JP2011076080A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と、第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、
   前記第１の薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重なる第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層と接する酸化物絶縁層と、を有し、
   前記画素部は、前記酸化物絶縁層上に前記ドレイン電極層と電気的に接続する第１電極層と、
   前記酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と、
   前記カラーフィルタ層上に前記第１電極層と電気的に接続する第１の電極と、
   前記第１の電極上に発光層と、
   前記発光層上に第２の電極と、を有し、
   前記第２の薄膜トランジスタは、少なくともチャネル形成領域を含む第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第２の酸化物半導体層の周縁部は、前記酸化物絶縁層と接し、
   前記第２の薄膜トランジスタのドレイン電極層及びソース電極層、並びに前記第２の酸化物半導体層のチャネル形成領域は、絶縁層と接することを特徴とする発光装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の薄膜トランジスタの前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記酸化物絶縁層、及び前記第１の電極は透光性を有することを特徴とする発光装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層は、前記第１の薄膜トランジスタの前記ゲート電極層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層と材料が異なり、前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料であることを特徴とする発光装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分とする膜、若しくはその膜とその元素を含む合金膜とを組み合わせた積層膜からなることを特徴とする発光装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、前記第１の薄膜トランジスタの前記第１電極層と同じ材料であることを特徴とする発光装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１の薄膜トランジスタのソース電極層、及びドレイン電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛であることを特徴とする発光装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記酸化物絶縁層は、スパッタ法で形成される酸化珪素膜、または、酸化アルミニウム膜であることを特徴とする発光装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
   前記第２の薄膜トランジスタは、前記第２の酸化物半導体層と前記ソース電極層との間、前記第２の酸化物半導体層と前記ドレイン電極層との間の両方に酸化物導電層をそれぞれ有することを特徴とする発光装置。
9. 絶縁表面を有する基板上に第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成し、
   前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上に前記第１のゲート電極層と重なる第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上に、前記第１のゲート電極層、第１のソース電極層の一部、及び第１のドレイン電極層の一部と重なる第１の酸化物半導体層と、前記第２のゲート電極層と重なる第２の酸化物半導体層を形成し、
   前記第２の酸化物半導体層の周縁部と接し、且つ、前記第１の酸化物半導体層の上面及び側面と接する酸化物絶縁層を形成し、
   前記第２の酸化物半導体層上に第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、前記酸化物絶縁層上に前記第１のドレイン電極層と電気的に接続する第１電極層を形成し、
   前記第２のソース電極層、前記第２のドレイン電極層、前記第２の酸化物半導体層のチャネル形成領域及び前記第１電極層と接する絶縁層を形成し、
   前記第１の酸化物半導体層と重なる前記酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層を形成し、
   前記カラーフィルタ層上に前記第１電極層と電気的に接続する第１の電極、発光層、及び第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。