JP2014232824A - 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014232824A JP2014232824A JP2013113566A JP2013113566A JP2014232824A JP 2014232824 A JP2014232824 A JP 2014232824A JP 2013113566 A JP2013113566 A JP 2013113566A JP 2013113566 A JP2013113566 A JP 2013113566A JP 2014232824 A JP2014232824 A JP 2014232824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor layer
- tft
- insulating film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 175
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 226
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 177
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 373
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 65
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 22
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 101000894525 Homo sapiens Transforming growth factor-beta-induced protein ig-h3 Proteins 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 102100021398 Transforming growth factor-beta-induced protein ig-h3 Human genes 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 208000028485 lattice corneal dystrophy type I Diseases 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 208000035475 disorder Diseases 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】TFT60は、チャネル層を提供する半導体層91と、半導体層91の上面の一部を覆う保護膜92と、半導体層91の上面のうちで保護膜92に覆われていない部分に接続されているソース電極62と、保護膜92上およびソース電極62上に配置されている層間絶縁膜93と、層間絶縁膜93上に配置されることでソース電極62とは異なる層に配置されているとともに、層間絶縁膜93および保護膜92を貫いて半導体層91に至るコンタクトホール94を介して半導体層91に接続されている、ドレイン電極63とを含んでいる。
【選択図】図8
Description
<LCD>
図1に、実施の形態1に係るLCD1の模式的な分解斜視図を示す。図1の例では、LCD1は液晶パネル10とバックライトユニット20とを含んでいる。なお、LCD1が直視型である場合を想定するが、LCD1は投写型であってもよい。
液晶パネル10において、2枚の表示パネル用基板30,40が一定の間隙(「セルギャップ」とも呼ばれる)を介して貼り合わされ、これら2枚の基板30,40の間に液晶が閉じ込められている。基板30,40の外面上には、偏光板、位相差板等が配置されている。なお、図1では基板30の側にバックライトユニット20が配置されているが、基板40の側にバックライトユニット20を配置することも可能である。以下では基板30がTFT(Thin Film Transistor)基板であり、基板40が対向基板であるものとして説明する。
図2にTFT基板30の模式的な平面図を示す。液晶パネル10の表示領域11および額縁領域12に合わせて、TFT基板30についても表示領域および額縁領域が規定される。TFT基板30の表示領域および額縁領域にも符号11,12をそれぞれ用いることにする。
接続基板57,58を介して、走査信号駆動回路55および表示信号駆動回路56に外部からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路55は、外部から入力される制御信号に基づいて、ゲート信号(「走査信号」とも呼ばれる)をゲート配線51に供給する。このゲート信号によって、ゲート配線51が順次選択される。表示信号駆動回路56は、外部から入力される、制御信号、表示データ、等に基づいて、表示信号をソース配線56に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧が、各画素PXに供給される。
図4にTFT基板30の拡大平面図を例示する。なお、図面を見やすくするために、図4では、画素電極73およびドレイン電極63を構成する透明導電膜の輪郭を太線で示し、画素TFT60においてチャネル層を提供する半導体層91にハッチングを施している。
ここで、比較例1に係るTFT60Pを、図15〜図20の断面図を参照して説明する。なお、TFT60Pは、従来のエッチングストッパ型である。
画素TFT60では、ソース電極62とドレイン電極63とは異なる層に配置されている(図8参照)。換言すれば、ソース電極62とドレイン電極63とは異なる形成ステップによって形成されている。このため、画素TFT60のチャネル幅は、ソース電極62の形成ステップと、ドレイン電極63が配置されるコンタクトホール94の形成ステップと、の組み合わせによって、制御可能である。
上記の実施の形態1では、エッチングストッパ型の画素TFT60(図4および図8参照)を例示した。実施の形態2では、バックチャネルエッチ型の画素TFTを例示する。図21に、バックチャネルエッチ型の画素TFT60Bを有したTFT基板30Bの拡大平面図を例示し、図21中のXXII−XXII線における断面を図22に示す。なお、図21では、図面を見やすくするために、画素電極73およびドレイン電極63を構成する透明導電膜の輪郭を太線で示し、半導体層91にハッチングを施している。
実施の形態3では、実施の形態2と同様に、バックチャネルエッチ型の画素TFTを例示する。図29に、バックチャネルエッチ型の画素TFT60Cを有したTFT基板30Cの拡大平面図を例示し、図29中のXXX−XXX線における断面を図30に示す。なお、図29では、図面を見やすくするために、画素電極73およびドレイン電極63を構成する透明導電膜の輪郭を太線で示し、半導体層91にハッチングを施している。
図37に、実施の形態4に係るTFT基板30Dの断面図を例示する。図37は図8の断面図に対応する。
実施の形態1〜4ではTN方式を例示した。実施の形態5ではFFS方式を例示する。具体的には、実施の形態1〜4に係るTFTをFFS方式のTFT基板に応用する例を説明する。
実施の形態1〜4ではTN方式を例示し、実施の形態5ではFFS方式を例示した。しかしながら、IPS方式、VA方式等の他の液晶配向制御方式にも、本発明に係る構造および製造方法を応用可能である。
Claims (12)
- チャネル層を提供する半導体層と、
前記半導体層の上面の一部を覆う保護膜と、
前記半導体層の前記上面のうちで前記保護膜に覆われていない部分に接続されているソース電極と、
前記保護膜上および前記ソース電極上に配置されている層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に配置されることで前記ソース電極とは異なる層に配置されているとともに、前記層間絶縁膜および前記保護膜を貫いて前記半導体層に至るコンタクトホールを介して前記半導体層に接続されている、ドレイン電極と
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - チャネル層を提供する半導体層と、
前記半導体層に接続されているソース電極と、
前記半導体層上および前記ソース電極上に配置されている層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に配置されることで前記ソース電極とは異なる層に配置されているとともに、前記層間絶縁膜を貫いて前記半導体層に至るコンタクトホールを介して前記半導体層に接続されている、ドレイン電極と
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記ソース電極と前記ドレイン電極とが異なる材料で構成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極が金属で構成され、前記ドレイン電極が透明導電材料で構成されていることを特徴とする、請求項1〜3のうちのいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層が酸化物半導体で構成されていることを特徴とする、請求項1〜4のうちのいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜の少なくとも一部は塗布型絶縁材料で構成されていることを特徴とする、請求項1〜5のうちのいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 表示パネルを構成する基板であって、
請求項1〜6のうちのいずれか1項に記載の薄膜トランジスタを、表示領域内に配置されている画素トランジスタとして備えることを特徴とする、表示パネル用基板。 - 前記表示領域の外側に配置されているトランジスタは、金属で構成されたソース電極およびドレイン電極を有することを特徴とする、請求項7に記載の表示パネル用基板。
- 請求項7または8に記載の表示パネル用基板を備えることを特徴とする表示パネル。
- 請求項9に記載の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置。
- 請求項1に記載の薄膜トランジスタを製造する方法であって、
(a)透明基板上にゲート電極を形成する工程と、
(b)前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向するように前記半導体層を形成する工程と、
(d)前記半導体層の前記上面の前記一部を前記保護膜で覆う工程と、
(e)前記半導体層の前記上面のうちで前記保護膜に覆われていない前記部分に接続されるように前記ソース電極を形成する工程と、
(f)前記ソース電極および前記保護膜を前記層間絶縁膜で覆う工程と、
(g)前記層間絶縁膜および前記保護膜を貫いて前記半導体層に至る前記コンタクトホールを形成する工程と、
(h)前記コンタクトホールを介して前記半導体層に接続されるように前記層間絶縁膜上に前記ドレイン電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項2に記載の薄膜トランジスタを製造する方法であって、
(i)透明基板上にゲート電極を形成する工程と、
(j)前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
(k)前記半導体層と前記ソース電極とを、互いに接続されるように、かつ、前記半導体層が前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向するように、形成する工程と、
(l)前記ソース電極を前記層間絶縁膜で覆う工程と、
(m)前記層間絶縁膜を貫いて前記半導体層に至る前記コンタクトホールを形成する工程と、
(n)前記コンタクトホールを介して前記半導体層に接続されるように前記層間絶縁膜上に前記ドレイン電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013113566A JP6128961B2 (ja) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013113566A JP6128961B2 (ja) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014232824A true JP2014232824A (ja) | 2014-12-11 |
JP6128961B2 JP6128961B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=52126035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013113566A Active JP6128961B2 (ja) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6128961B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015107606A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社Joled | 表示装置及び薄膜トランジスタ基板 |
WO2016175034A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | 三菱電機株式会社 | トランジスタ、薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 |
WO2017018416A1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2017090477A1 (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2017199902A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及びフレキシブルデバイスの作製方法 |
WO2018163944A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、液晶表示装置 |
WO2018199037A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
EP3454376A1 (en) * | 2017-09-12 | 2019-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and demultiplexer circuit |
CN112054031A (zh) * | 2019-06-06 | 2020-12-08 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其制造方法 |
CN115295609A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-11-04 | 惠科股份有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1048668A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH1090669A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH10293321A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2010041058A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板とその製造方法 |
JP2010272706A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Videocon Global Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置及びこれらの製造方法 |
JP2011029304A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
JP2011044697A (ja) * | 2009-07-18 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011054942A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2012020525A1 (ja) * | 2010-08-07 | 2012-02-16 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置 |
WO2012053161A1 (ja) * | 2010-10-18 | 2012-04-26 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板 |
-
2013
- 2013-05-30 JP JP2013113566A patent/JP6128961B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1048668A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH1090669A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH10293321A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2010041058A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板とその製造方法 |
JP2010272706A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Videocon Global Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置及びこれらの製造方法 |
