JP2011029304A - 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents
半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011029304A JP2011029304A JP2009171890A JP2009171890A JP2011029304A JP 2011029304 A JP2011029304 A JP 2011029304A JP 2009171890 A JP2009171890 A JP 2009171890A JP 2009171890 A JP2009171890 A JP 2009171890A JP 2011029304 A JP2011029304 A JP 2011029304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal oxide
- semiconductor device
- wiring layer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】ITO等の金属酸化物を用いた画素電極2aが、層間絶縁層9に形成されたコンタクトホール9aを介してIGZO層を用いた配線層7aと電気的に接続している。画素電極2aとAl−Nd合金を用いた上電極6cと直接接触させた場合、コンタクト抵抗が高くなるが、配線層7aにIGZO層を用い、画素電極2aにITO等の第2金属酸化物配線層を用いた場合、互いの構造が類似していることから、密接させるだけで接触抵抗の増大を招くことなく電気的に導通を取ることが可能となる。
【選択図】図3
Description
以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。図1(a)は、本発明を適用した半導体装置としての素子基板を備えた液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、(b)は、(a)のH−H’断面図である。以後、「上」とは、素子基板10から対向基板20に向かう方向と定義し、直接構成要素が接触していない場合も含むものとする。そして、「下」とは「上」と反対方向を指すものとして定義し、直接構成要素が接触していない場合も含むものとする。図1(a)、(b)において、本形態の液晶装置100は、TN(Twisted Nematic)モード、ECB(Electrically Contorolled Birefringence)モード、あるいはVAN(Vertical Aligned Nematic)モード等で駆動される透過型のアクティブマトリクス型液晶装置である。この液晶装置100では、シール材22を介して素子基板10(半導体装置)と、対向基板本体21の素子基板10側に、対向電極28や配向膜29等を備えた対向基板20とが貼り合わされ、その間に液晶1fが保持されている。素子基板10において、シール材22の外側に位置する端部領域には、データ線駆動用IC60、および走査線駆動用IC30がCOG(Chip On Glass)実装されているとともに、基板辺に沿って実装端子12が形成されている。シール材22は、素子基板10と対向基板20とをそれらの周辺で貼り合わせるための光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等を用いた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール材22には、その途切れ部分によって液晶注入口25が形成され、液晶1fを注入した後、封止材26により封止されている。
図2は、図1に示す液晶装置が備える素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。図2に示すように、素子基板10には、画像表示領域1aに相当する領域に複数のソース線6a(データ線)およびゲート線3a(走査線)が互いに交差する方向に形成され、これらの配線の交差部分に対応する位置に画素1bが構成されている。ゲート線3aは走査線駆動用IC30から延びており、ソース線6aはデータ線駆動用IC60から延びている。また、素子基板10には、液晶1fの駆動を制御するための画素スイッチング用のTFT1cが各画素1bに形成され、TFT1cのソースにはソース線6aが電気的に接続され、TFT1cのゲートにはゲート線3aが電気的に接続されている。
以下、ドレイン電極と配線層を並列に配置した構成について図面を用いて説明する。図3(a)は、本実施形態にかかる電気光学装置を含む液晶装置の画素1つ分の平面図、(b)は、A1−B1に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。図3(a)では、画素電極を太くて長い点線で示し、ゲート線およびそれと同時形成された薄膜を細い実線で示し、ソース線およびそれと同時形成された薄膜を細い一点鎖線で示し、半導体層を細くて短い点線で示してある。コンタクトホールについては、ゲート線等と同様、細い実線で示してある。
以下、配線層をドレイン電極と容量電極に用いた構成について図面を用いて説明する。図4(a)は、本実施形態にかかる電気光学装置を含む液晶装置の画素1つ分の平面図、(b)は(a)のA1−B1に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。本実施形態は、上記した実施形態と類似するところが多いため、主な差異がある部分について説明し、重複を避けるものとする。
次に、半導体装置としての素子基板の製造方法について、図面を用いて説明する。
次に、半導体装置としての素子基板の別の製造方法について、図面を用いて説明する。図7(a)、(b)は本実施形態の液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態は、上記した実施形態と類似するところが多いため、主な差異がある部分について説明し、重複を避けるものとする。工程1から工程4までは同様な工程を用いているため省略し、工程5以降について説明する。
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置としての素子基板を含む液晶装置を搭載した電子機器について説明する。図8(a)に、液晶装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター2000は、表示ユニットとしての液晶装置100と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。図8(b)に、液晶装置を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、液晶装置100に表示される画面がスクロールされる。図8(c)に、液晶装置を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置100に表示される。
Claims (9)
- 基板表面側に配置され開口部を備える絶縁体層と、
前記絶縁体層の一方の面側に位置し、金属酸化物半導体層と第1金属酸化物配線層とを兼ねる第1金属酸化物層と、
前記絶縁体層の他方の面側に位置し、前記絶縁体層を含む分離領域により前記第1金属酸化物層と分離され、かつ前記開口部を介して前記第1金属酸化物配線層と一部が密接している第2金属酸化物配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、前記第1金属酸化物配線層は、電気的に並列に接続された金属導体層を備えることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の半導体装置であって、前記第1金属酸化物配線層は、前記金属酸化物半導体層よりもキャリア密度が高いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置であって、前記第1金属酸化物配線層と前記第2金属酸化物配線層とは、前記開口部と連なる前記第1金属酸化物配線層の側壁、または開口面に位置する前記第1金属酸化物配線層の少なくともいずれかで密接していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置であって、前記第1金属酸化物層はIGZO(インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物)、インジウム−亜鉛酸化物、ZnO(酸化亜鉛)であり、前記第2金属酸化物配線層は、ITO(インジウム−錫酸化物)であることを特徴とする半導体装置。
