JP6023994B2 - 薄膜デバイス及びその製造方法 - Google Patents
薄膜デバイス及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6023994B2 JP6023994B2 JP2011177614A JP2011177614A JP6023994B2 JP 6023994 B2 JP6023994 B2 JP 6023994B2 JP 2011177614 A JP2011177614 A JP 2011177614A JP 2011177614 A JP2011177614 A JP 2011177614A JP 6023994 B2 JP6023994 B2 JP 6023994B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- source
- film
- indium
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 301
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 221
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 130
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 93
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 claims description 66
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 62
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 45
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 40
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 31
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 22
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 16
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
- H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78609—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device for preventing leakage current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Description
基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソース・ドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、
前記酸化物半導体膜のソース・ドレイン電極が重ならない部分の表面層が、インジウムとフッ素の化学的結合を含み、
前記表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との間に存在する界面層の酸素含有量が、当該界面層の下に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さく、
前記界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とする。
基板上にゲート電極を形成し、このゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、この酸化物半導体膜上にソース・ドレイン電極用金属膜を成膜し、フッ素を含むプラズマガスを用いて前記ドレイン電極用金属膜をパターニングすることによりソース・ドレイン電極を形成する薄膜デバイスの製造方法において、
前記ソース・ドレイン電極のエッチングガスとして、六フッ化硫黄、四フッ化炭素、アルゴン、酸素、又は、これらのガスの混合ガスを用い、かつ、
前記フッ素を含むプラズマガスを誘導結合プラズマ源によって生成し、かつ、前記基板をアース電位電極上に設置して前記ソース・ドレイン電極用金属膜のエッチングを行う、
ことを特徴とする。
図1は、実施形態1のTFTを示す断面図である。本実施形態1のTFT101は、基板としての絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上のインジウムを含む酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソース・ドレイン電極14を有する。そして、酸化物半導体膜13のソース・ドレイン電極14が重ならない部分(例えば、ソース・ドレイン電極14を構成するソース電極14sとドレイン電極14dとの間の酸化物半導体膜13など)の表面層15におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、表面層15の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。
図4は、実施形態2のTFTを示す断面図である。本実施形態2のTFT102は、基板としての絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上のインジウムを含む酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソース・ドレイン電極14を有する。そして、酸化物半導体膜13とソース・ドレイン電極14との間に存在する界面層19におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、界面層19の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている。
図6は,実施形態3のTFTを示す断面図である。本実施形態3のTFT103は、基板としての絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上のインジウムを含む酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソース・ドレイン電極14を有する。そして、酸化物半導体膜13のソース・ドレイン電極14が重ならない部分(例えば、ソース・ドレイン電極14を構成するソース電極14sとドレイン電極14dとの間の酸化物半導体膜13など)の表面層15におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、表面層15の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。かつ、酸化物半導体膜13とソース・ドレイン電極14との間に存在する界面層19におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、界面層19の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている。
実施形態4のボトムゲート構造のTFT構造及びその製造工程について、図7乃至図19を参照して説明する。
実施形態5のボトムゲート構造のTFT構造及びその製造工程について、図20乃至29を参照して説明する。
実施形態6のボトムゲート構造のTFT構造及びその製造工程について、図30及び31を参照して説明する。
実施形態7のボトムゲート構造のTFT構造及びその製造工程について、図32乃至34を参照して説明する。
