JP3603496B2 - 液晶表示装置用電極板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用電極基板に係わり、特に導電性、透明性、耐久性が高く、透明画素電極とゲート電極とを同じ材質で形成した薄膜トランジスタを持った電極基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ガラス、プラスチックフィルム等の基板上に、可視光線を透過する電極形状の透明導電膜が設けられた電極板は、液晶表示装置等の各種表示装置の表示用電極やこの表示装置の表示画面から直接入力する入出力電極などに広く使用されている。
例えば、薄膜トランジスタ(以下TFTという)方式液晶表示装置のTFT形成側電極板は、逆スタガード型の場合、図2(a)及び図2(b)に示すように、ガラス基板1(図示せず)と、ガラス基板1上に成膜された透明画素電極2′、ゲート電極3、ゲート絶縁膜4、アモルファスシリコン層5、オーミック層6、ソース電極7、ドレイン電極8、および前記回路上の全面に薄く成膜された配向膜(図示せず)とでその主要部が構成されている。ここで上記透明画素電極2′はスパッタリングにより成膜されたのち所定のパターンにエッチングされた透明導電膜により構成されている。この透明導電膜としては従来、例えばインジウム〜スズ酸化物(以下ITOという)からなる透明酸化物薄膜もしくは0.1〜3at%(原子%)銅を含有する銀系薄膜をITO薄膜または酸化インジウム薄膜で挟持する3層構造の透明導電膜が提案されていた。また、ゲート電極3は、導電性やガラス基板1との密着性の良さから金属クロムや金属タンタルを用いたエッチングパターンの薄膜により形成していた。
【0003】
ところで、上記ディスプレイ装置や入出力装置においては、近年、画素密度をの増大と表示画面の大型化が求められており、上記透明電極として面積抵抗率5Ω/□以下という高い導電性を備えた透明導電膜を適用する必要があった。また、これに加えて、スーパー・ツイスト・ネマティック(STN)液晶等を利用した単純マトリクス駆動方式の液晶表示装置において16階調以上の多階調表示を行う場合には3Ω/□以下というさらに低い面積抵抗率が要求されている。
【0004】
しかしながら、上記3層構造の透明導電膜においては、高々5Ω/□程度の面積抵抗率が得られるに過ぎず、十分な導電性が確保できないという問題点があった。銀薄膜の厚さを厚くすることによりその面積抵抗率を約3Ω/□に低下させることは可能であるが、可視光線透過率が低下し、透明導電膜としての機能が損なわれてしまう。
さらに、上記3層構造の透明導電膜においては、銀の薄膜が積層界面などから進入した空気中の水分と化合しやすく、その表面に反応物を生成してシミ状の欠陥を生じ表示欠陥となりやすいという耐久性のなさが問題点であった。
【0005】
したがって、このような問題を抱えた透明電極は、その他のTFT回路内の電極に用いることはできず、図3(a)に示すようにゲート電極をクロム、タンタル、アルミニウムなどの金属膜で形成した後、図3(b)に示すように透明画素電極をITO膜で形成していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記のような問題点を解消することを目的としたものであって、その課題とするところは、導電性、透明性、耐久性が高く、従って画素電極とゲート電極とを同じ材質で同時に形成した薄膜トランジスタを持った電極基板を提供することにある。ITO膜では導電性が十分でなく、配線抵抗が高くなりすぎるため、ゲート電極と透明電極を兼用できなかった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、透明基板上に、少なくとも液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極を配置し、スイッチング素子としての逆スタガード型の薄膜トランジスタを存在させてなる透過型液晶表示装置用電極板または反射型液晶表示装置用電極板において、前記液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極を、透過型の場合は厚さ15〜30nm、反射型の場合は厚さ50〜200nmの銀系薄膜を透明酸化物薄膜にて挟持した3層構造の透明導電膜とし、上記透明酸化物薄膜が、銀と固溶しやすい元素の酸化物を一種以上含む第1の基材と、銀と固溶しにくい元素の酸化物を一種以上含む第2の基材との混合酸化物であることを特徴とする液晶表示装置用電極板である。また、銀系薄膜が、金を0.1〜10at%(原子%)含有する銀合金であることを特徴とする上記の液晶表示装置用電極板である。
【0008】
