JP5683049B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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Description

本発明は、酸化物半導体を用いる半導体装置及びその作製方法に関する。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、表示装置などの電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置で
ある。
透光性を有する金属酸化物が半導体装置において利用されている。例えば、酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）などの導電性を備える金属酸化物（以下、酸化物導電体という）は、液晶
ディスプレイなどの表示装置で必要とされる透明電極材料として適用されている。
加えて、半導体特性を示す材料としても透光性を有する金属酸化物が注目されている。例
えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物などは、液晶ディスプレイなどの表示装置で必要と
される半導体材料に適用することが期待されている。特に、薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴという）のチャネル層に適用することが期待されている。
半導体特性を備えた金属酸化物（以下、酸化物半導体という）を適用したＴＦＴは、低温
プロセスによって作製することが可能である。そのため、表示装置などで用いられるアモ
ルファスシリコンを代替又は凌駕する材料としての期待が高まっている。
また、酸化物導電体及び酸化物半導体は、共に透光性を有する。そのため、これらを用い
てＴＦＴを構成することによって、透光性を有するＴＦＴを作製することができる（例え
ば、非特許文献１参照）。
また、酸化物半導体を適用したＴＦＴは、電界効果移動度が高い。そのため、当該ＴＦＴ
を用いて、表示装置などの駆動回路を構成することもできる（例えば、非特許文献２参照
）。
野澤哲生「透明回路」日経エレクトロニクス２００７．８．２７（ｎｏ．９５９）ｐｐ．３９−５２ Ｔ．Ｏｓａｄａ，他８名，ＳＩＤ ’０９ ＤＩＧＥＳＴ，ｐｐ．１８４−１８７（２００９）
本発明の一態様は、半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。
本発明の一態様は、半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
本発明の一態様は、半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一とする。
本発明の一態様は、高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
本発明の一態様は、同一基板上に駆動回路部と、表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソ
ース電極（ソース電極層ともいう）及びドレイン電極（ドレイン電極層ともいう）が金属
によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用ＴＦＴと
、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極及びドレ
イン電極が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成され
た画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する表示装置で
ある。
なお、非特許文献１には、具体的なＴＦＴの作製工程及び表示装置を構成する他の素子（
例えば、容量素子など）の構造などは開示されていない。また、同一基板上に駆動回路と
、透光性を有するＴＦＴとを作製する記載などもない。
本発明の一態様の半導体装置は、同一基板上において、駆動回路用ＴＦＴを有する駆動回
路部、及び画素用ＴＦＴを有する表示部が作製される。そのため、当該半導体装置の製造
コストを低減することができる。
また、本発明の一態様の半導体装置は、表示部に、ソース電極及びドレイン電極が酸化物
導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと
、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。つまり、当該半導体装置は
、画素用ＴＦＴ及び画素用配線が形成された領域を開口部とすることができる。そのため
、当該半導体装置の開口率を向上させることができる。
また、本発明の一態様の半導体装置は、表示部に、ソース電極及びドレイン電極が酸化物
導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと
、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。つまり、当該半導体装置は
、画素用ＴＦＴのサイズに制限されることなく画素サイズを設計することができる。その
ため、当該半導体装置の表示部を高精細化することができる。
また、本発明の一態様の半導体装置は、駆動回路部に、ソース電極及びドレイン電極が金
属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用ＴＦＴ
と、金属によって構成された駆動回路用配線とを有する。つまり、当該半導体装置は、高
い電界効果移動度を示すＴＦＴと、抵抗の低い配線とによって駆動回路が構成される。そ
のため、当該半導体装置を高速駆動が可能な半導体装置とすることができる。
また、本明細書中で用いる酸化物半導体は、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記さ
れる薄膜を形成し、その薄膜を酸化物半導体層として用いた薄膜トランジスタを作製する
。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複数の
金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉまたはＧａと
Ｆｅなど、Ｇａ以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体にお
いて、Ｍとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属
元素、または該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。本明細書においては、Ｉｎ
ＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される構造の酸化物半導体層のうち、ＭとしてＧａ
を含む構造の酸化物半導体をＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とよび、その薄膜をＩ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜とも呼ぶ。
また、酸化物半導体層に適用する酸化物半導体として上記の他にも、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−
Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓ
ｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ
−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体を適用することができる。また上記酸化
物半導体層に酸化珪素を含ませてもよい。酸化物半導体層に結晶化を阻害する酸化珪素（
ＳｉＯｘ（Ｘ＞０））を含ませることで、製造プロセス中において酸化物半導体層の形成
後に加熱処理した場合に、結晶化してしまうのを抑制することができる。なお、酸化物半
導体層は非晶質な状態であることが好ましく、一部結晶化していてもよい。
酸化物半導体は、好ましくはＩｎを含有する酸化物半導体、さらに好ましくは、Ｉｎ、及
びＧａを含有する酸化物半導体である。酸化物半導体層をＩ型（真性）とするため、脱水
化または脱水素化は有効である。
窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で
の加熱処理を行った場合、酸化物半導体層は加熱処理により酸素欠乏型となって低抵抗化
、即ちＮ型化（Ｎ−化など）させ、その後、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜の形成
を行うことにより酸化物半導体層を酸素過剰な状態とすることで高抵抗化、即ちＩ型化さ
せている。これにより、電気特性が良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体
装置を作製し、提供することが可能となる。
脱水化または脱水素化は、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）の不活性気体
雰囲気下、或いは減圧下での３５０℃以上、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満の
加熱処理を行い、酸化物半導体層の含有水分などの不純物を低減する。
脱水化または脱水素化の条件は、脱水化または脱水素化後の酸化物半導体層に対して昇温
脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃ
ｏｐｙ）で４５０℃まで測定を行っても水の２つのピーク、少なくとも３００℃付近に現
れる１つのピークが検出されない程度の熱処理条件とする。従って、脱水化または脱水素
化が行われた酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタに対してＴＤＳで４５０℃まで測
定を行っても少なくとも３００℃付近に現れる水のピークは検出されない。
そして、酸化物半導体層に対して脱水化または脱水素化を行う加熱温度Ｔから、脱水化ま
たは脱水素化を行った同じ炉で大気に触れさせることなく冷却することにより、酸化物半
導体層に水または水素を再び混入させないことが重要である。脱水化または脱水素化を行
い、酸化物半導体層を低抵抗化、即ちＮ型化（Ｎ−、Ｎ＋など）させた後、高抵抗化させ
てＩ型とした酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタを作製すると、薄膜トランジスタ
のしきい値電圧値をプラスとすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を
実現できる。薄膜トランジスタのゲート電圧が０Ｖにできるだけ近い正のしきい値電圧で
チャネルが形成されることが半導体装置（表示装置）には望ましい。なお、薄膜トランジ
スタのしきい値電圧値がマイナスであると、ゲート電圧が０Ｖでもソース電極とドレイン
電極の間に電流が流れる、所謂ノーマリーオンとなりやすい。アクティブマトリクス型の
表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電
気特性が表示装置の性能を左右する。特に、薄膜トランジスタの電気特性のうち、しきい
値電圧（Ｖｔｈ）が重要である。電界効果移動度が高くともしきい値電圧値が高い、或い
はしきい値電圧値がマイナスであると、回路として制御することが困難である。しきい値
電圧値が高く、しきい値電圧の絶対値が大きい薄膜トランジスタの場合には、駆動電圧が
低い状態ではＴＦＴとしてのスイッチング機能を果たすことができず、負荷となる恐れが
ある。ｎチャネル型の薄膜トランジスタの場合、ゲート電圧に正の電圧を印加してはじめ
てチャネルが形成されて、ドレイン電流が流れ出すトランジスタが望ましい。駆動電圧を
高くしないとチャネルが形成されないトランジスタや、負の電圧状態でもチャネルが形成
されてドレイン電流が流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとしては不
向きである。
また、加熱温度Ｔから下げるガス雰囲気は、加熱温度Ｔまで昇温したガス雰囲気と異なる
ガス雰囲気に切り替えてもよい。例えば、脱水化または脱水素化を行った同じ炉で大気に
触れさせることなく、炉の中を高純度の酸素ガスまたはＮ２Ｏガス、超乾燥エア（露点が
−４０℃以下、好ましくは−６０℃以下）で満たして冷却を行う。
脱水化または脱水素化を行う加熱処理によって膜中の含有水分を低減させた後、水分を含
まない雰囲気（露点が−４０℃以下、好ましくは−６０℃以下）下で徐冷（または冷却）
した酸化物半導体膜を用いて、薄膜トランジスタの電気特性を向上させるとともに、量産
性と高性能の両方を備えた薄膜トランジスタを実現する。
本明細書では、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）の不活性気体雰囲気下、
或いは減圧下での加熱処理を脱水化または脱水素化のための加熱処理と呼ぶ。本明細書で
は、この加熱処理によってＨ２として脱離させていることのみを脱水素化と呼んでいるわ
けではなく、Ｈ、ＯＨなどを脱離することを含めて脱水化または脱水素化と便宜上呼ぶこ
ととする。
窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で
の加熱処理を行った場合、酸化物半導体層は加熱処理により酸素欠乏型となって低抵抗化
、即ちＮ型化（Ｎ−化など）させる。その後、ドレイン電極層と重なる領域が酸素欠乏型
である高抵抗ドレイン領域（ＨＲＤ領域とも呼ぶ）として形成される。
具体的には、高抵抗ドレイン領域のキャリア濃度は、１×１０１７／ｃｍ３以上の範囲内
であり、少なくともチャネル形成領域のキャリア濃度（１×１０１７／ｃｍ３未満）より
も高い領域である。なお、本明細書のキャリア濃度は、室温にてＨａｌｌ効果測定から求
めたキャリア濃度の値を指す。
また、酸化物半導体層と金属材料からなるドレイン電極層の間に低抵抗ドレイン領域（Ｌ
ＲＮ領域とも呼ぶ）を形成してもよい。具体的には、低抵抗ドレイン領域のキャリア濃度
は、高抵抗ドレイン領域（ＨＲＤ領域）よりも大きく、例えば１×１０２０／ｃｍ３以上
１×１０２１／ｃｍ３以下の範囲内である。
そして、脱水化または脱水素化した酸化物半導体層の少なくとも一部を酸素過剰な状態と
することで、高抵抗化、即ちＩ型化させてチャネル形成領域を形成する。なお、脱水化ま
たは脱水素化した酸化物半導体層を酸素過剰な状態とする処理としては、脱水化または脱
水素化した酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜のスパッタ法での成膜、または酸化物絶
縁膜成膜後の加熱処理、または酸化物絶縁膜成膜後の酸素を含む雰囲気での加熱処理、ま
たは酸化物絶縁膜成膜後の不活性ガス雰囲気下で加熱した後に酸素雰囲気で冷却する処理
、または酸化物絶縁膜成膜後の不活性ガス雰囲気下で加熱した後に超乾燥エア（露点が−
４０℃以下、好ましくは−６０℃以下）で冷却する処理などによって行う。
また、脱水化または脱水素化した酸化物半導体層の少なくとも一部（ゲート電極層と重な
る部分）をチャネル形成領域とするため、選択的に酸素過剰な状態とすることで、高抵抗
化、即ちＩ型化させることもできる。脱水化または脱水素化した酸化物半導体層上に接し
てＴｉなどの金属電極からなるソース電極層やドレイン電極層を形成し、ソース電極層や
ドレイン電極層に重ならない露出領域を選択的に酸素過剰な状態としてチャネル形成領域
を形成することができる。選択的に酸素過剰な状態とする場合、ソース電極層に重なる第
１の高抵抗ドレイン領域と、ドレイン電極層に重なる第２の高抵抗ドレイン領域とが形成
され、第１の高抵抗ドレイン領域と第２の高抵抗ドレイン領域との間の領域がチャネル形
成領域となる。即ち、チャネル形成領域がソース電極層及びドレイン電極層の間に自己整
合的に形成される。
これにより、電気特性が良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を作製
し、提供することが可能となる。
なお、ドレイン電極層（及びソース電極層）と重畳した酸化物半導体層において高抵抗ド
レイン領域を形成することにより、駆動回路を形成した際の信頼性の向上を図ることがで
きる。具体的には、高抵抗ドレイン領域を形成することで、ドレイン電極層から高抵抗ド
レイン領域、チャネル形成領域にかけて、導電性を段階的に変化させうるような構造とす
ることができる。そのため、ドレイン電極層に高電源電位ＶＤＤを供給する配線に接続し
て動作させる場合、ゲート電極層とドレイン電極層との間に高電界が印加されても高抵抗
ドレイン領域がバッファとなり局所的な高電界が印加されず、トランジスタの耐圧を向上
させた構成とすることができる。
また、金属材料からなるドレイン電極層（及びソース電極層）と酸化物半導体層との間に
低抵抗ドレイン領域（ＬＲＮ領域とも呼ぶ）を形成してもよく、低抵抗ドレイン領域（Ｌ
ＲＮ領域とも呼ぶ）を形成することによって、よりトランジスタの耐圧を向上させた構成
とすることができる。
また、ドレイン電極層（及びソース電極層）と重畳した酸化物半導体層において高抵抗ド
レイン領域を形成することにより、駆動回路を形成した際のチャネル形成領域でのリーク
電流の低減を図ることができる。具体的には、高抵抗ドレイン領域を形成することで、ド
レイン電極層とソース電極層との間に流れるトランジスタのリーク電流の経路として、ド
レイン電極層、ドレイン電極層側の高抵抗ドレイン領域、チャネル形成領域、ソース電極
層側の高抵抗ドレイン領域、ソース電極層の順となる。このときチャネル形成領域では、
ドレイン電極層側の低抵抗Ｎ型領域よりチャネル領域に流れるリーク電流を、トランジス
タがオフ時に高抵抗となるゲート絶縁層とチャネル形成領域の界面近傍に集中させること
ができ、バックチャネル部（ゲート電極層から離れているチャネル形成領域の表面の一部
）でのリーク電流を低減することができる。
また、ソース電極層に重なる第１の高抵抗ドレイン領域と、ドレイン電極層に重なる第２
の高抵抗ドレイン領域は、ゲート電極層の幅にもよるが、ゲート電極層の一部とゲート絶
縁層を介して重なり、より効果的にドレイン電極層の端部近傍の電界強度を緩和させるこ
とができる。
すなわち、本発明の一態様である半導体装置は、同一基板上に第１の薄膜トランジスタを
有する駆動回路と第２の薄膜トランジスタを有する画素部を有している。第２の薄膜トラ
ンジスタは、基板上にボトムゲート電極と、ボトムゲート電極上にゲート絶縁層と、ゲー
ト絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層の一部と接する第２のチャネル保護層と
、第２のチャネル保護層及び酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極と、第２の
チャネル保護層上に画素電極層を有している。さらに、第２の薄膜トランジスタのボトム
ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極、ドレイン電極、第２のチャネ
ル保護層、及び画素電極層は透光性を有している。また、第１の薄膜トランジスタのソー
ス電極及びドレイン電極は、第２の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と材
料が異なり、第２の薄膜トランジスタのソース電極及び前記ドレイン電極よりも低抵抗の
導電材料であることを特徴とする。
また、本発明の一態様は、上述の半導体装置において、第１の薄膜トランジスタは、第１
の薄膜トランジスタの酸化物半導体層の一部と接する第１のチャネル保護層と、第１のチ
ャネル保護層及び酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有することを特徴と
する半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上述の半導体装置において、第１の薄膜トランジスタは、第１
の薄膜トランジスタの酸化物半導体層の一部と接する第１のチャネル保護層と、第１のチ
ャネル保護層及び酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有する。さらに、チ
ャネル形成領域上に第１のチャネル保護層を介してバックゲート電極を有することを特徴
とする半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上述の半導体装置において、第１のチャネル保護層と第２のチ
ャネル保護層は、同じ透光性を有する絶縁材料であることを特徴とする半導体装置である
。
また、本発明の一態様は、上述の半導体装置において、第１の薄膜トランジスタのソース
電極及びドレイン電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を
主成分とする膜、若しくはそれらの合金膜とを組み合わせた積層膜からなることを特徴と
する半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上述の半導体装置において、前記第２の薄膜トランジスタのソ
ース電極層、ドレイン電極層、及び画素電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化
スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛であることを特徴とする半導体
装置である。
また、本発明の一態様は、上述の半導体装置において、さらに同一基板上に容量部を有し
、容量部は、容量配線及び該容量配線と重なる容量電極を有し、容量配線及び容量電極は
透光性を有する半導体装置である。
安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを作製し、提供することができる。よって、
電気特性が良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することがで
きる。
薄膜トランジスタを説明する図。 薄膜トランジスタ作製方法を説明する図。 薄膜トランジスタ作製方法を説明する図。 薄膜トランジスタを説明する図。 薄膜トランジスタ作製方法を説明する図。 薄膜トランジスタ作製方法を説明する図。 薄膜トランジスタを説明する図。 薄膜トランジスタを説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 表示装置を説明する図。 表示装置を説明する図。 半導体装置の画素等価回路を説明する図。 表示装置を説明する図。 半導体装置のブロック図を説明する図。 表示装置を説明する図。 表示装置を説明する図。 表示装置を説明する図。 表示装置を説明する図。 表示装置を説明する図。 電子書籍の一例を示す外観図。 テレビジョン装置およびデジタルフォトフレームの例を示す外観図。 遊技機の例を示す外観図。 携帯型コンピュータおよび携帯電話の一例を示す外観図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形
態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成にお
いて、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して
用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態は、本発明の一態様である薄膜トランジスタおよびその作製方法について説
明する。
図１（Ａ）に、本発明の一態様である薄膜トランジスタ１４１及び１４２の断面図を示す
。薄膜トランジスタ１４１及び１４２は同一の基板１００上に形成され、どちらもボトム
ゲート型の薄膜トランジスタである。薄膜トランジスタ１４１は駆動回路に配置され、薄
膜トランジスタ１４２は画素に配置されている。
図１（Ｃ１）は駆動回路に配置されるチャネルストップ型の薄膜トランジスタ１４１の平
面図であり、図１（Ａ）は図１（Ｃ１）の線Ｃ１−Ｃ２における断面図である。また、図
１（Ｂ）は、図１（Ｃ１）の線Ｃ３−Ｃ４における断面図である。
また、図１（Ｃ２）は画素に配置されるチャネルストップ型の薄膜トランジスタ１４２の
平面図であり、図１（Ａ）は図１（Ｃ２）の線Ｄ１−Ｄ２における断面図である。また、
図１（Ｂ）は、図１（Ｃ２）の線Ｄ３−Ｄ４における断面図である。
薄膜トランジスタ１４１は、基板１００上に設けた、第１のボトムゲート電極１１１と、
ゲート絶縁膜１０２と、第３の酸化物半導体層１１３ｃと第４の酸化物半導体領域１１３
ｄからなる酸化物半導体層１１３と、第１のチャネル保護層１１６と、ソース電極および
ドレイン電極を有する。なお、ソース電極およびドレイン電極は、可視光を透過する第１
の導電層１１４ａ上に第２の導電層１１５ａを積層した導電層と、可視光を透過する第１
の導電層１１４ｂ上に第２の導電層１１５ｂを積層した導電層を用いて形成されている。
更には、第１のチャネル保護層１１６に接してこれらを覆う第１の保護絶縁膜１０７と第
２の保護絶縁膜１０８と、第２の保護絶縁膜１０８上に設けられ、第３の酸化物半導体層
１１３ｃと重畳するバックゲート電極１２９が設けられている。
なお、ソース電極およびドレイン電極の下面と接する低抵抗の第４の酸化物半導体領域１
１３ｄは、チャネル保護層に対し自己整合的に形成されている。また、本実施の形態にて
説明する薄膜トランジスタ１４１は、チャネルストップ型の一態様である。
また、液晶表示装置において、同一基板上に画素部と駆動回路を形成する場合、駆動回路
において、インバータ回路、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路、ラッチ回路といった論理ゲート
を構成する薄膜トランジスタや、センスアンプ、定電圧発生回路、ＶＣＯといったアナロ
