JP2011049549A5 - 半導体装置、モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Claims (6)

1. 絶縁表面上のゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の酸化物絶縁層と、
   前記酸化物絶縁層上及び前記酸化物半導体層上のソース電極層と、
   前記酸化物絶縁層上及び前記酸化物半導体層上のドレイン電極層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なる第１の領域と、前記ソース電極層と接する第２の領域と、前記ドレイン電極層と接する第３の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域との間に位置し、
   前記酸化物絶縁層は、前記第１の領域と接する第４の領域と、前記酸化物半導体層の周縁を覆う第５の領域と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１の層と、前記第１の層に接する第２の層と、を有し、
   前記第１の層は、インジウム、亜鉛、錫、モリブデン、又はタングステンの酸化物を有し、
   前記第２の層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物絶縁層は、酸化珪素、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化窒化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、可視光に対して透光性を有する導電材料を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１又は２において、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、又はＷを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置と、ＦＰＣと、を有することを特徴とするモジュール。
6. 請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置、又は、請求項５に記載のモジュールを有することを特徴とする電子機器。