図35は、実施形態8のTFT製造方法の一工程における断面図を示す。本実施形態8のTFT製造方法は、基板としての絶縁性基板10上にゲート電極11を形成し、ゲート電極11上にゲート絶縁膜12を形成し、ゲート絶縁膜12上に酸化物半導体膜13を形成し、酸化物半導体膜13上にソース・ドレイン電極用金属膜を成膜し、フッ素を含むプラズマガスを用いてドレイン電極用金属膜をパターニングすることによりソース・ドレイン電極14を形成する工程を有する。そして、ソース・ドレイン電極14を形成する際に、フッ素を含むプラズマガス60を誘導結合プラズマ源64によって生成し、かつ、絶縁性基板10をアース電位電極としてのアノード電極63上に設置してソース・ドレイン電極用金属膜のエッチングを行う。図35は、ソース・ドレイン電極14の形成終了時の状態を示し、ソース・ドレイン電極14上には予めパターニングされたレジスト膜65が残っている。以下、絶縁性基板10と絶縁性基板10上に形成されたゲート電極11等とを含めて、便宜的に絶縁性基板10と呼ぶことにする。
本発明では、前述のような課題を解決するために、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ソース・ドレイン電極がこの順序で形成されたボトムゲート型のTFTにおいて、酸化物半導体膜の上面(ゲート絶縁膜と接する側と反対側の面)付近に、Inのピークが通常の化学量論組成を有するIn2O3起因のピーク位置よりも高エネルギ側へシフトした表面層を有することを特徴とするTFTを提供する。すなわち、本発明は、表面層のインジウムの電子の結合エネルギが、表面層の下部に存在する酸化物半導体領域のインジウムの電子の結合エネルギよりも、高い構造である。
前記酸化物半導体膜のソース・ドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記酸化物半導体膜のソース・ドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記表面層が、インジウムとフッ素との化学的結合を含む、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記界面層の酸素含有量が、当該界面層の下に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記表面層が、インジウムとフッ素との化学的結合を含み、
前記界面層の酸素含有量が、当該界面層の下に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記界面層が前記ソース・ドレイン電極の構成元素を含む
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記ソース・ドレイン電極がチタン又はモリブデンを含む、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記インジウムを含む酸化物半導体膜がインジウム、ガリウム及び亜鉛を含む、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記フッ素を含むプラズマガスを誘導結合プラズマ源によって生成し、かつ、前記基板をアース電位電極上に設置して前記ソース・ドレイン電極用金属膜のエッチングを行う、
ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
前記誘導結合プラズマ源の反応ガスとして、六フッ化硫黄、四フッ化炭素、アルゴン、酸素、又は、これらのガスの混合ガスを用いる、
ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極とが重なり合わない領域の、前記酸化物半導体膜の上面(前記ゲート絶縁膜と接する側と反対側の面)付近の表面層における、XPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、
前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とするTFT。
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との間に存在する界面層における、XPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とするTFT。
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極とが重なり合わない領域の、前記酸化物半導体膜の上面(前記ゲート絶縁膜と接する側と反対側の面)付近の表面層における、XPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、
前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とするTFT。
前記表面層がインジウムとフッ素との化学的結合を含む、
ことを特徴とするTFT。
前記界面層の酸素含有量が当該界面層の下部に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、
ことを特徴とするTFT。
前記表面層がインジウムとフッ素との化学的結合を含み、
前記界面層の酸素含有量が当該界面層の下部に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、
ことを特徴とするTFT。
前記界面層が前記ソース・ドレイン電極の構成元素を含む構造である、
ことを特徴とするTFT。
前記ソース・ドレイン電極の元素としてチタン又はモリブデンを用いた構造である、
ことを特徴とするTFT。
前記酸化物半導体膜が少なくともインジウム、ガリウム及び亜鉛を含む構造である、
ことを特徴とするTFT。
ゲート電極用金属膜を成膜しパターニングすることでゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を成膜する工程と、
酸化物半導体膜を成膜しパターニングすることで島状酸化物半導体チャネル領域を形成する工程と、
ソース・ドレイン電極用金属膜を成膜しフッ素を含むプラズマガスを用いてパターニングすることでソース・ドレイン電極を形成する工程と、
を含むTFTの製造方法において、
前記フッ素を含むプラズマガスが誘導結合プラズマ源により生成され、かつ、前記基板をアース電位電極上に設置して前記ソース・ドレイン電極用金属膜のエッチングを行う、
ことを特徴としたTFTの製造方法。
前記誘導結合プラズマ源(誘導結合型プラズマエッチング装置)の反応ガスとして、六フッ化硫黄、四フッ化炭素、アルゴン、酸素、又は、前述したガスの混合ガスを用いる、
ことを特徴とするTFTの製造方法。
基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソース・ドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、
前記酸化物半導体膜のソース・ドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
前記酸化物半導体膜のソース・ドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
12 ゲート絶縁膜
13 酸化物半導体膜
14 ソース・ドレイン電極
14s ソース電極
14d ドレイン電極
15 In3dピークが高エネルギ側にシフトしている表面層
16 パッシベーション膜
17 In2O3のIn3dピーク
18 F1sピーク
19 In3dピークが低エネルギ側にシフトしている界面層
20 Ti2pピーク
21 低エネルギ側にシフトしたIn2O3−xのIn3dピーク
22 In2O3のIn3dピーク
23 絶縁性基板
24 ゲート電極
25 ゲート絶縁膜
26 酸化物半導体膜
27 Ti金属膜
28 TiがIGZO層に拡散した層
29 ソース・ドレイン電極
30 高抵抗化した層
