JP2506067B2 - 透過型液晶表示装置 - Google Patents
透過型液晶表示装置Info
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- JP2506067B2 JP2506067B2 JP58163664A JP16366483A JP2506067B2 JP 2506067 B2 JP2506067 B2 JP 2506067B2 JP 58163664 A JP58163664 A JP 58163664A JP 16366483 A JP16366483 A JP 16366483A JP 2506067 B2 JP2506067 B2 JP 2506067B2
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- Japan
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- film
- crystal display
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、アクティブマトリクス方式の透過型液晶表
示装置に関する。
示装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕 近年、アモルファスシリコンやポリシリコンを用いた
薄膜トランジスタ（TFT）をスイッチ素子としたアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置の試作開発が活性化し
ている。TFTアレイは低温プロセスで形成できるため、
基板材料が特に限定されず、また従来の半導体装置にお
ける露光技術、エッチング技術をそのまま利用すること
ができるという利点を有する。このため、各種ディスプ
レイの低コスト化、薄型化、低消費電力化を図るものと
して有望視されている。
薄膜トランジスタ（TFT）をスイッチ素子としたアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置の試作開発が活性化し
ている。TFTアレイは低温プロセスで形成できるため、
基板材料が特に限定されず、また従来の半導体装置にお
ける露光技術、エッチング技術をそのまま利用すること
ができるという利点を有する。このため、各種ディスプ
レイの低コスト化、薄型化、低消費電力化を図るものと
して有望視されている。
一般に透過型液晶表示装置の基板としては、両面研磨
したホウ硅酸ガラスや石英ガラス等の透明ガラス基板が
用いられる。これらのガラス基板を用いてTFTアレイを
集積形成する工程においては、TFTのゲート絶縁膜、層
間絶縁膜、パシベーション膜として用いられるSiO2膜や
SiO2を主成分とするPSG,BSG膜のエッチング工程を複数
回必要とする。この場合エッチング法として、湿式であ
ればフッ化水素HF系のエッチング液を用いなければなら
ない。ところがこのようなエッチング液は、SiO2を主成
分とするガラス基板をも同時にエッチングする。このた
め、TFTアレイを集積形成したガラス基板の面が白濁不
透明化する。これは透過型液晶表示装置の生命ともいえ
る光の透過率を著しく低下させる。実際に通常のホウ珪
酸ガラス基板を用いてTFTアレイを形成した場合、基板
の光透過率は約30％程度となる。
したホウ硅酸ガラスや石英ガラス等の透明ガラス基板が
用いられる。これらのガラス基板を用いてTFTアレイを
集積形成する工程においては、TFTのゲート絶縁膜、層
間絶縁膜、パシベーション膜として用いられるSiO2膜や
SiO2を主成分とするPSG,BSG膜のエッチング工程を複数
回必要とする。この場合エッチング法として、湿式であ
ればフッ化水素HF系のエッチング液を用いなければなら
ない。ところがこのようなエッチング液は、SiO2を主成
分とするガラス基板をも同時にエッチングする。このた
め、TFTアレイを集積形成したガラス基板の面が白濁不
透明化する。これは透過型液晶表示装置の生命ともいえ
る光の透過率を著しく低下させる。実際に通常のホウ珪
酸ガラス基板を用いてTFTアレイを形成した場合、基板
の光透過率は約30％程度となる。
本発明は上記の点に鑑み、高性能化を図ったアクティ
ブマトリクス方式の透過型液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
ブマトリクス方式の透過型液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
本発明は、TFTアレイを集積形成する側のガラス基板
の両面または少くとも裏面を、予め耐酸性耐アルカリ性
を有する耐エッチング特性に優れた透明絶縁膜で被覆し
たことを特徴とする。
の両面または少くとも裏面を、予め耐酸性耐アルカリ性
を有する耐エッチング特性に優れた透明絶縁膜で被覆し
たことを特徴とする。
本発明によれば、TFTアレイを形成するための多数回
のエッチング工程にも拘らず、その透明ガラス基板の白
濁不透明化を防止して、高性能のアクティブマトリクス
方式による透過型液晶表示装置を実現することができ
る。
のエッチング工程にも拘らず、その透明ガラス基板の白
濁不透明化を防止して、高性能のアクティブマトリクス
方式による透過型液晶表示装置を実現することができ
る。
図は本発明の一実施例装置の一画素部分を示す断面図
である。表示装置全体は、第１の電極板１、第２の電極
板２およびこれらに挾持された液晶３により構成され
る。第１の電極板１は、透明ガラス基板４の裏面全面
に、耐エッチング特性に優れた透明絶縁膜として1000〜
2000ÅのSnO2膜５をマグネトロンDCスパッタ法により形
成したものを出発基板として用いている。この基板上
に、Al膜からなるゲート電極６を形成し、ITO膜による
キャパシタ電極７を形成した後、全面にゲート絶縁膜と
なるCVD-SiO2膜８を形成する。ゲート電極６は一方向に
ついて各画素に共通に設けられてアドレス線となるか
ら、その端部で外部への取出しが必要である。そのため
に、CVD-SiO2膜８をフッ化アンモニウムによりエッチン
グしてコンタクトホール（図示せず）をあける。この
後、アモルファスシリコン膜９を堆積し、これをゲート
電極６上に残すようにパターニングする。また、ITO膜
の蒸着、パターニングにより表示画素電極10を形成す
る。この後、Al膜の蒸着、パターニングにより、表示画
素電極10に一部重なるソース電極12と、アドレス線とは
直交する方向に共通接続されてデータ線を構成するドレ
イン電極11を形成する。そして全面をCVD-SiO2膜13によ
っておおい、これをフッ化アンモニウムにより選択エッ
チングして、データ線、アドレス線の各端子部のコンタ
クトホール（図示せず）および表示画素電極10上の窓を
形成する。この後、Mo膜を蒸着、パターニングしてTFT
領域上に光しゃへい膜14を形成し、再度全面にCVD-SiO2
膜15を堆積し、これにフッ化アンモニウムによりコンタ
クトホールおよび表示画素電極上の窓を形成する。
である。表示装置全体は、第１の電極板１、第２の電極
板２およびこれらに挾持された液晶３により構成され
る。第１の電極板１は、透明ガラス基板４の裏面全面
に、耐エッチング特性に優れた透明絶縁膜として1000〜
2000ÅのSnO2膜５をマグネトロンDCスパッタ法により形
成したものを出発基板として用いている。この基板上
に、Al膜からなるゲート電極６を形成し、ITO膜による
キャパシタ電極７を形成した後、全面にゲート絶縁膜と
なるCVD-SiO2膜８を形成する。ゲート電極６は一方向に
ついて各画素に共通に設けられてアドレス線となるか
ら、その端部で外部への取出しが必要である。そのため
に、CVD-SiO2膜８をフッ化アンモニウムによりエッチン
グしてコンタクトホール（図示せず）をあける。この
後、アモルファスシリコン膜９を堆積し、これをゲート
電極６上に残すようにパターニングする。また、ITO膜
の蒸着、パターニングにより表示画素電極10を形成す
る。この後、Al膜の蒸着、パターニングにより、表示画
素電極10に一部重なるソース電極12と、アドレス線とは
直交する方向に共通接続されてデータ線を構成するドレ
イン電極11を形成する。そして全面をCVD-SiO2膜13によ
っておおい、これをフッ化アンモニウムにより選択エッ
チングして、データ線、アドレス線の各端子部のコンタ
クトホール（図示せず）および表示画素電極10上の窓を
形成する。この後、Mo膜を蒸着、パターニングしてTFT
領域上に光しゃへい膜14を形成し、再度全面にCVD-SiO2
膜15を堆積し、これにフッ化アンモニウムによりコンタ
クトホールおよび表示画素電極上の窓を形成する。
第２の電極板２は、透明ガラス基板16の全面にITO膜1
7に形成したものである。
7に形成したものである。
このようにして得られた透過型液晶表示装置は、基板
の白濁がなく良好な表示特性を示すことができた。
の白濁がなく良好な表示特性を示すことができた。
ちなみに、第１の電極板１は光透過率が約80％であっ
て、TFTアレイ集積工程前と殆んど変らず、従来のガラ
ス基板そのままを用いた場合に比べて２倍以上の透過率
であることが確認された。
て、TFTアレイ集積工程前と殆んど変らず、従来のガラ
ス基板そのままを用いた場合に比べて２倍以上の透過率
であることが確認された。
また、ホウ珪酸ガラス基板にSnO2膜を形成したもの
を、それぞれ塩酸、王水、リン酸、フッ酸、フッ化アン
モニウム10分間浸漬する実験を行った結果、いずれの場
合も光透過率に殆んど変化のないことが確認された。
を、それぞれ塩酸、王水、リン酸、フッ酸、フッ化アン
モニウム10分間浸漬する実験を行った結果、いずれの場
合も光透過率に殆んど変化のないことが確認された。
本発明は上記実施例に限られない。例えば、TFTアレ
イを集積する側のガラス基板を被覆する透明絶縁膜とし
て、SnO2膜の他、耐酸性耐アルカリ性に優れかつ光透過
率の高いもの、例えばAl2O3、Si3N4、SiC等、あるいは
これらを適当に組合せで積層膜を利用することができ
る。
イを集積する側のガラス基板を被覆する透明絶縁膜とし
て、SnO2膜の他、耐酸性耐アルカリ性に優れかつ光透過
率の高いもの、例えばAl2O3、Si3N4、SiC等、あるいは
これらを適当に組合せで積層膜を利用することができ
る。
また実施例では、透明絶縁膜をガラス基板の裏面にの
み設けたが、両面に設けてもよい。
み設けたが、両面に設けてもよい。
更に、TFTを構成する半導体材料は多結晶シリコン
等、他のものを用いることができる。
