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  1. 画素部を有する表示装置であって、
    前記画素部は、透光性を有する第1の領域と、前記第1の領域を囲むように設けられた第2の領域と、を有し、
    前記第1の領域は、透明導電膜を有し、
    前記第2の領域は、前記透明導電膜と前記透明導電膜上の金属膜との積層を有し、
    前記金属膜の側面は、基板に対して傾斜を有する領域を有し、
    前記傾斜を有する領域は、絶縁膜に覆われていることを特徴とする表示装置。
  2. 画素部を有する表示装置であって、
    前記画素部は、透光性を有する第1の領域と、前記第1の領域を囲むように設けられた第2の領域と、を有し、
    前記第1の領域は、透明導電膜を有し、
    前記第2の領域は、前記透明導電膜と前記透明導電膜上の金属膜との積層を有し、
    前記金属膜の側面は、基板に対して傾斜を有する領域を有し、
    前記傾斜を有する領域は、絶縁膜に覆われており、
    前記透明導電膜は、インジウムスズ酸化物、インジウムスズ珪素酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛膜、または酸化スズを有し、
    前記金属膜は、Ti、Mo、Ta、Cr、W、またはAlを有することを特徴とする表示装置。
  3. 画素部を有する表示装置であって、
    前記画素部は、透光性を有する第1の領域と、前記第1の領域を囲むように設けられた第2の領域と、を有し、
    前記第1の領域は、透明導電膜を有し、
    前記第2の領域は、前記透明導電膜と前記透明導電膜上の金属膜との積層と、遮光膜と、を有し、
    前記金属膜の側面は、基板に対して傾斜を有する領域を有し、
    前記傾斜を有する領域は、絶縁膜に覆われており、
    前記遮光膜は、前記金属膜と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    前記金属膜は、第1の層と第2の層との積層を有し、
    前記第1の層の側面及び前記第2の層の側面は、前記基板に対して傾斜を有する領域を有し、
    前記第1の層の側面の傾斜角は、前記第2の層の側面の傾斜角と異なる角度を有することを特徴とする表示装置。
  5. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    前記透明導電膜の側面は、前記基板に対して傾斜を有する領域を有することを特徴とする表示装置。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7888702B2 (en) * 2005-04-15 2011-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the display device
US8149346B2 (en) * 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7601566B2 (en) 2005-10-18 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI328861B (en) * 2007-03-13 2010-08-11 Au Optronics Corp Fabrication methods of thin film transistor substrate
KR101415561B1 (ko) * 2007-06-14 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
JP5380037B2 (ja) * 2007-10-23 2014-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7824939B2 (en) 2007-10-23 2010-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device comprising separated and electrically connected source wiring layers
JP5427390B2 (ja) * 2007-10-23 2014-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101448903B1 (ko) * 2007-10-23 2014-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제작방법
KR101446249B1 (ko) * 2007-12-03 2014-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
CN101884112B (zh) * 2007-12-03 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 薄膜晶体管的制造方法和显示器件的制造方法
JP5377940B2 (ja) * 2007-12-03 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7977678B2 (en) 2007-12-21 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
US8035107B2 (en) * 2008-02-26 2011-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
WO2009107686A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof, and electronic device
US8101442B2 (en) * 2008-03-05 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing EL display device
US7749820B2 (en) * 2008-03-07 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof
US7989275B2 (en) * 2008-03-10 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof
US7883943B2 (en) 2008-03-11 2011-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device
JP5364422B2 (ja) * 2008-04-17 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US7790483B2 (en) * 2008-06-17 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof
US20100138765A1 (en) * 2008-11-30 2010-06-03 Nokia Corporation Indicator Pop-Up
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8207026B2 (en) * 2009-01-28 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of display device
KR101015850B1 (ko) * 2009-02-09 2011-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP5503995B2 (ja) * 2009-02-13 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7989234B2 (en) 2009-02-16 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8202769B2 (en) * 2009-03-11 2012-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5539765B2 (ja) * 2009-03-26 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
TW201828454A (zh) * 2009-08-07 2018-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR20180128990A (ko) * 2009-09-16 2018-12-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120089505A (ko) * 2010-12-10 2012-08-13 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US20120193656A1 (en) * 2010-12-29 2012-08-02 Au Optronics Corporation Display device structure and manufacturing method thereof
CN102184928A (zh) * 2010-12-29 2011-09-14 友达光电股份有限公司 显示元件及其制造方法