31 In2O3に対して低エネルギ側にシフトしたピーク
32 Ga2O3に対して低エネルギ側にシフトしたピーク
33 ZnOに対して低エネルギ側にシフトしたピーク
34 F1s軌道に起因するピーク
35 In2O3に対して高エネルギ側にシフトしたピーク
36 Ga2O3に対して高エネルギ側にシフトしたピーク
37 ZnOに対して高エネルギ側にシフトしたピーク
38 フッ化に起因するピーク
39 酸化に起因するピーク
40 絶縁性基板
41 ゲート電極
42 ゲート絶縁膜
43 酸化物半導体膜
44 Mo金属膜
45 MoがIGZO層に拡散した層
46 ソース・ドレイン電極
47 高抵抗化した層
48 F1s軌道に起因するピーク
49 In2O3に対して高エネルギ側にシフトしたピーク
50 Ga2O3に対して高エネルギ側にシフトしたピーク
51 ZnOに対して高エネルギ側にシフトしたピーク
52 絶縁性基板
53 ゲート電極
54 ゲート絶縁膜
55 酸化物半導体膜
56 ソース・ドレイン電極
57 TiOxが残存している層
58 TiOxのピーク
59 In2O3に対して低エネルギ側にシフトしたピーク
60 フッ素系ガスのプラズマガス
61 ガラス又は石英からなるウインドウ
62 コイル
63 アノード電極
64 誘導結合プラズマ源
65 レジスト膜
Claims (5)
- 基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソース・ドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、
前記酸化物半導体膜のソース・ドレイン電極が重ならない部分の表面層が、インジウムとフッ素の化学的結合を含み、
前記表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との間に存在する界面層の酸素含有量が、当該界面層の下に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さく、
前記界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、
ことを特徴とする薄膜デバイス。 - 請求項1記載の薄膜デバイスにおいて、
前記界面層が前記ソース・ドレイン電極の構成元素を含む
ことを特徴とする薄膜デバイス。 - 請求項1又は2記載の薄膜デバイスにおいて、
前記ソース・ドレイン電極がチタン又はモリブデンを含む、
ことを特徴とする薄膜デバイス。 - 請求項1乃至3のいずれか一つに記載の薄膜デバイスにおいて、
前記インジウムを含む酸化物半導体膜がインジウム、ガリウム及び亜鉛を含む、
ことを特徴とする薄膜デバイス。 - 基板上にゲート電極を形成し、このゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、この酸化物半導体膜上にソース・ドレイン電極用金属膜を成膜し、フッ素を含むプラズマガスを用いて前記ドレイン電極用金属膜をパターニングすることによりソース・ドレイン電極を形成する薄膜デバイスの製造方法において、
前記ソース・ドレイン電極のエッチングガスとして、六フッ化硫黄、四フッ化炭素、アルゴン、酸素、又は、これらのガスの混合ガスを用い、かつ、
前記フッ素を含むプラズマガスを誘導結合プラズマ源によって生成し、かつ、前記基板をアース電位電極上に設置して前記ソース・ドレイン電極用金属膜のエッチングを行う、
ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177614A JP6023994B2 (ja) | 2011-08-15 | 2011-08-15 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
US13/585,441 US9048319B2 (en) | 2011-08-15 | 2012-08-14 | Thin film device and manufacturing method thereof |
CN201210291294.9A CN102956683B (zh) | 2011-08-15 | 2012-08-15 | 薄膜器件及其制备方法 |
US14/687,459 US9378981B2 (en) | 2011-08-15 | 2015-04-15 | Thin film device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177614A JP6023994B2 (ja) | 2011-08-15 | 2011-08-15 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013041968A JP2013041968A (ja) | 2013-02-28 |
JP6023994B2 true JP6023994B2 (ja) | 2016-11-09 |
Family
ID=47711998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011177614A Active JP6023994B2 (ja) | 2011-08-15 | 2011-08-15 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9048319B2 (ja) |
JP (1) | JP6023994B2 (ja) |
CN (1) | CN102956683B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9018629B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP6531422B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2019-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、基板処理システム、薄膜トランジスターの製造方法及び記憶媒体 |
JP6372848B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-08-15 | Tianma Japan株式会社 | Tftイオンセンサ並びにこれを用いた測定方法及びtftイオンセンサ機器 |
WO2015194176A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び有機el表示装置 |
TWI588978B (zh) * | 2014-08-18 | 2017-06-21 | 群創光電股份有限公司 | 薄膜電晶體及顯示面板 |
JP6325953B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-05-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
CN107690696A (zh) * | 2015-06-30 | 2018-02-13 | 硅显示技术有限公司 | 氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 |
CN105826250B (zh) * | 2016-05-17 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及薄膜晶体管制作方法 |
CN106024641B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置 |
JP7137979B2 (ja) * | 2018-07-09 | 2022-09-15 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