等、他のものを用いることができる。
図は本発明の一実施例に係る液晶表示装置の一画素部分
の断面図である。 １……第１の電極板、２……第２の電極板、３……液
晶、４……透明ガラス基板、５……SnO2膜（透明絶縁
膜）、６……ゲート電極、７……キャパシタ電極、８…
…CVD-SiO2膜、９……アモルファスシリコン層、10……
表示画素電極、11……ドレイン電極、12……ソース電
極、13……CVD-SiO2膜、14……光しゃへい膜、15……CV
D-SiO2膜、16……透明ガラス基板、17……ITO膜。
の断面図である。 １……第１の電極板、２……第２の電極板、３……液
晶、４……透明ガラス基板、５……SnO2膜（透明絶縁
膜）、６……ゲート電極、７……キャパシタ電極、８…
…CVD-SiO2膜、９……アモルファスシリコン層、10……
表示画素電極、11……ドレイン電極、12……ソース電
極、13……CVD-SiO2膜、14……光しゃへい膜、15……CV
D-SiO2膜、16……透明ガラス基板、17……ITO膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 光志 川崎市幸区小向東芝町１番地 東京芝浦 電気株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−91428（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−108798（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】透明ガラス基板の表面に薄膜トランジスタ
アレイとこれにより選択駆動される表示画素電極を集積
形成してなる第１の電極板と、透明ガラス基板の表面に
透明導電膜を形成してなる第２の電極板と、これに第1,
第２の電極板の間に挾持される液晶とを備えた透過型液
晶表示装置において、前記第１の電極板側の透明ガラス
基板の両面または裏面を、予め耐酸性耐アルカリ性を有
する耐エッチング特性に優れた透明絶縁膜で被覆してな
ることを特徴とする透過型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163664A JP2506067B2 (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 透過型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163664A JP2506067B2 (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 透過型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055383A JPS6055383A (ja) | 1985-03-30 |
| JP2506067B2 true JP2506067B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=15778238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163664A Expired - Lifetime JP2506067B2 (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 透過型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506067B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174015A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2584290B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1997-02-26 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH0597178A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-20 | Kanshin Shin | カセツトテープ等の保管用ケース |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108798A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Method of fabricating multilayer printed circuit board |
| JPS5891428A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP58163664A patent/JP2506067B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6055383A (ja) | 1985-03-30 |
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