JP2011100995A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (19)

1. 端子部を有し、
   前記端子部は、
   導電層と、
   前記導電層上の窒化珪素を含む第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の酸化珪素を含む第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の酸化珪素を含む第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上の透明導電層と、を有し、
   前記導電層は、前記透明導電層と電気的に接続されており、
   前記導電層は、トランジスタのゲート電極に含まれる金属元素と同じ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記ゲート電極は、Ｃｕを含むことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記ゲート電極は、第１の層と、第２の層とを有し、
   前記第１の層は、Ｃｕを含み、
   前記第２の層は、Ｃｕよりも高い融点を持つ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 端子部を有し、
   前記端子部は、
   窒化珪素を含む第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の酸化珪素を含む第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の導電層と、
   前記導電層上の酸化珪素を含む第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上の透明導電層と、を有し、
   前記導電層は、前記透明導電層と電気的に接続されており、
   前記導電層は、トランジスタのソース電極およびドレイン電極に含まれる金属元素と同じ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ、Ｃｕを含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項４において、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ、第１の層と、第２の層とを有し、
   前記第１の層は、Ｃｕを含み、
   前記第２の層は、Ｃｕよりも高い融点を持つ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層を有し、
   前記第４の絶縁層は、窒化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、または亜鉛のいずれか一つを含むことを特徴とする半導体装置。
9. 端子部と、トランジスタとを有し、
   前記端子部は、
   導電層と、
   前記導電層上の窒化珪素を含む第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の酸化珪素を含む第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の酸化珪素を含む第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上の透明導電層と、を有し、
   前記導電層は、前記透明導電層と電気的に接続されており、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の窒化珪素を含む第４の絶縁層と、
   前記第４の絶縁層上の酸化珪素を含む第５の絶縁層と、
   前記第５の絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層上の酸化珪素を含む第６の絶縁層と、を有し、
   前記導電層は、前記ゲート電極に含まれる金属元素と同じ金属元素を含み、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ、酸素欠損を有するチタン酸化物を含む領域を有することを特徴とする半導体装置。
10. 請求項９において、
    前記ゲート電極はＣｕを含むことを特徴とする半導体装置。
11. 請求項９において、
    前記ゲート電極は、第１の層と、第２の層とを有し、
    前記第１の層は、Ｃｕを含み、
    前記第２の層は、Ｃｕよりも高い融点を持つ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
12. 端子部と、トランジスタとを有し、
    前記端子部は、
    窒化珪素を含む第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上の酸化珪素を含む第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上の導電層と、
    前記導電層上の酸化珪素を含む第３の絶縁層と、
    前記第３の絶縁層上の透明導電層と、を有し、
    前記導電層は、前記透明導電層と電気的に接続されており、
    前記トランジスタは、
    窒化珪素を含む第４の絶縁層と、
    前記第４の絶縁層上の酸化珪素を含む第５の絶縁層と、
    前記第５の絶縁層上の酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、
    前記酸化物半導体層上の酸化珪素を含む第６の絶縁層と、有し、
    前記導電層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極に含まれる金属元素と同じ金属元素を含み、
    前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ、酸素欠損を有するチタン酸化物を含む領域を有することを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１２において、
    前記ソース電極および前記ドレイン電極はＣｕを含むことを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１２において、
    前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ、第１の層と、第２の層とを有し、
    前記第１の層は、Ｃｕを含み、
    前記第２の層は、Ｃｕよりも高い融点を持つ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
15. 請求項９乃至請求項１４のいずれか一項において、
    前記第３の絶縁層上の第７の絶縁層を有し、
    前記第７の絶縁層は、窒化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
16. 請求項９乃至請求項１５のいずれか一項において、
    前記領域の厚さは、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
17. 請求項９乃至請求項１６のいずれか一項において、
    前記チタン酸化物は、二酸化チタンであることを特徴とする半導体装置。
18. 請求項９乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、または亜鉛のいずれか一つを含むことを特徴とする半導体装置。
19. 請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
    前記第２の絶縁層と前記第３の絶縁層とは、接していることを特徴とする半導体装置。