CN109148303B (zh) * | 2018-07-23 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管的制备方法 |
TW202038326A (zh) * | 2019-01-11 | 2020-10-16 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 氧化物半導體膜之蝕刻方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4212215B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2009-01-21 | 株式会社小松製作所 | 表面処理装置 |
JP2006286536A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Ebara Corp | プラズマ生成方法、誘導結合型プラズマ源、およびプラズマ処理装置 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
WO2008136505A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法 |
KR101345376B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
TWI500159B (zh) | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI476921B (zh) | 2008-07-31 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
CN102881696A (zh) * | 2008-09-19 | 2013-01-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR101603303B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법 |
TWI476917B (zh) * | 2009-04-16 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101949670B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2019-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101615636B1 (ko) * | 2009-12-08 | 2016-04-27 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치 |
WO2011108382A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9537043B2 (en) * | 2010-04-23 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
US9219159B2 (en) * | 2011-03-25 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
-
2011
- 2011-08-15 JP JP2011177614A patent/JP6023994B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-14 US US13/585,441 patent/US9048319B2/en active Active
- 2012-08-15 CN CN201210291294.9A patent/CN102956683B/zh active Active
-
2015
- 2015-04-15 US US14/687,459 patent/US9378981B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9048319B2 (en) | 2015-06-02 |
CN102956683B (zh) | 2016-08-03 |
US20150279698A1 (en) | 2015-10-01 |
US9378981B2 (en) | 2016-06-28 |
CN102956683A (zh) | 2013-03-06 |
US20130043467A1 (en) | 2013-02-21 |
JP2013041968A (ja) | 2013-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6023994B2 (ja) | 薄膜デバイス及びその製造方法 | |
JP6363761B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6004308B2 (ja) | 薄膜デバイス | |
TWI497611B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
TWI802017B (zh) | 半導體裝置 | |
KR101800852B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US9040980B2 (en) | Transistor with an oxide semiconductor layer | |
TW201138106A (en) | Transistor | |
KR101374414B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 표시 장치 | |
TWI538220B (zh) | 薄膜電晶體與其製造方法 | |
KR20120024435A (ko) | 반도체 장치 | |
JP2014241406A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013191762A (ja) | 不揮発性化合物の除去方法及び該方法により製造された電子デバイス | |
JP6173246B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP6179912B2 (ja) | 薄膜デバイス及びその製造方法 | |
KR102231372B1 (ko) | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | |
TWI726004B (zh) | 鑽石電子元件 | |
JP6261125B2 (ja) | 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
KR20170080506A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
TW202414844A (zh) | 半導體裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140811 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140811 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150707 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160609 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160816 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6023994 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |