CN102938378B - 半导体器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，接触刻蚀终止层可以包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；以第一氮化硅层作为有源区的阻挡层，通过刻蚀形成贯穿第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔；以氧化硅层作为有源区的阻挡层去除刻蚀有源区上方接触孔时，接触孔底部露出的第一氮化硅层；以第二氮化硅层作为有源区的阻挡层进行去除金属栅极上的金属氧化物的工艺。通过接触刻蚀终止层的阻挡，能够在去除金属栅极上的金属氧化物时，减少有源区表面材料的损耗，以提高半导体器件的性能。

Description

半导体器件制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种半导体器件制造方法。
背景技术
在半导体工艺中，在栅极的接触孔刻蚀之后，暴露于空气中的金属栅极会很容易形成金属氧化物。比如金属铝栅极暴露于空气中时容易形成氧化铝。而金属栅极上的金属氧化物很难去除。
如图1A和图1B所示为常规半导体器件剖面图。其中，图1A为形成金属栅极102的接触孔106和有源区的接触孔108之后的半导体器件剖面图。从图1A可见，在形成接触孔106和108之后，将在接触孔106的底部露出金属栅极的表面和有源区的表面。由于暴露于空气中的金属栅极102形成金属氧化物，因此需要去除金属氧化物。图1B为去除金属栅极102上的金属氧化物之后的半导体器件剖面图。为了去除金属栅极102上的金属氧化物，势必造成有源区的接触孔108底部已暴露出来的表面(如金属硅化物104区域)材料的损耗，从而导致半导体器件性能的降低。
发明内容
本发明的发明人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。
本发明的一个目的是提供一种半导体器件制造方法的技术方案，包括：在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，接触刻蚀终止层包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；以第一氮化硅层作为有源区的阻挡层通过刻蚀形成贯穿第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔；以氧化硅层作为有源区的阻挡层去除刻蚀有源区上方接触孔时，接触孔底部露出的第一氮化硅层；以第二氮化硅层作为有源区的阻挡层进行去除金属栅极上的金属氧化物的工艺。
优选地，第一氮化硅层的厚度为第二氮化硅层的厚度为氧化硅层的厚度为
优选地，去除金属栅极上的金属氧化物的工艺包括：通过轰击去除金属栅极上的金属氧化物。
优选地，轰击的工艺参数为：射频功率为100-500瓦，偏压为100-300伏，氩气流量为2-3标准毫升/分钟，工艺时间为10-100秒。
优选地，在去除金属栅极上的金属氧化物的工艺之后还包括：利用SiCoNi预清工艺去除位于有源区上方的接触孔底部残留的第二氮化硅层，以露出有源区的表面。
优选地，SiCoNi预清工艺的工艺参数为：氟化氮流量为10-30标准毫升/分钟，氨气流量为30-100标准毫升/分钟，压力为2-10托，功率为10-100瓦，工艺时间为10-100秒。
优选地，有源区包括预先形成的金属硅化物区域，有源区的露出的表面形成于金属硅化物区域内。
优选地，在SiCoNi预清工艺中，氧化物与氮化硅的选择比小于5：1。
根据本发明的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：具有有源区的半导体衬底，半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构；覆盖在有源区上的接触刻蚀终止层，接触刻蚀终止层包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；贯通接触刻蚀终止层的接触孔，接触孔位于有源区上方。
优选地，第一氮化硅层的厚度为第二氮化硅层的厚度为氧化硅层的厚度为
优选地，有源区包括预先形成的金属硅化物区域，接触孔位于金属硅化物区域上方。
优选地，栅极叠层结构包括栅介质层和位于所述栅介质层上方的金属栅极，栅介质层为高介电常数材料。
优选地，接触孔中填充有导电材料。