- 基板表面側に、ゲート電極を形成する工程と、
前記基板表面側に、ゲート絶縁層を形成する工程と、
前記基板表面側に、金属酸化物半導体層と第1金属酸化物配線層とを兼ねる金属酸化物層を形成する工程と、
前記金属酸化物層表面の一部に、前記基板の平面方向で前記ゲート電極と重なるエッチング保護層を形成する工程と、
前記基板表面側に保護層を形成する工程と、
前記保護層を開口させ、前記第1金属酸化物配線層を露出させた開口部を形成する工程と、
前記基板表面側に前記開口部で第1金属酸化物配線層と密接する第2金属酸化物配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体装置の製造方法であって、前記エッチング保護層を形成した後、前記保護層を形成する前に、
前記基板表面側に金属層を形成する工程と、
前記基板の面方向において、前記エッチング保護層に重なる領域にある前記金属層は除去し、前記ゲート電極を挟むソース・ドレイン領域は残して前記金属層と前記金属酸化物層を一度にエッチングする工程と、
をさらに有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体装置の製造方法であって、前記エッチング保護層を形成した後であって、前記保護層を形成する前に、
前記基板表面側をプラズマ処理し、前記金属酸化物半導体層と比べ導電率が高い前記第1金属酸化物配線層を形成する工程と、
をさらに有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置、または請求項6〜8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法で作られた半導体装置を含むことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009171890A JP5685805B2 (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009171890A JP5685805B2 (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029304A true JP2011029304A (ja) | 2011-02-10 |
JP5685805B2 JP5685805B2 (ja) | 2015-03-18 |
Family
ID=43637735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009171890A Expired - Fee Related JP5685805B2 (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5685805B2 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012023226A1 (ja) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びその製造方法、表示装置 |
JP2012089814A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2013125917A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR101428940B1 (ko) | 2012-08-23 | 2014-08-08 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2014154672A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置 |
US8900900B2 (en) | 2012-11-19 | 2014-12-02 | Au Optronics Corp. | Array substrate and manufacturing method thereof |
JP2014232824A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 |
TWI471949B (zh) * | 2012-11-16 | 2015-02-01 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 薄膜電晶體基板與顯示器 |
JP2015220387A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 三菱電機株式会社 | 表示用パネル基板、表示パネル、表示装置、および表示用パネル基板の製造方法 |
US9547194B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-17 | Innolux Corporation | Liquid crystal display apparatus |
JP2017108145A (ja) * | 2011-11-11 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2018043472A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP2018081293A (ja) * | 2015-12-28 | 2018-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、および電子機器 |
JP2019050405A (ja) * | 2013-10-31 | 2019-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019153811A (ja) * | 2019-05-24 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | 表示用パネル基板、表示パネル、および表示装置 |
JP2021051309A (ja) * | 2016-11-30 | 2021-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2022088391A (ja) * | 2011-12-22 | 2022-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022111136A (ja) * | 2011-09-29 | 2022-07-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04257229A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶ディスプレイの製造方法 |
JPH10200117A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Seiko Epson Corp | コンタクトホール形成方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、液晶表示装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 |
JP2008040343A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2009099847A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置 |
-
2009
- 2009-07-23 JP JP2009171890A patent/JP5685805B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04257229A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶ディスプレイの製造方法 |
JPH10200117A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Seiko Epson Corp | コンタクトホール形成方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、液晶表示装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 |