グ回路を構成する薄膜トランジスタは、ソース電極とドレイン電極間に正極性のみ、もし
くは負極性のみが印加される。従って、耐圧が要求される一方の第４の酸化物半導体領域
１１３ｄの幅をもう一方の第４の酸化物半導体領域１１３ｄの幅よりも広く設計してもよ
い。また、第４の酸化物半導体領域１１３ｄがボトムゲート電極と重なる幅を広くしても
よい。
また、駆動回路に配置される薄膜トランジスタ１４１はシングルゲート構造の薄膜トラン
ジスタを用いて説明したが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート
構造の薄膜トランジスタも形成することができる。
また、酸化物半導体層１１３の上方に重なるバックゲート電極１２９を設ける。バックゲ
ート電極１２９をボトムゲート電極１１１と電気的に接続し、同電位とすることで、ボト
ムゲート電極１１１とバックゲート電極１２９の間に配置された酸化物半導体層１１３に
上下からゲート電圧を印加することができる。また、ボトムゲート電極１１１とバックゲ
ート電極１２９を異なる電位、例えば固定電位、ＧＮＤ、０Ｖとする場合には、ＴＦＴの
電気特性、例えばしきい値電圧などを制御することができる。なお、本明細書中では、酸
化物半導体層１１３の上方に重なって形成される導電層を、その電位にかかわらずバック
ゲート電極１２９と呼ぶ。したがって、バックゲート電極１２９はフローティング状態で
あってもよい。
また、バックゲート電極１２９と酸化物半導体層１１３の間には第１の保護絶縁膜１０７
と、第２の保護絶縁膜１０８とを積層する。
薄膜トランジスタ１４２は、基板１００上に設けた、第２のボトムゲート電極２１１と、
ゲート絶縁膜１０２と、第３の酸化物半導体層２１３ｃと第４の酸化物半導体領域２１３
ｄからなる酸化物半導体層２１３と、第２のチャネル保護層２１６と、ソース電極および
ドレイン電極（２１４ａ、２１４ｂ）を有する。更には、第２のチャネル保護層２１６に
接してこれらを覆う第１の保護絶縁膜１０７と第２の保護絶縁膜１０８が設けられている
。
なお、ソース電極およびドレイン電極の下面と接する低抵抗の第４の酸化物半導体領域２
１３ｄは自己整合的に形成されている。また、本実施の形態にて説明する薄膜トランジス
タ１４２は、チャネルストップ型の一態様である。なお、第２の保護絶縁膜１０８上に薄
膜トランジスタ１４２と重畳する画素電極１２８が設けられている。
ただし、液晶表示装置は、液晶の劣化を防ぐため、交流駆動が行われている。この交流駆
動により、一定の期間毎に画素電極層に印加する信号電位の極性が正極性或いは負極性に
反転する。画素電極層に接続するＴＦＴは、一対の電極が交互にソース電極とドレイン電
極の役割を果たす。本明細書では、便宜上、画素の薄膜トランジスタの電極のうち、一方
をソース電極と呼び、もう一方をドレイン電極と呼ぶが、実際には、交流駆動の際に一方
の電極が交互にソース電極とドレイン電極として機能する。また、リーク電流の低減を図
るため、画素に配置する薄膜トランジスタ１４２の第２のボトムゲート電極の幅を駆動回
路の薄膜トランジスタ１４１の第１のボトムゲート電極の幅よりも狭くしてもよい。また
、リーク電流の低減を図るため、画素に配置する薄膜トランジスタ１４２のボトムゲート
電極がソース電極またはドレイン電極と重ならないように設計してもよい。
また、画素に配置される薄膜トランジスタ１４２はシングルゲート構造の薄膜トランジス
タを用いて説明したが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造
の薄膜トランジスタも形成することができる。
また、薄膜トランジスタ１４２には、可視光を透過する第３の酸化物半導体層２１３ｃと
、可視光を透過する導電膜を用いた第２のボトムゲート電極２１１及びソース電極および
ドレイン電極（２１４ａ、２１４ｂ）と、可視光を透過する基板１００と、可視光を透過
する第２のチャネル保護層２１６と、第１の保護絶縁膜１０７と、第２の保護絶縁膜１０
８を用いている。従って、薄膜トランジスタ１４２は可視光を透過するいわゆる透明トラ
ンジスタである。
図２及び図３に薄膜トランジスタ１４１及び１４２の作製工程の断面図を示す。
基板１００は、可視光を透過し絶縁表面を有する。具体的には、アルミノシリケートガラ
ス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われ
るガラス基板（「無アルカリガラス基板」とも呼ばれる）、本作製工程の処理温度に耐え
うる耐熱性を有するプラスチック基板などを用いることができる。絶縁表面を有する基板
１００がマザーガラスの場合、第１世代（３２０ｍｍ×４００ｍｍ）、第２世代（４００
ｍｍ×５００ｍｍ）、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８
８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍま
たは１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ）、第６世代１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代
（１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代
（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０
ｍｍ×３４００ｍｍ）などの大きさのものを用いることができる。
また、下地絶縁層を基板１００と第１のボトムゲート電極１１１の間、及び基板１００と
第２のボトムゲート電極２１１の間に設けてもよい。下地絶縁層は、基板１００から不純
物元素（例えばナトリウムなど）が薄膜トランジスタへ拡散する現象を防止する絶縁膜に
より形成すればよく、例えば窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、または酸
化窒化シリコンから選ばれた一または複数の膜により積層して形成することができる。
絶縁表面を有する基板１００上に第１のボトムゲート電極１１１及び第２のボトムゲート
電極２１１を設ける。第１のボトムゲート電極１１１及び第２のボトムゲート電極２１１
は可視光を透過する導電膜を用いて形成する。
第１のボトムゲート電極１１１及び第２のボトムゲート電極２１１は、透光性を有する導
電性材料、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含む
インジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウ
ム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸
化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−
Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓ
ｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏなどの透光性を
有する導電性材料を用い、膜厚は５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内で適宜選択して形
成する。
また、例えば、窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタ法によりＩｎ（インジウム）、Ｇａ（
ガリウム）、およびＺｎ（亜鉛）を含む酸化物半導体ターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ
３：ＺｎＯ＝１：１：１（モル数比））を用いて得たインジウム、ガリウム、および亜鉛
を含む酸窒化物膜や、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜や、窒素を含ませたＡｌ−Ｚｎ−Ｏ系
非単結晶膜、即ちＡｌ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系非単結晶膜（ＡＺＯＮ膜とも呼ぶ）を用いてもよ
い。
透光性を有する導電膜の成膜方法は、スパッタ法や真空蒸着法（電子ビーム蒸着法など）
や、アーク放電イオンプレーティング法や、スプレー法を用いる。また、スパッタ法を用
いる場合、ＳｉＯ２を２重量％以上１０重量％以下含むターゲットを用いて成膜を行い、
透光性を有する導電膜に結晶化を阻害するＳｉＯｘ（Ｘ＞０）を含ませ、後の工程で行う
脱水化または脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしまうのを抑制することが好ま
しい。
第１のボトムゲート電極１１１を含む配線層は、第２のボトムゲート電極２１１と同じく
、可視光を透過する導電性材料を用いて形成してもよいが、モリブデン、タングステンな
どの耐熱性を有する金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまた
は積層して形成してもよい。
第１のボトムゲート電極１１１を含む配線層を第２のボトムゲート電極２１１と同じ導電
膜を用いて形成すれば、工程数を削減できるため好ましい。また、第１のボトムゲート電
極１１１を含む配線層を、耐熱性を有する金属材料またはこれらを主成分とする合金材料
を用いて形成すれば、配線抵抗を低減できるため好ましい。
例えば、第１のボトムゲート電極１１１を含む配線層を２層の積層構造とする場合には、
アルミニウム層上にモリブデン層が積層された２層構造、または銅層上にモリブデン層を
積層した２層構造、または銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタルを積層した２層構
造、窒化チタン層とモリブデン層とを積層した２層構造とすることが好ましい。３層の積
層構造とする場合には、タングステン層または窒化タングステンと、アルミニウムとシリ
コンの合金またはアルミニウムとチタンの合金と、窒化チタンまたはチタン層と、を積層
した３層構造とすることが好ましい。
本実施の形態では、可視光を透過する導電膜を基板１００の全面に形成した後、第１のフ
ォトリソグラフィ工程を行い、該導電膜上にレジストマスクを形成し、エッチングにより
不要な部分を除去することで配線および電極（第１のボトムゲート電極１１１及び第２の
ボトムゲート電極２１１を含むゲート配線、容量配線、および端子電極など）を形成する
。
次いで、第１のボトムゲート電極１１１及び第２のボトムゲート電極２１１上にゲート絶
縁膜１０２を形成する。本実施の形態では窒化シリコンを単層でゲート絶縁膜１０２を形
成する。
ゲート絶縁膜１０２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化
シリコンを単層でまたは積層して形成することができる。ここでは、窒化シリコン膜を単
層で用いた。
ゲート絶縁膜１０２の成膜方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリン
グ法などを用いることができる。プラズマＣＶＤ法を用いる場合は、原料ガスとして、Ｓ
ｉＨ４と、酸素および窒素のいずれか一方または双方と、を用いてプラズマＣＶＤ法によ
り酸化窒化シリコン層を形成すればよい。または、酸素と窒素に代えて、一酸化二窒素な
どを用いてもよい。
次いで、ゲート絶縁膜１０２上に、酸化物半導体膜を形成する。
酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ
−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−
Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓ
ｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体膜を用いる。本実施の形態では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ
−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタ法により成膜する。また、酸化物半導体
膜は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス（代表的には
アルゴン）及び酸素雰囲気下においてスパッタ法により形成することができる。また、ス
パッタ法を用いる場合、ＳｉＯ２を２重量％以上１０重量％以下含むターゲットを用いて
成膜を行い、酸化物半導体膜に結晶化を阻害するＳｉＯｘ（Ｘ＞０）を含ませ、後の工程
で行う脱水化または脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしまうのを抑制すること
が好ましい。
次いで、酸化物半導体膜を第２のフォトリソグラフィ工程により島状の第１の酸化物半導
体層１１３ａ及び２１３ａに加工する（図２（Ａ）を参照）。また、島状の酸化物半導体
層を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマス
クをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減で
きる。
なお、酸化物半導体膜をスパッタ法により形成する前に、アルゴンガスを導入してプラズ
マを発生させて逆スパッタを行い、ゲート絶縁膜１０２の表面に付着しているゴミなどを
除去することが好ましい。
逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にＲＦ電
源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。な
お、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。
次いで、第１の酸化物半導体層１１３ａ及び２１３ａに対して、脱水化または脱水素化を
行う。脱水化または脱水素化を行う第１の加熱処理の温度は、３５０℃以上基板の歪み点
未満、好ましくは４００℃以上とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基
板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下において加熱処理を行った後、酸化物
半導体層を大気に触れさせることなく冷却することで、酸化物半導体層への水や水素の再
混入を防ぐ。このようにして、第２の酸化物半導体層１１３ｂ及び２１３ｂを得る（図２
（Ｂ）を参照）。
本実施の形態では、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う加熱温度Ｔから、再び
水が入らないような十分な温度まで同じ炉を用い、具体的には加熱温度Ｔよりも１００℃
以上下がるまで窒素雰囲気下で徐冷する。また、窒素雰囲気に限定されず、ヘリウム、ネ
オン、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下或いは減圧下において脱水化または脱水素化を行
う。
なお、第１の加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス
に、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、
またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上
、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ま
しくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
また、第１の加熱処理の条件、または酸化物半導体層の材料によっては、結晶化し、微結
晶膜または多結晶膜となる場合もある。
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物
半導体膜に行うこともできる。その場合には、第１の加熱処理後に、加熱装置から基板を
取り出し、第２のフォトリソグラフィ工程を行う。
また、酸化物半導体膜の成膜前に、不活性ガス雰囲気（窒素、またはヘリウム、ネオン、
アルゴン等）下、酸素雰囲気、或いは減圧下において加熱処理（４００℃以上基板の歪み
点未満）を行い、ゲート絶縁層内に含まれる水素及び水などの不純物を除去してもよい。
次いで、第２の酸化物半導体層１１３ｂ及び２１３ｂと接して、チャネル保護層となる絶
縁膜を形成する。第２の酸化物半導体層１１３ｂ及び２１３ｂに接して形成するチャネル
保護層となる絶縁膜は、酸化物絶縁膜からなり、少なくとも１ｎｍ以上の膜厚とすること
ができる。さらに、当該酸化物絶縁膜は、スパッタリング法など、酸化物絶縁膜に水、水
素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。
本実施の形態では、酸化物絶縁膜として膜厚３００ｎｍの酸化珪素膜をスパッタリング法
を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上３００℃以下とすればよく、本実施の
形態では１００℃とする。酸化珪素膜のスパッタリング法による成膜は、希ガス（代表的
にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス（代表的にはアルゴン）及び酸素
雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとして酸化珪素ターゲットまたは
珪素ターゲットを用いることができる。例えば、珪素ターゲットを用いて、酸素、及び窒
素雰囲気下でスパッタリング法により酸化珪素を形成することができる。低抵抗化した酸
化物半導体層に接して形成するチャネル保護層は、水分や、水素イオンや、ＯＨ−などの
不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、代表
的には酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム
膜などを用いる。
次いで、第３のフォトリソグラフィ工程を行い、チャネル保護層となる絶縁膜上にレジス
トマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して第１のチャネル保護層１１６
及び第２のチャネル保護層２１６を形成する。
次いで、不活性ガス雰囲気下で第２の加熱処理（好ましくは２００℃以上４００℃以下、
例えば２５０℃以上３５０℃以下）を行う（図２（Ｃ）参照。）。例えば、窒素雰囲気下
で２５０℃、１時間の第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理を行うと、第２の酸化物半
導体層１１３ｂの一部が第１のチャネル保護層１１６に接した状態で加熱され、第２の酸
化物半導体層２１３ｂの一部が第２のチャネル保護層２１６に接した状態で加熱される。
また、第２の酸化物半導体層１１３ｂの第１のチャネル保護層１１６が接していない領域
と、第２の酸化物半導体層２１３ｂの第１のチャネル保護層２１６が接していない領域は
、不活性ガス雰囲気に曝された状態で加熱される。
以上の工程を経ることによって、成膜後の酸化物半導体膜に対して脱水化または脱水素化
のための加熱処理を行って低抵抗化した後、酸化物半導体膜の一部と接するチャネル保護
層を、酸化物絶縁膜を用いて形成し、チャネル保護層と重なる領域を選択的に酸素過剰な
状態とする。その結果、チャネル保護層と重なるチャネル形成領域は、Ｉ型となる。本明
細書では、このＩ型の酸化物半導体を第３の酸化物半導体と呼ぶ。従って、第１のチャネ
ル保護層１１６に接した状態で第２の加熱処理された第２の酸化物半導体層１１３ｂは第
３の酸化物半導体層１１３ｃとなり、第２のチャネル保護層２１６に接した状態で第２の
加熱処理された第２の酸化物半導体層２１３ｂは第３の酸化物半導体層２１３ｃとなる。
一方、第２の酸化物半導体層１１３ｂの第１のチャネル保護層１１６が接していない領域
と、第２の酸化物半導体層２１３ｂの第１のチャネル保護層２１６が接していない領域に
は、自己整合的に高抵抗ドレイン領域が形成される。本明細書では、この高抵抗ドレイン
領域を第４の酸化物半導体領域と呼ぶ。従って、第１のチャネル保護層１１６に接してい
ない第２の酸化物半導体層１１３ｂは第４の酸化物半導体領域１１３ｄになり、第２のチ
ャネル保護層２１６に接していない第２の酸化物半導体層２１３ｂは第４の酸化物半導体
領域２１３ｄになる。
次いで、ゲート絶縁膜１０２、第４の酸化物半導体領域１１３ｄ及び２１３ｄ上に可視光
を透過する導電膜を形成する。
透光性を有する導電膜の成膜方法は、スパッタ法や真空蒸着法（電子ビーム蒸着法など）
や、アーク放電イオンプレーティング法や、スプレー法を用いる。導電膜の材料としては
、可視光に対して透光性を有する導電材料、例えばＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ
−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−
Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ
系、Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物を適用することができ、膜厚は５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
の範囲内で適宜選択する。また、スパッタ法を用いる場合、ＳｉＯ２を２重量％以上１０
重量％以下含むターゲットを用いて成膜を行い、透光性を有する導電膜に結晶化を阻害す
るＳｉＯｘ（Ｘ＞０）を含ませ、後の工程で行う加熱処理の際に結晶化してしまうのを抑
制することが好ましい。
次に、可視光を透過する導電膜上に金属導電膜を形成する。金属導電膜としては、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする
合金か、上述した元素を組み合わせた合金等がある。また、チタン層上にアルミニウム層
と、該アルミニウム層上にチタン層が積層された三層の積層構造、またはモリブデン層上
にアルミニウム層と、該アルミニウム層上にモリブデン層を積層した三層の積層構造とす
ることが好ましい。勿論、金属導電膜として単層、または２層構造、または４層以上の積
層構造としてもよい。
次に、第４のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスク１３４を形成し、選択的にエ
ッチングを行って可視光を透過する導電膜と、金属導電膜の不要な部分をエッチングして
除去し、可視光を透過する導電膜と金属導電膜を積層した電極層を形成する（図３（Ａ）
参照）。
なお、このエッチングにおいて、第１のチャネル保護層１１６及び第２のチャネル保護層
２１６は第３の酸化物半導体層１１３ｃ及び２１３ｃのエッチングストッパーとして機能
するため、第３の酸化物半導体層１１３ｃ及び２１３ｃはエッチングされない。
第３の酸化物半導体層１１３ｃのチャネル形成領域上に第１のチャネル保護層１１６を設
け、第３の酸化物半導体層２１３ｃのチャネル形成領域上に第２のチャネル保護層２１６
を設ける構造であるため、第３の酸化物半導体層１１３ｃ及び２１３ｃのチャネル形成領
域を工程時におけるダメージ（エッチング時のプラズマやエッチング剤による膜減りや、
酸化など）から保護できる。従って、薄膜トランジスタ１４１及び１４２の信頼性を向上
させることができる。
また、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジ
ェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
次いで、レジストマスク１３４を除去した後、第５のフォトリソグラフィ工程を行い、ソ
ース電極及びドレイン電極（１１５ａ及び１１５ｂ）を含む配線層と、薄膜トランジスタ
１４１を覆うレジストマスク１３５を形成する。次に、レジストマスク１３５を用い、エ
ッチングにより不要な導電層（２１５ａ、２１５ｂ）を除去して、透光性を有するソース
電極及びドレイン電極（２１４ａ及び２１４ｂ）を形成する。この段階で薄膜トランジス
タ１４１及び１４２が形成される（図３（Ｂ）を参照）。
なお、ドレイン電極層、またはソース電極層と重畳した酸化物半導体層に、高抵抗ドレイ
ン領域である第４の酸化物半導体領域が形成されることにより、駆動回路を形成した際の
信頼性の向上を図ることができる。具体的には、ドレイン電極層から第４の酸化物半導体
領域、チャネル形成領域にかけて、導電性を段階的に変化させうるような構造とすること
ができる。そのため、ドレイン電極層に高電源電位ＶＤＤを供給する配線に接続して動作
させる場合、ゲート電極層とドレイン電極層との間に高電界が印加されても高抵抗ドレイ
ン領域である第４の酸化物半導体領域がバッファとなり局所的な高電界が印加されず、ト
ランジスタの耐圧を向上させた構成とすることができる。また、ドレイン電極層と重畳し
た酸化物半導体層において、高抵抗ドレイン領域である第４の酸化物半導体領域が形成さ
れることにより、駆動回路を形成した際のチャネル形成領域でのリーク電流の低減を図る
ことができる。
具体的には、薄膜トランジスタ１４１においては、配線抵抗が低い金属導電膜で形成した
ドレイン電極である導電層１１５ｂが、透光性を有する導電層１１４ｂと、高抵抗ドレイ
ン領域である第４の酸化物半導体領域１１３ｄを経て、チャネル形成領域である第３の酸
化物半導体層１１３ｃに電気的に接続されている。従って、透光性を有する導電層１１４
ｂは低抵抗ドレイン領域（ＬＲＮ領域とも呼ぶ）ということができる。また、薄膜トラン
ジスタ１４２においては、透光性を有する導電膜と、高抵抗ドレイン領域である第４の酸
化物半導体領域２１３ｄを経て、チャネル形成領域である第３の酸化物半導体層２１３ｃ
に接続されている。
