JP2011044697A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上に、駆動回路と画素部とを有し、
   前記駆動回路は、
   前記基板上の第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層の一部と接する第１のチャネル保護層と、
   前記第１のチャネル保護層上及び前記第１の酸化物半導体層上の第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、を有し、
   前記画素部は、
   前記基板上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の前記ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上に第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層の一部と接する第２のチャネル保護層と、
   前記第２のチャネル保護層上及び前記酸化物半導体層上の第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、
   前記第２のチャネル保護層上の画素電極層と、を有し、
   前記第２のゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記第２の酸化物半導体層、前記第２のソース電極、前記第２のドレイン電極、前記第２のチャネル保護層、及び前記画素電極層は透光性を有し、
   前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極とは材料が異なり、
   前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の酸化物半導体層のチャネル形成領域上に前記第１のチャネル保護層を介して導電層を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１のチャネル保護層と前記第２のチャネル保護層は、同じ透光性を有する絶縁材料を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分とする膜、若しくはそれらの合金膜とを組み合わせた積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２のソース電極、前記第２のドレイン電極、及び画素電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   さらに前記基板上に容量部を有し、
   前記容量部は、容量配線及び該容量配線と重なる容量電極を有し、
   前記容量配線及び前記容量電極は透光性を有することを特徴とする半導体装置。