JP2011044702A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１のトランジスタを有する画素部と、第２のトランジスタを有する駆動回路と、が同一の基板上に設けられた半導体装置であって、
   前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の酸化物半導体層と、第１のソース電極と、第１のドレイン電極と、を有し、
   前記基板の上方に前記第１のゲート電極を有し、
   前記第１のゲート電極の上方にゲート絶縁層を有し、
   前記ゲート絶縁層の上方に前記第１の酸化物半導体層を有し、
   前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する第１の酸化物絶縁層を有し、
   前記第１の酸化物半導体層は、前記第１のソース電極と電気的に接続され、
   前記第１の酸化物半導体層は、前記第１のドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第１の酸化物絶縁層の上方に画素電極を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の酸化物半導体層と、第２のソース電極と、第２のドレイン電極と、を有し、
   前記基板の上方に前記第２のゲート電極を有し、
   前記第２のゲート電極の上方に前記ゲート絶縁層を有し、
   前記ゲート絶縁層の上方に前記第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のソース電極と電気的に接続され、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のドレイン電極と電気的に接続され、
   前記基板、前記第１のゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記第１の酸化物半導体層、前記第１の酸化物絶縁層、前記第１のソース電極、前記第１のドレイン電極、及び前記画素電極は、透光性を有し
   前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、第１の材料を含み、
   前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極は、第２の材料を含み、
   前記第１の材料は、前記第２の材料と異なる材料であることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極と重なる領域よりも膜厚の小さいチャネル形成領域を有し、
   前記チャネル形成領域の上方に、第２の酸化物絶縁層を介して導電層を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の酸化物絶縁層は、前記第２の酸化物絶縁層と同じ絶縁材料を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１のソース電極、前記第１のドレイン電極、及び前記画素電極は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、またはＷを含むことを特徴とする半導体装置。