次いで、レジストマスク１３５を除去し、第１のチャネル保護層１１６及び第２のチャネ
ル保護層２１６上に第１の保護絶縁膜１０７を形成する。第１の保護絶縁膜１０７は、膜
中の水分、水素イオン、およびＯＨ−などが低減されており、これらの外部からの侵入を
ブロックする。絶縁性無機材料を用いて形成する。具体的には、酸化シリコン、酸化窒化
シリコンまたは窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム
等を単層でまたは積層して形成することができる。
ここでは、まず窒化シリコン膜を用いて、ゲート絶縁膜１０２に接する第１の保護絶縁膜
１０７ａを形成する。窒化シリコン膜を用いて、ゲート絶縁膜１０２と第１の保護絶縁膜
１０７ａを形成することで、薄膜トランジスタ１４１及び１４２の周囲を囲んで、同じ無
機絶縁膜同士が接する構造にでき、薄膜トランジスタの封止状態をより良好な状態にでき
る。窒化シリコン上に組成の異なる保護絶縁膜、例えば酸化窒化シリコンを積層して第１
の保護絶縁膜１０７としてもよい。
第１の保護絶縁膜１０７の他の構成としては、例えば、スパッタ法を用いて厚さ３００ｎ
ｍの酸化シリコン膜を形成し、さらに窒化シリコンを積層してもよい。形成時の基板温度
は、室温以上３００℃以下とすればよく、本実施の形態では１００℃とする。酸化シリコ
ン膜のスパッタ法による形成は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下
、または希ガス（代表的にはアルゴン）と酸素の混合ガス雰囲気下において行うことがで
きる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットを用いてもシリコンターゲットを
用いてもよい。例えばシリコンターゲットを用いて、酸素を含む雰囲気下でスパッタ法に
より酸化シリコンを形成することができる。
次に、薄膜トランジスタ１４１及び１４２を覆う第２の保護絶縁膜１０８を第１の保護絶
縁膜１０７上に形成する。
第２の保護絶縁膜１０８は、第１の保護絶縁膜１０７を介して、第１のチャネル保護層１
１６及び第２のチャネル保護層２１６と、ソース電極及びドレイン電極（１１５ａ、１１
５ｂ、２１４ａ、２１４ｂ）を覆う。
第２の保護絶縁膜１０８は、例えば、０．５μｍ〜３μｍの厚さを有する感光性または非
感光性の有機材料を用いることができる。第２の保護絶縁膜１０８に用いることができる
感光性または非感光性の有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、レジスト若しくはベンゾシクロブテン、またはこれらを積層して形成したも
のなどを挙げることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料
）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用い
ることができる。また、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、第２
の保護絶縁膜１０８を形成してもよい。
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓ
ｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばアルキ
ル基やアリール基）やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。
第２の保護絶縁膜１０８の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、
ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、ス
クリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコータ
ー、ナイフコーター等を用いることができる。
本実施の形態では、第２の保護絶縁膜１０８として、感光性のポリイミドを塗布法により
形成する。ポリイミドを全面に塗布した後に、露光、現像および焼成を行って、表面が平
坦な１．５μｍの厚さのポリイミドからなる第２の保護絶縁膜１０８を形成する。
第２の保護絶縁膜１０８を設けることで、薄膜トランジスタ１４１及び１４２の構造によ
り生じる凹凸を緩和し、上面を平坦にすることができる。なお、樹脂層に限定されず、上
面が平坦となる方法（スピンコーティング法またはリフロー法など）により形成すること
ができるものであればよい。
次いで、第１の保護絶縁膜１０７をエッチングにより開口し、薄膜トランジスタ１４２の
ドレイン電極２１４ｂに達するコンタクトホール１２５を形成する。
また、薄膜トランジスタ１４１において、バックゲート電極１２９を第１のボトムゲート
電極１１１と接続する場合は、バックゲート電極１２９となる導電膜を形成する前に、第
２の保護絶縁膜１０８、第１の保護絶縁膜１０７及びゲート絶縁膜１０２の図示されてい
ない所定の箇所に開口部を設けておく。
次いで、第２の保護絶縁膜１０８上に可視光を透過する導電膜を形成する。可視光を透過
する導電膜としては、第１のボトムゲート電極１１１及び第２のボトムゲート電極２１１
と同様の導電膜を適用することができる。また、バックゲート電極１２９と画素電極１２
８を同じ材料とすることで工程を簡略にできる。
次いで、第６のフォトリソグラフィ工程を行い、該導電膜上にレジストマスクを形成し、
エッチングにより不要な部分を除去してバックゲート電極１２９と画素電極１２８を含む
配線層を形成する。バックゲート電極１２９及び画素電極１２８を含む配線層を選択的に
エッチングして所望の上面形状にする際に、第２の保護絶縁膜１０８はエッチングストッ
パーとして機能する。
なお、バックゲート電極１２９は、ソース電極及びドレイン電極間の第３の酸化物半導体
層１１３ｃが第１のチャネル保護層１１６と重なる領域を覆って配置されていれば良く、
バックゲート電極１２９の幅を短くすれば寄生容量を低減できる。
また、画素電極１２８は薄膜トランジスタ１４２のドレイン電極２１４ｂとコンタクトホ
ール１２５を介して接続する（図３（Ｃ）を参照）。
また、窒素雰囲気下または大気雰囲気下（大気中）において薄膜トランジスタ１４１及び
１４２に加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、好ましくは温度３５０℃以下であって、
第１の保護絶縁膜１０７となる絶縁膜を形成した後であればいつでもよい。例えば、窒素
雰囲気下で３５０℃、１時間の加熱処理を行う。該加熱処理を行うと薄膜トランジスタ１
４１及び１４２の電気的特性のばらつきを軽減することができる。
以上の工程を経ることによって図１（Ａ）に示す薄膜トランジスタ１４１及び１４２を形
成することができる。
なお、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）において、チャネル保護層となる絶縁膜を形成する前に
、露出している第２の酸化物半導体層１１３ｂ及び２１３ｂに対して酸素ラジカル処理を
行ってもよい。酸素ラジカル処理を行うことによって、酸化物半導体層の露出面近傍を改
質し、酸素過剰領域とすることができる。酸素ラジカルは、酸素を含むガスを用いてプラ
ズマ発生装置により供給されてもよいし、またはオゾン発生装置により供給されてもよい
。供給された酸素ラジカルまたは酸素を薄膜に照射することによって第２の酸化物半導体
層１１３ｂ及び２１３ｂの表面（バックチャネル部の表面）を改質することができる。ま
た、酸素ラジカル処理に限定されず、アルゴンと酸素のラジカル処理を行ってもよい。ア
ルゴンと酸素のラジカル処理とは、アルゴンガスと酸素ガスを導入してプラズマを発生さ
せて薄膜表面の改質を行うことである。
また、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成した２層からなる積層膜をゲート絶縁膜
１０２に用いた薄膜トランジスタ２１０及び薄膜トランジスタ２２０の構成を図７に示す
。酸化物半導体層に接するゲート絶縁膜１０２ｂが酸化シリコン膜である場合、チャネル
保護層を酸化シリコン膜から形成する際、ゲート絶縁膜１０２ｂがエッチングされ、ゲー
ト絶縁膜１０２ｂの島状の酸化物半導体層に重なる領域の膜厚より、ゲート絶縁膜１０２
ｂの島状の酸化物半導体層に重ならない領域の膜厚は薄くなる。
薄膜トランジスタ２１０及び２２０はゲート絶縁膜１０２と第１の保護絶縁膜１０７が互
いに接し、またゲート絶縁膜１０２と第１の保護絶縁膜１０７を同じ無機絶縁膜材料を用
いて形成することができる。薄膜トランジスタ２１０及び２２０の周囲を囲んで、同じ無
機絶縁膜同士が接する構造とすることで、薄膜トランジスタの封止状態がより良好な状態
にできる。同種の無機絶縁膜同士を接する構造とする場合、上述の無機絶縁膜を用いるこ
とができるが、特に窒化シリコン膜は不純物のバリア性に優れているため好ましい。
また、画素電極１２８を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成しても
よい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、
製造コストを低減できる。
以上の工程により、７枚のフォトマスクを用いて、同一基板上に薄膜トランジスタ１４１
及び薄膜トランジスタ１４２、もしくは薄膜トランジスタ２１０及び薄膜トランジスタ２
２０を作り分けて形成できる。
バックゲート電極１２９を第３の酸化物半導体層１１３ｃのチャネル形成領域と重なる位
置に設けることによって、薄膜トランジスタの信頼性を調べるためのバイアス−熱ストレ
ス試験（以下、ＢＴ試験という）において、ＢＴ試験前後における薄膜トランジスタ１４
１のしきい値電圧の変化量を低減することができる。また、バックゲート電極１２９の電
位は、ボトムゲート電極１１１と同じでもよいし、異なっていても良い。また、バックゲ
ート電極１２９の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いはフローティング状態であってもよい。
本実施の形態の薄膜トランジスタが有するチャネル形成領域の半導体層は高抵抗化領域で
あるので、薄膜トランジスタの電気的特性は安定化し、オフ電流の増加などを防止するこ
とができる。よって、電気的特性が良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体
装置とすることが可能となる。
また、薄膜トランジスタ１４１及び１４２、並びに薄膜トランジスタ２１０及び２２０に
おいて、ソース電極及びドレイン電極が接するソース領域及びドレイン領域に第４の酸化
物半導体領域が形成されているため、コンタクト抵抗が抑制され、高いオン電流が得られ
る。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態２）
本実施の形態は、本発明の一態様であって実施の形態１とは異なる薄膜トランジスタおよ
びその作製方法について説明する。
図４（Ａ）に、本発明の一態様である薄膜トランジスタ１４３及び１４４の断面図を示す
。薄膜トランジスタ１４３及び１４４は同一の基板１００上に形成され、どちらもボトム
ゲート型の薄膜トランジスタである。薄膜トランジスタ１４３は駆動回路に配置され、薄
膜トランジスタ１４４は画素に配置されている。
図４（Ｃ１）は駆動回路に配置されるチャネルストップ型の薄膜トランジスタ１４３の平
面図であり、図４（Ａ）は図４（Ｃ１）の線Ｃ１−Ｃ２における断面図である。また、図
４（Ｂ）は、図４（Ｃ１）の線Ｃ３−Ｃ４における断面図である。
また、図４（Ｃ２）は画素に配置されるチャネルストップ型の薄膜トランジスタ１４４の
平面図であり、図４（Ａ）は図４（Ｃ２）の線Ｄ１−Ｄ２における断面図である。また、
図４（Ｂ）は、図４（Ｃ２）の線Ｄ３−Ｄ４における断面図である。
薄膜トランジスタ１４３は、基板１００上に設けた、第１のボトムゲート電極１１１と、
ゲート絶縁膜１０２と、第３の酸化物半導体層１１３ｃと、第１のチャネル保護層１１６
と、ソース電極およびドレイン電極を有する。なお、ソース電極およびドレイン電極は、
第１の導電層１１４ａ上に第２の導電層１１５ａを積層した導電層と、第１の導電層１１
４ｂ上に第２の導電層１１５ｂを積層した導電層を用いて形成されている。更には、第１
のチャネル保護層１１６に接してこれらを覆う第１の保護絶縁膜１０７と第２の保護絶縁
膜１０８と、第２の保護絶縁膜１０８上に設けられ、第３の酸化物半導体層１１３ｃと重
畳するバックゲート電極１２９が設けられている。また、本実施の形態にて説明する薄膜
トランジスタ１４３は、チャネルストップ型の一態様である。
また、液晶表示装置において、同一基板上に画素部と駆動回路を形成する場合、駆動回路
において、インバータ回路、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路、ラッチ回路といった論理ゲート
を構成する薄膜トランジスタや、センスアンプ、定電圧発生回路、ＶＣＯといったアナロ
グ回路を構成する薄膜トランジスタは、ソース電極とドレイン電極間に正極性のみ、もし
くは負極性のみが印加される。従って、第３の酸化物半導体層１１３ｃの耐圧が要求され
るソース電極とドレイン電極のいずれか一方の幅をもう一方の幅よりも広く設計してもよ
い。また、第３の酸化物半導体層１１３ｃがボトムゲート電極と重なる幅を広くしてもよ
い。
また、駆動回路に配置される薄膜トランジスタ１４３はシングルゲート構造の薄膜トラン
ジスタを用いて説明したが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート
構造の薄膜トランジスタも形成することができる。
また、第３の酸化物半導体層１１３ｃの上方に重なるバックゲート電極１２９を設ける。
バックゲート電極１２９をボトムゲート電極１１１と電気的に接続し、同電位とすること
で、ボトムゲート電極１１１とバックゲート電極１２９の間に配置された第３の酸化物半
導体層１１３ｃに上下からゲート電圧を印加することができる。また、ボトムゲート電極
１１１とバックゲート電極１２９を異なる電位、例えば固定電位、ＧＮＤ、０Ｖとする場
合には、ＴＦＴの電気特性、例えばしきい値電圧などを制御することができる。なお、本
明細書中では、第３の酸化物半導体層１１３ｃの上方に重なって形成される導電層を、そ
の電位にかかわらずバックゲート電極１２９と呼ぶ。したがって、バックゲート電極１２
９はフローティング状態であってもよい。
また、バックゲート電極１２９と第３の酸化物半導体層１１３ｃの間には第１の保護絶縁
膜１０７と、第２の保護絶縁膜１０８とを積層する。
薄膜トランジスタ１４４は、基板１００上に設けた、第２のボトムゲート電極２１１と、
ゲート絶縁膜１０２と、第３の酸化物半導体層２１３ｃと、第２のチャネル保護層２１６
と、ソース電極およびドレイン電極（２１４ａ、２１４ｂ）を有する。更には、第２のチ
ャネル保護層２１６に接してこれらを覆う第１の保護絶縁膜１０７と第２の保護絶縁膜１
０８が設けられている。従って、本実施の形態にて説明する薄膜トランジスタ１４４は、
チャネルストップ型の一態様である。なお、第２の保護絶縁膜１０８上に薄膜トランジス
タ１４４と重畳する画素電極１２８が設けられている。
ただし、液晶表示装置は、液晶の劣化を防ぐため、交流駆動が行われている。この交流駆
動により、一定の期間毎に画素電極層に印加する信号電位の極性が正極性或いは負極性に
反転する。画素電極層に接続するＴＦＴは、一対の電極が交互にソース電極とドレイン電
極の役割を果たす。本明細書では、便宜上、画素の薄膜トランジスタの一方をソース電極
と呼び、もう一方をドレイン電極と呼ぶが、実際には、交流駆動の際に一方の電極が交互
にソース電極とドレイン電極として機能する。また、リーク電流の低減を図るため、画素
に配置する薄膜トランジスタ１４４の第２のボトムゲート電極の幅を駆動回路の薄膜トラ
ンジスタ１４３の第１のボトムゲート電極の幅よりも狭くしてもよい。また、リーク電流
の低減を図るため、画素に配置する薄膜トランジスタ１４４のボトムゲート電極がソース
電極またはドレイン電極と重ならないように設計してもよい。
また、画素に配置される薄膜トランジスタ１４４はシングルゲート構造の薄膜トランジス
タを用いて説明したが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造
の薄膜トランジスタも形成することができる。
また、薄膜トランジスタ１４４は、可視光を透過する第３の酸化物半導体層２１３ｃと、
可視光を透過する導電膜を用いた第２のボトムゲート電極２１１及びソース電極およびド
レイン電極（２１４ａ、２１４ｂ）と、可視光を透過する基板１００と、可視光を透過す
る第２のチャネル保護層２１６と、第１の保護絶縁膜１０７と、第２の保護絶縁膜１０８
を用いている。従って、薄膜トランジスタ１４４は可視光を透過するいわゆる透明トラン
ジスタである。
チャネル形成領域を含む酸化物半導体層の材料としては、半導体特性を有する酸化物材料
を用いればよい。具体的には実施の形態１で例示した酸化物半導体材料を用いることがで
きる。
なお、本実施の形態の薄膜トランジスタは、第３の酸化物半導体層（１１３ｃ、２１３ｃ
）をチャネル形成領域に有する。
図５及び図６に薄膜トランジスタ１４３及び１４４の作製工程の断面図を示す。なお、絶
縁表面を有する基板１００上に第１のボトムゲート電極１１１及び第２のボトムゲート電
極２１１を形成し、第１のボトムゲート電極１１１及び第２のボトムゲート電極２１１を
覆うゲート絶縁膜１０２を形成し、ゲート絶縁膜１０２を覆う酸化物半導体膜を形成する
工程までは実施の形態１と同一であるため、ここでは詳細な説明は省略し、図２（Ａ）と
同じ箇所には同一の符号を用いて説明する。
ゲート絶縁膜１０２上に、第１の酸化物半導体膜を実施の形態１と同様に形成する。
次いで、第２のフォトリソグラフィ工程を行い、第１の酸化物半導体膜上にレジストマス
クを形成し、第１の酸化物半導体膜をエッチングして、島状の酸化物半導体層１１３ａ及
び２１３ａを形成する。なお、ここでのエッチングは、ウェットエッチングに限定されず
ドライエッチングを用いてもよい（図５（Ａ）を参照）。
次いで、実施の形態１と同様に第１の酸化物半導体層１１３ａ及び２１３ａの第１の加熱
処理を行う。第１の酸化物半導体層１１３ａ及び２１３ａは、不活性ガス雰囲気下或いは
減圧下における加熱処理および徐冷によって、低抵抗化され、それぞれ低抵抗化された第
２の酸化物半導体層１１３ｂ及び２１３ｂとすることができる（図５（Ｂ）を参照）。
次いで、実施の形態１と同様に第２の酸化物半導体層１１３ｂ及び２１３ｂに接して、チ
ャネル保護層となる絶縁膜を形成する。
本実施の形態では、チャネル保護層となる絶縁膜としてスパッタ法を用いて厚さ３００ｎ
ｍの酸化シリコン膜を形成する。
次いで、第３のフォトリソグラフィ工程を行い、チャネル保護層となる絶縁膜上にレジス
トマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して第１のチャネル保護層１１６
及び第２のチャネル保護層２１６を形成する。
本実施の形態では、酸素ガス、Ｎ２Ｏガス雰囲気下、又は、超乾燥エア（露点が−４０℃
以下、好ましくは−６０℃以下）２００℃以上４００℃以下、好ましくは２００℃以上３
００℃以下の条件で、第２の加熱処理を施す。例えば、酸素雰囲気下で２５０℃、１時間
の第２の加熱処理を行う。
第２の酸化物半導体層１１３ｂ及び２１３ｂは全体に高抵抗化する（図５（Ｃ）を参照）
。
次いで、実施の形態１と同様にゲート絶縁膜１０２、第３の酸化物半導体層１１３ｃ及び
２１３ｃ上に可視光を透過する導電膜を形成し、その上に金属導電膜を積層して形成する
。
次いで、第４のフォトリソグラフィ工程を行い、該導電膜上にレジストマスク１３４を形
成し、エッチングにより該導電膜及び可視光を透過する導電膜の不要な部分を除去して、
ソース電極及びドレイン電極を含む導電層（１１４ａ、１１４ｂ、１１５ａ、１１５ｂ、
２１４ａ、２１４ｂ、２１５ａ、２１５ｂ）を形成する（図６（Ａ）を参照）。
このエッチングにおいて、第１のチャネル保護層１１６及び第２のチャネル保護層２１６
は第３の酸化物半導体層１１３ｃ及び２１３ｃのエッチングストッパーとして機能するた
め、第３の酸化物半導体層１１３ｃ及び２１３ｃはエッチングされない。
第３の酸化物半導体層１１３ｃ及び２１３ｃのチャネル形成領域上に接して第１のチャネ
ル保護層１１６及び第２のチャネル保護層２１６を設ける構造であるため、第３の酸化物
半導体層１１３ｃ及び２１３ｃのチャネル形成領域を工程時におけるダメージ（エッチン
グ時のプラズマやエッチング剤による膜減りや、酸化など）から保護できる。従って、薄
膜トランジスタ１４３及び１４４の信頼性を向上させることができる。
レジストマスク１３４を除去した後、第５のフォトリソグラフィ工程を行い、ソース電極
及びドレイン電極（１１５ａ及び１１５ｂ）を含む配線層と、薄膜トランジスタ１４３を
覆うレジストマスク１３５を形成する。次に、レジストマスク１３５を用い、エッチング
により不要な導電層（２１５ａ、２１５ｂ）を除去して、透光性を有するソース電極及び
ドレイン電極（２１４ａ及び２１４ｂ）を形成する。
次いで、レジストマスク１３５を除去して、この段階で薄膜トランジスタ１４３及び１４
４が形成される（図６（Ｂ）を参照）。
次に、第１のチャネル保護層１１６及び第２のチャネル保護層２１６上に実施の形態１と
同様に第１の保護絶縁膜１０７を形成する。絶縁性無機材料を用いて単層でまたは積層し
て形成する。
本実施の形態では、第１の保護絶縁膜１０７としてスパッタ法を用いて厚さ３００ｎｍの
酸化シリコン膜を形成し、さらに窒化シリコンを積層する。
次に、実施の形態１と同様に薄膜トランジスタ１４３及び１４４を覆う第２の保護絶縁膜
１０８を第１の保護絶縁膜１０７上に形成する。
第２の保護絶縁膜１０８は、第１の保護絶縁膜１０７を介して、第１のチャネル保護層１
１６及び第２のチャネル保護層２１６と、ソース電極及びドレイン電極（１１５ａ、１１
５ｂ、２１４ａ、２１４ｂ）を覆う。
次いで、第１の保護絶縁膜１０７をエッチングにより開口し、薄膜トランジスタ１４４の
ドレイン電極２１４ｂに達するコンタクトホール１２５を形成する。
また、薄膜トランジスタ１４３において、バックゲート電極１２９を第１のボトムゲート
電極１１１と接続する場合は、バックゲート電極１２９となる導電膜を形成する前に、第
２の保護絶縁膜１０８、第１の保護絶縁膜１０７及びゲート絶縁膜１０２の図示されてい
ない所定の箇所に開口部を設けておく。
次いで、実施の形態１と同様に、第２の保護絶縁膜１０８上に可視光を透過する導電膜を
形成し、エッチングにより不要な部分を除去してバックゲート電極１２９と画素電極１２
８を含む配線層を形成する。
なお、バックゲート電極１２９は、ソース電極及びドレイン電極間の第３の酸化物半導体
層１１３ｃの第１のチャネル保護層１１６と重なる領域を覆って配置すれば良く、バック
ゲート電極１２９の幅を短くすれば寄生容量を低減できる。
また、画素電極１２８は薄膜トランジスタ１４４のドレイン電極２１４ｂとコンタクトホ
ール１２５を介して接続する（図６（Ｃ）を参照）。
また、窒素雰囲気下または大気雰囲気下（大気中）において薄膜トランジスタ１４３及び
１４４に加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、好ましくは温度３５０℃以下であって、
第１の保護絶縁膜１０７となる絶縁膜を形成した後であればいつでもよい。例えば、窒素
雰囲気下で３５０℃、１時間の加熱処理を行う。該加熱処理を行うと薄膜トランジスタ１
４３及び１４４の電気的特性のばらつきを軽減することができる。
以上の工程を経ることによって図４（Ａ）に示す薄膜トランジスタ１４３及び１４４を形
成することができる。
なお、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）において、チャネル保護層となる絶縁膜を形成する前に
、実施の形態１と同様に露出している第２の酸化物半導体層１１３ｂ及び２１３ｂに対し
て酸素ラジカル処理を行ってもよい。
また、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜を積層したゲート絶縁膜１０２を用いた薄膜トラ
ンジスタ１４５及び１４６の構成を図８に示す。酸化シリコン膜からチャネル保護層１１
６及び２１６を形成する際、ゲート絶縁膜１０２の酸化シリコン膜がエッチングされるた
め、島状の酸化物半導体層に重なる酸化シリコン膜の膜厚に比べ、他の領域の膜厚は薄く
なる。
また、画素電極１２８を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成しても
よい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、
製造コストを低減できる。
以上の工程により、７枚のフォトマスクを用いて、同一基板上に薄膜トランジスタ１４３
及び薄膜トランジスタ１４４、もしくは薄膜トランジスタ１４５及び薄膜トランジスタ１
４６を作り分けて形成できる。
バックゲート電極１２９を第３の酸化物半導体層１１３ｃのチャネル形成領域と重なる位
置に設けることによって、薄膜トランジスタの信頼性を調べるためのバイアス−熱ストレ
ス試験（以下、ＢＴ試験という）において、ＢＴ試験前後における薄膜トランジスタ１４
３のしきい値電圧の変化量を低減することができる。また、バックゲート電極１２９の電
位は、ボトムゲート電極１１１と同じでもよいし、異なっていても良い。また、バックゲ
ート電極１２９の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いはフローティング状態であってもよい。
本実施の形態の薄膜トランジスタが有するチャネル形成領域の半導体層は高抵抗化領域で
あるので、薄膜トランジスタの電気的特性は安定化し、オフ電流の増加などを防止するこ
とができる。よって、電気的特性が良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体