本发明的一个优点在于，通过接触刻蚀终止层的阻挡，能够在去除金属栅极上的金属氧化物时，减少已形成的接触孔底部暴露的有源区表面材料的损耗，以保证半导体器件的性能。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本发明的实施例，并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本发明，其中：
图1A和图1B是示出常规半导体器件的剖面图。
图2是示出根据本发明一实施例的半导体器件制造方法的流程图。
图3是示出根据本发明另一实施例的半导体器件制造方法的流程图。
图4是示出根据本发明实施例的半导体器件的剖面图。
图5A-图5E是示出根据本发明实施例的半导体器件制造方法各步骤形成的半导体器件的剖面图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到，除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图2是示出根据本发明实施例的半导体器件制造方法200的流程图。
在步骤202中，在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，接触刻蚀终止层包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层。
在步骤204中，以第一氮化硅层作为有源区的阻挡层通过刻蚀形成贯穿第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔。接触孔可以用于连接晶体管以及布线。接触孔可以包括源漏区的接触孔，也可以包括金属栅极的接触孔。
在步骤206中，以氧化硅层作为有源区的阻挡层去除刻蚀有源区上方接触孔时，接触孔底部露出的第一氮化硅层。
在步骤208中，以第二氮化硅层作为有源区的阻挡层进行去除金属栅极上的金属氧化物的工艺。
根据本发明的一方面，在接触刻蚀以及后续去除金属栅极上的金属氧化物的工艺中，通过接触刻蚀终止层，能够减少接触孔底部露出的有源区表面材料的损耗。比如，有源区露出的表面为金属硅化物区域表面，那么通过接触刻蚀终止层的保护，能够保证金属硅化物区域降低接触孔和源漏区接触电阻的性能得以体现，从而提高整个半导体器件的性能。
图3是示出根据本发明另一实施例的半导体器件制造方法300的流程图。
在步骤302中，在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层。其中，半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构。接触刻蚀终止层包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层。
在一个实施例中，第一氮化硅层的厚度可以为第二氮化硅层的厚度可以为氧化硅层的厚度可以为
在步骤304中，以第一氮化硅层为阻挡层，通过第一次蚀刻，形成贯穿第一氮化硅层上方的层间电介质层的孔。层间电介质层可以包括第一层间电介质层和第二层间电介质层。层间电介质层可以由化学气相淀积、旋转涂布、物理气相淀积或其它工艺方法形成。在形成层间电介质层之后，可以通过化学机械研磨工艺其表面进行平坦化处理。
在步骤305中，以氧化硅层为阻挡层，通过第二次蚀刻，将孔底部剩余的第一氮化硅层去除，并停止在氧化硅层。
在一个实施例中，接触孔的刻蚀可以用干法刻蚀或等离子体刻蚀工艺。
在步骤306中，以第二氮化硅层作为有源区的阻挡层进行去除金属栅极上的金属氧化物的工艺。在去除金属栅极上的金属氧化物时，接触刻蚀终止层的氧化硅层和部分第二氮化硅层可能被消耗掉。而剩余的第二氮化硅层可以作为去除金属栅极上的金属氧化物时对有源区的保护层。另外，第二氮化硅层能够保证整个接触刻蚀终止层的张力，已提高半导体器件的性能。在一个实施例中，可以通过轰击去除金属栅极上的金属氧化物，该轰击可以通过PVD工艺实现，其工艺参数可以为：射频功率为100-500瓦，偏压为100-300伏，氩气流量为2-3标准毫升/分钟，工艺时间为10-100秒。
在步骤308中，可以利用SiCoNi预清工艺去除位于有源区上方的接触孔底部残留的第二氮化硅层，以露出有源区的表面。在一个实施例中，有源区可以包括预先形成的金属硅化物区域，有源区的露出表面形成于金属硅化物区域内。在接触孔底部露出来的有源区表面可以是预先形成的金属硅化物区域。金属硅化物区域可以降低接触孔与源漏区的接触电阻，形成欧姆接触。用于形成硅化物的金属可以包括Ti,Pt,W,Ta,Ni,Co等。