すなわち、液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極の間に逆スタガード型の薄膜トランジスタを配置してなる透過型液晶表示装置用電極板または反射型液晶表示装置用電極板において、液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極に関し、それらの導電性が高く(つまり抵抗値が低く)、かつ耐湿性などの耐環境性にすぐれた電極を実現するため、それらを下記の銀系薄膜を下記の透明酸化物薄膜にて挟持した3層構造の透明導電膜とする。このように本発明では、図3(c)に示すように、薄膜トランジスタの製造工程においては、透明画素電極とゲート電極を同じ薄膜で同時に形成することができる。
【0009】
すなわち上記銀系薄膜は、透過型液晶表示装置において高輝度の光源をバックライトとする構成では、厚さ15〜30nmが適当である。これは、厚さ1nmより薄くなると上記銀系薄膜のゲート線としての配線抵抗が大きくなって電極として正しく機能しなくなり、30nmを超えると必要な光透過率を維持することが難しくなるためである。一方、銀系薄膜の膜厚を50nmより厚く形成すると、光の反射率の高い反射電極となる。反射電極は、反射型液晶表示装置で反射板と駆動電極を兼ねた反射電極として用いることができる。この場合、厚さ50〜200nmが適当である。これは、厚さが50nmを下回ると、反射板として充分な光反射率が得られず、また200nmより厚く形成しても無意味で材料の無駄であり、経済的理由から好ましくない。なお、反射電極を形成する基板は、透明であっても良いが、白、黒その他の色に着色された基板であっても良い。材質も、ガラス、プラスチックフィルム、あるいはセラミックなど種々のものが使用できる。
【0010】
また、上記透明酸化物薄膜は、銀と固溶しやすい元素の酸化物、すなわちインジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アルミニウムなどの酸化物のうち一種以上を含む第1の基材と、銀と固溶しにくい元素の酸化物、すなわちセリウム、チタン、ビスマス、クロム、ゲルマニウム、シリコン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタルなどの酸化物のうち一種以上を含む第2の基材との混合酸化物である。この混合酸化物の第1の基材と第2の基材の割合は、重量比(または原子量比)100:5〜100:100の比率が最適である。透明酸化物は、3層構造の透明導電膜の耐湿性を上げるため非晶質であることが望ましい。さらに言えば、この混合酸化物の光屈折率は、3層構造の透明導電膜の光透過率を高める観点からは高屈折率であることが良く、例えば2.2以上であることが好ましい。なお、反射電極の場合、混合酸化物は高屈折率である必要はない。
また上記銀系薄膜は、望ましくは耐湿性の観点、Agマイグレーションの抑制の点で金を0.1〜10at%含有する銀合金であるほうが良い。
なお、本発明のTFT電極板の上に、遮光膜、もしくは遮光膜(ブラックマトリクス)とカラーフィルタ(R,G,Bの3色)を重ねて形成することもできる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態は以下の通りである。
まず、図4(a)に示すように、ガラス基板1上に透明画素電極2とゲート電極3を以下に示す3層膜にてパターン形成する。ここで形成する3層膜は、銀と固溶しやすい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化インジウム(In2O3)や酸化スズ(SnO2)を含むものを第1の基材とし、銀と固溶しにくい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化セリウム(CeO2)や酸化チタン(TiO2)を含むものを第2の基材とし、これら第1の基材と第2の基材を60:40の比率で混合した混合酸化物を膜厚35〜60nm程度に蒸着形成し、次いで金を0.1〜10at%含有する銀合金を、透過型液晶表示装置の場合は厚さ15〜30nmに、反射型液晶表示装置の場合には厚さ50〜200nm程度に形成し、さらに前記混合酸化物を同様に膜厚35〜60nm程度に形成したものである。
【0012】
3層構成の透明電極は、フォトリソグラフィーの手法を用い、硫酸にごく少量のフッ酸を加えた混酸にてエッチングし、パターン形成した。パターン断面形状は、ゲート電極や画素電極として形成された透明電極とのコンタクトが十分に取れるように銀系薄膜端面が一部露出する図5の形状とした。
なお、当実施例で用いた混酸は、フッ酸の代わりに塩酸、過塩素酸、硝酸、硝酸第2セリウムアンモニウム、クロム酸塩などを加えても良い。加温した硫酸単体でも良い。また、界面活性剤を適当量加えても良い。あるいは塩酸と硝酸の混酸でも良い。
【0013】
次いで、図4(b)に示すようにゲート絶縁膜4をSiNxにて形成する。続いて図4(c)に示すようにアモルファスシリコン(a−Si:H)層5を形成する。続いて図4(d)に示すようにオーミック層6を形成する。次いで図4(e)に示すようにソース電極7とドレイン電極8を金属アルミニウム膜にて形成する。
【0014】
上記のようにして形成してできた図1に示すような液晶表示装置用電極板において、透明画素電極2とゲート電極3は、同時に同じ3層膜にて形成され、いずれも高い導電性、すなわち低い抵抗値(透過型電極で1〜2Ω/□、反射型電極で0.2Ω/□)、高い光透過率(全可視光波長で60%以上)、高いガラス密着性、耐久性を備えている。
【0015】
【実施例】
<実施例1>
本発明の、透過型TFT方式液晶表示装置のTFT形成側電極板の製造プロセスを、以下に図面を用いて説明する。
まず、図4(a)に示すように、ガラス基板1上に透明画素電極2とゲート電極3を以下に示す3層膜にて厚さ約0.11μmにスパッタリングにて同時に成膜し、ウエットエッチングにてパターン形成した。ここで形成する3層膜は、銀と固溶しやすい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化インジウム(In2O3)を含むものを第1の基材とし、銀と固溶しにくい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化セリウム(CeO2)および酸化チタン(TiO2)を含むものを第2の基材とし、これら第1の基材と第2の基材を60:40の比率で混合した混合酸化物を膜厚40nmに形成し、次いで金を1.5at%含有する銀合金を厚さ25nmに形成し、さらに前記混合酸化物を同様に膜厚45nmに形成したものである。
【0016】
次いで図4(b)に示すようにゲート絶縁膜4をSiNxにてプラズマCVDで厚さ0.5μmに形成した。ここで、基板温度は300℃、水素を170sccm、水素で希釈した10%シラン(SiH4:10%、H2:90%)を流量50sccm、同じく水素希釈のアンモニアを流量34sccmで反応室内に供給し、圧力1torr、負荷電力180W、堆積速度1Å/secにて成膜を行った後、パターンエッチングをCF4を用いた反応性イオンエッチングにて行った。続いて図4(c)に示すようにアモルファスシリコン(a−Si:H)層5をプラズマCVDにて厚さ0.05μmに形成した。ここで、基板温度は250℃、水素で希釈した10%シラン(SiH4:10%、H2:90%)を流量300sccmで反応室内に供給し、圧力1torr、負荷電力60W、堆積速度1Å/secにて成膜を行った後、同じく反応性イオンエッチングをCF4ガス中にて行ってアモルファスシリコン層5をパターン化した。続いて図4(d)に示すようにオーミック層6をプラズマCVDにて厚さ0.05μmに形成した。ここで、基板温度は250℃、水素を150sccmと、水素で希釈した10%シラン(SiH4:10%、H2:90%)を流量300sccm、水素希釈1000ppmのPH3を流量90sccmで反応室内に供給し、圧力1torr、負荷電力60W、堆積速度0.6Å/secにて成膜を行った後、CF4ガスを用いた反応性イオンエッチングにてオーミック層6をパターン化した。次いで図4(e)に示すようにソース電極7とドレイン電極8を金属アルミニウム膜にて厚さ0.8μmにスパッタリングにて成膜、ウエットエッチングにてパターン成膜した。得られた透明画素電極2の光透過率は可視全波長域で60%以上であり、表面抵抗率は1.2Ω/□であった。ゲート電極もTFT用として正しく機能した。
【0017】
<実施例2>
本発明の、反射型TFT方式液晶表示装置のTFT形成側電極板の製造プロセスを、以下に図面を用いて説明する。
まず、図4(a)に示すように、ガラス基板1上に透明画素電極2とゲート電極3を以下に示す3層膜にて厚さ約0.23μmにスパッタリングにて同時に成膜し、ウエットエッチングにてパターン形成した。ここで形成する3層膜は、銀と固溶しやすい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化インジウム(In2O3)を含むものを第1の基材とし、銀と固溶しにくい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化セリウム(CeO2)を含むものを第2の基材とし、これら第1の基材と第2の基材を60:40の比率で混合した混合酸化物を膜厚30nmに形成し、次いで金を0.3at%含有する銀合金を厚さ150nmに形成し、さらに前記混合酸化物を同様に膜厚45nmに形成したものである。
【0018】
