JP6128961B2 - 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
<LCD>
図1に、実施の形態1に係るLCD1の模式的な分解斜視図を示す。図1の例では、LCD1は液晶パネル10とバックライトユニット20とを含んでいる。なお、LCD1が直視型である場合を想定するが、LCD1は投写型であってもよい。
液晶パネル10において、2枚の表示パネル用基板30,40が一定の間隙(「セルギャップ」とも呼ばれる)を介して貼り合わされ、これら2枚の基板30,40の間に液晶が閉じ込められている。基板30,40の外面上には、偏光板、位相差板等が配置されている。なお、図1では基板30の側にバックライトユニット20が配置されているが、基板40の側にバックライトユニット20を配置することも可能である。以下では基板30がTFT(Thin Film Transistor)基板であり、基板40が対向基板であるものとして説明する。
図2にTFT基板30の模式的な平面図を示す。液晶パネル10の表示領域11および額縁領域12に合わせて、TFT基板30についても表示領域および額縁領域が規定される。TFT基板30の表示領域および額縁領域にも符号11,12をそれぞれ用いることにする。
接続基板57,58を介して、走査信号駆動回路55および表示信号駆動回路56に外部からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路55は、外部から入力される制御信号に基づいて、ゲート信号(「走査信号」とも呼ばれる)をゲート配線51に供給する。このゲート信号によって、ゲート配線51が順次選択される。表示信号駆動回路56は、外部から入力される、制御信号、表示データ、等に基づいて、表示信号をソース配線56に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧が、各画素PXに供給される。
図4にTFT基板30の拡大平面図を例示する。なお、図面を見やすくするために、図4では、画素電極73およびドレイン電極63を構成する透明導電膜の輪郭を太線で示し、画素TFT60においてチャネル層を提供する半導体層91にハッチングを施している。
ここで、比較例1に係るTFT60Pを、図15〜図20の断面図を参照して説明する。なお、TFT60Pは、従来のエッチングストッパ型である。
画素TFT60では、ソース電極62とドレイン電極63とは異なる層に配置されている(図8参照)。換言すれば、ソース電極62とドレイン電極63とは異なる形成ステップによって形成されている。このため、画素TFT60のチャネル幅は、ソース電極62の形成ステップと、ドレイン電極63が配置されるコンタクトホール94の形成ステップと、の組み合わせによって、制御可能である。
上記の実施の形態1では、エッチングストッパ型の画素TFT60(図4および図8参照)を例示した。実施の形態2では、バックチャネルエッチ型の画素TFTを例示する。図21に、バックチャネルエッチ型の画素TFT60Bを有したTFT基板30Bの拡大平面図を例示し、図21中のXXII−XXII線における断面を図22に示す。なお、図21では、図面を見やすくするために、画素電極73およびドレイン電極63を構成する透明導電膜の輪郭を太線で示し、半導体層91にハッチングを施している。
実施の形態3では、実施の形態2と同様に、バックチャネルエッチ型の画素TFTを例示する。図29に、バックチャネルエッチ型の画素TFT60Cを有したTFT基板30Cの拡大平面図を例示し、図29中のXXX−XXX線における断面を図30に示す。なお、図29では、図面を見やすくするために、画素電極73およびドレイン電極63を構成する透明導電膜の輪郭を太線で示し、半導体層91にハッチングを施している。
図37に、実施の形態4に係るTFT基板30Dの断面図を例示する。図37は図8の断面図に対応する。
実施の形態1〜4ではTN方式を例示した。実施の形態5ではFFS方式を例示する。具体的には、実施の形態1〜4に係るTFTをFFS方式のTFT基板に応用する例を説明する。
実施の形態1〜4ではTN方式を例示し、実施の形態5ではFFS方式を例示した。しかしながら、IPS方式、VA方式等の他の液晶配向制御方式にも、本発明に係る構造および製造方法を応用可能である。
Claims (10)
- チャネル層を提供する半導体層と、
前記半導体層の上面の一部を覆う保護膜と、
前記半導体層の前記上面のうちで前記保護膜に覆われていない部分に接続されているソース電極と、
前記保護膜上および前記ソース電極上に配置されている層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に配置されることで前記ソース電極とは異なる層に配置されているとともに、前記層間絶縁膜および前記保護膜を貫いて前記半導体層に至るコンタクトホールを介して前記半導体層に接続されている、ドレイン電極と
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記ソース電極と前記ドレイン電極とが異なる材料で構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極が金属で構成され、前記ドレイン電極が透明導電材料で構成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層が酸化物半導体で構成されていることを特徴とする、請求項1〜3のうちのいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜の少なくとも一部は塗布型絶縁材料で構成されていることを特徴とする、請求項1〜4のうちのいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 表示パネルを構成する基板であって、
請求項1〜5のうちのいずれか1項に記載の薄膜トランジスタを、表示領域内に配置されている画素トランジスタとして備えることを特徴とする、表示パネル用基板。 - 前記表示領域の外側に配置されているトランジスタは、金属で構成されたソース電極およびドレイン電極を有することを特徴とする、請求項6に記載の表示パネル用基板。
- 請求項6または7に記載の表示パネル用基板を備えることを特徴とする表示パネル。
- 請求項8に記載の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置。
- 請求項1に記載の薄膜トランジスタを製造する方法であって、
(a)透明基板上にゲート電極を形成する工程と、
(b)前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向するように前記半導体層を形成する工程と、
(d)前記半導体層の前記上面の前記一部を前記保護膜で覆う工程と、
(e)前記半導体層の前記上面のうちで前記保護膜に覆われていない前記部分に接続されるように前記ソース電極を形成する工程と、
(f)前記ソース電極および前記保護膜を前記層間絶縁膜で覆う工程と、
(g)前記層間絶縁膜および前記保護膜を貫いて前記半導体層に至る前記コンタクトホールを形成する工程と、
(h)前記コンタクトホールを介して前記半導体層に接続されるように前記層間絶縁膜上に前記ドレイン電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
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CN112054031B (zh) * | 2019-06-06 | 2023-06-27 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其制造方法 |
CN115295609A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-11-04 | 惠科股份有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板 |
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JPH10293321A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
KR101533391B1 (ko) * | 2008-08-06 | 2015-07-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법 |
JP2010272706A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Videocon Global Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置及びこれらの製造方法 |
CN102473733B (zh) * | 2009-07-18 | 2015-09-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及制造半导体装置的方法 |
JP5685805B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2015-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
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CN103053014B (zh) * | 2010-08-07 | 2016-03-16 | 夏普株式会社 | 薄膜晶体管基板和具备它的液晶显示装置 |
US9029209B2 (en) * | 2010-10-18 | 2015-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a thin film transistor substrate and thin film transistor substrate manufactured by the same |
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