SiCoNi预清工艺的工艺流程和腔体可以用于解决半导体工艺中的晶体管接触工程问题。SiCoNi预清工艺能够提供一个低强度的化学刻蚀方法从钴硅和镍硅表面去除氧化膜。其优点在于：在高真空环境下，晶圆表面处理后，被立即送往镍沉积腔。这样就避免了晶圆在机台间转移所造成的排队时间差异；去除了通常在氢氟酸沉浸工艺中出现的尖峰缺陷；对于氧化硅腐蚀具有非常好的选择性，降低了硅衬底的损失和轮廓的变化。而且，SiCoNi预清工艺能得到更低的漏电流和分布更集中的接触电阻。这可能得益于更好地处理镍和硅之间的界面，从而得到了更均匀的硅化物。
另外，SiCoNi预清工艺还可以运用于许多其他硅或含硅表面的清理。根据本发明的实施例，通过调整工艺参数，SiCoNi预清工艺可以用于去除金属硅化物(比如硅化镍)表面的氮化硅。比如，在SiCoNi预清工艺中，氧化物与氮化硅的选择比可以小于5：1。在一个实施例中，SiCoNi预清工艺的工艺参数可以为：氟化氮流量为10-30标准毫升/分钟，氨气流量为30-100标准毫升/分钟，压力为2-10托，功率为10-100瓦，工艺时间为10-100秒。
图4是示出根据本发明实施例的半导体器件的剖面图。经过根据本发明实施例的半导体器件的制造方法之后，形成的半导体器件可以包括具有有源区的半导体衬底401、层间电介质层402、栅极叠层结构404、接触刻蚀终止层406以及贯通接触刻蚀终止层406的接触孔。
其中，在具有有源区的半导体衬底401上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构404。覆盖在有源区上的接触刻蚀终止层406可以包括第一氮化硅层12、第一氮化硅层12之下的氧化硅层14以及氧化硅层14之下的第二氮化硅层16。贯通接触刻蚀终止层406的接触孔位于所述有源区上方。在一个实施例中，有源区可以包括预先形成的金属硅化物区域408，接触孔底部露出的有源区可以形成于金属硅化物区域408内。
图5A-图5E是示出根据本发明实施例的半导体器件制造方法各步骤形成的半导体器件的剖面图。如图5A-图5E所示，半导体器件可以包括具有有源区的半导体衬底501、层间电介质层502、栅极叠层结构504、接触刻蚀终止层506和金属硅化物区域508。
图5A为进行接触孔刻蚀之前的半导体器件的剖面图。具有有源区的半导体衬底501上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构504。覆盖在有源区上的接触刻蚀终止层506可以包括第一氮化硅层22、第一氮化硅层22之下的氧化硅层24以及氧化硅层24之下的第二氮化硅层26。在一个实施例中，第一氮化硅层22的厚度可以为第二氮化硅层26的厚度可以为氧化硅层24的厚度可以为
在一个实施例中，有源区可以包括预先形成的金属硅化物区域508，以降低接触孔与源漏区的接触电阻，形成欧姆接触。
在一个实施例中，栅极叠层结构504可以包括栅介质层32和位于栅介质层32上方的金属栅极30，以及由于金属栅极30暴露于空气而形成的金属氧化物32。其中，栅介质层32可以为高介电常数(高K)材料。
由于二氧化硅具有易制性，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此常被做为制作栅极电介质的材料。但是随着技术的发展，在65纳米制造工艺中，二氧化硅栅极介质厚度已降低至1.2纳米。然而，由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热也会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，若继续采用目前材料，进一步减少厚度，栅极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。因此，较厚的高介电常数材料(如以铪元素为基础的物质)被用于栅极电介质，这样能够使漏电量降低10倍以上。
图5B为在栅极叠层结构504和有源区508上进行第一次接触刻蚀之后的半导体器件剖面图。第一次接触刻蚀可以以第一氮化硅层22为阻挡层，形成贯穿第一氮化硅层22上方的层间电介质层502的接触孔510，以及贯穿栅极叠层结构504上方的层间电介质层502的接触孔512。
图5C为在栅极叠层结构504和有源区上进行第二次接触刻蚀之后的半导体器件剖面图。第二次接触刻蚀可以以氧化硅层24为阻挡层，将接触孔510底部剩余的第一氮化硅层22去除，并停止在氧化硅层24。