JP2011044697A (ja) * | 2009-07-18 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011029304A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
JP2011054942A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2012020525A1 (ja) * | 2010-08-07 | 2012-02-16 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置 |
WO2012053161A1 (ja) * | 2010-10-18 | 2012-04-26 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10204973B2 (en) | 2014-01-15 | 2019-02-12 | Joled Inc. | Display device and thin-film transistors substrate |
JPWO2015107606A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-03-23 | 株式会社Joled | 表示装置及び薄膜トランジスタ基板 |
WO2015107606A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社Joled | 表示装置及び薄膜トランジスタ基板 |
WO2016175034A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | 三菱電機株式会社 | トランジスタ、薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 |
JPWO2016175034A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | トランジスタ、薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 |
US10074722B2 (en) | 2015-04-28 | 2018-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Transistor, thin-film transistor substrate, and liquid crystal display |
WO2017018416A1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2017090477A1 (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2017199902A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及びフレキシブルデバイスの作製方法 |
WO2018163944A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、液晶表示装置 |
WO2018199037A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
EP3454376A1 (en) * | 2017-09-12 | 2019-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and demultiplexer circuit |
CN109494229A (zh) * | 2017-09-12 | 2019-03-19 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和多路分配电路 |
CN112054031A (zh) * | 2019-06-06 | 2020-12-08 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其制造方法 |
CN112054031B (zh) * | 2019-06-06 | 2023-06-27 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其制造方法 |
CN115295609A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-11-04 | 惠科股份有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6128961B2 (ja) | 2017-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6128961B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 | |
US10120247B2 (en) | Manufacturing method for TFT substrate and TFT substrate manufactured by the manufacturing method thereof | |
US9059296B2 (en) | Oxide thin film transistor and method of fabricating the same | |
US9461077B2 (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing the same | |
JP6238712B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
JP2009020199A (ja) | 表示パネル及びその製造方法 | |
JP5717546B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
US9171940B2 (en) | Thin film transistor substrate, display device, and method for manufacturing thin film transistor substrate | |
JP6436660B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
US10797082B2 (en) | Thin film transistor array substrate and method of producing the same | |
JP6785563B2 (ja) | 非線形素子、アレイ基板、およびアレイ基板の製造方法 | |
JP6501514B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
US11126039B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
US20100032673A1 (en) | Liquid crystal display device | |
US9947798B2 (en) | Display device | |
US9726946B2 (en) | Liquid crystal display device and production method for same | |
JP6482256B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 | |
JP5090133B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US20080191211A1 (en) | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device | |
JP2020096095A (ja) | 薄膜トランジスタ基板、表示装置および液晶表示装置 | |
KR20120072817A (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP6703169B2 (ja) | 表示用パネル基板、表示パネル、および表示装置 | |
WO2018163944A1 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、液晶表示装置 | |
JP2015220387A (ja) | 表示用パネル基板、表示パネル、表示装置、および表示用パネル基板の製造方法 | |
WO2018150620A1 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置、及び、薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170314 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6128961 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |