전압의 편차를 저감하고, 전기 특성을 안정시킬 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 나타내는 인버터 회로의 회로 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는, 반도체 장치의 일례인 표시 장치에 있어서, 적어도 구동 회로의 일부와 화소부에 배치하는 트랜지스터를 동일 기판 위에 제작하는 예에 대하여 이하에 설명한다.
화소부에 배치하는 트랜지스터는, 실시형태 2에 따라 형성한다. 또한, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 트랜지스터는, n채널형 TFT이기 때문에, 구동 회로 중, n채널형 TFT로 구성할 수 있는 구동 회로의 일부를 화소부의 트랜지스터와 동일 기판 위에 형성한다.
반도체 장치의 일례인 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 블록도의 일례를 도 14a에 도시한다. 도 14a에 도시하는 표시 장치는, 기판(5300) 위에 표시 소자를 구비한 화소를 복수 갖는 화소부(5301)와, 각 화소를 선택하는 주사선 구동 회로(5302)와, 선택된 화소로의 비디오 신호의 입력을 제어하는 신호선 구동 회로(5303)를 갖는다.
화소부(5301)는 신호선 구동 회로(5303)로부터 열 방향으로 연장하여 배치된 복수의 신호선(S1) 내지 신호선(Sm)(도시하지 않음)에 의하여 신호선 구동 회로(5303)와 접속되고, 주사선 구동 회로(5302)로부터 행 방향으로 연장하여 배치된 복수의 주사선(G1) 내지 주사선(Gn)(도시하지 않음)에 의하여 주사선 구동 회로(5302)와 접속되고, 신호선(S1) 내지 신호선(Sm) 및 주사선(G1) 내지 주사선(Gn)에 대응하여 매트릭스 상태로 배치된 복수의 화소(도시하지 않음)를 갖는다. 그리고, 각 화소는, 신호선(Sj: 신호선(S1 내지 Sm) 중 어느 하나), 주사선(Gi: 주사선(G1 내지 Gn) 중 어느 하나)과 접속된다.
또한, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 트랜지스터는 n채널형 TFT이고, n채널형 TFT로 구성하는 신호선 구동 회로에 대하여 도 15를 사용하여 설명한다.
도 15에 도시하는 신호선 구동 회로는, 드라이버 IC(5601), 스위치군(5602_1 내지 5602_M), 제 1 배선(5611), 제 2 배선(5612), 제 3 배선(5613) 및 배선(5621_1 내지 5621_M)을 갖는다. 스위치 군(5602_1 내지 5602_M)의 각각은, 제 1 트랜지스터(5603a), 제 2 트랜지스터(5603b) 및 제 3 트랜지스터(5603c)를 갖는다.
드라이버 IC(5601)는 제 1 배선(5611), 제 2 배선(5612), 제 3 배선(5613) 및 배선(5621_1 내지 5621_M)에 접속된다. 그리고, 스위치군(5602_1 내지 5602_M) 각각은, 제 1 배선(5611), 제 2 배선(5612), 제 3 배선(5613) 및 스위치군(5602_1 내지 5602_M) 각각에 대응한 배선(5621_1 내지 5621_M)에 접속된다. 그리고, 배선(5621_1 내지 5621_M) 각각은, 제 1 트랜지스터(5603a), 제 2 트랜지스터(5603b) 및 제 3 트랜지스터(5603c)를 통하여, 3개의 신호선(신호선 Sm-2, 신호선 Sm-1, 신호선 Sm(m=3M))에 접속된다. 예를 들어, J열째의 배선(5621_J(배선(5621_1) 내지 배선(5621_M) 중 어느 하나))은, 스위치군(5602_J)이 갖는 제 1 트랜지스터(5603a), 제 2 트랜지스터(5603b) 및 제 3 트랜지스터(5603c)를 통하여, 신호선(Sj-2), 신호선(Sj-1), 신호선(Sj(j=3J))에 접속된다.
또한, 제 1 배선(5611), 제 2 배선(5612), 제 3 배선(5613)에는, 각각 신호가 입력된다.
또한, 드라이버 IC(5601)는, 단결정 반도체를 사용하여 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 스위치 군(5602_1 내지 5602_M)은, 화소부와 동일 기판 위에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 따라서, 드라이버 IC(5601)와 스위치군(5602_1 내지 5602_M)은 FPC 등을 통하여 접속하면 좋다. 또는, 화소부와 동일 기판 위에 접합 등에 의하여, 단결정 반도체층을 형성하고, 드라이버 IC(5601)를 형성하여도 좋다.
다음에, 도 15에 도시한 신호선 구동 회로의 동작에 대하여, 도 16의 타이밍 차트를 참조하여 설명한다. 또한, 도 16의 타이밍 차트는, i행째의 주사선(Gi)이 선택되어 있는 경우의 타이밍 차트를 도시한다. 또한, i행째의 주사선(Gi)의 선택 기간은, 제 1 서브 선택 기간 T1, 제 2 서브 선택 기간 T2 및 제 3 서브 선택 기간 T3으로 분할되어 있다. 또한, 도 15의 신호선 구동 회로는, 다른 행의 주사선이 선택되어 있는 경우에도 도 16과 같은 동작을 한다.
또한, 도 16의 타이밍 차트는, J열째의 배선(5621_J)이 제 1 트랜지스터(5603a), 제 2 트랜지스터(5603b) 및 제 3 트랜지스터(5603c)를 통하여, 신호선(Sj-2), 신호선(Sj-1), 신호선(Sj)에 접속되는 경우에 대하여 도시한다.
또한, 도 16의 타이밍 차트는 i행째의 주사선 Gi가 선택되는 타이밍, 제 1 트랜지스터(5603a)의 온·오프의 타이밍(5703a), 제 2 트랜지스터(5603b)의 온·오프의 타이밍(5703b), 제 3 트랜지스터(5603c)의 온·오프의 타이밍(5703c) 및 J열째의 배선(5621_J)에 입력되는 신호(5721_J)를 도시한다.
또한, 배선(5621_1) 내지 배선(5621_M)에는 제 1 서브 선택 기간 T1, 제 2 서브 선택 기간 T2 및 제 3 서브 선택 기간 T3에 있어서, 각각 다른 비디오 신호가 입력된다. 예를 들어, 제 1 서브 선택 기간 T1에 있어서 배선(5621_J)에 입력되는 비디오 신호는 신호선(Sj-2)에 입력되고, 제 2 서브 선택 기간 T2에 있어서 배선(5621_J)에 입력되는 비디오 신호는 신호선(Sj-1)에 입력되고, 제 3 서브 선택 기간 T3에 있어서 배선(5621_J)에 입력되는 비디오 신호는 신호선(Sj)에 입력된다. 또한, 제 1 서브 선택 기간 T1, 제 2 서브 선택 기간 T2 및 제 3 서브 선택 기간 T3에 있어서, 배선(5621_J)에 입력되는 비디오 신호를 각각 Data_j-2, Data_j-1, Data_j로 한다.
도 16에 도시하는 바와 같이, 제 1 서브 선택 기간 T1에 있어서 제 1 트랜지스터(5603a)가 온 되고, 제 2 트랜지스터(5603b) 및 제 3 트랜지스터(5603c)가 오프 된다. 이 때, 배선(5621_J)에 입력되는 Data_j-2가, 제 1 트랜지스터(5603a)를 통하여 신호선(Sj-2)에 입력된다. 제 2 서브 선택 기간 T2에서는, 제 2 트랜지스터(5603b)가 온 되고, 제 1 트랜지스터(5603a) 및 제 3 트랜지스터(5603c)가 오프 된다. 이 때, 배선(5621_J)에 입력되는 Data_j-1이, 제 2 트랜지스터(5603b)를 통하여 신호선(Sj-1)에 입력된다. 제 3 서브 선택 기간 T3에서는, 제 3 트랜지스터(5603c)가 온 되고, 제 1 트랜지스터(5603a) 및 제 2 트랜지스터(5603b)가 오프 된다. 이 때, 배선(5621_J)에 입력되는 Data_j가, 제 3 트랜지스터(5603c)를 통하여 신호선(Sj)에 입력된다.
상술한 바와 같이, 도 15의 신호선 구동 회로는, 1 게이트 선택 기간을 3개로 분할함으로써, 1 게이트 선택 기간 동안에 1개의 배선(5621)으로부터 3개의 신호선에 비디오 신호를 입력할 수 있다. 따라서, 도 15의 신호선 구동 회로는, 드라이버 IC(5601)가 형성되는 기판과, 화소부가 형성되어 있는 기판의 접속수를 신호선의 수와 비교하여 약 1/3로 할 수 있다. 접속수가 약 1/3로 됨으로써, 도 15의 신호선 구동 회로는, 신뢰성, 제작 수율 등을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 15에 도시하는 바와 같이, 1 게이트 선택 기간을 복수의 서브 선택 기간으로 분할하고, 복수의 서브 선택 기간 각각에 있어서, 어느 하나의 배선으로부터 복수의 신호선 각각에 비디오 신호를 입력할 수 있다면, 트랜지스터의 배치나 개수, 구동 방법 등은 한정되지 않는다.
예를 들어, 3개 이상의 서브 선택 기간 각각에 있어서 1개의 배선으로부터 3개 이상의 신호선 각각에 비디오 신호를 입력하는 경우는 트랜지스터 및 트랜지스터를 제어하기 위한 배선을 추가하면 좋다. 다만, 1 게이트 선택 기간을 4개 이상의 서브 선택 기간으로 분할하면, 1개의 서브 선택 기간이 짧아진다. 따라서, 1 게이트 선택 기간은, 2개 또는 3개의 서브 선택 기간으로 분할되는 것이 바람직하다.