图5D为去除栅极叠层结构504的金属栅极30上形成的金属氧化物28之后的半导体器件剖面图。如图所示，在去除金属氧化物28的同时，氧化硅层24和部分第二氮化硅层26也会被消耗掉，这时，剩余的第二氮化硅层26可以作为对有源区的保护，减少有源区表面材料的损耗。在一个实施例中，有源区可以包括预先形成的金属硅化物区域508，接触孔底部露出的有源区可以形成于金属硅化物区域508内。通过接触刻蚀终止层506的保护，能够在去除金属氧化物28的同时，减少金属硅化物区域508的损耗，以保证金属硅化物区域508降低电阻率的特性得以体现，进而提高半导体器件的性能。
在一个实施例中，可以通过轰击去除金属栅极30上的金属氧化物28。该轰击可以通过PVD工艺实现，其工艺参数可以为：射频功率为100-500瓦，偏压为100-300伏，氩气流量为2-3标准毫升/分钟，工艺时间为10-100秒。
图5E为利用SiCoNi预清工艺去除位于有源区上方的接触孔510底部残留的第二氮化硅层26之后的半导体器件的剖面图。如图所示，在去除残留的第二氮化硅层26之后，接触孔510底部能够露出有源区(如金属硅化物区域508)的表面。接触孔510和512中可以填充有导电材料。
本发明的一个优点在于，通过接触刻蚀终止层的阻挡，能够在去除金属栅极上的金属氧化物时，减少已形成的接触孔底部暴露的有源区表面材料的损耗，以提高半导体器件的性能。
至此，已经详细描述了根据本发明的制造半导体器件的方法和所形成的半导体器件。为了避免遮蔽本发明的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (8)

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，所述半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，所述接触刻蚀终止层包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；
以所述第一氮化硅层作为所述有源区的阻挡层，通过刻蚀形成贯穿所述第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔；
以所述氧化硅层作为所述有源区的阻挡层去除接触孔底部露出的所述第一氮化硅层，并停止在所述氧化硅层；
以所述第二氮化硅层作为所述有源区的阻挡层进行去除所述金属栅极上的金属氧化物的工艺。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为200-400埃，所述第二氮化硅层的厚度为50-100埃，所述氧化硅层的厚度为50-100埃。
3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述去除金属栅极上的金属氧化物的工艺包括：
通过轰击去除所述金属栅极上的金属氧化物。
4.根据权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，
通过PVD工艺进行轰击，所述轰击的工艺参数为：射频功率为100-500瓦，偏压为100-300伏，氩气流量为2-3标准毫升/分钟，工艺时间为10-100秒。
5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在去除所述金属栅极上的金属氧化物的工艺之后还包括：
利用SiCoNi预清工艺去除位于所述有源区上方的所述接触孔底部残留的所述第二氮化硅层，以露出所述有源区的表面。
6.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，
所述SiCoNi预清工艺的工艺参数为：氟化氮流量为10-30标准毫升/分钟，氨气流量为30-100标准毫升/分钟，压力为2-10托，功率为10-100瓦，工艺时间为10-100秒。
7.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述有源区包括预先形成的金属硅化物区域，所述有源区的所述露出的表面形成于所述金属硅化物区域内。
8.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述SiCoNi预清工艺中，氧化物与氮化硅的选择比小于5：1。
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