CN102769040B (zh) * 2012-07-25 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2014091959A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6217161B2 (ja) * 2013-06-19 2017-10-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR20150004536A (ko) * 2013-07-03 2015-01-13 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN103681775B (zh) * 2013-12-31 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 Amoled显示装置
CN104037129A (zh) * 2014-06-20 2014-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 Tft背板的制造方法及tft背板结构
CN104091810A (zh) * 2014-06-30 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
JP2016051093A (ja) 2014-09-01 2016-04-11 三菱電機株式会社 液晶表示パネル、及びその製造方法
KR20160130003A (ko) * 2015-04-30 2016-11-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN104810322A (zh) * 2015-05-18 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板
CN104932157B (zh) * 2015-06-18 2018-07-17 武汉华星光电技术有限公司 种阵列基板及液晶显示器
TWI561905B (en) * 2016-01-04 2016-12-11 Au Optronics Corp Pixel structure
JP2017139092A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN105742299A (zh) * 2016-05-16 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元及其制作方法、阵列基板及显示装置
JP2018017981A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US645265A (en) * 1899-09-16 1900-03-13 Candide Kingsley Ratchet-wrench.
JPH05173183A (ja) * 1991-12-19 1993-07-13 Sony Corp 液晶表示装置
JPH06230425A (ja) 1993-02-03 1994-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JPH06326312A (ja) * 1993-05-14 1994-11-25 Toshiba Corp アクティブマトリクス型表示装置
JPH07120790A (ja) * 1993-08-31 1995-05-12 Kyocera Corp アクティブマトリックス基板およびその製造方法
JP3267011B2 (ja) * 1993-11-04 2002-03-18 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP3238020B2 (ja) * 1994-09-16 2001-12-10 株式会社東芝 アクティブマトリクス表示装置の製造方法
JPH08122821A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP3213790B2 (ja) * 1995-01-13 2001-10-02 株式会社日立製作所 液晶表示装置及びその製造方法
JP3474975B2 (ja) 1995-09-06 2003-12-08 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置およびその製造方法
JP3413000B2 (ja) * 1996-01-25 2003-06-03 株式会社東芝 アクティブマトリックス液晶パネル
JP3992797B2 (ja) 1996-09-25 2007-10-17 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
US6295109B1 (en) 1997-12-26 2001-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha LCD with plurality of pixels having reflective and transmissive regions
US6330047B1 (en) 1997-07-28 2001-12-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JP2955277B2 (ja) 1997-07-28 1999-10-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6197624B1 (en) 1997-08-29 2001-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of adjusting the threshold voltage in an SOI CMOS
JP3281849B2 (ja) 1997-10-07 2002-05-13 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
TWI226470B (en) 1998-01-19 2005-01-11 Hitachi Ltd LCD device
JP3765194B2 (ja) * 1998-01-19 2006-04-12 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3284187B2 (ja) 1998-01-29 2002-05-20 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP4167335B2 (ja) 1998-01-30 2008-10-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100485232B1 (ko) 1998-02-09 2005-04-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정 패널, 이를 구비한 전자 기기 및 박막 트랜지스터 어레이 기판
JPH11264993A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Toshiba Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP3410656B2 (ja) * 1998-03-31 2003-05-26 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2000101091A (ja) 1998-09-28 2000-04-07 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
US6850292B1 (en) * 1998-12-28 2005-02-01 Seiko Epson Corporation Electric-optic device, method of fabricating the same, and electronic apparatus
JP3763381B2 (ja) * 1999-03-10 2006-04-05 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
TWI255957B (en) 1999-03-26 2006-06-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US6683666B1 (en) 1999-11-11 2004-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflective-transmission type thin film transistor liquid crystal display
JP3394483B2 (ja) * 1999-11-16 2003-04-07 鹿児島日本電気株式会社 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