다른 예로서, 도 17의 타이밍 차트에 도시하는 바와 같이, 1개의 선택 기간을 프리차지 기간 Tp, 제 1 서브 선택 기간 T1, 제 2 서브 선택 기간 T2, 제 3 선택 기간 T3으로 분할하여도 좋다. 또한, 도 17의 타이밍 차트는, i행째의 주사선(Gi)이 선택되는 타이밍, 제 1 트랜지스터(5603a)의 온 및 오프의 타이밍(5803a), 제 2 트랜지스터(5603b)의 온 및 오프의 타이밍(5803b), 제 3 트랜지스터(5603c)의 온 및 오프의 타이밍(5803c) 및 J열째의 배선(5621_J)에 입력되는 신호(5821_J)를 도시한다. 도 17에 도시하는 바와 같이, 프리차지 기간 Tp에 있어서 제 1 트랜지스터(5603a), 제 2 트랜지스터(5603b) 및 제 3 트랜지스터(5603c)가 온 상태가 된다. 이 때, 배선(5621_J)에 입력되는 프리차지 전압 Vp가 제 1 트랜지스터(5603a), 제 2 트랜지스터(5603b) 및 제 3 트랜지스터(5603c)를 통하여 각각 신호선(Sj-2), 신호선(Sj-1), 신호선(Sj)에 입력된다. 제 1 서브 선택 기간 T1에 있어서 제 1 트랜지스터(5603a)가 온 상태가 되고, 제 2 트랜지스터(5603b) 및 제 3 트랜지스터(5603c)가 오프 상태가 된다. 이 때, 배선(5621_J)에 입력되는 Data_j-2가 제 1 트랜지스터(5603a)를 통하여 신호선(Sj-2)에 입력된다. 제 2 서브 선택 기간 T2에서는, 제 2 트랜지스터(5603b)가 온 상태가 되고, 제 1 트랜지스터(5603a) 및 제 3 트랜지스터(5603c)가 오프 상태가 된다. 이 때, 배선(5621_J)에 입력되는 Data_j-1이, 제 2 트랜지스터(5603b)를 통하여 신호선(Sj-1)에 입력된다. 제 3 서브 선택 기간 T3에서는, 제 3 트랜지스터(5603c)가 온 상태가 되고, 제 1 트랜지스터(5603a) 및 제 2 트랜지스터(5603b)가 오프 상태가 된다. 이 때, 배선(5621_J)에 입력되는 Data_j가, 제 3 트랜지스터(5603c)를 통하여 신호선(Sj)에 입력된다.
상술한 바와 같이, 도 17의 타이밍 차트를 적용한 도 15의 신호선 구동 회로는, 서브 선택 기간 전에 프리차지 선택 기간을 설정함으로써, 신호선을 프리차지할 수 있기 때문에, 화소로의 비디오 신호의 기록을 고속으로 행할 수 있다. 또, 도 17에 있어서, 도 16과 같은 것에 대해서는 공통의 부호를 사용하여 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
또한, 주사선 구동 회로의 구성에 대하여 설명한다. 주사선 구동 회로는 시프트 레지스터, 버퍼를 갖는다. 또한, 경우에 따라서는 레벨 시프터를 가져도 좋다. 주사선 구동 회로에 있어서, 시프트 레지스터에 클록 신호(CLK) 및 스타트 펄스 신호(SP)가 입력됨으로써, 선택 신호가 생성된다. 생성된 선택 신호는 버퍼에 있어서 완충 증폭되고, 대응하는 주사선에 공급된다. 주사선에는, 1라인분의 화소의 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된다. 그리고, 1라인분의 화소의 트랜지스터를 일제히 온으로 하여야 하기 때문에, 버퍼는 큰 전류를 흘릴 수 있는 것이 사용된다.
주사선 구동 회로의 일부에 사용하는 시프트 레지스터의 일 형태에 대하여 도 18 및 도 19를 사용하여 설명한다.
도 18에 시프트 레지스터의 회로 구성을 도시한다. 도 18에 도시하는 시프트 레지스터는, 플립 플롭(5701_1 내지 5701_n)과 같은 복수의 플립 플롭으로 구성된다. 또한, 제 1 클록 신호, 제 2 클록 신호, 스타트 펄스 신호, 리셋 신호가 입력되어 동작한다.
도 18의 시프트 레지스터의 접속 관계에 대하여 설명한다. 1 단째의 플립 플롭(5701_1)은, 제 1 배선(5711), 제 2 배선(5712), 제 4 배선(5714), 제 5 배선(5715), 제 7 배선(5717_1), 및 제 7 배선(5717_2)과 접속된다. 또한, 2단째의 플립 플롭(5701_2)은, 제 3 배선(5713), 제 4 배선(5714), 제 5 배선(5715), 제 7 배선(5717_1), 제 7 배선(5717_2) 및 제 7 배선(5717_3)과 접속된다.
마찬가지로, i단째의 플립 플롭(5701_i; 플립 플롭(5701_1 내지 5701_n) 중 어느 하나)은, 제 2 배선(5712) 또는 제 3 배선(5713)의 한쪽, 제 4 배선(5714), 제 5 배선(5715), 제 7 배선(5717_i-1), 제 7 배선(5717_i), 및 제 7 배선(5717_i+1)과 접속된다. 여기서, i가 홀수인 경우에는, i단째의 플립 플롭(5701_i)은 제 2 배선(5712)과 접속되고, i가 짝수인 경우에는, i단째의 플립 플롭(5701_i)은 제 3 배선(5713)과 접속되게 된다.
또한, n단째의 플립 플롭(5701_n)은, 제 2 배선(5712) 또는 제 3 배선(5713)의 한쪽, 제 4 배선(5714), 제 5 배선(5715), 제 7 배선(5717_n-1), 제 7 배선(5717_n), 및 제 6 배선(5716)과 접속된다.
또한, 제 1 배선(5711), 제 2 배선(5712), 제 3 배선(5713), 제 6 배선(5716)을 각각 제 1 신호선, 제 2 신호선, 제 3 신호선, 제 4 신호선이라고 불러도 좋다. 또한, 제 4 배선(5714), 제 5 배선(5715)을, 각각 제 1 전원선, 제 2 전원선이라고 불러도 좋다.
다음에, 도 18에 도시하는 플립 플롭의 상세한 사항에 대해서, 도 19를 사용하여 설명한다. 도 19에 도시하는 플립플롭은 제 1 트랜지스터(5571), 제 2 트랜지스터(5572), 제 3 트랜지스터(5573), 제 4 트랜지스터(5574), 제 5 트랜지스터(5575), 제 6 트랜지스터(5576), 제 7 트랜지스터(5577) 및 제 8 트랜지스터(5578)를 갖는다. 또한, 제 1 트랜지스터(5571), 제 2 트랜지스터(5572), 제 3 트랜지스터(5573), 제 4 트랜지스터(5574), 제 5 트랜지스터(5575), 제 6 트랜지스터(5576), 제 7 트랜지스터(5577) 및 제 8 트랜지스터(5578)는, n채널형 트랜지스터이며, 게이트·소스간 전압(Vgs)이 임계 값 전압(Vth)을 상회하였을 때 도통 상태가 되는 것으로 한다.
또한, 도 19에 도시하는 플립 플롭은, 제 1 배선(5501), 제 2 배선(5502), 제 3 배선(5503), 제 4 배선(5504), 제 5 배선(5505), 및 제 6 배선(5506)을 갖는다.
여기서는 모든 트랜지스터를, 인핸스먼트형의 n채널형 트랜지스터로 하는 예를 나타내지만, 특히 한정되지 않고, 예를 들어, 디프레션형의 n채널형 트랜지스터를 사용하여 구동 회로를 구동시킬 수도 있다.
다음에, 도 18에 도시하는 플립 플롭의 접속 구성에 대하여, 이하에 나타낸다.
제 1 트랜지스터(5571)의 제 1 전극(소스 전극 또는 드레인 전극의 한쪽)이 제 4 배선(5504)에 접속되고, 제 1 트랜지스터(5571)의 제 2 전극(소스 전극 또는 드레인 전극의 다른 쪽)이 제 3 배선(5503)에 접속된다.
제 2 트랜지스터(5572)의 제 1 전극이 제 6 배선(5506)에 접속되고, 제 2 트랜지스터(5572)의 제 2 전극이 제 3 배선(5503)에 접속된다.
제 3 트랜지스터(5573)의 제 1 전극이 제 5 배선(5505)에 접속되고, 제 3 트랜지스터(5573)의 제 2 전극이 제 2 트랜지스터(5572)의 게이트 전극에 접속되고, 제 3 트랜지스터(5573)의 게이트 전극이 제 5 배선(5505)에 접속된다.
제 4 트랜지스터(5574)의 제 1 전극이 제 6 배선(5506)에 접속되고, 제 4 트랜지스터(5574)의 제 2 전극이 제 2 트랜지스터(5572)의 게이트 전극에 접속되고, 제 4 트랜지스터(5574)의 게이트 전극이 제 1 트랜지스터(5571)의 게이트 전극에 접속된다.
제 5 트랜지스터(5575)의 제 1 전극이 제 5 배선(5505)에 접속되고, 제 5 트랜지스터(5575)의 제 2 전극이 제 1 트랜지스터(5571)의 게이트 전극에 접속되고, 제 5 트랜지스터(5575)의 게이트 전극이 제 1 배선(5501)에 접속된다.
제 6 트랜지스터(5576)의 제 1 전극이 제 6 배선(5506)에 접속되고, 제 6 트랜지스터(5576)의 제 2 전극이 제 1 트랜지스터(5571)의 게이트 전극에 접속되고, 제 6 트랜지스터(5576)의 게이트 전극이 제 2 트랜지스터(5572)의 게이트 전극에 접속된다.
제 7 트랜지스터(5577)의 제 1 전극이 제 6 배선(5506)에 접속되고, 제 7 트랜지스터(5577)의 제 2 전극이 제 1 트랜지스터(5571)의 게이트 전극에 접속되고, 제 7 트랜지스터(5577)의 게이트 전극이 제 2 배선(5502)에 접속된다.
제 8 트랜지스터(5578)의 제 1 전극이 제 6 배선(5506)에 접속되고, 제 8 트랜지스터(5578)의 제 2 전극이 제 2 트랜지스터(5572)의 게이트 전극에 접속되고, 제 8 트랜지스터(5578)의 게이트 전극이 제 1 배선(5501)에 접속된다.
또한, 제 1 트랜지스터(5571)의 게이트 전극, 제 4 트랜지스터(5574)의 게이트 전극, 제 5 트랜지스터(5575)의 제 2 전극, 제 6 트랜지스터(5576)의 제 2 전극 및 제 7 트랜지스터(5577)의 제 2 전극의 접속 개소를 노드(node)(5543)로 한다. 또한, 제 2 트랜지스터(5572)의 게이트 전극, 제 3 트랜지스터(5573)의 제 2 전극, 제 4 트랜지스터(5574)의 제 2 전극, 제 6 트랜지스터(5576)의 게이트 전극 및 제 8 트랜지스터(5578)의 제 2 전극의 접속 개소를 노드(5544)로 한다.
또한, 제 1 배선(5501), 제 2 배선(5502), 제 3 배선(5503) 및 제 4 배선(5504)을, 각각 제 1 신호선, 제 2 신호선, 제 3 신호선, 제 4 신호선이라고 불러도 좋다. 또한, 제 5 배선(5505)을 제 1 전원선, 제 6 배선(5506)을 제 2 전원선이라고 불러도 좋다.
i단계째의 플립 플롭(5701_i)에 있어서, 도 19 중의 제 1 배선(5501)과, 도 18 중의 제 7 배선(5717_i-1)이 접속된다. 또한, 도 19 중의 제 2 배선(5502)과, 도 18 중의 제 7 배선(5717_i+1)이 접속된다. 또한, 도 19 중의 제 3 배선(5503)과, 제 7 배선(5717_i)이 접속된다. 또한, 도 19 중의 제 6 배선(5506)과, 제 5 배선(5715)이 접속된다.
i가 홀수인 경우, 도 19 중의 제 4 배선(5504)은, 도 18 중의 제 2 배선(5712)과 접속되고, i가 짝수인 경우, 도 18 중의 제 3 배선(5713)과 접속된다. 또한, 도 19 중의 제 5 배선(5505)과, 도 18 중의 제 4 배선(5714)이 접속된다.