次いで図4(b)に示すようにゲート絶縁膜4をSiNxにてプラズマCVDで厚さ0.5μmに形成した。ここで、基板温度は300℃、水素を170sccmと、水素で希釈した10%シラン(SiH4:10%、H2:90%)を流量50sccm、アンモニアを流量34sccmで反応室内に供給し、圧力1torr、負荷電力180W、堆積速度1Å/secにて成膜を行った後、CF4ガスを用いる反応性イオンエッチングによりゲート絶縁膜4となるパターン化を行った。続いて図4(c)に示すようにアモルファスシリコン(a−Si:H)層5をプラズマCVDにて厚さ0.05μmに形成した。ここで、基板温度は250℃、水素を150sccmと、水素で希釈した10%シラン(SiH4:10%、H2:90%)を流量300sccmで反応室内に供給し、圧力1torr、負荷電力60W、堆積速度1Å/secにて成膜を行った後、CF4ガスを用いる反応性イオンエッチングによりアモルファスシリコン層5のパターン化を行った。続いて図4(d)に示すようにオーミック層6をプラズマCVDにて厚さ0.05μmに形成した。ここで、基板温度は250℃、水素を150sccm、水素で希釈した10%シラン(SiH4:10%、H2:90%)を流量300sccm、水素希釈1000ppmのPH3を流量90sccmで反応室内に供給し、圧力1torr、負荷電力60W、堆積速度1Å/secにて成膜を行った後、反応性イオンエッチングをCF4ガス中にて行った。次いで図4(e)に示すようにソース電極7とドレイン電極8を金属アルミニウム膜にて厚さ0.6〜1.0μmにスパッタリングにて成膜、ウエットエッチングにてパターン形成した。
【0019】
【発明の効果】
以上のようにして液晶表示装置用電極基板を製造すれば、画素電極とゲート電極を同時に形成でき、煩瑣な薄膜トランジスタの製造工程の省略が可能になる。また、従来のITO/Ag/ITOの3層膜に比べて極めて耐湿性に富んでおり、薄膜トランジスタとして充分な実用レベルの性能と耐久性が獲得される。加えて、銀系薄膜とガラス基板の間に酸化物層が介在するため、銀系薄膜とガラス基板との密着性が良く、耐久性の向上に寄与する。しかも、反射型電極基板によれば、銀系薄膜は表面反射率が高く、良好な反射型電極基板となる。
【0020】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の液晶表示装置用電極板の構成を示す説明図である。
【図2】従来の液晶表示装置用電極板の構成を、(a)は上面から、(b)は(a)のA−A′切断面から見た様子を示す説明図である。
【図3】(a)〜(c)は、従来の液晶表示装置用電極板の製造工程の一部を示す説明図である。
【図4】(a)〜(e)は、本発明の液晶表示装置用電極板の製造工程を順に示す説明図である。
【図5】本発明の3層構成の透明電極のパターン断面形状を示す説明図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 透明画素電極
3 ゲート電極
4 ゲート絶縁膜
5 アモルファスシリコン層
6 オーミック層
7 ソース電極
8 ドレイン電極
9 銀系薄膜
Claims (3)
- 透明基板上に、少なくとも液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極を配置し、スイッチング素子としての逆スタガード型の薄膜トランジスタを存在させてなる透過型液晶表示装置用電極板において、前記液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極を、厚さ15〜30nmの銀系薄膜を透明酸化物薄膜にて挟持した3層構造の透明導電膜とし、上記透明酸化物薄膜が、銀と固溶しやすい元素の酸化物を一種以上含む第1の基材と、銀と固溶しにくい元素の酸化物を一種以上含む第2の基材との混合酸化物であることを特徴とする透過型液晶表示装置用電極板。
- 透明基板上に、少なくともゲート電極と液晶駆動用の透明画素電極を配置し、スイッチング素子としての逆スタガード型の薄膜トランジスタを存在させてなる反射型液晶表示装置用電極板において、前記液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極を、厚さ50〜200nmの銀系薄膜を透明酸化物薄膜にて挟持した3層構造の透明導電膜とし、上記透明酸化物薄膜が、銀と固溶しやすい元素の酸化物を一種以上含む第1の基材と、銀と固溶しにくい元素の酸化物を一種以上含む第2の基材との混合酸化物であることを特徴とする反射型液晶表示装置用電極板。
- 銀系薄膜が、金を0.1〜10at%(原子%)含有する銀合金であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の液晶表示装置用電極板。
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KR100750922B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 배선 및 그 제조 방법과 그 배선을 포함하는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
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