装置とすることが可能となる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に示したアクティブマトリクス基板を用いて、アクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置を作製する一例を示す。
アクティブマトリクス基板の断面構造の一例を図９（Ａ）に示す。
実施の形態１では、同一基板上に駆動回路の薄膜トランジスタと画素部の薄膜トランジス
タを図示したが、本実施の形態では、それら薄膜トランジスタに加え、保持容量、ゲート
配線（ゲート配線層ともいう）、ソース配線（ソース配線層ともいう）の端子部も図示し
て説明する。容量、ゲート配線、ソース配線の端子部は、実施の形態１に示す作製工程と
同じ工程で形成することができ、フォトマスク枚数の増加や、工程数の増加することなく
作製することができる。また、画素部の表示領域となる部分においては、ゲート配線、ソ
ース配線、及び容量配線層は全て透光性を有する導電膜で形成されており、高い開口率を
実現している。また、表示領域でない部分のソース配線層は、配線抵抗を低抵抗とするた
め金属配線を用いることができる。
図９（Ａ）において、薄膜トランジスタ２１０は、駆動回路に設けられるチャネルストッ
プ型の薄膜トランジスタであり、画素電極層２２７と電気的に接続する薄膜トランジスタ
２２０は、画素部に設けられるチャネルストップ型の薄膜トランジスタである。
基板２００上方に形成される薄膜トランジスタ２２０として、本実施の形態では、実施の
形態１の薄膜トランジスタ２２０と同じ構造を用いる。なお、第１の保護絶縁層２０３は
単層であっても積層であってもよい。
薄膜トランジスタ２２０のゲート電極層と同じ透光性を有する材料、及び同じ工程で形成
される容量配線層２３０は、誘電体となる第１のゲート絶縁層２０２ａ、第２のゲート絶
縁層２０２ｂを介して容量電極２３１と重なり、保持容量を形成する。なお、容量電極２
３１は、薄膜トランジスタ２２０のソース電極層またはドレイン電極層と同じ透光性を有
する材料、及び同じ工程で形成される。従って、薄膜トランジスタ２２０が透光性を有し
ていることに加え、それぞれの保持容量も透光性を有するため、開口率を向上させること
ができる。
保持容量が透光性を有することは、開口率を向上させる上で重要である。特に１０インチ
以下の小型の液晶表示パネルにおいて、ゲート配線の本数を増やすなどして表示画像の高
精細化を図るため、画素寸法を微細化しても、高い開口率を実現することができる。また
、薄膜トランジスタ２２０及び保持容量の構成部材に透光性を有する膜を用いることで、
広視野角を実現するため、１画素を複数のサブピクセルに分割しても高い開口率を実現す
ることができる。即ち、高密度の薄膜トランジスタ群を配置しても開口率を大きくとるこ
とができ、表示領域の面積を十分に確保することができる。例えば、一つの画素内に２〜
４個のサブピクセル及び保持容量を有する場合、薄膜トランジスタが透光性を有している
ことに加え、それぞれの保持容量も透光性を有するため、開口率を向上させることができ
る。
なお、保持容量は、画素電極層２２７の下方に設けられ、容量電極２３１が画素電極層２
２７と電気的に接続される。
本実施の形態では、容量電極２３１、及び容量配線層２３０を用いて保持容量を形成する
例を示したが、保持容量を形成する構造については特に限定されない。例えば、容量配線
層を設けず、画素電極層を隣り合う画素のゲート配線と平坦化絶縁層、保護絶縁層、及び
第１のゲート絶縁層及び第２のゲート絶縁層を介して重ねて保持容量を形成してもよい。
また、ゲート配線、ソース配線、及び容量配線層は画素密度に応じて複数本設けられるも
のである。また、端子部においては、ゲート配線と同電位の第１の端子電極、ソース配線
と同電位の第２の端子電極、容量配線層と同電位の第３の端子電極などが複数並べられて
配置される。それぞれの端子電極の数は、それぞれ任意な数で設ければ良いものとし、実
施者が適宣決定すれば良い。
端子部において、ゲート配線と同電位の第１の端子電極は、画素電極層２２７と同じ透光
性を有する材料で形成することができる。第１の端子電極は、ゲート配線に達するコンタ
クトホールを介してゲート配線と電気的に接続される。ゲート配線に達するコンタクトホ
ールは、薄膜トランジスタ２２０のドレイン電極層と、画素電極層２２７とを電気的に接
続するためのコンタクトホールと同じフォトマスクを用い、第２の保護絶縁層２０４、第
１の保護絶縁層２０３、第２のゲート絶縁層２０２ｂ、及び第１のゲート絶縁層２０２ａ
を選択的にエッチングして形成する。
また、駆動回路に配置される薄膜トランジスタ２１０のゲート電極層は、酸化物半導体層
の上方に設けられた導電層２１７と電気的に接続させる構造としてもよい。その場合には
、薄膜トランジスタ２２０のドレイン電極層と、画素電極層２２７とを電気的に接続する
ためのコンタクトホールと同じフォトマスクを用い、第２の保護絶縁層２０４、第１の保
護絶縁層２０３、第２のゲート絶縁層２０２ｂ、及び第１のゲート絶縁層２０２ａを選択
的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介して導電層
２１７と駆動回路に配置される薄膜トランジスタ２１０のゲート電極層とを電気的に接続
する。
また、駆動回路のソース配線２３４と同電位の第２の端子電極２３５は、画素電極層２２
７と同じ透光性を有する材料で形成することができる。第２の端子電極２３５は、ソース
配線２３４に達するコンタクトホールを介してソース配線と電気的に接続される。ソース
配線は金属配線であり、薄膜トランジスタ２１０のソース電極層と同じ材料、同じ工程で
形成され、同電位である。
また、容量配線層２３０と同電位の第３の端子電極は、画素電極層２２７と同じ透光性を
有する材料で形成することができる。また、容量配線層２３０に達するコンタクトホール
は、容量電極２３１が画素電極層２２７と電気的に接続するためのコンタクトホール２２
４と同じフォトマスク、同じ工程で形成することができる。
また、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を作製する場合には、アクティブマトリク
ス基板と、対向電極（対向電極層ともいう）が設けられた対向基板との間に液晶層を設け
、アクティブマトリクス基板と対向基板とを固定する。なお、対向基板に設けられた対向
電極と電気的に接続する共通電極をアクティブマトリクス基板上に設け、共通電極と電気
的に接続する第４の端子電極を端子部に設ける。この第４の端子電極は、共通電極を固定
電位、例えばＧＮＤ、０Ｖなどに設定するための端子である。第４の端子電極は、画素電
極層２２７と同じ透光性を有する材料で形成することができる。
また、薄膜トランジスタ２２０のソース電極層と薄膜トランジスタ２１０のソース電極層
とを電気的に接続する構成は特に限定されず、例えば、薄膜トランジスタ２２０のソース
電極層と薄膜トランジスタ２１０のソース電極層を接続する接続電極を画素電極層２２７
と同じ工程で形成してもよい。また、表示領域でない部分において、薄膜トランジスタ２
２０のソース電極層と薄膜トランジスタ２１０のソース電極層を接触して重ねる構成とし
てもよい。
なお、駆動回路のゲート配線層２３２の断面構造を図９（Ａ）に示している。本実施の形
態は、１０インチ以下の小型の液晶表示パネルの例であるため、駆動回路のゲート配線層
２３２は、薄膜トランジスタ２２０のゲート電極層と同じ透光性を有する材料を用いてい
る。
また、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層、画素電極層、またはその他の電極
層や、その他の配線層に同じ材料を用いれば共通のスパッタターゲットや共通の製造装置
を用いることができ、その材料コスト及びエッチング時に使用するエッチャント（または
エッチングガス）に要するコストを低減することができ、結果として製造コストを削減す
ることができる。
また、図９（Ａ）の構造において、第２の保護絶縁層２０４として感光性の樹脂材料を用
いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
また、図９（Ｂ）に、図９（Ａ）とは一部異なる断面構造を示す。図９（Ｂ）は、図９（
Ａ）と第２の保護絶縁層２０４が存在しない点以外は同じであるため、同じ箇所には同じ
符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。図９（Ｂ）では、第１の保護絶縁層２０
３上に接して画素電極層２２７、導電層２１７、及び第２の端子電極２３５を形成する。
図９（Ｂ）の構造とすると、第２の保護絶縁層２０４の工程を省略することができる。
本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、液晶表示パネルのサイズが１０インチを超え、６０インチ、さらには
１２０インチとする場合には透光性を有する配線の配線抵抗が問題となる恐れがあるため
、ゲート配線の一部を金属配線として配線抵抗を低減する例を示す。
なお、図１０（Ａ）は図９（Ａ）と同じ箇所には同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明
は省略する。
図１０（Ａ）は、駆動回路のゲート配線の一部を金属配線とし、薄膜トランジスタ２１０
のゲート電極層と同じ透光性を有する配線と接して形成する例である。なお、金属配線を
形成するため、実施の形態３に比べ、フォトマスクの数は増える。
まず、基板２００上に脱水化または脱水素化のための第１の加熱処理に耐えることのでき
る耐熱性導電性材料膜（膜厚１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下）を形成する。
本実施の形態では、膜厚３７０ｎｍのタングステン膜と膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜を
形成する。ここでは導電膜を窒化タンタル膜とタングステン膜との積層としたが、特に限
定されず、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または上述した元素を
成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜、または上述した元素を成分とす
る窒化物で形成する。耐熱性導電性材料膜は、上述した元素を含む単層に限定されず、二
層以上の積層を用いることができる。
第１のフォトリソグラフィ工程により金属配線を形成し、第１の金属配線層２３６と第２
の金属配線層２３７を形成する。タングステン膜及び窒化タンタル膜のエッチングにはＩ
ＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）
エッチング法を用いると良い。ＩＣＰエッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の
電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適
宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。第１の
金属配線層２３６と第２の金属配線層２３７をテーパー形状とすることで上に接して形成
する透光性を有する導電膜の成膜不良を低減することができる。
次いで、透光性を有する導電膜を形成した後、第２のフォトリソグラフィ工程によりゲー
ト配線層２３８、薄膜トランジスタ２１０のゲート電極層、薄膜トランジスタ２２０のゲ
ート電極層及び容量配線層２３０を形成する。透光性を有する導電膜は、実施の形態１に
記載の可視光に対して透光性を有する導電材料を用いる。
なお、透光性を有する導電膜の材料によっては、例えば、ゲート配線層２３８が第１の金
属配線層２３６または第２の金属配線層２３７に接する界面があると、後の熱処理などに
よって酸化膜が形成され、接触抵抗が高くなる恐れがあるため、第２の金属配線層２３７
は第１の金属配線層２３６の酸化を防ぐ窒化金属膜を用いることが好ましい。
次いで、実施の形態１と同じ工程でゲート絶縁層、酸化物半導体層などを形成する。以降
の工程は、実施の形態１に従ってアクティブマトリクス基板を作製する。
また、本実施の形態では、第２の保護絶縁層２０４を形成した後、フォトマスクを用いて
端子部の平坦化絶縁層を選択的に除去する例を示す。端子部においては、平坦化絶縁層が
存在しないほうが、ＦＰＣとの良好な接続を行う上で好ましい。
図１０（Ａ）では、第２の端子電極２３５は、第１の保護絶縁層２０３上に形成される。
また、図１０（Ａ）では、第２の金属配線層２３７の一部と重なるゲート配線層２３８を
示したが、第１の金属配線層２３６及び第２の金属配線層２３７の全部を覆うゲート配線
層としてもよい。即ち、第１の金属配線層２３６及び第２の金属配線層２３７は、ゲート
配線層２３８を低抵抗化するための補助配線と呼ぶことができる。
また、端子部において、ゲート配線と同電位の第１の端子電極は、第１の保護絶縁層２０
３上に形成され、第２の金属配線層２３７と電気的に接続する。端子部から引き回す配線
も金属配線で形成する。
また、表示領域でない部分のゲート配線層、容量配線層は、配線抵抗を低抵抗とするため
金属配線、即ち、第１の金属配線層２３６及び第２の金属配線層２３７を補助配線として
用いることもできる。
また、図１０（Ｂ）に、図１０（Ａ）とは一部異なる断面構造を示す。図１０（Ｂ）は、
図１０（Ａ）と駆動回路の薄膜トランジスタのゲート電極層の材料が異なる点以外は同じ
であるため、同じ箇所には同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
図１０（Ｂ）は、駆動回路の薄膜トランジスタのゲート電極層を金属配線とする例である
。駆動回路においては、ゲート電極層は透光性を有する材料に限定されない。
図１０（Ｂ）において、駆動回路の薄膜トランジスタ２４０は第１の金属配線層２４２上
に第２の金属配線層２４１が積層されたゲート電極層を含む。なお、第１の金属配線層２
４２は、第１の金属配線層２３６と同じ材料、同じ工程で形成することができる。また、
第２の金属配線層２４１は、第２の金属配線層２３７と同じ材料、同じ工程で形成するこ
とができる。
また、第１の金属配線層２４２を導電層２１７と電気的に接続する場合、第１の金属配線
層２４２の酸化を防ぐための第２の金属配線層２４１が窒化金属膜であることが好ましい
。
本実施の形態では、金属配線を一部用いて配線抵抗を低減し、液晶表示パネルのサイズが
１０インチを超え、６０インチ、さらには１２０インチとする場合であっても表示画像の
高精細化を図り、高い開口率を実現することができる。
本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、保持容量の構成について、実施の形態３と異なる例を図１１（Ａ）及
び図１１（Ｂ）に示す。図１１（Ａ）は、図９（Ａ）と保持容量の構成が異なる点以外は
同じであるため、同じ箇所には同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。なお
、図１１（Ａ）では画素に配置される薄膜トランジスタ２２０と保持容量の断面構造を示
す。
図１１（Ａ）は、誘電体を酸化物絶縁層からなるチャネル保護層２１６、第１の保護絶縁
層２０３、及び第２の保護絶縁層２０４とし、画素電極層２２７と、該画素電極層２２７
と重なる容量配線層２５０とで保持容量を形成する例である。容量配線層２５０は、画素
に配置される薄膜トランジスタ２２０のソース電極層と同じ透光性を有する材料、及び同
じ工程で形成されるため、薄膜トランジスタ２２０のソース配線層と重ならないようにレ
イアウトされる。
図１１（Ａ）に示す保持容量は、一対の電極及び誘電体が透光性を有しており、保持容量
全体として透光性を有する。
また、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）と異なる保持容量の構成の例である。図１１（Ｂ）
も、図１１（Ａ）と保持容量の構成が異なる点以外は同じであるため、同じ箇所には同じ
符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
図１１（Ｂ）は、誘電体を第１のゲート絶縁層２０２ａ及び第２のゲート絶縁層２０２ｂ
とし、容量配線層２３０と、該容量配線層２３０と重なる、酸化物半導体層２５１と容量
電極２３１との積層で保持容量を形成する例である。また、容量電極２３１は酸化物半導
体層２５１に接して積層されており、保持容量の一方の電極として機能する。なお、酸化
物半導体層２５１は、薄膜トランジスタ２２０のソース電極またはドレイン電極と同じ透
光性を有する材料、同じ工程で形成する。また、容量配線層２３０は、薄膜トランジスタ
２２０のゲート電極と同じ透光性を有する材料、同じ工程で形成されるため、薄膜トラン
ジスタ２２０のゲート配線層と重ならないようにレイアウトされる。
また、容量電極２３１は画素電極層２２７と電気的に接続されている。
図１１（Ｂ）に示す保持容量も、一対の電極及び誘電体が透光性を有しており、保持容量
全体として透光性を有する。
図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示す保持容量は、透光性を有しており、ゲート配線の本
数を増やすなどして表示画像の高精細化を図るため、画素寸法を微細化しても、十分な容
量を得ることができ、且つ、高い開口率を実現することができる。
本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜ト
ランジスタを作製する例について以下に説明する。
画素部に配置する薄膜トランジスタは、実施の形態１又は２に従って形成する。また、実
施の形態１又は２に示す薄膜トランジスタはｎチャネル型ＴＦＴであるため、駆動回路の
うち、ｎチャネル型ＴＦＴで構成することができる駆動回路の一部を画素部の薄膜トラン
ジスタと同一基板上に形成する。
アクティブマトリクス型表示装置のブロック図の一例を図１６（Ａ）に示す。表示装置の
基板５３００上には、画素部５３０１、第１の走査線駆動回路５３０２、第２の走査線駆
動回路５３０３、信号線駆動回路５３０４を有する。画素部５３０１には、複数の信号線
が信号線駆動回路５３０４から延伸して配置され、複数の走査線が第１の走査線駆動回路
５３０２、及び第２の走査線駆動回路５３０３から延伸して配置されている。なお走査線
と信号線との交差領域には、各々、表示素子を有する画素がマトリクス状に配置されてい
る。また、表示装置の基板５３００はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉ
ｒｃｕｉｔ）等の接続部を介して、タイミング制御回路５３０５（コントローラ、制御Ｉ
Ｃともいう）に接続されている。
図１６（Ａ）では、第１の走査線駆動回路５３０２、第２の走査線駆動回路５３０３、信
号線駆動回路５３０４は、画素部５３０１と同じ基板５３００上に形成される。そのため
、外部に設ける駆動回路等の部品の数が減るので、コストの低減を図ることができる。ま
た、基板５３００外部に駆動回路を設けた場合の配線を延伸させることによる接続部での
接続数を減らすことができ、信頼性の向上、又は歩留まりの向上を図ることができる。
なお、タイミング制御回路５３０５は、第１の走査線駆動回路５３０２に対し、一例とし
て、第１の走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ１）（スタートパルスともいう）、走
査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ１）を供給する。また、タイミング制御回路５３０
５は、第２の走査線駆動回路５３０３に対し、一例として、第２の走査線駆動回路用スタ
ート信号（ＧＳＰ２）、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ２）を供給する。信号線
駆動回路５３０４に、信号線駆動回路用スタート信号（ＳＳＰ）、信号線駆動回路用クロ
ック信号（ＳＣＫ）、ビデオ信号用データ（ＤＡＴＡ）（単にビデオ信号ともいう）、ラ
ッチ信号（ＬＡＴ）を供給するものとする。なお各クロック信号は、周期のずれた複数の
クロック信号でもよいし、クロック信号を反転させた信号（ＣＫＢ）とともに供給される
ものであってもよい。なお、第１の走査線駆動回路５３０２と第２の走査線駆動回路５３
０３との一方を省略することが可能である。
図１６（Ｂ）では、駆動周波数が低い回路（例えば、第１の走査線駆動回路５３０２、第
２の走査線駆動回路５３０３）を画素部５３０１と同じ基板５３００に形成し、信号線駆
動回路５３０４を画素部５３０１とは別の基板に形成する構成について示している。当該
構成により、単結晶半導体を用いたトランジスタと比較すると電界効果移動度が小さい薄
膜トランジスタによって、基板５３００に形成する駆動回路を構成することができる。し
たがって、表示装置の大型化、工程数の削減、コストの低減、又は歩留まりの向上などを
図ることができる。
また、実施の形態１又は２に示す薄膜トランジスタは、ｎチャネル型ＴＦＴである。図１
７（Ａ）、図１７（Ｂ）ではｎチャネル型ＴＦＴで構成する信号線駆動回路の構成、動作
について一例を示し説明する。
信号線駆動回路は、シフトレジスタ５６０１、及びスイッチング回路５６０２を有する。
スイッチング回路５６０２は、スイッチング回路５６０２＿１〜５６０２＿Ｎ（Ｎは自然
数）という複数の回路を有する。スイッチング回路５６０２＿１〜５６０２＿Ｎは、各々
、薄膜トランジスタ５６０３＿１〜５６０３＿ｋ（ｋは自然数）という複数のトランジス
タを有する。薄膜トランジスタ５６０３＿１〜５６０３＿ｋが、Ｎチャネル型ＴＦＴであ
る例を説明する。
信号線駆動回路の接続関係について、スイッチング回路５６０２＿１を例にして説明する
。薄膜トランジスタ５６０３＿１〜５６０３＿ｋの第１端子は、各々、配線５６０４＿１
〜５６０４＿ｋと接続される。薄膜トランジスタ５６０３＿１〜５６０３＿ｋの第２端子
は、各々、信号線Ｓ１〜Ｓｋと接続される。薄膜トランジスタ５６０３＿１〜５６０３＿
ｋのゲートは、配線５６０５＿１と接続される。
シフトレジスタ５６０１は、配線５６０５＿１〜５６０５＿Ｎに順番にＨレベル（Ｈ信号
、高電源電位レベル、ともいう）の信号を出力し、スイッチング回路５６０２＿１〜５６
０２＿Ｎを順番に選択する機能を有する。
スイッチング回路５６０２＿１は、配線５６０４＿１〜５６０４＿ｋと信号線Ｓ１〜Ｓｋ
との導通状態（第１端子と第２端子との間の導通）を制御する機能、即ち配線５６０４＿
１〜５６０４＿ｋの電位を信号線Ｓ１〜Ｓｋに供給するか否かを制御する機能を有する。
このように、スイッチング回路５６０２＿１は、セレクタとしての機能を有する。また薄
膜トランジスタ５６０３＿１〜５６０３＿ｋは、各々、配線５６０４＿１〜５６０４＿ｋ
と信号線Ｓ１〜Ｓｋとの導通状態を制御する機能、即ち配線５６０４＿１〜５６０４＿ｋ
の電位を信号線Ｓ１〜Ｓｋに供給する機能を有する。このように、薄膜トランジスタ５６
０３＿１〜５６０３＿ｋは、各々、スイッチとしての機能を有する。
なお、配線５６０４＿１〜５６０４＿ｋには、各々、ビデオ信号用データ（ＤＡＴＡ）が
入力される。ビデオ信号用データ（ＤＡＴＡ）は、画像情報又は画像信号に応じたアナロ
グ信号である場合が多い。
次に、図１７（Ａ）の信号線駆動回路の動作について、図１７（Ｂ）のタイミングチャー
トを参照して説明する。図１７（Ｂ）には、信号Ｓｏｕｔ＿１〜Ｓｏｕｔ＿Ｎ、及び信号
Ｖｄａｔａ＿１〜Ｖｄａｔａ＿ｋの一例を示す。信号Ｓｏｕｔ＿１〜Ｓｏｕｔ＿Ｎは、各
々、シフトレジスタ５６０１の出力信号の一例であり、信号Ｖｄａｔａ＿１〜Ｖｄａｔａ
＿ｋは、各々、配線５６０４＿１〜５６０４＿ｋに入力される信号の一例である。なお、
信号線駆動回路の１動作期間は、表示装置における１ゲート選択期間に対応する。１ゲー
ト選択期間は、一例として、期間Ｔ１〜期間ＴＮに分割される。期間Ｔ１〜ＴＮは、各々
、選択された行に属する画素にビデオ信号用データ（ＤＡＴＡ）を書き込むための期間で
ある。
期間Ｔ１〜期間ＴＮにおいて、シフトレジスタ５６０１は、Ｈレベルの信号を配線５６０
５＿１〜５６０５＿Ｎに順番に出力する。例えば、期間Ｔ１において、シフトレジスタ５
６０１は、ハイレベルの信号を配線５６０５＿１に出力する。すると、薄膜トランジスタ
５６０３＿１〜５６０３＿ｋはオンになるので、配線５６０４＿１〜５６０４＿ｋと、信
号線Ｓ１〜Ｓｋとが導通状態になる。このとき、配線５６０４＿１〜５６０４＿ｋには、
Ｄａｔａ（Ｓ１）〜Ｄａｔａ（Ｓｋ）が入力される。Ｄａｔａ（Ｓ１）〜Ｄａｔａ（Ｓｋ
）は、各々、薄膜トランジスタ５６０３＿１〜５６０３＿ｋを介して、選択される行に属
する画素のうち、１列目〜ｋ列目の画素に書き込まれる。こうして、期間Ｔ１〜ＴＮにお
いて、選択された行に属する画素に、ｋ列ずつ順番にビデオ信号用データ（ＤＡＴＡ）が
書き込まれる。
以上のように、ビデオ信号用データ（ＤＡＴＡ）が複数の列ずつ画素に書き込まれること
によって、ビデオ信号用データ（ＤＡＴＡ）の数、又は配線の数を減らすことができる。
よって、外部回路との接続数を減らすことができる。また、ビデオ信号が複数の列ずつ画
素に書き込まれることによって、書き込み時間を長くすることができ、ビデオ信号の書き
込み不足を防止することができる。
なお、シフトレジスタ５６０１及びスイッチング回路５６０２としては、実施の形態１又
は２に示す薄膜トランジスタで構成される回路を用いることが可能である。この場合、シ
フトレジスタ５６０１が有する全てのトランジスタの極性をＮチャネル型、又はＰチャネ
ル型のいずれかの極性のみで構成することができる。
走査線駆動回路及び／または信号線駆動回路の一部に用いるシフトレジスタの一形態につ
いて図１８及び図１９を用いて説明する。
走査線駆動回路は、シフトレジスタを有している。また場合によってはレベルシフタやバ
ッファ等を有していても良い。走査線駆動回路において、シフトレジスタにクロック信号
（ＣＫ）及びスタートパルス信号（ＳＰ）が入力されることによって、選択信号が生成さ
れる。生成された選択信号はバッファにおいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給され
る。走査線には、１ライン分の画素のトランジスタのゲート電極が接続されている。そし
て、１ライン分の画素のトランジスタを一斉にＯＮにしなくてはならないので、バッファ
は大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
シフトレジスタは、第１のパルス出力回路１０＿１乃至第Ｎのパルス出力回路１０＿Ｎ（
Ｎは３以上の自然数）を有している（図１８（Ａ）参照）。図１８（Ａ）に示すシフトレ
ジスタの第１のパルス出力回路１０＿１乃至第Ｎのパルス出力回路１０＿Ｎには、第１の
配線１１より第１のクロック信号ＣＫ１、第２の配線１２より第２のクロック信号ＣＫ２
、第３の配線１３より第３のクロック信号ＣＫ３、第４の配線１４より第４のクロック信
号ＣＫ４が供給される。また第１のパルス出力回路１０＿１では、第５の配線１５からの
スタートパルスＳＰ１（第１のスタートパルス）が入力される。また２段目以降の第ｎの
パルス出力回路１０＿ｎ（ｎは、２以上Ｎ以下の自然数）では、一段前段のパルス出力回
路からの信号（前段信号ＯＵＴ（ｎ−１）という）（ｎは２以上の自然数）が入力される
。また第１のパルス出力回路１０＿１では、２段後段の第３のパルス出力回路１０＿３か
らの信号が入力される。同様に、２段目以降の第ｎのパルス出力回路１０＿ｎでは、２段
後段の第（ｎ＋２）のパルス出力回路１０＿（ｎ＋２）からの信号（後段信号ＯＵＴ（ｎ
＋２）という）が入力される。従って各段のパルス出力回路からは、後段及び／または二
つ前段のパルス出力回路に入力するための第１の出力信号（ＯＵＴ（１）（ＳＲ）〜ＯＵ
Ｔ（Ｎ）（ＳＲ））、別の配線等に入力される第２の出力信号（ＯＵＴ（１）〜ＯＵＴ（
Ｎ））が出力される。なお、図１８（Ａ）に示すように、シフトレジスタの最終段の２つ
の段には、後段信号ＯＵＴ（ｎ＋２）が入力されないため、一例としては、別途第２のス
タートパルスＳＰ２、第３のスタートパルスＳＰ３をそれぞれ入力する構成とすればよい
。
なお、クロック信号（ＣＫ）は、一定の間隔でＨレベルとＬレベル（Ｌ信号、低電源電位
レベル、ともいう）を繰り返す信号である。ここで、第１のクロック信号（ＣＫ１）〜第
４のクロック信号（ＣＫ４）は、順に１／４周期分遅延している。本実施の形態では、第
１のクロック信号（ＣＫ１）〜第４のクロック信号（ＣＫ４）を利用して、パルス出力回
路の駆動の制御等を行う。なお、クロック信号は、入力される駆動回路に応じて、ＧＣＫ
、ＳＣＫということもあるが、ここではＣＫとして説明を行う。
第１の入力端子２１、第２の入力端子２２及び第３の入力端子２３は、第１の配線１１〜
第４の配線１４のいずれかと電気的に接続されている。例えば、図１８（Ａ）において、
第１のパルス出力回路１０＿１は、第１の入力端子２１が第１の配線１１と電気的に接続
され、第２の入力端子２２が第２の配線１２と電気的に接続され、第３の入力端子２３が
第３の配線１３と電気的に接続されている。また、第２のパルス出力回路１０＿２は、第
１の入力端子２１が第２の配線１２と電気的に接続され、第２の入力端子２２が第３の配
線１３と電気的に接続され、第３の入力端子２３が第４の配線１４と電気的に接続されて
いる。
第１のパルス出力回路１０＿１〜第Ｎのパルス出力回路１０＿Ｎの各々は、第１の入力端
子２１、第２の入力端子２２、第３の入力端子２３、第４の入力端子２４、第５の入力端
子２５、第１の出力端子２６、第２の出力端子２７を有しているとする（図１８（Ｂ）参
照）。第１のパルス出力回路１０＿１において、第１の入力端子２１に第１のクロック信
号ＣＫ１が入力され、第２の入力端子２２に第２のクロック信号ＣＫ２が入力され、第３
の入力端子２３に第３のクロック信号ＣＫ３が入力され、第４の入力端子２４にスタート
パルスが入力され、第５の入力端子２５に後段信号ＯＵＴ（３）が入力され、第１の出力
端子２６より第１の出力信号ＯＵＴ（１）（ＳＲ）が出力され、第２の出力端子２７より
第２の出力信号ＯＵＴ（１）が出力されていることとなる。
なお第１のパルス出力回路１０＿１〜第Ｎのパルス出力回路１０＿Ｎは、３端子の薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒともいう）の他に、上
記実施の形態で説明した４端子の薄膜トランジスタを用いることができる。なお、本明細
書において、薄膜トランジスタが半導体層を介して二つのゲート電極を有する場合、半導
体層より下方のゲート電極を下方のゲート電極、半導体層に対して上方のゲート電極を上
方のゲート電極とも呼ぶ。
酸化物半導体を薄膜トランジスタのチャネル形成領域を含む半導体層に用いた場合、製造
工程により、しきい値電圧がマイナス側、或いはプラス側にシフトすることがある。その
ため、チャネル形成領域を含む半導体層に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタでは、
しきい値電圧の制御を行うことのできる構成が好適である。４端子の薄膜トランジスタの
しきい値電圧は、上方及び／または下方のゲート電極の電位を制御することにより所望の
値に制御することができる。
次に、図１８（Ｂ）に示したパルス出力回路の具体的な回路構成の一例について、図１８
（Ｃ）で説明する。
図１８（Ｃ）に示したパルス出力回路は、第１のトランジスタ３１〜第１３のトランジス
タ４３を有している。また、上述した第１の入力端子２１〜第５の入力端子２５、及び第
１の出力端子２６、第２の出力端子２７に加え、第１の高電源電位ＶＤＤが供給される電
源線５１、第２の高電源電位ＶＣＣが供給される電源線５２、低電源電位ＶＳＳが供給さ
れる電源線５３から、第１のトランジスタ３１〜第１３のトランジスタ４３に信号、また
は電源電位が供給される。ここで図１８（Ｃ）における各電源線の電源電位の大小関係は
、第１の電源電位ＶＤＤは第２の電源電位ＶＣＣ以上の電位とし、第２の電源電位ＶＣＣ
は第３の電源電位ＶＳＳより大きい電位とする。なお、第１のクロック信号（ＣＫ１）〜
第４のクロック信号（ＣＫ４）は、一定の間隔でＨレベルとＬレベルを繰り返す信号であ
るが、ＨレベルのときＶＤＤ、ＬレベルのときＶＳＳであるとする。なお電源線５１の電
位ＶＤＤを、電源線５２の電位ＶＣＣより高くすることにより、動作に影響を与えること
なく、トランジスタのゲート電極に印加される電位を低く抑えることができ、トランジス
タのしきい値のシフトを低減し、劣化を抑制することができる。なお、第１のトランジス
タ３１〜第１３のトランジスタ４３のうち、第１のトランジスタ３１、第６のトランジス
タ３６乃至第９のトランジスタ３９には、４端子の薄膜トランジスタを用いることが好ま
しい。第１のトランジスタ３１、第６のトランジスタ３６乃至第９のトランジスタ３９の
動作は、ソースまたはドレインとなる電極の一方が接続されたノードの電位を、ゲート電
極の制御信号によって切り替えることが求められるトランジスタであり、ゲート電極に入
力される制御信号に対する応答が速い（オン電流の立ち上がりが急峻）ことでよりパルス
出力回路の誤動作を低減することができるトランジスタである。そのため、４端子の薄膜
トランジスタを用いることによりしきい値電圧を制御することができ、誤動作がより低減
できるパルス出力回路とすることができる。
図１８（Ｃ）において、第１のトランジスタ３１は、第１端子が電源線５１に電気的に接
続され、第２端子が第９のトランジスタ３９の第１端子に電気的に接続され、ゲート電極
が第４の入力端子２４に電気的に接続されている。第２のトランジスタ３２は、第１端子
が電源線５３に電気的に接続され、第２端子が第９のトランジスタ３９の第１端子に電気
的に接続され、ゲート電極が第４のトランジスタ３４のゲート電極に電気的に接続されて
いる。第３のトランジスタ３３は、第１端子が第１の入力端子２１に電気的に接続され、
第２端子が第１の出力端子２６に電気的に接続されている。第４のトランジスタ３４は、
第１端子が電源線５３に電気的に接続され、第２端子が第１の出力端子２６に電気的に接
続されている。第５のトランジスタ３５は、第１端子が電源線５３に電気的に接続され、
第２端子が第２のトランジスタ３２のゲート電極及び第４のトランジスタ３４のゲート電
極に電気的に接続され、ゲート電極が第４の入力端子２４に電気的に接続されている。第
６のトランジスタ３６は、第１端子が電源線５２に電気的に接続され、第２端子が第２の
トランジスタ３２のゲート電極及び第４のトランジスタ３４のゲート電極に電気的に接続
され、ゲート電極が第５の入力端子２５に電気的に接続されている。第７のトランジスタ
３７は、第１端子が電源線５２に電気的に接続され、第２端子が第８のトランジスタ３８
の第２端子に電気的に接続され、ゲート電極が第３の入力端子２３に電気的に接続されて
いる。第８のトランジスタ３８は、第１端子が第２のトランジスタ３２のゲート電極及び
第４のトランジスタ３４のゲート電極に電気的に接続され、ゲート電極が第２の入力端子
２２に電気的に接続されている。第９のトランジスタ３９は、第１端子が第１のトランジ
スタ３１の第２端子及び第２のトランジスタ３２の第２端子に電気的に接続され、第２端
子が第３のトランジスタ３３のゲート電極及び第１０のトランジスタ４０のゲート電極に
電気的に接続され、ゲート電極が電源線５２に電気的に接続されている。第１０のトラン
ジスタ４０は、第１端子が第１の入力端子２１に電気的に接続され、第２端子が第２の出
力端子２７に電気的に接続され、ゲート電極が第９のトランジスタ３９の第２端子に電気
的に接続されている。第１１のトランジスタ４１は、第１端子が電源線５３に電気的に接
続され、第２端子が第２の出力端子２７に電気的に接続され、ゲート電極が第２のトラン
ジスタ３２のゲート電極及び第４のトランジスタ３４のゲート電極に電気的に接続されて
いる。第１２のトランジスタ４２は、第１端子が電源線５３に電気的に接続され、第２端
子が第２の出力端子２７に電気的に接続され、ゲート電極が第７のトランジスタ３７のゲ
ート電極に電気的に接続されている。第１３のトランジスタ４３は、第１端子が電源線５
３に電気的に接続され、第２端子が第１の出力端子２６に電気的に接続され、ゲート電極
が第７のトランジスタ３７のゲート電極に電気的に接続されている。
図１８（Ｃ）において、第３のトランジスタ３３のゲート電極、第１０のトランジスタ４
０のゲート電極、及び第９のトランジスタ３９の第２端子の接続箇所をノードＡとする。
また、第２のトランジスタ３２のゲート電極、第４のトランジスタ３４のゲート電極、第
５のトランジスタ３５の第２端子、第６のトランジスタ３６の第２端子、第８のトランジ
スタ３８の第１端子、及び第１１のトランジスタ４１のゲート電極の接続箇所をノードＢ
とする。
図１９（Ａ）に、図１８（Ｃ）で説明したパルス出力回路を第１のパルス出力回路１０＿
１に適用した場合に、第１の入力端子２１乃至第５の入力端子２５と第１の出力端子２６
及び第２の出力端子２７に入力または出力される信号を示している。
具体的には、第１の入力端子２１に第１のクロック信号ＣＫ１が入力され、第２の入力端
子２２に第２のクロック信号ＣＫ２が入力され、第３の入力端子２３に第３のクロック信
号ＣＫ３が入力され、第４の入力端子２４にスタートパルスが入力され、第５の入力端子
２５に後段信号ＯＵＴ（３）が入力され、第１の出力端子２６より第１の出力信号ＯＵＴ
（１）（ＳＲ）が出力され、第２の出力端子２７より第２の出力信号ＯＵＴ（１）が出力
される。
なお、薄膜トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの
端子を有する素子である。また、ゲートと重畳した領域にチャネル領域が形成される半導
体を有しており、ゲートの電位を制御することで、チャネル領域を介してドレインとソー
スの間に流れる電流を制御することが出来る。ここで、ソースとドレインとは、薄膜トラ
ンジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインである
かを限定することが困難である。そこで、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソ
ースもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１
端子、第２端子と表記する場合がある。
なお図１８（Ｃ）、図１９（Ａ）において、ノードＡを浮遊状態とすることによりブート
ストラップ動作を行うための、容量素子を別途設けても良い。またノードＢの電位を保持
するため、一方の電極をノードＢに電気的に接続した容量素子を別途設けてもよい。
ここで、図１９（Ａ）に示したパルス出力回路を複数具備するシフトレジスタのタイミン
グチャートについて図１９（Ｂ）に示す。なおシフトレジスタが走査線駆動回路である場
合、図１９（Ｂ）中の期間６１は垂直帰線期間であり、期間６２はゲート選択期間に相当
する。
なお、図１９（Ａ）に示すように、ゲートに第２の電源電位ＶＣＣが印加される第９のト
ランジスタ３９を設けておくことにより、ブートストラップ動作の前後において、以下の
ような利点がある。
ゲート電極に第２の電源電位ＶＣＣが印加される第９のトランジスタ３９がない場合、ブ
ートストラップ動作によりノードＡの電位が上昇すると、第１のトランジスタ３１の第２
端子であるソースの電位が上昇していき、第１の電源電位ＶＤＤより大きくなる。そして
、第１のトランジスタ３１のソースが第１端子側、即ち電源線５１側に切り替わる。その
ため、第１のトランジスタ３１においては、ゲートとソースの間、ゲートとドレインの間
ともに、大きなバイアス電圧が印加されるために大きなストレスがかかり、トランジスタ
の劣化の要因となりうる。そこで、ゲート電極に第２の電源電位ＶＣＣが印加される第９
のトランジスタ３９を設けておくことにより、ブートストラップ動作によりノードＡの電
位は上昇するものの、第１のトランジスタ３１の第２端子の電位の上昇を生じないように
することができる。つまり、第９のトランジスタ３９を設けることにより、第１のトラン
ジスタ３１のゲートとソースの間に印加される負のバイアス電圧の値を小さくすることが
できる。よって、本実施の形態の回路構成とすることにより、第１のトランジスタ３１の
ゲートとソースの間に印加される負のバイアス電圧も小さくできるため、ストレスによる
第１のトランジスタ３１の劣化を抑制することができる。
なお、第９のトランジスタ３９を設ける箇所については、第１のトランジスタ３１の第２
端子と第３のトランジスタ３３のゲートとの間に第１端子と第２端子を介して接続される
ように設ける構成であればよい。なお、本実施形態でのパルス出力回路を複数具備するシ
フトレジスタの場合、走査線駆動回路より段数の多い信号線駆動回路では、第９のトラン
ジスタ３９を省略してもよく、トランジスタ数を削減することが利点である。
なお第１のトランジスタ３１乃至第１３のトランジスタ４３の半導体層として、酸化物半
導体を用いることにより、薄膜トランジスタのオフ電流を低減すると共に、オン電流及び
電界効果移動度を高めることが出来ると共に、劣化の度合いを低減することが出来るため
、回路内の誤動作を低減することができる。また酸化物半導体を用いたトランジスタは、
アモルファスシリコンを用いたトランジスタに比べ、ゲート電極に高電位が印加されるこ
とによるトランジスタの劣化の程度が小さい。そのため、第２の電源電位ＶＣＣを供給す
る電源線に、第１の電源電位ＶＤＤを供給しても同様の動作が得られ、且つ回路間を引き
回す電源線の数を低減することができるため、回路の小型化を図ることが出来る。
なお、第７のトランジスタ３７のゲート電極に第３の入力端子２３によって供給されるク
ロック信号、第８のトランジスタ３８のゲート電極に第２の入力端子２２によって供給さ
れるクロック信号は、第７のトランジスタ３７のゲート電極に第２の入力端子２２によっ
て供給されるクロック信号、第８のトランジスタ３８のゲート電極に第３の入力端子２３
によって供給されるクロック信号となるように、結線関係を入れ替えても同様の作用を奏
する。なお、図１９（Ａ）に示すシフトレジスタにおいて、第７のトランジスタ３７及び
第８のトランジスタ３８が共にオンの状態から、第７のトランジスタ３７がオフ、第８の
トランジスタ３８がオンの状態、次いで第７のトランジスタ３７がオフ、第８のトランジ
スタ３８がオフの状態とすることによって、第２の入力端子２２及び第３の入力端子２３
の電位が低下することで生じる、ノードＢの電位の低下が第７のトランジスタ３７のゲー
ト電極の電位の低下、及び第８のトランジスタ３８のゲート電極の電位の低下に起因して
２回生じることとなる。一方、図１９（Ａ）に示すシフトレジスタを図１９（Ｂ）の期間
のように、第７のトランジスタ３７及び第８のトランジスタ３８が共にオンの状態から、
第７のトランジスタ３７がオン、第８のトランジスタ３８がオフの状態、次いで、第７の
トランジスタ３７がオフ、第８のトランジスタ３８がオフの状態とすることによって、第
２の入力端子２２及び第３の入力端子２３の電位が低下することで生じるノードＢの電位
の低下を、第８のトランジスタ３８のゲート電極の電位の低下による一回に低減すること
ができる。そのため、第７のトランジスタ３７のゲート電極に第３の入力端子２３によっ
て供給されるクロック信号、第８のゲート電極に第２の入力端子２２によって供給される
クロック信号として、ノードＢの電位の変動を小さくすることで、ノイズを低減すること
が出来るため好適である。
このように、第１の出力端子２６及び第２の出力端子２７の電位をＬレベルに保持する期
間に、ノードＢに定期的にＨレベルの信号が供給される構成とすることにより、パルス出
力回路の誤動作を抑制することができる。
（実施の形態７）
薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表
示機能を有する半導体装置（表示装置ともいう）を作製することができる。また、薄膜ト
ランジスタを用いて駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、シ
ステムオンパネルを形成することができる。
表示装置は表示素子を含む。表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光
素子（発光表示素子ともいう）を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬ等が含まれる。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラ
を含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該表示装置を作製する
過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は
、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的に
は、表示素子の画素電極（画素電極層ともいう）のみが形成された状態であっても良いし
、画素電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の
状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒ
ｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り
付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回
路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
半導体装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図１２を用いて
説明する。図１２（Ａ１）（Ａ２）は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１、及び液晶
素子４０１３を、第１の基板４００１と第２の基板４００６との間にシール材４００５に
よって封止した、パネルの平面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ１）（Ａ２）のＭ
−Ｎにおける断面図に相当する。
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲む
ようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回
路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査
線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６
とによって、液晶層４００８と共に封止されている。また第１の基板４００１上のシール
材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、
ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図１２（Ａ１）
は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図１２（Ａ２）は、
ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、
薄膜トランジスタを複数有しており、図１２（Ｂ）では、画素部４００２に含まれる薄膜
トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれる薄膜トランジスタ４０１１
とを例示している。薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上には保護絶縁層４０２０、４
０２１が設けられている。
薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、実施の形態１又は２で示した酸化物半導体層を
含む信頼性の高い薄膜トランジスタを適用することができる。駆動回路用の薄膜トランジ
スタ４０１１としては、実施の形態１又は２で示した薄膜トランジスタ１４１、１４３、
画素用の薄膜トランジスタ４０１０としては、薄膜トランジスタ１４２、１４４を用いる
ことができる。本実施の形態において、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１はｎチャネ
ル型薄膜トランジスタである。
絶縁層４０２１上において、駆動回路用の薄膜トランジスタ４０１１の酸化物半導体層の
チャネル形成領域と重なる位置にバックゲート電極４０４０が設けられている。バックゲ
ート電極４０４０を酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによっ
て、ＢＴ試験前後における薄膜トランジスタ４０１１のしきい値電圧の変化量を低減する
ことができる。また、バックゲート電極４０４０は、電位が薄膜トランジスタ４０１１の
ゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第２のゲート電極層として機能さ
せることもできる。また、バックゲート電極４０４０の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いはフロ
ーティング状態であってもよい。
また、液晶素子４０１３が有する画素電極層４０３０は、薄膜トランジスタ４０１０と電
気的に接続されている。そして液晶素子４０１３の対向電極層４０３１は第２の基板４０
０６上に形成されている。画素電極層４０３０と対向電極層４０３１と液晶層４００８と
が重なっている部分が、液晶素子４０１３に相当する。なお、画素電極層４０３０、対向
電極層４０３１はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層４０３２、４０３３が設けられ、
絶縁層４０３２、４０３３を介して液晶層４００８を挟持している。
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性基板を用いることがで
き、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶ
Ｆ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサ４０３５
であり、画素電極層４０３０と対向電極層４０３１との間の距離（セルギャップ）を制御
するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。また、対向電極層
４０３１は、薄膜トランジスタ４０１０と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に
接続される。共通接続部を用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して対向電
極層４０３１と共通電位線とを電気的に接続することができる。なお、導電性粒子はシー
ル材４００５に含有させる。
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つで
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層４００８に
用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１ｍｓｅｃ
以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
なお透過型液晶表示装置の他に、半透過型液晶表示装置でも適用できる。
また、液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設け、内側に着色層（カラー
フィルター）、表示素子に用いる電極層という順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内
側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光
板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、表示部以外にブ
ラックマトリクスとして機能する遮光膜を設けてもよい。
薄膜トランジスタ４０１１はチャネル保護層として絶縁層４０４２が形成されている。４
０４２は実施の形態１で示したチャネル保護層１１６、２１６と同様な材料及び方法で形
成すればよい。また、薄膜トランジスタの表面凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機
能する絶縁層４０２１で覆う構成となっている。ここでは、絶縁層４０４１、４０４２と
して、実施の形態１で例示したスパッタ法により酸化珪素膜を形成する。
また、絶縁層４０４１、４０４２上に保護絶縁層４０２０が形成されている。保護絶縁層
４０２０は実施の形態１で示した保護絶縁膜１０７と同様な材料及び方法で形成すればよ
い。ここでは、絶縁層４０２０として、ＰＣＶＤ法により窒化珪素膜を形成する。
また、平坦化絶縁膜として絶縁層４０２１を形成する。絶縁層４０２１としては、実施の
形態１で示した保護絶縁膜１０８と同様な材料及び方法で形成すればよく、ポリイミド、
アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を
用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロ
キサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることが
できる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層４０２
１を形成してもよい。
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓ
ｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばアルキ
ル基やアリール基）やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。
絶縁層４０２１の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法
、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン
印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイ
フコーター等を用いることができる。絶縁層４０２１の焼成工程と半導体層のアニールを
兼ねることで効率よく半導体装置を作製することが可能となる。
画素電極層４０３０、対向電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いることができる。
また、画素電極層４０３０、対向電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリマー
ともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形
成した画素電極は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率
が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗
率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例え
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４
００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
接続端子電極４０１５が、液晶素子４０１３が有する画素電極層４０３０と同じ導電膜か
ら形成され、端子電極４０１６は、薄膜トランジスタ４０１１のソース電極層及びドレイ
ン電極層と同じ導電膜で形成されている。
接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介し
て電気的に接続されている。
また図１２においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実
装している例を示しているがこの構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実
装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して
実装しても良い。
図２１は、本明細書に開示する作製方法により作製されるＴＦＴ基板２６００を用いて半
導体装置として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
図２１は液晶表示モジュールの一例であり、ＴＦＴ基板２６００と対向基板２６０１がシ
ール材２６０２により固着され、その間にＴＦＴ等を含む画素部２６０３、液晶層を含む
表示素子２６０４、着色層２６０５が設けられ表示領域を形成している。着色層２６０５
はカラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。ＴＦＴ基板２６００と対向基板２６０１の
外側には偏光板２６０６、偏光板２６０７、拡散板２６１３が配設されている。光源は冷
陰極管２６１０と反射板２６１１により構成され、回路基板２６１２は、フレキシブル配
線基板２６０９によりＴＦＴ基板２６００の配線回路部２６０８と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
液晶表示モジュールには、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉ
ｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａ
ｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇ
ｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ
Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い液晶表示パネルを作製することができ
る。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態８）
半導体装置の一形態として電子ペーパーの例を示す。
スイッチング素子と電気的に接続する素子を利用して電子インクを駆動させる電子ペーパ
ーに用いてもよい。電子ペーパーは、電気泳動表示装置（電気泳動ディスプレイ）とも呼
ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とす
ることが可能という利点を有している。
電気泳動ディスプレイは、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第１の粒
子と、マイナスの電荷を有する第２の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に
複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロ
カプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示す
るものである。なお、第１の粒子または第２の粒子は染料を含み、電界がない場合におい
て移動しないものである。また、第１の粒子の色と第２の粒子の色は異なるもの（無色を
含む）とする。
このように、電気泳動ディスプレイは、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、
いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。なお、電気泳動ディスプレイは
、液晶表示装置には必要な偏光板は必要ない。
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、こ
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
また、アクティブマトリクス基板上に適宜、二つの電極の間に挟まれるように上記マイク
ロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカプ
セルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施の形態１又は２の薄膜ト
ランジスタによって得られるアクティブマトリクス基板を用いることができる。
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
図２０は、半導体装置の例としてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを示す。半導体
装置に用いられる薄膜トランジスタ５８１としては、実施の形態１で示す薄膜トランジス
タと同様に作製でき、酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また
、実施の形態２乃至４で示す薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ５８１として
適用することもできる。
図２０の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイス
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第１の電極層及び第２の電極層の間に配置し、第１の電極層及び第２の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
基板５８０上に形成された薄膜トランジスタ５８１はボトムゲート構造の薄膜トランジス
タであり、絶縁層５８３に覆われている。薄膜トランジスタ５８１のソース電極層又はド
レイン電極層は第１の電極層５８７と、絶縁層５８３及び絶縁層５８５に形成する開口で
接しており電気的に接続している。第１の電極層５８７と基板５９６上に形成された第２
の電極層５８８との間には、黒色領域５９０ａ及び白色領域５９０ｂを有し、周りに液体
で満たされているキャビティ５９４を含む球形粒子５８９が設けられており、球形粒子５
８９の周囲は樹脂等の充填材５９５で充填されている。第１の電極層５８７が画素電極に
相当し、第２の電極層５８８が共通電極に相当する。第２の電極層５８８は、薄膜トラン
ジスタ５８１と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続される。共通接続部を
用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して第２の電極層５８８と共通電位線
とを電気的に接続することができる。
また、ツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能である。透明な液体
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径１０μｍ〜２０
０μｍ程度のマイクロカプセルを用いる。第１の電極層と第２の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第１の電極層と第２の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、電気泳動表示素子を用いたデバイス
は一般的に電子ペーパーとよばれている。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反
射率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示
部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一
度表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置
（単に表示装置、又は表示装置を具備する半導体装置ともいう）を遠ざけた場合であって
も、表示された像を保存しておくことが可能となる。
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い電子ペーパーを作製することができる
。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態９）
半導体装置として発光表示装置の例を示す。表示装置の有する表示素子としては、ここで
はエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を用いて示す。エレクトロルミネッセン
スを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって
区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。
図１４は、半導体装置の例としてデジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示
す図である。
デジタル時間階調駆動を適用可能な画素の構成及び画素の動作について説明する。ここで
は酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるｎチャネル型のトランジスタを１つの画素
に２つ用いる例を示す。
画素６４００は、スイッチング用トランジスタ６４０１、発光素子駆動用トランジスタ６
４０２、発光素子６４０４及び容量素子６４０３を有している。スイッチング用トランジ
スタ６４０１はゲートが走査線６４０６に接続され、第１電極（ソース電極及びドレイン
電極の一方）が信号線６４０５に接続され、第２電極（ソース電極及びドレイン電極の他
方）が発光素子駆動用トランジスタ６４０２のゲートに接続されている。発光素子駆動用
トランジスタ６４０２は、ゲートが容量素子６４０３を介して電源線６４０７に接続され
、第１電極が電源線６４０７に接続され、第２電極が発光素子６４０４の第１電極（画素
電極）に接続されている。発光素子６４０４の第２電極は共通電極６４０８に相当する。
共通電極６４０８は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
なお、発光素子６４０４の第２電極（共通電極６４０８）には低電源電位が設定されてい
る。なお、低電源電位とは、電源線６４０７に設定される高電源電位を基準にして低電源
電位＜高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖなどが設
定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子６４０４に印加
して、発光素子６４０４に電流を流して発光素子６４０４を発光させるため、高電源電位
と低電源電位との電位差が発光素子６４０４の順方向しきい値電圧以上となるようにそれ
ぞれの電位を設定する。なお、共通電極６４０８に高電源電位、電源線６４０７に低電源
電位が設定されていても良い。その場合、発光素子６４０４に流れる電流が逆になるため
、発光素子６４０４の構成を適宜変更してもよい。
なお、容量素子６４０３は発光素子駆動用トランジスタ６４０２のゲート容量を代用して
省略することも可能である。発光素子駆動用トランジスタ６４０２のゲート容量について
は、チャネル領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
ここで、電圧入力電圧駆動方式の場合には、発光素子駆動用トランジスタ６４０２のゲー
トには、発光素子駆動用トランジスタ６４０２が十分にオンするか、オフするかの二つの
状態となるようなビデオ信号を入力する。つまり、発光素子駆動用トランジスタ６４０２
は線形領域で動作させる。発光素子駆動用トランジスタ６４０２は線形領域で動作させる
ため、電源線６４０７の電圧よりも高い電圧を発光素子駆動用トランジスタ６４０２のゲ
ートにかける。なお、信号線６４０５には、（電源線電圧＋発光素子駆動用トランジスタ
６４０２のＶｔｈ）以上の電圧をかける。
また、デジタル時間階調駆動に代えて、アナログ階調駆動を行う場合、信号の入力を異な
らせることで、図１４と同じ画素構成を用いることができる。
アナログ階調駆動を行う場合、発光素子駆動用トランジスタ６４０２のゲートに発光素子
６４０４の順方向電圧＋発光素子駆動用トランジスタ６４０２のＶｔｈ以上の電圧をかけ
る。発光素子６４０４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少
なくとも順方向しきい値電圧を含む。なお、発光素子駆動用トランジスタ６４０２が飽和
領域で動作するようなビデオ信号を入力することで、発光素子６４０４に電流を流すこと
ができる。発光素子駆動用トランジスタ６４０２を飽和領域で動作させるため、電源線６
４０７の電位は、発光素子駆動用トランジスタ６４０２のゲート電位よりも高くする。ビ
デオ信号をアナログとすることで、発光素子６４０４にビデオ信号に応じた電流を流し、
アナログ階調駆動を行うことができる。
なお、図１４に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図１４に示す画素に新た
にスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。
次に、発光素子の構成について、図１５を用いて説明する。ここでは、発光素子駆動用Ｔ
ＦＴがｎ型であり、また発光素子の有する２つの電極について、上層の電極を陽極、下層
の電極を陰極とした場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図１５（Ａ）
（Ｂ）（Ｃ）の半導体装置に用いられる発光素子駆動用ＴＦＴであるＴＦＴ７００１、７
０１１、７０２１は、実施の形態１で示す画素に配置される薄膜トランジスタと同様に作
製でき、酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態
２乃至４で示す画素に配置される薄膜トランジスタをＴＦＴ７００１、７０１１、７０２
１として適用することもできる。
発光素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよい。そ
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、画素構成はどの射出構造の発
光素子にも適用することができる。
上面射出構造の発光素子について図１５（Ａ）を用いて説明する。
図１５（Ａ）に、発光素子駆動用ＴＦＴであるＴＦＴ７００１がｎ型で、発光素子７００
２から発せられる光が陽極７００５側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図１５（Ａ
）では、発光素子７００２の陰極７００３と発光素子駆動用ＴＦＴであるＴＦＴ７００１
が電気的に接続されており、陰極７００３上に発光層７００４、陽極７００５が順に積層
されている。陰極７００３は仕事関数が小さく、なおかつ光を反射する導電膜であれば様
々の材料を用いることができる。例えば、Ｃａ、Ａｌ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等が望ましい
。そして発光層７００４は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように
構成されていてもどちらでも良い。複数の層で構成されている場合、陰極７００３上に電
子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれ
らの層を全て設ける必要はない。陽極７００５は光を透過する透光性を有する導電性材料
を用いて形成し、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを
含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むイン
ジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物
、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電膜を用いても良い
。
また、陰極７００３と隣り合う画素の陰極７００８の間に、それぞれの端部を覆って隔壁
７００９を設ける。隔壁７００９は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の
有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。隔壁７００９は、
特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁７００９の側面が連続した曲率を持って形成される傾
斜面となるように形成することが好ましい。隔壁７００９として感光性の樹脂材料を用い
る場合、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
陰極７００３及び陽極７００５で発光層７００４を挟んでいる領域が発光素子７００２に
相当する。図１５（Ａ）に示した画素の場合、発光素子７００２から発せられる光は、矢
印で示すように陽極７００５側に射出する。
次に、下面射出構造の発光素子について図１５（Ｂ）を用いて説明する。発光素子駆動用
ＴＦＴ７０１１がｎ型で、発光素子７０１２から発せられる光が陰極７０１３側に射出す
る場合の、画素の断面図を示す。図１５（Ｂ）では、発光素子駆動用ＴＦＴ７０１１と電
気的に接続された透光性を有する導電膜７０１７上に、発光素子７０１２の陰極７０１３
が成膜されており、陰極７０１３上に発光層７０１４、陽極７０１５が順に積層されてい
る。なお、陽極７０１５が透光性を有する場合、陽極７０１５上を覆うように、光を反射
または遮蔽するための遮蔽膜７０１６が成膜されていてもよい。陰極７０１３は、図１５
（Ａ）の場合と同様に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることが
できる。ただしその膜厚は、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）と
する。例えば２０ｎｍの膜厚を有するアルミニウム膜を、陰極７０１３として用いること
ができる。そして発光層７０１４は、図１５（Ａ）と同様に、単数の層で構成されていて
も、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極７０１５は光を
透過する必要はないが、図１５（Ａ）と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成
することができる。そして遮蔽膜７０１６は、例えば光を反射する金属等を用いることが
できるが、金属膜に限定されない。例えば黒の顔料を添加した樹脂等を用いることもでき
る。
また、導電膜７０１７と隣り合う画素の導電膜７０１８の間に、それぞれの端部を覆って
隔壁７０１９を設ける。隔壁７０１９は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ
等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。隔壁７０１９
は、特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁７０１９の側面が連続した曲率を持って形成され
る傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁７０１９として感光性の樹脂材料を
用いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
陰極７０１３及び陽極７０１５で、発光層７０１４を挟んでいる領域が発光素子７０１２
に相当する。図１５（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子７０１２から発せられる光は、
矢印で示すように陰極７０１３側に射出する。
次に、両面射出構造の発光素子について、図１５（Ｃ）を用いて説明する。図１５（Ｃ）
では、発光素子駆動用ＴＦＴ７０２１と電気的に接続された透光性を有する導電膜７０２
７上に、発光素子７０２２の陰極７０２３が成膜されており、陰極７０２３上に発光層７
０２４、陽極７０２５が順に積層されている。陰極７０２３は、図１５（Ａ）の場合と同
様に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしそ
の膜厚は、光を透過する程度とする。例えば２０ｎｍの膜厚を有するＡｌを、陰極７０２
３として用いることができる。そして発光層７０２４は、図１５（Ａ）と同様に、単数の
層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
陽極７０２５は、図１５（Ａ）と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用い
て形成することができる。
また、導電膜７０２７と隣り合う画素の導電膜７０２８の間に、それぞれの端部を覆って
隔壁７０２９を設ける。隔壁７０２９は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ
等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。隔壁７０２９
は、特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁７０２９の側面が連続した曲率を持って形成され
る傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁７０２９として感光性の樹脂材料を
用いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
陰極７０２３と、発光層７０２４と、陽極７０２５とが重なっている部分が発光素子７０
２２に相当する。図１５（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子７０２２から発せられる光
は、矢印で示すように陽極７０２５側と陰極７０２３側の両方に射出する。
なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子について述べたが、発光素子として無機Ｅ
Ｌ素子を設けることも可能である。
なお、発光素子の駆動を制御する薄膜トランジスタ（発光素子駆動用ＴＦＴ）と発光素子
が電気的に接続されている例を示したが、発光素子駆動用ＴＦＴと発光素子との間に電流
制御用ＴＦＴが接続されている構成であってもよい。
なお半導体装置は、図１５に示した構成に限定されるものではなく、本明細書に開示する
技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
次に、半導体装置の一形態に相当する発光表示パネル（発光パネルともいう）の外観及び
断面について、図１３を用いて説明する。図１３（Ａ）は、第１の基板上に形成された薄
膜トランジスタ及び発光素子を、第２の基板との間にシール材によって封止した、パネル
の平面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＨ−Ｉにおける断面図に相当する。
第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０
３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂを囲むようにして、シール材４５０５
が設けられている。また画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び
走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂの上に第２の基板４５０６が設けられている。よ
って画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５
０４ａ、４５０４ｂは、第１の基板４５０１とシール材４５０５と第２の基板４５０６と
によって、充填材４５０７と共に密封されている。このように外気に曝されないように気
密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィル
ム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
また第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４
５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図１３（Ｂ）では、画素部４５０２に含まれる薄膜トランジスタ４５１０と、信
号線駆動回路４５０３ａに含まれる薄膜トランジスタ４５０９とを例示している。
薄膜トランジスタ４５０９、４５１０は、実施の形態１又は２で示した酸化物半導体層を
含む信頼性の高い薄膜トランジスタを適用することができる。駆動回路に配置される薄膜
トランジスタ４５０９としては、実施の形態１又は２で示した薄膜トランジスタ１４１、
１４３、画素に配置される薄膜トランジスタ４５１０としては、薄膜トランジスタ１４２
、１４４を用いることができる。本実施の形態において、薄膜トランジスタ４５０９、４
５１０はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
絶縁層４５４４上において駆動回路用の薄膜トランジスタ４５０９の酸化物半導体層のチ
ャネル形成領域と重なる位置にバックゲート電極４５４０が設けられている。バックゲー
ト電極４５４０を酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって
、ＢＴ試験前後における薄膜トランジスタ４５０９のしきい値電圧の変化量を低減するこ
とができる。また、バックゲート電極４５４０は、電位が薄膜トランジスタ４５０９のゲ
ート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第２のゲート電極層として機能させ
ることもできる。また、バックゲート電極４５４０の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いはフロー
ティング状態であってもよい。
薄膜トランジスタ４５０９は、チャネル保護層として絶縁層４５４１が形成され、薄膜ト
ランジスタ４５１０はチャネル保護層として絶縁層４５４２が形成されている。絶縁層４
５４１、４５４２は実施の形態１で示したチャネル保護層１１６、２１６と同様な材料及
び方法で形成すればよい。また、薄膜トランジスタの表面凹凸を低減するため平坦化絶縁
膜として機能する絶縁層４５４４で覆う構成となっている。ここでは、絶縁層４５４１、
４５４２として、実施の形態１に例示したスパッタ法により酸化珪素膜を形成する。
また、薄膜トランジスタ４５０９、４５１０上には保護絶縁層４５４３が形成されている
。保護絶縁層４５４３は実施の形態１で示した保護絶縁膜１０７と同様な材料及び方法で
形成することができる。ここでは、保護絶縁層４５４３として、ＰＣＶＤ法により窒化珪
素膜を形成する。
また、平坦化絶縁膜として絶縁層４５４４を形成する。絶縁層４５４４としては、実施の
形態１で示した第２の保護絶縁膜１０８と同様な材料及び方法で形成すればよい。ここで
は、絶縁層４５４４としてアクリルを用いる。
また４５１１は発光素子に相当し、発光素子４５１１が有する画素電極である第１の電極
層４５１７は、薄膜トランジスタ４５１０のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子４５１１の構成は、第１の電極層４５１７、電界発光層
４５１２、第２の電極層４５１３の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光
素子４５１１から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４５１１の構成は適宜変え
ることができる。
隔壁４５２０は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。
特に感光性の材料を用い、第１の電極層４５１７上に開口部を形成し、その開口部の側壁
が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
電界発光層４５１２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成
されていてもどちらでも良い。
発光素子４５１１に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層
４５１３及び隔壁４５２０上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。
また、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂ
、または画素部４５０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４５１８ａ、４５１８
ｂから供給されている。
接続端子電極４５１５は、発光素子４５１１が有する第１の電極層４５１７と同じ導電膜
から形成され、端子電極４５１６は、薄膜トランジスタ４５０９が有するソース電極層及
びドレイン電極層と同じ導電膜から形成されている。
接続端子電極４５１５は、ＦＰＣ４５１８ａが有する端子と、異方性導電膜４５１９を介
して電気的に接続されている。
発光素子４５１１からの光の取り出し方向に位置する基板には、第２の基板は透光性でな
ければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまた
はアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
また、充填材４５０７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶ
Ａ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用い
ればよい。
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂは
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、図１３の構成に限定されない。
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い発光表示装置（表示パネル）を作製す
ることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態１０）
本明細書に開示する半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペー
パーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である
。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍（電子ブック）、ポスター、電車などの乗り
物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる
。電子機器の一例を図２２に示す。
図２２は、電子書籍２７００の一例を示している。例えば、電子書籍２７００は、筐体２
７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐体２７
０３は、軸部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸として開閉動作を行
うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる
。
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組み
込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部（図２２では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示部
（図２２では表示部２７０７）に画像を表示することができる。
また、図２２では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２
７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカ２７２５などを備えている
。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側
面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳＢケ
ーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成と
してもよい。さらに、電子書籍２７００は、電子辞書としての機能を持たせた構成として
もよい。
また、電子書籍２７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
（実施の形態１１）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型
ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられ
る。
図２３（Ａ）は、テレビジョン装置９６００の一例を示している。テレビジョン装置９６
００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１
を支持した構成を示している。
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機９６１０により行うことができる。リモコン操作機９６１０が備える操作キー
９６０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９６０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機９６１０に、当該リモコン操作機
９６１０から出力する情報を表示する表示部９６０７を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図２３（Ｂ）は、デジタルフォトフレーム９７００の一例を示している。例えば、デジタ
ルフォトフレーム９７００は、筐体９７０１に表示部９７０３が組み込まれている。表示
部９７０３は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
なお、デジタルフォトフレーム９７００は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、ＵＳ
Ｂケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレーム９７００
の記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して
画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部９７０３に表示させることができ
る。
また、デジタルフォトフレーム９７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
図２４（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９８８１と筐体９８９１の２つの筐体で構成さ
れており、連結部９８９３により、開閉可能に連結されている。筐体９８８１には表示部
９８８２が組み込まれ、筐体９８９１には表示部９８８３が組み込まれている。また、図
２４（Ａ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９８８４、記録媒体挿入部９８８
６、ＬＥＤランプ９８９０、入力手段（操作キー９８８５、接続端子９８８７、センサ９
８８８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９８８９）等を備え
ている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細書
に開示する半導体装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成
とすることができる。図２４（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプ
ログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信
を行って情報を共有する機能を有する。なお、図２４（Ａ）に示す携帯型遊技機が有する
機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図２４（Ｂ）は大型遊技機であるスロットマシン９９００の一例を示している。スロット
マシン９９００は、筐体９９０１に表示部９９０３が組み込まれている。また、スロット
マシン９９００は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン
投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン９９００の構成は上述の
ものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する半導体装置を備えた構成であればよく
、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
図２５（Ａ）は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。
図２５（Ａ）の携帯型のコンピュータは、上部筐体９３０１と下部筐体９３０２とを接続
するヒンジユニットを閉状態として表示部９３０３を有する上部筐体９３０１と、キーボ
ード９３０４を有する下部筐体９３０２とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶこと
が便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態
として、表示部９３０３を見て入力操作を行うことができる。
また、下部筐体９３０２はキーボード９３０４の他に入力操作を行うポインティングデバ
イス９３０６を有する。また、表示部９３０３をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一
部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体９３０２はＣＰＵやハー
ドディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体９３０２は他の機器、例えばＵ
ＳＢの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート９３０５を有して
いる。
上部筐体９３０１には更に上部筐体９３０１内部にスライドさせて収納可能な表示部９３
０７を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部９３
０７の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部９３０７をタッチ入力
パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。
表示部９３０３または収納可能な表示部９３０７は、液晶表示パネル、有機発光素子また
は無機発光素子などの発光表示パネルなどの映像表示装置を用いる。
また、図２５（Ａ）の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ
放送を受信して映像を表示部または表示部に表示することができる。また、上部筐体９３
０１と下部筐体９３０２とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部９３０
７をスライドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見る
こともできる。この場合には、ヒンジユニットを開状態として表示部９３０３を表示させ
ず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力と
することができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用であ
る。
また、図２５（Ｂ）は、腕時計のように使用者の腕に装着可能な形態を有している携帯電
話の一例を示す斜視図である。
この携帯電話は、少なくとも電話機能を有する通信装置及びバッテリーを有する本体、本
体を腕に装着するためのバンド部９２０４、腕に対するバンド部の固定状態を調節する調
節部９２０５、表示部９２０１、スピーカ９２０７、及びマイク９２０８から構成されて
いる。
また、本体は、操作スイッチ９２０３を有し、電源入力スイッチや、表示切り替えスイッ
チや、撮像開始指示スイッチの他、例えばボタンを押すとインタネット用のプログラムが
起動されるなど、各ファンクションを対応づけることができる。
この携帯電話の入力操作は、表示部９２０１に指や入力ペンなどで触れること、又は操作
スイッチ９２０３の操作、またはマイク９２０８への音声入力により行われる。なお、図
２５（Ｂ）では、表示部９２０１に表示された表示ボタン９２０２を図示しており、指な
どで触れることにより入力を行うことができる。
また、本体は、撮影レンズを通して結像される被写体像を電子画像信号に変換する撮像手
段を有するカメラ部９２０６を有する。なお、特にカメラ部は設けなくともよい。
また、図２５（Ｂ）に示す携帯電話は、テレビ放送の受信機などを備えた構成として、テ
レビ放送を受信して映像を表示部９２０１に表示することができ、さらにメモリなどの記
憶装置などを備えた構成として、テレビ放送をメモリに録画できる。また、図２５（Ｂ）
に示す携帯電話は、ＧＰＳなどの位置情報を収集できる機能を有していてもよい。
表示部９２０１は、液晶表示パネル、有機発光素子または無機発光素子などの発光表示パ
ネルなどの映像表示装置を用いる。図２５（Ｂ）に示す携帯電話は、小型、且つ、軽量で
あるため、バッテリー容量の限られており、表示部９２０１に用いる表示装置は低消費電
力で駆動できるパネルを用いることが好ましい。
なお、図２５（Ｂ）では”腕”に装着するタイプの電子機器を図示したが、特に限定され
ず、携行できる形状を有しているものであればよい。
（実施の形態１２）
本実施の形態では、半導体装置の一形態として、実施の形態１乃至５で示す薄膜トランジ
スタを有する表示装置の例を図２６乃至図３９を用いて説明する。本実施の形態は、表示
素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を図２６乃至図３９を用いて説明する。図
２６乃至図３９の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ６２８、６２９は、実施の形態１乃至
５で示す薄膜トランジスタを適用することができ、実施の形態１乃至５で示す工程で同様
に作製できる電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタである。ＴＦＴ６２８はチャネ
ル保護層６０８を、ＴＦＴ６２９はチャネル保護層６１１をそれぞれ有し、酸化物半導体
層をチャネル形成領域とする逆スタガ薄膜トランジスタである。
はじめにＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型の液晶表示装置について示す
。ＶＡ型の液晶表示装置とは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種で
ある。ＶＡ型の液晶表示装置は、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分
子が垂直方向を向く方式である。本実施の形態では、特に画素（ピクセル）をいくつかの
領域（サブピクセル）に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されている。これ
をマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計という。以下の説明では、マルチドメイ
ン設計が考慮された液晶表示装置について説明する。
図２７及び図２８は、それぞれ画素電極及び対向電極を示している。なお、図２７は画素
電極が形成される基板側の平面図であり、図中に示す切断線Ｅ−Ｆに対応する断面構造を
図２６に表している。また、図２８は対向電極が形成される基板側の平面図である。以下
の説明ではこれらの図を参照して説明する。
図２６は、ＴＦＴ６２８とそれに接続する画素電極層６２４、及び保持容量部６３０が形
成された基板６００と、対向電極層６４０等が形成される対向基板６０１とが重ね合わせ
られ、液晶が注入された状態を示している。
対向基板６０１には、着色膜６３６、対向電極層６４０が形成され、対向電極層６４０上
に突起６４４が形成されている。画素電極層６２４上には配向膜６４８が形成され、同様
に対向電極層６４０及び突起６４４上にも配向膜６４６が形成されている。基板６００と
対向基板６０１の間に液晶層６５０が形成されている。
基板６００上には、ＴＦＴ６２８とそれに接続する画素電極層６２４、及び保持容量部６
３０が形成される。画素電極層６２４は、ＴＦＴ６２８、配線６１６、及び保持容量部６
３０を覆う絶縁膜６２０、絶縁膜６２０を覆う絶縁膜６２２をそれぞれ貫通するコンタク
トホール６２３で、配線６１８と接続する。ＴＦＴ６２８は実施の形態１乃至５で示す薄
膜トランジスタを適宜用いることができる。また、保持容量部６３０は、ＴＦＴ６２８の
ゲート配線６０２と同時に形成した第１の容量配線６０４と、ゲート絶縁膜６０６と、配
線６１６、６１８と同時に形成した第２の容量配線６１７で構成される。
画素電極層６２４と液晶層６５０と対向電極層６４０が重なり合うことで、液晶素子が形
成されている。
図２７に基板６００上の構造を示す。画素電極層６２４は実施の形態１で示した材料を用
いて形成する。画素電極層６２４にはスリット６２５を設ける。スリット６２５は液晶の
配向を制御するためのものである。
図２７に示すＴＦＴ６２９とそれに接続する画素電極層６２６及び保持容量部６３１は、
それぞれＴＦＴ６２８、画素電極層６２４及び保持容量部６３０と同様に形成することが
できる。ＴＦＴ６２８とＴＦＴ６２９は共に配線６１６と接続している。この液晶表示パ
ネルの画素（ピクセル）は、画素電極層６２４と画素電極層６２６により構成されている
。画素電極層６２４と画素電極層６２６はサブピクセルである。
図２８に対向基板側の平面構造を示す。遮光膜６３２上に対向電極層６４０が形成されて
いる。対向電極層６４０は、画素電極層６２４と同様の材料を用いて形成することが好ま
しい。対向電極層６４０上には液晶の配向を制御する突起６４４が形成されている。なお
、図２８に基板６００上に形成される画素電極層６２４及び画素電極層６２６を破線で示
し、対向電極層６４０と、画素電極層６２４及び画素電極層６２６が重なり合って配置さ