다만, 1 단계째의 플립 플롭(5701_1)에 있어서, 도 19 중의 제 1 배선(5501)은 도 18 중의 제 1 배선(5711)에 접속된다. 또한, n단째의 플립 플롭(5701_n)에 있어서, 도 19 중의 제 2 배선(5502)은 도 18 중의 제 6 배선(5716)에 접속된다.
또한, 신호선 구동 회로 및 주사선 구동 회로를 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 n채널형 TFT만으로 제작할 수도 있다. 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 n채널형 TFT는 트랜지스터의 이동도가 크기 때문에, 구동 회로의 구동 주파수를 높일 수 있다. 또한, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 n채널형 TFT는, 산화물 반도체층을 사용함으로써, 기생 용량이 저감되기 때문에, 주파수 특성(f특성이라고 불림)이 높다. 예를 들어, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 n채널형 TFT를 사용한 주사선 구동 회로는, 고속으로 동작시킬 수 있으므로, 프레임 주파수를 높게 하는 것, 또는 흑색 화면 삽입 등도 실현할 수가 있다.
또한, 주사선 구동 회로의 트랜지스터의 채널 폭을 크게 하는 것이나, 복수의 주사선 구동 회로를 배치하는 것 등에 의하여, 보다 높은 프레임 주파수를 실현할 수 있다. 복수의 주사선 구동 회로를 배치하는 경우는, 짝수 행의 주사선을 구동하기 위한 주사선 구동 회로를 한 쪽에 배치하고, 홀수 행의 주사선을 구동하기 위한 주사선 구동 회로를 그 반대측에 배치함으로써, 프레임 주파수를 높게 하는 것을 실현할 수 있다. 또한, 복수의 주사선 구동 회로에 의하여, 같은 주사선에 신호를 출력하면, 표시 장치의 대형화에 유리하다.
또한, 반도체 장치의 일례인 액티브 매트릭스형 발광 표시 장치를 제작하는 경우, 적어도 하나의 화소에 복수의 트랜지스터를 배치하기 위하여, 주사선 구동 회로를 복수 배치하는 것이 바람직하다. 액티브 매트릭스형 발광 표시 장치의 블록도의 일례를 도 14b에 도시한다.
도 14b에 도시하는 발광 표시 장치는, 기판(5400) 위에 표시 소자를 구비한 화소를 복수 갖는 화소부(5401)와, 각 화소를 선택하는 제 1 주사선 구동 회로(5402) 및 제 2 주사선 구동 회로(5404)와, 선택된 화소로의 비디오 신호의 입력을 제어하는 신호선 구동 회로(5403)를 갖는다.
도 14b에 도시하는 발광 표시 장치의 화소에 입력되는 비디오 신호를 디지털 형식으로 하는 경우, 화소는 트랜지스터의 온과 오프의 전환에 의하여, 발광 또는 비발광 상태가 된다. 따라서, 면적 계조법 또는 시간 계조법을 사용하여 계조의 표시를 행할 수 있다. 면적 계조법은 1화소를 복수의 부(副)화소로 분할하여 각 부화소를 독립적으로 비디오 신호에 따라 구동시킴으로써, 계조 표시를 행하는 구동 방법이다. 또한, 시간 계조법은 화소가 발광하는 기간을 제어함으로써 계조 표시를 행하는 구동 방법이다.
발광 소자는 액정 소자 등과 비교하여 응답 속도가 높기 때문에, 액정 소자보다 시간 계조법에 적합하다. 구체적으로 시간 계조법에 의하여 표시를 행하는 경우, 1프레임 기간을 복수의 서브 프레임 기간으로 분할한다. 그리고, 비디오 신호에 따라, 각 서브 프레임 기간에 있어서, 화소의 발광 소자를 발광 상태, 또는 비발광 상태로 한다. 복수의 서브 프레임 기간으로 분할함으로써, 1프레임 기간 중에 화소가 실제로 발광하는 기간의 합계 길이를 비디오 신호에 따라 제어할 수 있기 때문에, 계조를 표시할 수 있다.
또한, 도 14b에 도시하는 발광 표시 장치에서는, 하나의 화소에 2개의 스위칭용 TFT를 배치하는 경우, 한쪽의 스위칭용 TFT의 게이트 배선인 제 1 주사선에 입력되는 신호를 제 1 주사선 구동 회로(5402)로 생성하고, 다른 쪽의 스위칭용 TFT의 게이트 배선인 제 2 주사선에 입력되는 신호를 제 2 주사선 구동 회로(5404)로 생성하는 예를 도시하지만, 제 1 주사선에 입력되는 신호와 제 2 주사선에 입력되는 신호를, 양쪽 모두 1개의 주사선 구동 회로로 생성하도록 하여도 좋다. 또한, 예를 들어, 1개의 화소가 갖는 스위칭용 TFT의 수에 의하여, 스위칭 소자의 동작을 제어하는 데에도 사용되는 주사선이, 각 화소에 복수 형성될 수도 있다. 이 경우, 복수의 주사선에 입력되는 신호를, 모두 1개의 주사선 구동 회로에서 생성하여도 좋고, 복수의 각 주사선 구동 회로에서 생성하여도 좋다.
또한, 발광 표시 장치에 있어서도 구동 회로 중, n채널형 TFT로 구성할 수 있는 구동 회로의 일부를 화소부의 트랜지스터와 동일 기판 위에 형성할 수 있다. 또한, 신호선 구동 회로 및 주사선 구동 회로를 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 n채널형 TFT만으로 제작할 수도 있다.
또한, 상술한 구동 회로는 액정 표시 장치나 발광 표시 장치에 한정되지 않고, 스위칭 소자와 전기적으로 접속되는 소자를 이용하여 전자 잉크를 구동시키는 전자 페이퍼에 사용하여도 좋다. 전자 페이퍼는, 전기 영동 표시 장치(전기 영동 디스플레이)라고도 불리고, 종이와 같이 읽기 쉽다는 장점, 다른 표시 장치와 비교하여 저소비 전력, 얇고 가벼운 형상으로 할 수 있는 이점을 갖는다.
이상의 공정에 의하여, 반도체 장치로서 전기 특성이 안정되고 신뢰성이 높은 표시 장치를 제작할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 7)
실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 트랜지스터를 제작하고, 상기 트랜지스터를 화소부, 또한 구동 회로에 사용하여 표시 기능을 갖는 반도체 장치(표시 장치라고도 함)를 제작할 수 있다. 또한, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 트랜지스터를 사용하여 구동 회로의 일부 또는 전체를, 화소부와 같은 기판 위에 일체로 형성하여, 시스템 온 패널(system-on panel)을 형성할 수 있다.
표시 장치는 표시 소자를 포함한다. 표시 소자로서는 액정 소자(액정 표시 소자라고도 함) 또는 발광 소자(발광 표시 소자라고도 함)를 사용할 수 있다. 발광 소자는 전류 또는 전압에 의하여 휘도가 제어되는 소자를 그 범주에 포함하고, 구체적으로는, 무기 EL(Electro Luminescence), 유기 EL 등이 포함된다. 또한, 전자 잉크 등, 전기적 작용에 의하여 콘트라스트가 변화하는 표시 매체도 적용할 수 있다.
또한, 표시 장치는, 표시 소자가 밀봉된 상태인 패널과, 상기 패널에 콘트롤러를 포함하는 IC 등을 실장한 상태인 모듈을 포함한다. 또한, 상기 표시 장치를 제작하는 과정에 있어서의, 표시 소자가 완성되기 전의 일 형태에 상당하는 소자 기판에 관한 것으로서, 상기 소자 기판은 전류를 표시 소자에 공급하기 위한 수단을 복수의 각 화소에 구비한다. 소자 기판은, 구체적으로는, 표시 소자의 화소 전극만이 형성된 상태라도 좋고, 화소 전극이 되는 도전막을 형성한 후이며, 에칭하여 화소 전극을 형성하기 전인 상태라도 좋고, 모든 형태가 적합하다.
또한, 본 명세서 중에 있어서의 표시 장치란, 화상 표시 디바이스, 표시 디바이스, 또는 광원(조명장치를 포함함)을 가리킨다. 또한, 커넥터, 예를 들면 FPC(Flexible printed circuit) 또는 TAB(Tape Automated Bonding) 테이프 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 장착된 모듈, TAB 테이프나 TCP의 앞에 프린트 배선판이 형성된 모듈, 또는 표시 소자에 COG(Chip On Glass) 방식에 의해 IC(집적회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 표시 장치에 포함하는 것으로 한다.
본 실시형태에서는, 반도체 장치의 일 형태에 상당하는 액정 표시 패널의 외관 및 단면에 대하여, 도 20a1, 도 20a2, 도 20b1을 사용하여 설명한다. 도 20a1, 도 20a2는, 제 1 기판(4001) 위에 형성된 실시형태 1 내지 실시형태 4에서 나타낸 산화물 반도체층을 사용하고, 전기 특성이 안정되고 신뢰성이 높은 트랜지스터(4010, 4011), 및 액정 소자(4013)를 제 2 기판(4006)과의 사이에 씰재(4005)에 의하여 밀봉한, 패널의 평면도이며, 도 20b는 도 20a1 및 도 20a2의 M-N에 있어서의 단면도에 상당한다.
제 1 기판(4001) 위에 형성된 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004)를 둘러싸도록, 씰재(4005)가 형성된다. 또한 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004) 위에 제 2 기판(4006)이 형성되어 있다. 따라서, 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004)는, 제 1 기판(4001)과 씰재(4005)와 제 2 기판(4006)에 의하여, 액정층(4008)과 함께 밀봉된다. 또한, 제 1 기판(4001) 위의 씰재(4005)에 의하여 둘러싸인 영역과는 상이한 영역에, 별도 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막으로 형성된 신호선 구동 회로(4003)가 실장되어 있다.
또한, 별도로 형성한 구동 회로의 접속 방법은 특히 한정되지 않고, COG 방법, 와이어 본딩 방법, 또는 TAB 방법 등을 사용할 수 있다. 도 20a1은 COG 방법에 의하여 신호선 구동 회로(4003)를 실장하는 예이며, 도 20a2는 TAB 방법에 의하여 신호선 구동 회로(4003)를 실장하는 예이다.