JP3687452B2 (ja) 1999-12-27 2005-08-24 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2001255543A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2001311965A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Nec Corp アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP2001326360A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法およびアクティブマトリクス基板および薄膜電界効果トランジスタの製造方法
JP4630420B2 (ja) * 2000-05-23 2011-02-09 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド パターン形成方法
JP2001350159A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US7223643B2 (en) 2000-08-11 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4954365B2 (ja) 2000-11-28 2012-06-13 シャープ株式会社 半導体装置の作製方法
JP4693257B2 (ja) 2001-02-21 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3608613B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP3908552B2 (ja) 2001-03-29 2007-04-25 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4019080B2 (ja) * 2001-03-29 2007-12-05 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3895952B2 (ja) * 2001-08-06 2007-03-22 Nec液晶テクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
TW588171B (en) * 2001-10-12 2004-05-21 Fujitsu Display Tech Liquid crystal display device
KR100858297B1 (ko) 2001-11-02 2008-09-11 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
US7903209B2 (en) 2001-11-02 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflection-transmission type liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP3714244B2 (ja) * 2001-12-14 2005-11-09 セイコーエプソン株式会社 半透過・反射型電気光学装置の製造方法、半透過・反射型電気光学装置、および電子機器
JP4302347B2 (ja) 2001-12-18 2009-07-22 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP4101533B2 (ja) 2002-03-01 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型の液晶表示装置の作製方法
JP4488688B2 (ja) * 2002-03-27 2010-06-23 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置用配線基板及びその製造方法
JP4156431B2 (ja) 2002-04-23 2008-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100471148B1 (ko) 2002-06-05 2005-02-21 삼성전기주식회사 카메라 구동장치가 장착된 휴대전화기
KR100853216B1 (ko) * 2002-06-25 2008-08-20 삼성전자주식회사 배선용 식각액, 이를 이용한 배선의 제조 방법, 그 배선을포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법
US7355337B2 (en) 2002-12-27 2008-04-08 Seiko Epson Corporation Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same
US7164228B2 (en) 2002-12-27 2007-01-16 Seiko Epson Corporation Display panel and electronic apparatus with the same
JP3705282B2 (ja) 2002-10-03 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100771825B1 (ko) * 2002-12-31 2007-10-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 제조방법
JP4522660B2 (ja) * 2003-03-14 2010-08-11 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法
TW588462B (en) 2003-03-31 2004-05-21 Quanta Display Inc Method of fabricating a thin film transistor array panel
JP4062171B2 (ja) 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
CN1567077A (zh) * 2003-06-16 2005-01-19 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法
TWI336921B (en) 2003-07-18 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
KR100611147B1 (ko) 2003-11-25 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP4085094B2 (ja) 2004-02-19 2008-04-30 シャープ株式会社 導電素子基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法
KR101086478B1 (ko) 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4275038B2 (ja) 2004-09-01 2009-06-10 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置
KR101139522B1 (ko) 2004-12-04 2012-05-07 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7608490B2 (en) 2005-06-02 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7588970B2 (en) 2005-06-10 2009-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7737442B2 (en) 2005-06-28 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7807516B2 (en) 2005-06-30 2010-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US7867791B2 (en) 2005-07-29 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device using multiple mask layers formed through use of an exposure mask that transmits light at a plurality of intensities
US7875483B2 (en) 2005-08-10 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of microelectromechanical system
US7524593B2 (en) 2005-08-12 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure mask
US7914971B2 (en) 2005-08-12 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same
US8149346B2 (en) * 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof

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