れている様子を示している。
この画素構造の等価回路を図２９に示す。ＴＦＴ６２８とＴＦＴ６２９は、共にゲート配
線６０２、配線６１６と接続している。この場合、容量配線６０４と容量配線６０５の電
位を異ならせることで、液晶素子６５１と液晶素子６５２の動作を異ならせることができ
る。すなわち、容量配線６０４と容量配線６０５の電位を個別に制御することにより液晶
の配向を精密に制御して視野角を広げている。
スリット６２５を設けた画素電極層６２４に電圧を印加すると、スリット６２５の近傍に
は電界の歪み（斜め電界）が発生する。このスリット６２５と、対向基板６０１側の突起
６４４とを交互に咬み合うように配置することで、斜め電界を効果的に発生させて液晶の
配向を制御することで、液晶が配向する方向を場所によって異ならせている。すなわち、
マルチドメイン化して液晶表示パネルの視野角を広げている。
次に、上記とは異なるＶＡ型の液晶表示装置について、図３０乃至図３３を用いて説明す
る。
図３０と図３１は、ＶＡ型液晶表示パネルの画素構造を示している。図３１は基板６００
の平面図であり、図中に示す切断線Ｙ−Ｚに対応する断面構造を図３０に表している。
この画素構造は、一つの画素に複数の画素電極が有り、それぞれの画素電極にＴＦＴが接
続されている。各ＴＦＴは、異なるゲート信号で駆動されるように構成されている。すな
わち、マルチドメイン設計された画素において、個々の画素電極に印加する信号を、独立
して制御する構成を有している。
画素電極層６２４は、絶縁膜６２２をそれぞれ貫通するコンタクトホール６２３において
、配線６１８でＴＦＴ６２８と接続している。また、画素電極層６２６は絶縁膜６２２を
それぞれ貫通するコンタクトホール６２７において、配線６１９でＴＦＴ６２９と接続し
ている。ＴＦＴ６２８のゲート配線６０２と、ＴＦＴ６２９のゲート配線６０３には、異
なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、データ線として機能
する配線６１６は、ＴＦＴ６２８とＴＦＴ６２９で共通に用いられている。ＴＦＴ６２８
とＴＦＴ６２９は実施の形態１乃至５で示す薄膜トランジスタを適宜用いることができる
。なお、ゲート配線６０２、ゲート配線６０３及び容量配線６９０上にはゲート絶縁膜６
０６が形成されている。
画素電極層６２４と画素電極層６２６の形状は異なっており、Ｖ字型に広がる画素電極層
６２４の外側を囲むように画素電極層６２６が形成されている。画素電極層６２４と画素
電極層６２６に印加する電圧を、ＴＦＴ６２８及びＴＦＴ６２９により異ならせることで
、液晶の配向を制御している。この画素構造の等価回路を図３３に示す。ＴＦＴ６２８は
ゲート配線６０２と接続し、ＴＦＴ６２９はゲート配線６０３と接続している。また、Ｔ
ＦＴ６２８とＴＦＴ６２９は、共に配線６１６と接続している。ゲート配線６０２とゲー
ト配線６０３に異なるゲート信号を与えることで、液晶素子６５１と液晶素子６５２の動
作を異ならせることができる。すなわち、ＴＦＴ６２８とＴＦＴ６２９の動作を個別に制
御することにより、液晶素子６５１と液晶素子６５２の液晶の配向を精密に制御して視野
角を広げることができる。
対向基板６０１には、着色膜６３６、対向電極層６４０が形成されている。また、着色膜
６３６と対向電極層６４０の間には平坦化膜６３７が形成され、液晶の配向乱れを防いで
いる。図３２に対向基板側の平面構造を示す。対向電極層６４０は異なる画素間で共通化
されている電極であるが、スリット６４１が形成されている。このスリット６４１と、画
素電極層６２４及び画素電極層６２６側のスリット６２５とを交互に咬み合うように配置
することで、斜め電界を効果的に発生させて液晶の配向を制御することができる。これに
より、液晶が配向する方向を場所によって異ならせることができ、視野角を広げている。
なお、図３２に基板６００上に形成される画素電極層６２４及び画素電極層６２６を破線
で示し、対向電極層６４０と、画素電極層６２４及び画素電極層６２６が重なり合って配
置されている様子を示している。
画素電極層６２４及び画素電極層６２６上には配向膜６４８が形成され、同様に対向電極
層６４０上にも配向膜６４６が形成されている。基板６００と対向基板６０１の間に液晶
層６５０が形成されている。また、画素電極層６２４と液晶層６５０と対向電極層６４０
が重なり合うことで、第１の液晶素子が形成されている。また、画素電極層６２６と液晶
層６５０と対向電極層６４０が重なり合うことで、第２の液晶素子が形成されている。図
３０乃至図３３で説明する表示パネルの画素構造は、一画素に第１の液晶素子と第２の液
晶素子が設けられたマルチドメイン構造となっている。
次に、横電界方式の液晶表示装置について示す。横電界方式は、セル内の液晶分子に対し
て水平方向に電界を加えることで液晶を駆動して階調表現する方式である。この方式によ
れば、視野角を約１８０度にまで広げることができる。以下の説明では、横電界方式を採
用する液晶表示装置について説明する。
図３４は、電極層６０７、ＴＦＴ６２８、ＴＦＴ６２８に接続する画素電極層６２４が形
成された基板６００と、対向基板６０１を重ね合わせ、液晶を注入した状態を示している
。対向基板６０１には、着色膜６３６、平坦化膜６３７などが形成されている。なお、対
向基板６０１側に対向電極は設けられていない。また、基板６００と対向基板６０１の間
に、配向膜６４６と配向膜６４８を介して液晶層６５０が形成されている。
基板６００上には、電極層６０７及び電極層６０７に接続する容量配線６０４、並びにＴ
ＦＴ６２８が形成される。容量配線６０４はＴＦＴ６２８のゲート配線６０２と同時に形
成することができる。ＴＦＴ６２８としては、実施の形態１乃至５で示した薄膜トランジ
スタを適用することができる。電極層６０７は、実施の形態１乃至５で示す画素電極層と
同様の材料を用いることができる。また、電極層６０７は略画素の形状に区画化した形状
で形成する。なお、電極層６０７及び容量配線６０４上にはゲート絶縁膜６０６が形成さ
れる。
ＴＦＴ６２８の配線６１６、配線６１８がゲート絶縁膜６０６上に形成される。配線６１
６は液晶表示パネルにおいてビデオ信号をのせるデータ線であり一方向に伸びる配線であ
ると同時に、ＴＦＴ６２８のソース領域又はドレイン領域と接続し、ソース及びドレイン
の一方の電極となる。配線６１８はソース及びドレインの他方の電極となり、画素電極層
６２４と接続する配線である。
配線６１６、配線６１８上に絶縁膜６２０が形成される。また、絶縁膜６２０上には、絶
縁膜６２０に形成されるコンタクトホールにおいて、配線６１８に接続する画素電極層６
２４が形成される。画素電極層６２４は実施の形態１で示した画素電極と同様の材料を用
いて形成する。
このようにして、基板６００上にＴＦＴ６２８とそれに接続する画素電極層６２４が形成
される。なお、保持容量は電極層６０７と画素電極層６２４の間で形成している。
図３５は、画素電極の構成を示す平面図である。図３５に示す切断線Ｏ−Ｐに対応する断
面構造を図３４に表している。画素電極層６２４にはスリット６２５が設けられる。スリ
ット６２５は液晶の配向を制御するためのものである。この場合、電界は電極層６０７と
画素電極層６２４の間で発生する。電極層６０７と画素電極層６２４の間にはゲート絶縁
膜６０６が形成されているが、ゲート絶縁膜６０６の厚さは５０〜２００ｎｍであり、２
〜１０μｍである液晶層の厚さと比較して十分薄いので、実質的に基板６００と平行な方
向（水平方向）に電界が発生する。この電界により液晶の配向が制御される。この基板と
略平行な方向の電界を利用して液晶分子を水平に回転させる。この場合、液晶分子はどの
状態でも水平であるため、見る角度によるコントラストなどの影響は少なく、視野角が広
がることとなる。また、電極層６０７と画素電極層６２４は共に透光性の電極であるので
、開口率を向上させることができる。
次に、横電界方式の液晶表示装置の他の一例について示す。
図３６と図３７は、ＩＰＳ型の液晶表示装置の画素構造を示している。図３７は平面図で
あり、図中に示す切断線Ｖ−Ｗに対応する断面構造を図３６に表している。以下の説明で
はこの両図を参照して説明する。
図３６は、ＴＦＴ６２８とそれに接続する画素電極層６２４が形成された基板６００と、
対向基板６０１を重ね合わせ、液晶を注入した状態を示している。対向基板６０１には着
色膜６３６、平坦化膜６３７などが形成されている。なお、対向基板６０１側に対向電極
は設けられていない。基板６００と対向基板６０１の間に、配向膜６４６及び配向膜６４
８を介して液晶層６５０が形成されている。
基板６００上には、共通電位線６０９、及びＴＦＴ６２８が形成される。共通電位線６０
９はＴＦＴ６２８のゲート配線６０２と同時に形成することができる。ＴＦＴ６２８とし
ては、実施の形態１乃至５で示した薄膜トランジスタを適用することができる。
ＴＦＴ６２８の配線６１６、配線６１８がゲート絶縁膜６０６上に形成される。配線６１
６は液晶表示パネルにおいてビデオ信号をのせるデータ線であり一方向に伸びる配線であ
ると同時に、ＴＦＴ６２８のソース領域又はドレイン領域と接続し、ソース及びドレイン
の一方の電極となる。配線６１８はソース及びドレインの他方の電極となり、画素電極層
６２４と接続する配線である。
配線６１６、配線６１８上に絶縁膜６２０が形成される。また、絶縁膜６２０上には、絶
縁膜６２０に形成されるコンタクトホール６２３を介して、配線６１８に接続する画素電
極層６２４が形成される。画素電極層６２４は実施の形態１乃至５で示した画素電極と同
様の材料を用いて形成する。なお、図３７に示すように、画素電極層６２４は、共通電位
線６０９と同時に形成した櫛形の電極と横電界が発生するように形成される。また、画素
電極層６２４の櫛歯の部分が共通電位線６０９と同時に形成した櫛形の電極と交互に咬み
合うように形成される。
画素電極層６２４に印加される電位と共通電位線６０９の電位との間に電界が生じると、
この電界により液晶の配向が制御される。この基板と略平行な方向の電界を利用して液晶
分子を水平に回転させる。この場合、液晶分子はどの状態でも水平であるため、見る角度
によるコントラストなどの影響は少なく、視野角が広がることとなる。
このようにして、基板６００上にＴＦＴ６２８とそれに接続する画素電極層６２４が形成
される。保持容量は共通電位線６０９と容量電極６１５の間にゲート絶縁膜６０６を設け
、それにより形成している。容量電極６１５と画素電極層６２４はコンタクトホール６３
３を介して接続されている。
次に、ＴＮ型の液晶表示装置の形態について示す。
図３８と図３９は、ＴＮ型の液晶表示装置の画素構造を示している。図３９は平面図であ
り、図中に示す切断線Ｋ−Ｌに対応する断面構造を図３８に表している。以下の説明では
この両図を参照して説明する。
画素電極層６２４は絶縁膜６２０に形成されるコンタクトホール６２３及び配線６１８を
介してＴＦＴ６２８と接続している。データ線として機能する配線６１６は、ＴＦＴ６２
８と接続している。ＴＦＴ６２８は実施の形態１乃至５に示すＴＦＴのいずれかを適用す
ることができる。
画素電極層６２４は、実施の形態１乃至５で示す画素電極を用いて形成されている。容量
配線６０４はＴＦＴ６２８のゲート配線６０２と同時に形成することができる。ゲート配
線６０２及び容量配線６０４上にはゲート絶縁膜６０６が形成される。保持容量は、容量
配線６０４と容量電極６１５の間にゲート絶縁膜６０６を介して形成している。
対向基板６０１には、着色膜６３６、対向電極層６４０が形成されている。また、着色膜
６３６と対向電極層６４０の間には平坦化膜６３７が形成され、液晶の配向乱れを防いで
いる。液晶層６５０は画素電極層６２４と対向電極層６４０の間に配向膜６４８及び配向
膜６４６を介して形成されている。
画素電極層６２４と液晶層６５０と対向電極層６４０が重なり合うことで、液晶素子が形
成されている。
また、着色膜６３６は、基板６００側に形成されていても良い。また、基板６００の薄膜
トランジスタが形成されている面とは逆の面に偏光板を貼り合わせ、また対向基板６０１
の対向電極層６４０が形成されている面とは逆の面に、偏光板を貼り合わせておく。
以上の工程により、表示装置として液晶表示装置を作製することができる。本実施の形態
の液晶表示装置は、開口率が高い液晶表示装置である。
（実施の形態１３）
本実施の形態では、断面から見て酸化物半導体層を窒化物絶縁膜で囲む例を図４０に示す
。図４０は、酸化物絶縁層４１６の上面形状及び端部の位置が図１（Ａ）と異なる点、ゲ
ート絶縁層の構成が異なる点以外は同じであるため、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
駆動回路に配置される薄膜トランジスタ４１０はチャネルストップ型の薄膜トランジスタ
であり、絶縁表面を有する基板４００上に、ゲート電極層４１１、窒化物絶縁膜からなる
ゲート絶縁層４０２、少なくとも酸化物半導体層４１３、第１の低抵抗Ｎ型領域４１４ａ
、及び第２の低抵抗Ｎ型領域４１４ｂを有する酸化物半導体層、ソース電極層４１５ａ、
及びドレイン電極層４１５ｂを含む。また、酸化物半導体層４１３のチャネル形成領域に
接してチャネル保護層として機能する酸化物絶縁層４１６が設けられている。
また、画素に配置される薄膜トランジスタ４２０は、薄膜トランジスタ４１０と同様にチ
ャネルストップ型の薄膜トランジスタであり、ゲート電極層４２１、窒化物絶縁膜からな
るゲート絶縁層４０２、酸化物半導体層４２２、ソース電極層４２５ａ及びドレイン電極
層４２５ｂを含む。また、酸化物半導体層４２２のチャネル形成領域に接してチャネル保
護層として機能する酸化物絶縁層４２６が設けられている。
なお、酸化物絶縁層４１６及び酸化物絶縁層４２６をフォトリソグラフィ工程で形成する
際に、薄膜トランジスタ４１０及び薄膜トランジスタ４２０の外側のゲート絶縁層４０２
が露出するように加工する。
さらに薄膜トランジスタ４１０及び薄膜トランジスタ４２０の上面及び側面を覆うように
窒化物絶縁膜からなる保護絶縁層４０３を形成する。
また、ソース電極層４１５ａの下面に接して第１の低抵抗Ｎ型領域４１４ａが自己整合的
に形成されている。また、ドレイン電極層４０５ｂの下面に接して第２の低抵抗Ｎ型領域
４１４ｂが自己整合的に形成されている。また、酸化物半導体層４１３のチャネル形成領
域は、酸化物絶縁層４１６と接し、且つ膜厚が薄くなっており、第１の低抵抗Ｎ型領域４
１４ａ、及び第２の低抵抗Ｎ型領域４１４ｂよりも高抵抗の領域（Ｉ型領域）とする。
また、酸化物半導体層４１３のチャネル形成領域、第１の低抵抗Ｎ型領域４１４ａ、及び
第２の低抵抗Ｎ型領域４１４ｂの下面に接して窒化物絶縁膜からなるゲート絶縁層４０２
が形成されている。
窒化物絶縁膜からなる保護絶縁層４０３は、スパッタ法で得られる窒化珪素膜、酸化窒化
珪素膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜などの水分や、水素イオンや、Ｏ
Ｈ−などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を
用いる。
本実施の形態では、窒化物絶縁膜からなる保護絶縁層４０３として、薄膜トランジスタ４
１０及び薄膜トランジスタ４２０の上面、及び側面を囲むようにＲＦスパッタ法を用い、
膜厚１００ｎｍの窒化珪素膜を設ける。また、薄膜トランジスタ４１０及び薄膜トランジ
スタ４２０の外側において、保護絶縁層４０３を窒化物絶縁膜からなるゲート絶縁層４０
２と接する構成とする。
図４０に示す構造とすることで、窒化物絶縁膜からなる保護絶縁層４０３の形成後の製造
プロセスにおいて、外部からの水分の侵入を防ぐことができる。また、半導体装置、例え
ば液晶表示装置としてデバイスが完成した後にも長期的に、外部からの水分の侵入を防ぐ
ことができデバイスの長期信頼性を向上することができる。
また、本実施の形態では一つの薄膜トランジスタを窒化物絶縁膜で囲む構成を示したが特
に限定されず、複数の薄膜トランジスタを窒化物絶縁膜で囲む構成としてもよいし、画素
部の複数の薄膜トランジスタをまとめて窒化物絶縁膜で囲む構成としてもよい。少なくと
もアクティブマトリクス基板の画素部の周縁を囲むように保護絶縁層４０３とゲート絶縁
層４０２とが接する領域を設ける構成とすればよい。
本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
１０ パルス出力回路
１１ 配線
１２ 配線
１３ 配線
１４ 配線
１５ 配線
２１ 入力端子
２２ 入力端子
２３ 入力端子
２４ 入力端子
２５ 入力端子
２６ 出力端子
２７ 出力端子
３１ トランジスタ
３２ トランジスタ
３３ トランジスタ
３４ トランジスタ
３５ トランジスタ
３６ トランジスタ
３７ トランジスタ
３８ トランジスタ
３９ トランジスタ
４０ トランジスタ
４１ トランジスタ
４２ トランジスタ
４３ トランジスタ
５１ 電源線
５２ 電源線
５３ 電源線
６１ 期間
６２ 期間
１００ 基板
１０２ ゲート絶縁膜
１０２ｂ ゲート絶縁膜
１０７ 保護絶縁膜
１０７ａ 保護絶縁膜
１０８ 保護絶縁膜
１１１ ボトムゲート電極
１１３ 酸化物半導体層
１１３ａ 酸化物半導体層
１１３ｂ 酸化物半導体層
１１３ｃ 酸化物半導体層
１１３ｄ 酸化物半導体領域
１１４ａ 導電層
１１４ｂ 導電層
１１５ａ 導電層
１１５ｂ 導電層
１１６ チャネル保護層
１２５ コンタクトホール
１２８ 画素電極
１２９ バックゲート電極
１３４ レジストマスク
１３５ レジストマスク
１４１ 薄膜トランジスタ
１４２ 薄膜トランジスタ
１４３ 薄膜トランジスタ
１４４ 薄膜トランジスタ
１４５ 薄膜トランジスタ
１４６ 薄膜トランジスタ
２００ 基板
２０２ａ ゲート絶縁層
２０２ｂ ゲート絶縁層
２０３ 保護絶縁層
２０４ 保護絶縁層
２１０ 薄膜トランジスタ
２１１ ボトムゲート電極
２１３ 酸化物半導体層
２１３ａ 酸化物半導体層
２１３ｂ 酸化物半導体層
２１３ｃ 酸化物半導体層
２１３ｄ 酸化物半導体領域
２１４ａ ソース電極又はドレイン電極
２１４ｂ ソース電極又はドレイン電極
２１５ａ 導電層
２１５ｂ 導電層
２１６ チャネル保護層
２１７ 導電層
２２０ 薄膜トランジスタ
２２４ コンタクトホール
２２７ 画素電極層
２３０ 容量配線層
２３１ 容量電極
２３２ ゲート配線層
２３４ ソース配線
２３５ 端子電極
２３６ 金属配線層
２３７ 金属配線層
２３８ ゲート配線層
２４０ 薄膜トランジスタ
２４１ 金属配線層
２４２ 金属配線層
２５０ 容量配線層
２５１ 酸化物半導体層
４００ 基板
４０２ ゲート絶縁層
４０３ 保護絶縁層
４０５ｂ ドレイン電極層
４１０ 薄膜トランジスタ
４１１ ゲート電極層
４１３ 酸化物半導体層
４１４ａ 低抵抗Ｎ型領域
４１４ｂ 低抵抗Ｎ型領域
４１５ａ ソース電極層
４１５ｂ ドレイン電極層
４１６ 酸化物絶縁層
４２０ 薄膜トランジスタ
４２１ ゲート電極層
４２２ 酸化物半導体層
４２５ａ ソース電極層
４２５ｂ ドレイン電極層
４２６ 酸化物絶縁層
５８０ 基板
５８１ 薄膜トランジスタ
５８３ 絶縁層
５８５ 絶縁層
５８７ 電極層
５８８ 電極層
５８９ 球形粒子
５９０ａ 黒色領域
５９０ｂ 白色領域
５９４ キャビティ
５９５ 充填材
５９６ 基板
６００ 基板
６０１ 対向基板
６０２ ゲート配線
６０３ ゲート配線
６０４ 容量配線
６０５ 容量配線
６０６ ゲート絶縁膜
６０７ 電極層
６０８ チャネル保護層
６０９ 共通電位線
６１１ チャネル保護層
６１５ 容量電極
６１６ 配線
６１７ 容量配線
６１８ 配線
６１９ 配線
６２０ 絶縁膜
６２２ 絶縁膜
６２３ コンタクトホール
６２４ 画素電極層
６２５ スリット
６２６ 画素電極層
６２７ コンタクトホール
６２８ ＴＦＴ
６２９ ＴＦＴ
６３０ 保持容量部
６３１ 保持容量部
６３２ 遮光膜
６３３ コンタクトホール
６３６ 着色膜
６３７ 平坦化膜
６４０ 対向電極層
６４１ スリット
６４４ 突起
６４６ 配向膜
６４８ 配向膜
６５０ 液晶層
６５１ 液晶素子
６５２ 液晶素子
６９０ 容量配線
２６００ ＴＦＴ基板
２６０１ 対向基板
２６０２ シール材
２６０３ 画素部
２６０４ 表示素子
２６０５ 着色層
２６０６ 偏光板
２６０７ 偏光板
２６０８ 配線回路部
２６０９ フレキシブル配線基板
２６１０ 冷陰極管
２６１１ 反射板
２６１２ 回路基板
２６１３ 拡散板
２７００ 電子書籍
２７０１ 筐体
２７０３ 筐体
２７０５ 表示部
２７０７ 表示部
２７１１ 軸部
２７２１ 電源
２７２３ 操作キー
２７２５ スピーカ
４００１ 基板
４００２ 画素部
４００３ 信号線駆動回路
４００４ 走査線駆動回路
４００５ シール材
４００６ 基板
４００８ 液晶層
４０１０ 薄膜トランジスタ
４０１１ 薄膜トランジスタ
４０１３ 液晶素子
４０１５ 接続端子電極
４０１６ 端子電極
４０１８ ＦＰＣ
４０１９ 異方性導電膜
４０２０ 絶縁層
４０２１ 絶縁層
４０３０ 画素電極層
４０３１ 対向電極層
４０３２ 絶縁層
４０３５ スペーサ
４０４０ バックゲート電極
４０４１ 絶縁層
４０４２ 絶縁層
４５０１ 基板
４５０２ 画素部
４５０３ａ 信号線駆動回路
４５０４ａ 走査線駆動回路
４５０５ シール材
４５０６ 基板
４５０７ 充填材
４５０９ 薄膜トランジスタ
４５１０ 薄膜トランジスタ
４５１１ 発光素子
４５１２ 電界発光層
４５１３ 電極層
４５１５ 接続端子電極
４５１６ 端子電極
４５１７ 電極層
４５１８ａ ＦＰＣ
４５１８ｂ ＦＰＣ
４５１９ 異方性導電膜
４５２０ 隔壁
４５４０ バックゲート電極
４５４１ 絶縁層
４５４２ 絶縁層
４５４３ 絶縁層
４５４４ 絶縁層
５３００ 基板
５３０１ 画素部
５３０２ 走査線駆動回路
５３０３ 走査線駆動回路
５３０４ 信号線駆動回路
５３０５ タイミング制御回路
５６０１ シフトレジスタ
５６０２ スイッチング回路
５６０３ 薄膜トランジスタ
５６０４ 配線
５６０５ 配線
６４００ 画素
６４０１ スイッチング用トランジスタ
６４０２ 駆動用トランジスタ
６４０３ 容量素子
６４０４ 発光素子
６４０５ 信号線
６４０６ 走査線
６４０７ 電源線
６４０８ 共通電極
７００１ ＴＦＴ
７００２ 発光素子
７００３ 陰極
７００４ 発光層
７００５ 陽極
７００８ 陰極
７００９ 隔壁
７０１１ 駆動用ＴＦＴ
７０１２ 発光素子
７０１３ 陰極
７０１４ 発光層
７０１５ 陽極
７０１６ 遮蔽膜
７０１７ 導電膜
７０１８ 導電膜
７０１９ 隔壁
７０２１ 駆動用ＴＦＴ
７０２２ 発光素子
７０２３ 陰極
７０２４ 発光層
７０２５ 陽極
７０２７ 導電膜
７０２８ 導電膜
７０２９ 隔壁
９２０１ 表示部
９２０２ 表示ボタン
９２０３ 操作スイッチ
９２０４ バンド部
９２０５ 調節部
９２０６ カメラ部
９２０７ スピーカ
９２０８ マイク
９３０１ 上部筐体
９３０２ 下部筐体
９３０３ 表示部
９３０４ キーボード
９３０５ 外部接続ポート
９３０６ ポインティングデバイス
９３０７ 表示部
９６００ テレビジョン装置
９６０１ 筐体
９６０３ 表示部
９６０５ スタンド
９６０７ 表示部
９６０９ 操作キー
９６１０ リモコン操作機
９７００ デジタルフォトフレーム
９７０１ 筐体
９７０３ 表示部
９８８１ 筐体
９８８２ 表示部
９８８３ 表示部
９８８４ スピーカ部
９８８５ 入力手段（操作キー）
９８８６ 記録媒体挿入部
９８８７ 接続端子
９８８８ センサ
９８８９ マイクロフォン
９８９０ ＬＥＤランプ
９８９１ 筐体
９８９３ 連結部
９９００ スロットマシン
９９０１ 筐体
９９０３ 表示部

Claims (3)

  1. 基板上に、駆動回路部のトランジスタに含まれる第１のゲート電極と、画素部のトランジスタに含まれる第２のゲート電極を形成し、
    前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層上に、前記第１のゲート電極と一部が重なるように第１の酸化物半導体層を形成するとともに、前記第２のゲート電極と一部が重なるように第２の酸化物半導体層を形成し、
    前記第１の酸化物半導体層上の一部と接する第１のチャネル保護層を形成するとともに、前記第２の酸化物半導体層上の一部と接する第２のチャネル保護層を形成し、
    前記第１のチャネル保護層上、前記第１の酸化物半導体層上、前記第２のチャネル保護層上、及び前記第２の酸化物半導体層上に透光性を有する導電膜を形成し、
    前記透光性を有する導電膜上に金属導電膜を形成し、
    第１のレジストマスクを用いて前記透光性を有する導電膜及び前記金属導電膜をエッチングして、前記第１のチャネル保護層の一部及び前記第２のチャネル保護層の一部を露出させ、前記第１のチャネル保護層上及び前記第１の酸化物半導体層上に第１の透光性を有する導電膜及び第１の金属導電膜を、前記第２のチャネル保護層上及び前記第２の酸化物半導体層上に第２の透光性を有する導電膜及び第２の金属導電膜を同時に形成し、
    前記第１の金属導電膜を覆う第２のレジストマスクを用いて前記第２の金属導電膜をエッチングし、
    前記第２のゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第２のチャネル保護層は透光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記第２の金属導電膜をエッチングした後、前記第１のチャネル保護層、前記第２のチャネル保護層、前記第１の金属導電膜、及び前記第２の透光性を有する導電膜上に絶縁膜を形成し、
    前記絶縁膜上に、前記第２の透光性を有する導電膜と電気的に接続される画素電極層と、前記第１の酸化物半導体層の一部と重なる導電膜とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 請求項１または２において、
    前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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