또한, 제 1 기판(4001) 위에 형성된 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004)는 트랜지스터를 복수 갖고, 도 20b에서는 화소부(4002)에 포함되는 트랜지스터(4010)와 주사선 구동 회로(4004)에 포함되는 트랜지스터(4011)를 예시한다. 트랜지스터(4010, 4011) 위에는 절연층(4020, 4021)이 형성되어 있다.
트랜지스터(4010, 4011)는, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 산화물 반도체를 사용하고, 전기 특성이 안정된 신뢰성이 높은 트랜지스터를 적용할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 트랜지스터(4010, 4011)는 n채널형 트랜지스터이다.
또한, 액정 소자(4013)가 갖는 화소 전극층(4030)은, 트랜지스터(4010)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 액정 소자(4013)의 대향 전극층(4031)은 제 2 기판(4006) 위에 형성된다. 화소 전극층(4030)과 대향 전극층(4031)과 액정층(4008)이 겹치는 부분이 액정 소자(4013)에 상당한다. 또한, 화소 전극층(4030), 대향 전극층(4031)은 각각 배향막으로서 기능하는 절연층(4032, 4033)이 형성되고, 절연층(4032, 4033)을 사이에 두고, 액정층(4008)이 개재되어 있다.
또한, 제 1 기판(4001), 제 2 기판(4006)으로서는, 유리, 금속(대표적으로는 스테인리스), 세라믹스, 플라스틱을 사용할 수 있다. 플라스틱으로서는, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics) 판, PVF(폴리비닐플루오라이드) 필름, 폴리에스테르 필름, 또는 아크릴 수지 필름을 사용할 수 있다. 또한, 알루미늄 호일을 PVF 필름이나 폴리에스테르 필름으로 끼운 구조의 시트를 사용할 수도 있다.
또한, 4035는 절연막을 선택적으로 에칭함으로써 얻어지는 기둥 형상의 스페이서로서, 화소 전극층(4030)과 대향 전극층(4031) 사이의 거리(셀 갭)를 제어하기 위하여 형성된다. 또한, 구(球) 형상의 스페이서를 사용하여도 좋다. 또한, 대향 전극층(4031)은, 트랜지스터(4010)와 동일 기판 위에 형성되는 공통 전위선과 전기적으로 접속된다. 공통 접속부를 사용하여, 한 쌍의 기판간에 배치되는 도전성 입자를 통하여 대향 전극층(4031)과 공통 전위선을 전기적으로 접속할 수 있다. 또한, 도전성 입자는 씰 재(4005)에 함유시킨다.
또한, 배향막을 사용하지 않는 블루상(Blue Phase)을 나타내는 액정을 사용하여도 좋다. 블루상은 액정상의 하나이며, 콜레스테릭(cholesteric) 액정을 계속해서 승온하면, 콜레스테릭상으로부터 등방상으로 전이하기 직전에 발현하는 상이다. 블루상은 좁은 온도 범위에서 밖에 발현되지 않기 때문에, 온도 범위를 개선하기 위하여 5wt% 이상의 키랄제를 혼합시킨 액정 조성물을 사용하여 액정층(4008)에 사용한다. 블루 상을 나타내는 액정과 키랄제를 포함하는 액정 조성물은 응답 속도가 10μs 내지 100μs로 짧고, 광학적 등방성이기 때문에 배향 처리가 불필요하고, 시야각 의존성이 작다.
또한, 본 실시형태는 투과형 액정 표시 장치의 예이지만, 본 발명은 반사형 액정 표시 장치나 반투과형 액정 표시 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 액정 표시 장치에서는, 기판의 외측(시인 측)에 편광판을 형성하고, 내측에 착색층, 표시 소자에 사용하는 전극층을 순차적으로 형성하는 예를 나타내지만, 편광판은 기판의 내측에 형성하여도 좋다. 또한, 편광판과 착색층의 적층 구조도 본 실시형태에 한정되지 않고, 편광판 및 착색층의 재료나 제작 공정 조건에 따라 적절하게 설정하면 좋다. 또한, 블랙 매트릭스로서 기능하는 차광막을 형성하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 트랜지스터의 표면 요철을 저감하기 위하여, 및 트랜지스터의 신뢰성을 향상시키기 위하여, 실시형태 1 내지 실시형태 4에서 얻어진 트랜지스터를 보호막이나 평탄화 절연막으로서 기능하는 절연층(절연층(4020), 절연층(4021))으로 덮는 구성으로 되어 있다. 또한, 보호막은, 대기 중에 부유하는 유기물이나 금속물, 수증기 등의 오염 불순물의 침입을 방지하기 위한 것이고, 치밀한 막이 바람직하다. 보호막은 스퍼터링법을 사용하여 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 질화 알루미늄막, 산화질화 알루미늄막, 또는 질화산화 알루미늄막의 단층, 또는 적층으로 형성하면 좋다. 본 실시형태에서는, 보호막을 스퍼터링법으로 형성하는 예를 나타내지만, 특히 한정되지 않고, 다양한 방법으로 형성하면 좋다.
여기서는, 보호막으로서 적층 구조의 절연층(4020)을 형성한다. 여기서는, 절연층(4020)의 1층째로서 스퍼터링법을 이용하여 산화 실리콘막을 형성한다. 보호막으로서 산화 실리콘막을 사용하면, 소스 전극층 및 드레인 전극층으로서 사용하는 알루미늄막의 힐록 방지에 효과가 있다.
또한, 보호막의 2층째로서 절연층을 형성한다. 여기서는, 보호막(4020)의 2층째로서 스퍼터링법을 사용하여 질화 실리콘막을 형성한다. 보호막으로서 질화 실리콘막을 사용하면, 나트륨 등의 가동 이온이 반도체 영역 중에 침입하여, TFT의 전기 특성을 변화시키는 것을 억제할 수 있다.
또한, 보호막을 형성한 후에, 산화물 반도체층의 어닐링(300℃ 내지 400℃)을 행하여도 좋다.
또한, 평탄화 절연막으로서 절연층(4021)을 형성한다. 절연층(4021)으로서는, 폴리이미드, 아크릴, 벤조시클로부텐, 폴리아미드, 에폭시 등의, 내열성을 갖는 유기 재료를 사용할 수 있다. 또한, 상기 유기 재료 이외에, 저유전율 재료(low-k 재료), 실록산계 수지, PSG(인 유리), BPSG(붕소 인 유리) 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들의 재료로 형성되는 절연막을 복수 적층시킴으로써, 절연층(4021)을 형성하여도 좋다.
또한, 실록산계 수지는, 실록산계 재료를 출발 재료로 하여 형성된 Si-O-Si 결합을 포함하는 수지에 상당한다. 실록산계 수지는 치환기로서는 유기기(예를 들어 알킬기나 아릴기)나 플루오르기를 사용하여도 좋다. 또한, 유기기는 플루오르기를 갖고 있어도 좋다.
절연층(4021)의 형성법은, 특히 한정되지 않고, 그 재료에 따라, 스퍼터링법, SOG법, 스핀 코팅, 디핑, 스프레이 도포, 액적 토출법(잉크젯법, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄 등), 닥터 나이프, 롤 코터, 커튼 코터, 나이프 코터 등을 사용할 수 있다. 절연층(4021)을 재료액을 사용하여 형성하는 경우, 베이크하는 공정에서 동시에, 산화물 반도체층의 어닐링(300℃ 내지 400℃)을 행하여도 좋다. 절연층(4021)의 소성 공정과 산화물 반도체층의 어닐링을 겸함으로써 효율적으로 반도체 장치를 제작할 수 있게 된다.
화소 전극층(4030), 대향 전극층(4031)은, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐아연 산화물, 산화 티타늄을 포함하는 인듐 산화물, 산화 티타늄을 포함하는 인듐주석 산화물, 인듐주석 산화물(이하, ITO로 나타냄), 인듐아연 산화물, 산화 규소를 첨가한 인듐주석 산화물 등의 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용할 수 있다.
또한, 화소 전극층(4030), 대향 전극층(4031)으로서, 도전성 고분자(도전성 폴리머라고도 함)를 포함하는 도전성 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 도전성 조성물을 사용하여 형성한 화소 전극은 시트 저항이 10000Ω/□(Ω/square) 이하, 파장 550nm에 있어서의 투광률이 70% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 도전성 조성물에 포함되는 도전성 고분자의 저항율이 0.1Ωㆍcm 이하인 것이 바람직하다.
도전성 고분자로서는, 소위 π전자 공액계 도전성 고분자를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리아닐린 또는 그 유도체, 폴리피롤 또는 그 유도체, 폴리티오펜 또는 그 유도체, 또는 이들의 2종 이상의 공중합체 등을 들 수 있다.
또한, 별도로 형성된 신호선 구동 회로(4003)와 주사선 구동 회로(4004), 또는 화소부(4002)에 주어지는 각종 신호 및 전위는 FPC(4018)로부터 공급된다.
본 실시형태에서는, 접속 단자 전극(4015)이, 액정 소자(4013)가 갖는 화소 전극층(4030)과 동일 도전막으로 형성되고, 단자 전극(4016)은, 트랜지스터(4010, 4011)의 소스 전극층 및 드레인 전극층과 동일 도전막으로 형성되어 있다.
접속 단자 전극(4015)은, FPC(4018)가 갖는 단자와, 이방성 도전막(4019)을 통하여 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 도 20a1, 도 20a2 및 도 20b에 있어서는, 신호선 구동 회로(4003)를 별도로 형성하고, 제 1 기판(4001)에 실장하는 예를 도시하지만, 본 실시형태는 이 구성에 한정되지 않는다. 주사선 구동 회로를 별도로 형성하여 실장하여도 좋고, 신호선 구동 회로의 일부분 또는 주사선 구동 회로의 일부분만을 별도로 형성하여 실장하여도 좋다.
도 21은 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 TFT를 적용하여 제작되는 TFT 기판(2600)을 사용하여 반도체 장치로서 액정 표시 모듈을 구성하는 일례를 도시한다.
도 21은 액정 표시 모듈의 일례이며, TFT 기판(2600)과 대향 기판(2601)이 씰재(2602)에 의하여 고착되고, 그 사이에 TFT 등을 포함하는 화소부(2603), 액정층을 포함하는 표시 소자(2604), 착색층(2605)이 형성되어 표시 영역을 형성한다. 착색층(2605)은 컬러 표시를 행하는 경우에 필요하고, RGB 방식의 경우에는, 적색, 녹색, 청색의 각 색에 대응한 착색층이 각 화소에 대응하여 제공된다. TFT 기판(2600)과 대향기판(2601)의 외측에는 편광판(2606), 편광판(2607), 확산판(2613)이 배치되어 있다. 광원은 냉음극관(2610)과 반사판(2611)에 의하여 구성되고, 회로 기판(2612)은, 플렉시블 배선 기판(2609)에 의하여 TFT 기판(2600)의 배선 회로부(2608)와 접속되고, 컨트롤 회로나 전원 회로 등의 외부 회로가 내장되어 있다. 또한, 편광판과 액정층 사이에 위상차판을 갖는 상태로 적층되어도 좋다.
액정 표시 모듈에는 TN(Twisted Nematic) 모드, IPS(In-Plane-Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드, MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 모드, PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell) 모드, OCB(Optical Compensated Birefringence) 모드, FLC(Ferroelectric Liquid Crystal) 모드, AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal) 모드 등을 사용할 수 있다.
이상의 공정으로, 반도체 장치로서 전기 특성이 안정된 신뢰성이 높은 액정표시 패널을 제작할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 8)
본 실시형태에서는, 실시형태 1 내지 실시형태 4에서 나타내는 트랜지스터를 적용한 반도체 장치로서 전자 페이퍼의 예를 나타낸다.
도 22는, 반도체 장치의 예로서 액티브 매트릭스형의 전자 페이퍼를 도시한다. 반도체 장치에 사용되는 트랜지스터(581)로서는, 실시형태 1 내지 실시형태 4에서 나타내는 트랜지스터를 적용할 수 있다.
도 22의 전자 페이퍼는, 트위스트 볼 표시 방식을 사용한 표시 장치의 예이다. 트위스트 볼 표기 방식이란, 백색과 흑색으로 나누어 칠해진 구형 입자를 표시 소자에 사용하는 전극층인 제 1 전극층 및 제 2 전극층의 사이에 배치하고, 제 1 전극층 및 제 2 전극층에 전위차를 발생시켜 구형 입자의 방향을 제어함으로써, 표시를 행하는 방법이다.
기판(580)과 기판(596) 사이에 밀봉되는 트랜지스터(581)는 보텀 게이트 구조의 트랜지스터이며, 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 의하여 제 1 전극층(587)과 절연층(585)에 형성되는 개구에서 접하여 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 전극층(587)과 제 2 전극층(588) 사이에는 흑색 영역(590a) 및 백색 영역(590b)을 갖고, 주위에 액체로 채워져 있는 캐비티(594)를 포함하는 구형 입자(589)가 형성되고, 구형 입자(589)의 주위는 수지 등의 충전재(595)로 충전된다(도 22 참조). 본 실시형태에 있어서는, 제 1 전극층(587)이 화소 전극에 상당하고, 제 2 전극층(588)이 공통 전극에 상당한다. 제 2 전극층(588)은, 트랜지스터(581)와 동일 기판 위에 형성되는 공통 전위선과 전기적으로 접속된다. 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 어느 하나의 공통 접속부를 사용하여 한 쌍의 기판간에 배치되는 도전성 입자를 통하여, 제 2 전극층(588)과 공통 전위선을 전기적으로 접속할 수 있다.
또한, 트위스트 볼 대신에, 전기 영동 소자를 사용하는 것도 가능하다. 투명한 액체와, 양으로 대전한 흰 미립자와 음으로 대전한 검은 미립자를 봉입한 직경 10㎛ 내지 200㎛ 정도의 마이크로 캡슐을 사용한다. 제 1 전극층과 제 2 전극층 사이에 형성되는 마이크로 캡슐은, 제 1 전극층과 제 2 전극층에 의하여, 전장(電場)이 주어지면, 흰 미립자와, 검은 미립자가 반대 방향으로 이동하고, 백색 또는 흑색을 표시할 수 있다. 이 원리를 응용한 표시 소자가 전기 영동 표시 소자이고, 일반적으로 전자 페이퍼라고 불리고 있다. 전기 영동 표시 소자는, 액정 표시 소자에 비하여 반사율이 높기 때문에, 보조 라이트는 불필요하고, 또한 소비 전력이 작고, 어두운 장소에서도 표시부를 인식하는 것이 가능하다. 또한, 표시부에 전원이 공급되지 않는 경우라도, 한번 표시한 상을 유지할 수 있기 때문에, 전파 발신원으로부터 표시 기능이 딸린 반도체 장치(단순히 표시 장치, 또는 표시 장치를 구비하는 반도체 장치라고도 함)를 멀리한 경우라도, 표시된 상을 보존해 두는 것이 가능해진다.
전기 영동 표시 소자는, 유전 상수가 높은 물질이 높은 전계 영역으로 이동하는, 소위 유전 영동적 효과를 이용한 표시 소자이다. 전기 영동 표시 소자는 액정 표시 장치에는 필요한 편광판이 필요 없어, 두께나 무게가 반감된다.
상기 마이크로 캡슐을 용매 중에 분산시킨 것이 전자 잉크라고 불리는 것이며, 이 전자 잉크는 유리, 플라스틱, 피륙, 종이 등의 표면에 인쇄할 수 있다. 또한, 컬러 필터나 색소를 갖는 입자를 사용함으로써, 컬러 표시도 가능하다.
또한, 액티브 매트릭스 기판 위에 적절히, 2개의 전극 사이에 끼워지도록 상기 마이크로 캡슐을 복수 배치하면, 액티브 매트릭스형의 표시 장치가 완성되어, 마이크로 캡슐에 전계를 인가하면 표시할 수 있다. 예를 들어, 실시형태 1 내지 실시형태 4의 트랜지스터에 의하여 얻어지는 액티브 매트릭스 기판을 사용할 수 있다.
또한, 마이크로 캡슐 중의 미립자는, 도전체 재료, 절연체 재료, 반도체 재료, 자성(磁性) 재료, 액정 재료, 강유전성 재료, 일렉트로 루미네선스 재료, 일렉트로 크로믹 재료, 자기 영동 재료 중으로부터 선택된 일종의 재료, 또는 이들의 복합 재료를 사용하면 좋다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 9)
본 실시형태에서는, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 트랜지스터를 적용한 반도체 장치로서 발광 표시 장치의 예를 나타낸다. 표시 장치를 갖는 표시 소자로서는, 여기서는 일렉트로 루미네선스(EL)를 이용하는 발광 소자를 사용하여 나타낸다. 일렉트로 루미네선스를 이용하는 발광 소자는 발광 재료가 유기 화합물인지, 무기 화합물인지에 따라 구별되고, 일반적으로, 전자는 유기 EL 소자, 후자는 무기 EL 소자라고 불리고 있다.
유기 EL 소자는 발광 소자에 전압을 인가함으로써, 한 쌍의 전극으로부터 전자 및 정공이 각각 발광성의 유기 화합물을 포함하는 층에 주입되고, 전류가 흐른다. 그리고, 이들 캐리어(전자 및 정공)가 재결합함으로써, 발광성 유기 화합물이 여기 상태로 되고, 그 여기 상태로부터 기저 상태로 복귀할 때 발광한다. 이와 같은 메커니즘 때문에, 이들 발광 소자는 전류 여기형의 발광 소자라고 불린다.
무기 EL 소자는 그 소자 구성에 따라 분산형 무기 EL 소자와 박막형 무기 EL 소자로 분류된다. 분산형 무기 EL 소자는 발광 재료의 입자를 바인더 중에 분산시킨 발광층을 갖는 것이며, 발광 메카니즘은 도너 준위와 억셉터 준위를 이용하는 도너-억셉터 재결합형 발광이다. 박막형 무기 EL 소자는 발광층을 유전체층으로 끼우고, 더욱이 그것을 전극으로 끼운 구조이고, 발광 메카니즘은 금속 이온의 내각(內殼) 전자 천이를 이용하는 국재형 발광이다. 또한, 여기서는, 발광 소자로서 유기 EL 소자를 사용하여 설명한다.
도 23은 본 발명을 적용한 반도체 장치의 예로서 디지털 시간 계조 구동을 적용할 수 있는 화소 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
디지털 시간 계조 구동을 적용할 수 있는 화소의 구성 및 화소의 동작에 대하여 설명한다. 여기서는, 실시형태 1 또는 실시형태 4에서 나타낸 산화물 반도체층을 채널 형성 영역에 사용하는 n채널형의 트랜지스터를 1개의 화소에 2개를 사용하는 예를 나타낸다.
화소(6400)는 스위칭용 트랜지스터(6401), 구동용 트랜지스터(6402), 발광 소자(6404) 및 용량 소자(6403)를 갖고 있다. 스위칭용 트랜지스터(6401)는 게이트가 주사선(6406)에 접속되고, 제 1 전극(소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽)이 신호선(6405)에 접속되고, 제 2 전극(소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽)이 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(6402)는, 게이트가 용량 소자(6403)를 통하여 전원선(6407)에 접속되고, 제 1 전극이 전원선(6407)에 접속되고, 제 2 전극이 발광 소자(6404)의 제 1 전극(화소 전극)에 접속되어 있다. 발광 소자(6404)의 제 2 전극은 공통 전극(6408)에 상당한다. 공통 전극(6408)은 동일 기판 위에 형성되는 공통 전위선과 전기적으로 접속된다.
또한, 발광 소자(6404)의 제 2 전극(공통 전극(6408))에는 저전원 전위가 설정되어 있다. 또한, 저전원 전위란, 전원선(6407)에 설정되는 고전원 전위를 기준으로 하여 저전원 전위<고전원 전위를 만족하는 전위이고, 저전원 전위로서는 예를 들면 GND, 0V 등이 설정되어 있어도 좋다. 이 고전원 전위와 저전원 전위의 전위차를 발광 소자(6404)에 인가하여, 발광 소자(6404)에 전류를 흘려 보내어 발광 소자(6404)를 발광시키기 위하여, 고전원 전위와 저전원 전위의 전위차가 발광 소자(6404)의 순방향 임계 값 전압 이상이 되는 각각의 전위를 설정한다.
또한, 용량 소자(6403)는 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 용량을 대용하여 생략할 수도 있다. 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 용량에 대해서는, 채널 영역과 게이트 전극 사이에서 용량이 형성되어 있어도 좋다.
여기서, 전압 입력 전압 구동 방식의 경우에는, 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에는, 구동용 트랜지스터(6402)가 충분히 온으로 되는지, 오프로 되는지의 2가지의 상태가 되는 비디오 신호를 입력한다. 즉, 구동용 트랜지스터(6402)는 선형 영역에서 동작시킨다. 구동용 트랜지스터(6402)는 선형 영역에서 동작하기 때문에, 전원선(6407)의 전압보다도 높은 전압을 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에 가한다. 또한, 신호선(6405)에는, (전원선 전압+구동용 트랜지스터(6402)의 Vth) 이상의 전압을 가한다.
또한, 디지털 시간 계조 구동 대신에, 아날로그 계조 구동을 행하는 경우, 신호의 입력을 상이하게 함으로써, 도 23과 같은 화소 구성을 사용할 수 있다.
아날로그 계조 구동을 행하는 경우, 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에 발광 소자(6404)의 순방향 전압+구동용 트랜지스터(6402)의 Vth 이상의 전압을 가한다. 발광 소자(6404)의 순방향 전압이란, 원하는 휘도로 하는 경우의 전압을 가리키며, 순방향 임계 값 전압보다 크다. 또한, 구동용 트랜지스터(6402)가 포화 영역에서 동작하는 비디오 신호를 입력함으로써, 발광 소자(6404)에 전류를 흘려 보낼 수 있다. 구동용 트랜지스터(6402)를 포화 영역에서 동작시키기 위하여, 전원선(6407)의 전위는, 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 전위보다도 높게 한다. 비디오 신호를 아날로그로 함으로써, 발광 소자(6404)에 비디오 신호에 따른 전류를 흘려 보내고, 아날로그 계조 구동을 행할 수 있다.
또한, 도 23에 도시하는 화소 구성은, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 23에 도시하는 화소에 새로 스위치, 저항 소자, 용량 소자, 트랜지스터 또는 논리회로 등을 추가하여도 좋다.
다음에, 발광 소자의 구성에 대하여, 도 24a 내지 도 24c를 사용하여 설명한다. 여기서는, 구동용 TFT가 n형인 경우를 예로 들어, 화소의 단면 구조에 대하여 설명한다. 도 24a 내지 도 24c의 반도체 장치에 사용되는 구동용 TFT인 TFT(7001, 7011, 7021)는, 실시형태 1 내지 실시형태 4에서 나타내는 트랜지스터와 마찬가지로 제작할 수 있고, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한, 전기 특성이 안정된 신뢰성이 높은 트랜지스터이다.
발광 소자는 발광을 추출하기 위하여, 적어도 양극 또는 음극의 한쪽이 가시광에 대한 투광성을 갖고 있으면 좋다. 그리고, 기판 위에 트랜지스터 및 발광 소자를 형성하고, 기판과는 반대 측의 면으로부터 발광을 추출하는 상면 사출이나, 기판 측의 면으로부터 발광을 추출하는 하면 사출이나, 기판 측 및 기판과는 반대 측의 면으로부터 발광을 추출하는 양면 사출 구조의 발광 소자가 있고, 본 발명의 일 형태의 화소 구성은 어느 사출 구조의 발광 소자에도 적용할 수 있다.
상면 사출 구조의 발광 소자에 대하여, 도 24a를 사용하여 설명한다.
도 24a에, 구동용 TFT인 TFT(7001)가 n형이고, 발광 소자(7002)로부터 발해지는 광이 양극(7005) 측으로 사출되는 경우의, 화소의 단면도를 도시한다. 도 24a에서는, 발광 소자(7002)의 음극(7003)과 구동용 TFT인 TFT(7001)가 전기적으로 접속되고, 음극(7003) 위에 발광층(7004), 양극(7005)이 순차적으로 적층되어 있다. 음극(7003)은 일 함수가 작고, 또 광을 반사하는 도전막이라면 다양한 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, Ca, Al, Mg-Ag, Al-Li 등이 바람직하다. 그리고 발광층(7004)은, 단수의 층으로 구성되어도 좋고, 복수의 층이 적층되도록 구성되어도 좋다. 복수의 층으로 구성되는 경우, 음극(7003) 위에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 홀 수송층, 홀 주입층의 순서로 적층한다. 또한, 이들 층을 모두 형성할 필요는 없다. 양극(7005)은 가시광에 대한 광을 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용하여 형성하고, 예를 들어 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐아연 산화물, 산화 티탄을 포함하는 인듐 산화물, 산화 티타늄을 포함하는 인듐주석 산화물, 인듐주석 산화물(이하, ITO로 나타냄.), 인듐아연 산화물, 산화 규소를 첨가한 인듐주석 산화물 등의 가시광에 대한 투광성을 갖는 도전성 도전막을 사용하여도 좋다.
음극(7003) 및 양극(7005)으로 발광층(7004)을 끼운 영역이 발광 소자(7002)에 상당한다. 도 24a에 도시한 화소의 경우, 발광 소자(7002)로부터 발해지는 광은, 화살표로 도시하는 바와 같이 양극(7005) 측으로 사출된다.
다음에, 하면 사출 구조의 발광 소자에 대하여 도 24b를 사용하여 설명한다. 구동용 TFT(7011)가 n형이고, 발광 소자(7012)로부터 발해지는 빛이 음극(7013) 측에 사출되는 경우의, 화소의 단면도를 도시한다. 도 24b에서는, 구동용 TFT(7011)와 전기적으로 접속된 투광성을 갖는 도전막(7017) 위에, 발광 소자(7012)의 음극(7013)이 성막되고, 음극(7013) 위에 발광층(7014), 양극(7015)이 순차적으로 적층된다. 이 때, 양극(7015)이 가시광에 대한 투광성을 가질 경우, 양극(7015) 위를 덮도록, 광을 반사 또는 차폐하기 위한 차폐막(7016)이 성막되어 있어도 좋다. 음극(7013)은, 도 24a의 경우와 마찬가지로, 일 함수가 작은 도전성 재료라면 다양한 재료를 사용할 수 있다. 다만, 그 막 두께는 광을 투과할 정도(바람직하게는, 5nm 내지 30nm 정도)로 한다. 예를 들어, 20nm의 막 두께를 갖는 알루미늄막을, 음극(7013)으로서 사용할 수 있다. 그리고 발광층(7014)은, 도 24a와 마찬가지로, 단층으로 구성되어도 좋고, 복수층이 적층되도록 구성되어도 좋다. 양극(7015)은 광을 투과할 필요는 없지만, 도 24a와 마찬가지로, 가시광에 대한 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 그리고 차폐막(7016)은, 예를 들어, 빛을 반사하는 금속 등을 사용할 수 있지만, 금속막에 한정되지 않는다. 예를 들어, 흑색 안료를 첨가한 수지 등을 사용할 수 있다.
음극(7013) 및 양극(7015)으로 발광층(7014)을 끼운 영역이 발광 소자(7012)에 상당한다. 도 24b에 도시한 화소의 경우, 발광 소자(7012)로부터 발해지는 광은, 화살표로 도시하는 바와 같이 음극(7013) 측으로 사출된다.
다음에, 양면 사출 구조의 발광 소자에 대하여, 도 24c를 사용하여 설명한다. 도 24c에서는, 구동용 TFT(7021)와 전기적으로 접속된 가시광에 대한 투광성을 갖는 도전막(7027) 위에, 발광 소자(7022)의 음극(7023)이 성막되고, 음극(7023) 위에 발광층(7024), 양극(7025)이 순차적으로 적층되어 있다. 음극(7023)은, 도 24a의 경우와 마찬가지로, 일 함수가 작은 도전성 재료라면 다양한 재료를 사용할 수 있다. 다만, 그 막 두께는, 광을 투과할 정도로 한다. 예를 들어, 20nm의 막 두께를 갖는 Al를, 음극(7023)으로서 사용할 수 있다. 그리고, 발광층(7024)은, 도 24a와 마찬가지로, 단층으로 구성되어도 좋고, 복수층이 적층되도록 구성되어도 좋다. 양극(7025)은 도 24a와 마찬가지로, 광을 투과하는 가시광에 대한 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
음극(7023)과, 발광층(7024)과, 양극(7025)이 겹치는 부분이 발광 소자(7022)에 상당한다. 도 24c에 도시한 화소의 경우, 발광 소자(7022)로부터 발해지는 빛은, 화살표로 도시하는 바와 같이, 양극(7025) 측과 음극(7023) 측의 양쪽으로 사출된다.
또한, 여기서는, 발광 소자로서 유기 EL 소자에 대하여 기술하였지만, 발광 소자로서 무기 EL 소자를 형성하는 것도 가능하다.
또한, 본 실시형태에서는, 발광 소자의 구동을 제어하는 트랜지스터(구동용 TFT)와 발광 소자가 전기적으로 접속되는 예를 제시하였지만, 구동용 TFT와 발광 소자 사이에 전류 제어용 TFT가 접속되어 있는 구성이라도 좋다.
또한, 본 실시형태에서 나타내는 반도체 장치는, 도 24a 내지 도 24c에 도시한 구성에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상에 의거한 각종의 변형이 가능하다.
다음, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는 트랜지스터를 적용한 반도체 장치의 일 형태에 상당하는 발광 표시 패널(발광 패널이라고도 함)의 외관 및 단면에 대하여 도 25a 및 도 25b를 사용하여 설명한다. 도 25a는, 제 1 기판 위에 형성된 트랜지스터 및 발광 소자를, 제 2 기판과의 사이에 씰재에 의하여 밀봉한, 패널의 상면도이고, 도 25b는 도 25a의 H-I에 있어서의 단면도에 상당한다.
제 1 기판(4501) 위에 형성된 화소부(4502), 신호선 구동 회로(4503a, 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a, 4504b)를 둘러싸도록, 씰재(4505)가 형성되어 있다. 또한, 화소부(4502), 신호선 구동 회로(4503a, 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a, 4504b) 위에 제 2 기판(4506)이 형성되어 있다. 따라서, 화소부(4502), 신호선 구동 회로(4503a, 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a, 4504b)는, 제 1 기판(4501)과 씰재(4505)와 제 2 기판(4506)에 의하여, 충전재(4507)와 함께 밀봉되어 있다. 이와 같이 외기에 노출되지 않도록 기밀성이 높고, 탈 가스가 적은 보호 필름(부착 필름, 자외선 경화 수지 필름 등)이나 커버재로 패키징(밀봉)하는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 기판(4501) 위에 형성된 화소부(4502), 신호선 구동 회로(4503a, 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a, 4504b)는 트랜지스터를 복수 갖고, 도 25b에서는 화소부(4502)에 포함되는 트랜지스터(4510)와, 신호선 구동 회로(4503a)에 포함되는 트랜지스터(4509)를 예시한다.
트랜지스터(4509, 4010)는, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 나타내는, Zn를 포함하는 산화물층을 사용한, 전기 특성이 안정된 신뢰성이 높은 트랜지스터를 적용할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 트랜지스터(4509, 4010)는 n채널형 트랜지스터이다.
또한, 부호 4511은 발광 소자에 상당하고, 발광 소자(4511)가 갖는 화소 전극인 제 1 전극층(4517)은, 트랜지스터(4510)의 소스 전극층 또는 드레인 전극층과, 전기적으로 접속되어 있다. 또한 발광 소자(4511)의 구성은, 제 1 전극층(4517), 전계 발광층(4512), 제 2 전극층(4513)의 적층 구조이지만, 본 실시형태에 나타낸 구성에 한정되지 않는다. 발광 소자(4511)로부터 추출되는 광의 방향 등에 맞추어, 발광 소자(4511)의 구성을 적절히 바꿀 수 있다.
격벽(4520)은, 유기 수지막, 무기 절연막 또는 유기 폴리실록산을 사용하여 형성한다. 특히 감광성의 재료를 사용하여, 제 1 전극층(4517) 위에 개구부를 형성하고, 그 개구부의 측벽이 연속한 곡률을 갖고 형성되는 경사면이 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
전계 발광층(4512)은, 단수의 층으로 구성되어 있어도, 복수의 층이 적층되도록 구성되어 있어도 좋다.
발광 소자(4511)에 산소, 수소, 수분, 이산화 탄소 등이 침입하지 않도록, 제 2 전극층(4513) 및 격벽(4520) 위에 보호막을 형성하여도 좋다. 보호막으로서는, 질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, DLC막 등을 형성할 수 있다.
또한, 신호선 구동 회로(4503a, 4503b), 주사선 구동 회로(4504a, 4504b), 또는 화소부(4502)에 주어지는 각종 신호 및 전위는, FPC(4518a, 4518b)로부터 공급되어 있다.
본 실시형태에서는, 접속 단자 전극(4515)이, 발광 소자(4511)가 갖는 제 1 전극층(4517)과 같은 도전막으로 형성되고, 단자 전극(4516)은, 트랜지스터(4509, 4510)가 갖는 소스 전극층 및 드레인 전극층과 같은 도전막으로 형성되어 있다.
접속 단자 전극(4515)은, FPC(4518a)가 갖는 단자와, 이방성 도전막(4519)을 통하여 전기적으로 접속되어 있다.
다만, 발광 소자(4511)로부터의 광의 추출 방향에 위치하는 기판은, 가시광에 대한 투광성을 갖고 있어야만 한다. 그 경우에는, 유리 기판, 플라스틱 기판, 폴리에스테르 필름 또는 아크릴 필름과 같은 가시광에 대한 투광성을 갖는 재료를 사용한다.
또한, 충전재(4507)로서는 질소나 아르곤 등의 불활성 기체 외에, 자외선 경화 수지 또는 열 경화 수지를 사용할 수 있고, PVC(폴리비닐 클로라이드), 아크릴, 폴리이미드, 에폭시 수지, 실리콘(silicone) 수지, PVB(폴리비닐 부티랄) 또는 EVA(에틸렌비닐 아세테이트)를 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는 충전재(4507)로서 질소를 사용한다.
또한, 필요하다면, 발광 소자의 사출면에 편광판, 또는 원형 편광판(타원형 편광판을 포함함), 위상차판(1/4 파장판, 1/2 파장판), 컬러 필터 등의 광학 필름을 적절히 형성하여도 좋다. 또한 편광판 또는 원형 편광판에 반사 방지막을 형성하여도 좋다. 예를 들어, 표면의 요철에 의하여 반사광을 확산하고, 글래어를 저감할 수 있는 안티 글래어 처리를 적용할 수 있다.
신호선 구동 회로(4503a, 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a, 4504b)는, 별도로 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막에 의하여 형성된 구동 회로로 실장되어 있어도 좋다. 또한, 신호선 구동 회로만, 또는 일부, 또는 주사선 구동 회로만, 또는 일부만을 별도로 형성하여 실장하여도 좋고, 본 실시형태는 도 25a 및 도 25b의 구성에 한정되지 않는다.
이상의 공정에 의하여, 반도체 장치로서 전기 특성이 안정된 신뢰성이 높은 발광 표시 장치(표시 패널)를 제작할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 10)
본 실시형태 1 내지 실시형태 4에 도시하는 트랜지스터를 적용한 반도체 장치는, 전자 페이퍼로서 적용할 수 있다. 전자 페이퍼는, 정보를 표시하는 것이라면 다양한 분야의 전자 기기에 사용할 수 있다. 예를 들어, 전자 페이퍼를 사용하여 전자 서적(전자 북), 포스터, 전차 등의 탈 것류의 차내 광고, 신용 카드 등의 각종 카드에 있어서의 표시 등에 적용할 수 있다. 전자 기기의 일례를 도 26a 내지 도 27에 도시한다.
도 26a는 전자 페이퍼로 만들어진 포스터(2631)를 도시한다. 광고 매체가 종이 인쇄물인 경우에는, 광고의 교환은 사람 손에 의하여 행해지지만, 전자 페이퍼를 사용하면 단시간에 광고 표시를 바꿀 수 있다. 또한, 표시도 흐트러지지 않고, 안정된 화상을 얻을 수 있다. 또한, 포스터는 무선으로 정보를 송수신할 수 있는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 도 26b는 전차 등의 탈 것류의 차내 광고(2632)를 도시한다. 광고 매체가 종이 인쇄물인 경우에는, 광고의 교환은 사람 손에 의하여 행해지지만, 전자 페이퍼를 사용하면 사람 손을 많이 거치지 않고 단시간에 광고 표시를 바꿀 수 있다. 또한, 표시도 흐트러지지 않고, 안정한 화상을 얻을 수 있다. 또한, 차내 광고는 무선으로 정보를 송수신할 수 있는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 도 27은 전자 서적(2700)의 일례를 도시한다. 예를 들어, 전자 서적(2700)은 케이스(2701) 및 케이스(2703)의 2개의 케이스로 구성된다. 케이스(2701) 및 케이스(2703)는 축(軸)부(2711)에 의하여 일체화되어, 상기 축부(2711)를 축으로 하여 개폐(開閉) 동작을 행할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하여 종이의 서적과 같은 동작을 행할 수 있다.
케이스(2701)에는 표시부(2705)가 내장되고, 케이스(2703)에는 표시부(2707)가 내장되어 있다. 표시부(2705) 및 표시부(2707)는 연속된 화면을 표시하는 구성으로 하여도 좋고, 상이한 화면을 표시하는 구성으로 하여도 좋다. 상이한 화면을 표시하는 구성으로 함으로써, 예를 들어, 오른쪽의 표시부(도 27에서는 표시부(2705))에 문장을 표시하고, 왼쪽의 표시부(도 27에서는 표시부(2707))에 화상을 표시할 수 있다.
또한, 도 27에서는, 케이스(2701)에 조작부 등을 구비한 예를 도시한다. 예를 들어, 케이스(2701)에 있어서, 전원(2721), 조작키(2723), 스피커(2725) 등을 구비한다. 조작키(2723)에 의하여 페이지를 이동할 수 있다. 또한, 케이스의 표시부와 동일 면에 키보드나 포인팅 디바이스 등을 구비하는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 케이스의 뒷면이나 측면에 외부 접속용 단자(이어폰 단자, USB 단자, 또는 AC 어댑터 및 USB 케이블 등의 각종 케이블과 접속할 수 있는 단자 등), 기록 매체 삽입부 등을 구비하는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 전자 서적(2700)은 전자 사전으로서의 기능을 갖는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 전자 서적(2700)은 무선으로 정보를 송수신할 수 있는 구성으로 하여도 좋다. 무선에 의하여 전자 서적 서버로부터 원하는 서적 데이터 등을 구입하고, 다운 로드하는 구성으로 할 수도 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 11)
본 실시형태 1 내지 실시형태 4에 도시하는 트랜지스터를 사용한 반도체 장치는 각종 전자 기기(유기기도 포함함)에 적용할 수 있다. 전자 기기로서는, 예를 들어, 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 등의 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말, 음향 재생 장치, 파친코(pachinko)기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.
도 28a에는 텔레비전 장치(9600)의 일례를 도시한다. 텔레비전 장치(9600)는 케이스(9601)에 표시부(9603)가 내장되어 있다. 표시부(9603)에 의하여 영상을 표시할 수 있다. 또한, 여기서는 스탠드(9605)에 의하여 케이스(9601)를 지지한 구성을 도시한다.
텔레비전 장치(9600)의 조작은 케이스(9601)가 구비하는 조작 스위치나, 별체의 리모트 컨트롤러(9610)에 의하여 행할 수 있다. 리모트 컨트롤러(9610)가 구비하는 조작 키(9609)에 의하여 채널이나 음량을 조작할 수 있고, 표시부(9603)에 표시되는 영상을 조작할 수 있다. 또한, 리모트 컨트롤러(9610)에 상기 리모트 컨트롤러(9610)로부터 출력하는 정보를 표시하는 표시부(9607)를 형성하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 텔레비전 장치(9600)는 수신기나 모뎀 등을 구비한 구성으로 한다. 수신기에 의하여 일반의 텔레비전 방송을 수신할 수 있고, 또 모뎀을 통하여 유선 또는 무선에 의한 통신 네트워크에 접속함으로써, 일 방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자간, 또는 수신자끼리 등)의 정보 통신을 행할 수도 있다.
도 28b는 디지털 포토 프레임(9700)의 일례를 도시한다. 예를 들어, 디지털 포토 프레임(9700)은 케이스(9701)에 표시부(9703)가 내장되어 있다. 표시부(9703)는 각종 화상을 표시할 수 있고, 예를 들어, 디지털 카메라 등으로 촬영한 화상 데이터를 표시시킴으로써, 일반적인 포토 프레임과 마찬가지로 기능시킬 수 있다.
또한, 디지털 포토 프레임(9700)은, 조작부, 외부 접속용 단자(USB 단자, USB 케이블 등의 각종 케이블과 접속할 수 있는 단자 등), 기록 매체 삽입부 등을 구비하는 구성으로 한다. 이들의 구성은 표시부와 동일 면에 내장되어도 좋지만, 측면이나 뒷면에 구비하면 디자인성이 향상되기 때문에 바람직하다. 예를 들어, 디지털 포토 프레임의 기록 매체 삽입부에 디지털 카메라를 사용하여 촬영한 화상 데이터를 기억한 메모리를 삽입하여 화상 데이터를 취득하고, 취득한 화상 데이터를 표시부(9703)에 표시시킬 수 있다.
또한, 디지털 포토 프레임(9700)은, 무선으로 정보를 송수신할 수 있는 구성으로 하여도 좋다. 무선에 의하여 원하는 화상의 데이터를 취득하여, 표시시키는 구성으로 할 수도 있다.
도 29a는 휴대형 유기기이며, 케이스(9881)와 케이스(9891)의 2개의 케이스로 구성되어 있고, 연결부(9893)에 의하여, 개폐 가능하게 연결되어 있다. 케이스(9881)에는, 표시부(9882)가 내장되고, 케이스(9891)에는 표시부(9883)가 내장되어 있다. 또한, 도 29a에 도시하는 휴대형 유기기는, 그 외에 스피커부(9884), 기록 매체 삽입부(9886), LED 램프(9890), 입력 수단(조작키(9885), 접속 단자(9887), 센서(9888)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전 수, 거리, 빛, 액, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함한 것), 마이크로 폰(9889)) 등을 포함한다. 물론, 휴대형 유기기의 구성은 상술한 것에 한정되지 않고, 적어도 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 구비한 구성이라면 좋고, 그 외에 부속 설비가 적절히 형성된 구성으로 할 수 있다. 도 29a에 도시하는 휴대형 유기기는 기록 매체에 기록되는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능이나, 다른 휴대형 유기기와 무선 통신을 행하여 정보를 공유하는 기능을 갖는다. 또한, 도 29a에 도시하는 휴대형 유기기가 갖는 기능은 이것에 한정되지 않고, 다양한 기능을 가질 수 있다.
도 29b는 대형 유기기인 슬롯 머신(9900)의 일례를 도시한다. 슬롯 머신(9900)은, 케이스(9901)에 표시부(9903)가 내장되어 있다. 또한, 슬롯 머신(9900)은 그 이외에, 스타트 레버나 스톱 스위치 등의 조작 수단, 코인 투입구, 스피커 등을 구비한다. 물론, 슬롯 머신(9900)의 구성은, 상술한 내용에 한정되지 않고, 적어도 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 구비한 구성이면 좋고, 그 이외 부속 설비가 적절히 설치된 구성으로 할 수 있다.
도 30a는 휴대 전화기(1000)의 일례를 도시한다. 휴대 전화기(1000)는 케이스(1001)에 내장된 표시부(1002) 외에, 조작 버튼(1003), 외부 접속 포트(1004), 스피커(1005), 마이크(1006) 등을 구비한다.
도 30a에 도시하는 휴대 전화기(1000)는 표시부(1002)를 손가락 등으로 터치(touch)함으로써, 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 거는 조작, 또는 문자 메시지를 작성하는 조작 등은 표시부(1002)를 손가락 등에 의하여 터치함으로써 행할 수 있다.
표시부(1002)의 화면은 주로 3개의 모드가 있다. 제 1 모드는, 화상의 표시를 주로 하는 표시 모드이며, 제 2 모드는, 문자 등의 정보의 입력을 주로 하는 입력 모드이다. 제 3 모드는, 표시 모드와 입력 모드의 2개의 모드가 혼합한 표시+입력 모드이다.
예를 들어, 전화를 거는 경우, 또는 문자 메시지를 작성하는 경우는, 표시부(1002)를 문자의 입력이 주된 문자 입력 모드로 하고, 화면에 표시시킨 문자의 입력 조작을 행하면 좋다. 이 경우, 표시부(1002)의 화면의 대부분에 키 보드 또는 번호 버튼을 표시시키는 것이 바람직하다.
또한, 휴대 전화기(1000) 내부에, 자이로스코프(gyroscope), 가속도 센서 등의 기울기를 검출하는 센서를 갖는 검출 장치를 설치함으로써, 휴대 전화기(1000)의 방향(세로 또는 가로)을 판단하여, 표시부(1002)의 화면 표시를 자동적으로 전환하도록 할 수 있다.
또한 화면 모드의 전환은, 표시부(1002)를 만지거나 또는 케이스(1001)의 조작 버튼(1003)의 조작에 의하여 행해진다. 또한 표시부(1002)에 표시되는 화상의 종류에 따라 전환하도록 할 수도 있다. 예를 들어, 표시부에 표시하는 화상 신호가 동영상 데이터이면 표시 모드, 텍스트 데이터이면 입력 모드로 전환한다.
또한 입력 모드에 있어서, 표시부(1002)의 광 센서로 검출되는 신호를 검지하여, 표시부(1002)의 터치 조작에 의한 입력이 일정 기간 없을 경우에는, 화면의 모드를 입력 모드에서 표시 모드로 전환하도록 제어하여도 좋다.
표시부(1002)는 이미지 센서로서 기능시킬 수도 있다. 예를 들어, 표시부(1002)에 손바닥이나 손가락을 접촉시켜, 장문(掌紋), 지문 등을 촬상함으로써, 본인 인증을 행할 수 있다. 또한, 표시부에 근적외광을 발광하는 백 라이트 또는 근적외광을 발광하는 센싱용 광원을 사용하면, 손가락 정맥, 손바닥 정맥 등을 촬상할 수도 있다.
도 30b도 휴대 전화기의 일례이다. 도 30b의 휴대 전화기는, 케이스(9411)에, 표시부(9412), 및 조작 버튼(9413)을 포함하는 표시 장치(9410)와, 케이스(9401)에 조작 버튼(9402), 외부 입력 단자(9403), 마이크(9404), 스피커(9405), 및 착신시에 발광하는 발광부(9406)를 포함하는 통신 장치(9400)를 갖고 있고, 표시 기능을 갖는 표시 장치(9410)는 전화 기능을 갖는 통신 장치(9400)와 화살표의 2방향으로 착탈 가능하다. 따라서, 표시 장치(9410)와 통신 장치(9400)의 단축끼리를 부착할 수도 있고, 표시 장치(9410)와 통신 장치(9400)의 장축끼리를 부착할 수도 있다. 또한, 표시 기능만을 필요로 하는 경우, 통신 장치(9400)로부터 표시 장치(9410)를 분리하여, 표시 장치(9410)를 단독으로 사용할 수도 있다. 통신 장치(9400)와 표시 장치(9410)는 무선 통신 또는 유선 통신에 의하여 화상 또는 입력 정보를 수수할 수 있고, 각각 충전 가능한 배터리를 갖는다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
100: 기판
101: 게이트 전극층
102: 게이트 절연층
103: 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층
105a: 소스 전극층 또는 드레인 전극층
105b: 소스 전극층 또는 드레인 전극층
106: 산화물층

Claims (29)

  1. 게이트 전극층과;
    상기 게이트 전극층 위의 게이트 절연층과;
    상기 게이트 절연층 위의 산화물층과;
    상기 산화물층 위의 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과;
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 위의 소스 전극층 및 드레인 전극층을 포함하고,
    상기 산화물층과 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 Zn를 포함하고,
    상기 산화물층과 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 인듐을 포함하지 않고,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 상기 산화물층보다 도전율이 낮은 아모퍼스 구조를 갖고,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층과 전기적으로 접속되는, 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물은 산화 실리콘인, 반도체 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 SiO2를 2.5wt% 이상 20wt% 이하로 포함시킨 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여 형성되는, 반도체 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 SiO2를 7.5wt% 이상 12.5wt% 이하로 포함시킨 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여 형성되는, 반도체 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화물층은 산화물 반도체층인, 반도체 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화물층은 다결정 구조인, 반도체 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층 사이에 상기 소스 전극층 또는 상기 드레인 전극층과 중첩하는 영역보다 막 두께가 얇은 영역을 포함하는, 반도체 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전극층은 채널 방향의 폭이 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 및 상기 산화물층의 채널 방향의 폭보다 넓은, 반도체 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층의 단부의 아래에 공동이 형성되는, 반도체 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화물층의 단부가 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층에 의하여 덮여 있는, 반도체 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 복수의 층들을 포함하고,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층에 있어서 상기 복수의 층들의 상층은 상기 복수의 층들의 하층보다 많은 절연성 산화물을 포함하는 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여 형성되는, 반도체 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화물층 및 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 레어 메탈을 포함하지 않는, 반도체 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화물층은 Zn-O계의 산화물 또는 Sn-Zn-O계의 산화물만을 포함하는, 반도체 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 Zn-O계의 산화물 반도체 또는 Sn-Zn-O계의 산화물 반도체만을 포함하는, 반도체 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 위에 형성된 n형의 도전형을 갖는 상기 버퍼층을 더 포함하고, 상기 버퍼층 위에 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층이 형성되고,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 상기 버퍼층을 통하여 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층과 전기적으로 접속되는, 반도체 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 Zn를 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는, 반도체 장치.
  17. 기판 위에 게이트 전극층을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극층 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연층 위에 Zn를 포함한 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여 산화물막을 형성하는 단계와;
    상기 산화물막 위에 SiO2와 Zn를 포함한 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여, 산화 실리콘을 포함하는 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 형성하는 단계와;
    상기 산화물막 및 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 에칭하여, 산화물층 및 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 위에 도전층을 형성하는 단계와;
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 및 상기 도전층을 에칭하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    SiO2와 Zn를 포함시킨 상기 타깃은 SiO2를 2.5wt% 이상 20wt% 이하로 포함하고,
    상기 산화물층 및 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 인듐을 포함하지 않는, 반도체 장치의 제작 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 산화물막 및 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막은 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층의 단부 아래에 공동을 형성하기 위하여 상기 산화물막이 사이드 에칭되도록, 웨트 에칭에 의하여 에칭되는, 반도체 장치의 제작 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    SiO2와 Zn를 포함시킨 상기 타깃은 SiO2를 7.5wt% 이상 12.5wt% 이하로 포함하는, 반도체 장치의 제작 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 산화물층은 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층 사이에 상기 소스 전극층 또는 상기 드레인 전극층과 중첩하는 영역보다 막 두께가 얇은 영역을 포함하는, 반도체 장치의 제작 방법.
  21. 제 17항에 있어서,
    상기 산화물층 및 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 레어 메탈을 포함하지 않는, 반도체 장치의 제작 방법.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 산화물층은 Zn-O계의 산화물 또는 Sn-Zn-O계의 산화물만을 포함하는, 반도체 장치의 제작 방법.
  23. 제 17 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 Zn-O계의 산화물 반도체 또는 Sn-Zn-O계의 산화물 반도체만을 포함하는, 반도체 장치의 제작 방법.
  24. 기판 위에 게이트 전극층을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극층 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연층 위에 Zn를 포함한 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여 산화물막을 형성하는 단계와;
    상기 산화물막을 에칭하여 산화물층을 형성하는 단계와;
    상기 산화물층 위에 SiO2와 Zn를 포함한 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의하여, 산화 실리콘을 포함하는 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 형성하는 단계와;
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체막을 에칭하여, 상기 산화물층을 덮도록 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 위에 도전층을 형성하는 단계와;
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층 및 상기 도전층을 에칭하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    SiO2와 Zn를 포함시킨 상기 타깃은 SiO2를 2.5wt% 이상 20wt% 이하로 포함하고,
    상기 산화물층 및 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 인듐을 포함하지 않는, 반도체 장치의 제작 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    SiO2와 Zn를 포함시킨 상기 타깃은 SiO2를 7.5wt% 이상 12.5wt% 이하로 포함하는, 반도체 장치의 제작 방법.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 산화물층은 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층 사이에 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층과 중첩하는 영역보다 막 두께가 얇은 영역을 포함하는, 반도체 장치의 제작 방법.
  27. 제 24 항에 있어서,
    상기 산화물층 및 상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 레어 메탈을 포함하지 않는, 반도체 장치의 제작 방법.
  28. 제 24 항에 있어서,
    상기 산화물층은 Zn-O계의 산화물 또는 Sn-Zn-O계의 산화물만으로 이루어지는, 반도체 장치의 제작 방법.
  29. 제 24 항에 있어서,
    상기 절연성 산화물을 포함하는 산화물 반도체층은 Zn-O계의 산화물 반도체 또는 Sn-Zn-O계의 산화물 반도체만을 포함하는, 반도체 장치의 제작 방법.
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