JP2008040343A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP2009099847A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012023226A1 (ja) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びその製造方法、表示装置 |
JP5275519B2 (ja) * | 2010-08-18 | 2013-08-28 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びその製造方法、表示装置 |
JP2012089814A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP7322243B2 (ja) | 2011-09-29 | 2023-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2022111136A (ja) * | 2011-09-29 | 2022-07-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
CN106972031B (zh) * | 2011-11-11 | 2021-08-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置、el显示装置以及其制造方法 |
JP2017108145A (ja) * | 2011-11-11 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI728537B (zh) * | 2011-11-11 | 2021-05-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、el顯示裝置以及其製造方法 |
JP2018186296A (ja) * | 2011-11-11 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI664481B (zh) * | 2011-11-11 | 2019-07-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、el顯示裝置以及其製造方法 |
CN106972031A (zh) * | 2011-11-11 | 2017-07-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置、el显示装置以及其制造方法 |
JP2013125917A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2022088391A (ja) * | 2011-12-22 | 2022-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7291821B2 (ja) | 2011-12-22 | 2023-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9547194B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-17 | Innolux Corporation | Liquid crystal display apparatus |
KR101428940B1 (ko) | 2012-08-23 | 2014-08-08 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI471949B (zh) * | 2012-11-16 | 2015-02-01 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 薄膜電晶體基板與顯示器 |
US9064749B2 (en) | 2012-11-19 | 2015-06-23 | Au Optronics Corp. | Array substrate |
US8900900B2 (en) | 2012-11-19 | 2014-12-02 | Au Optronics Corp. | Array substrate and manufacturing method thereof |
JP2014154672A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置 |
JP2014232824A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2019050405A (ja) * | 2013-10-31 | 2019-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015220387A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 三菱電機株式会社 | 表示用パネル基板、表示パネル、表示装置、および表示用パネル基板の製造方法 |
US11069718B2 (en) | 2015-12-28 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
JP2018081293A (ja) * | 2015-12-28 | 2018-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、および電子機器 |
US11791344B2 (en) | 2015-12-28 | 2023-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
JPWO2018043472A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2019-06-27 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
WO2018043472A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP2021051309A (ja) * | 2016-11-30 | 2021-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11456320B2 (en) | 2016-11-30 | 2022-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
US11837607B2 (en) | 2016-11-30 | 2023-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
JP2019153811A (ja) * | 2019-05-24 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | 表示用パネル基板、表示パネル、および表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5685805B2 (ja) | 2015-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5685805B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 | |
JP6994553B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6600761B1 (ja) | 表示装置 | |
JP6408529B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6423046B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI497725B (zh) | 顯示器及電子單元 | |
JP5550684B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5439878B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および電子機器 | |
US20190302554A1 (en) | Pixel structure and touch panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5685805 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |