JP3281849B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透過表示領域と反
射表示領域を備えた液晶表示装置に関するものである。
射表示領域を備えた液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置としては、互いに交差する
複数本ずつのゲート配線とデータ配線とともに、アモル
ファスＳｉにより構成した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
或いはＭＩＭ素子を基板上に形成したアクティブマトリ
クス型液晶表示装置が知られている。このアクティブマ
トリクス基板には、光源としてバックライトを利用する
透過型液晶表示装置と、外部の光を反射して表示に利用
する反射型液晶表示装置がある。これらのアクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、感光性透明アクリル
樹脂などの有機材料を層間絶縁膜として用い、ゲート配
線及びデータ配線に絵素電極を層間絶縁膜を介して重畳
させる高開口率構造の透過型液晶表示装置や反射型液晶
表示装置が開発されている。
複数本ずつのゲート配線とデータ配線とともに、アモル
ファスＳｉにより構成した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
或いはＭＩＭ素子を基板上に形成したアクティブマトリ
クス型液晶表示装置が知られている。このアクティブマ
トリクス基板には、光源としてバックライトを利用する
透過型液晶表示装置と、外部の光を反射して表示に利用
する反射型液晶表示装置がある。これらのアクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、感光性透明アクリル
樹脂などの有機材料を層間絶縁膜として用い、ゲート配
線及びデータ配線に絵素電極を層間絶縁膜を介して重畳
させる高開口率構造の透過型液晶表示装置や反射型液晶
表示装置が開発されている。
【０００３】図８（ａ）は、層間絶縁膜として有機絶縁
膜を用いた高開口率構造の反射型液晶表示装置の平面図
であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＦ−Ｆ断面を示す
断面図である。図８に示すアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ゲート配線１、データ配線２、駆動素子
３、ドレイン電極４、補助容量電極５、ゲート絶縁膜
６、絶縁性基板７、コンタクトホール８、層間絶縁膜
９、反射用絵素電極１０、補助容量配線１２とを備えて
いる。
膜を用いた高開口率構造の反射型液晶表示装置の平面図
であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＦ−Ｆ断面を示す
断面図である。図８に示すアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ゲート配線１、データ配線２、駆動素子
３、ドレイン電極４、補助容量電極５、ゲート絶縁膜
６、絶縁性基板７、コンタクトホール８、層間絶縁膜
９、反射用絵素電極１０、補助容量配線１２とを備えて
いる。
【０００４】図８に示すアクティブマトリクス型液晶表
示装置の反射用絵素電極１０を透明の電極とすることに
より透過型液晶表示装置とすることができる。
示装置の反射用絵素電極１０を透明の電極とすることに
より透過型液晶表示装置とすることができる。
【０００５】この高開口率構造に使用する層間絶縁膜９
の材料としては、層間絶縁膜９を介して絵素電極をゲー
ト配線及びデータ配線に重畳させることにより発生する
容量を低減するために、数μｍの厚さで形成することが
容易であること、誘電率が窒化シリコン等と比較して小
さいこと等が要求されており、有機絶縁膜が用いられて
いる。
の材料としては、層間絶縁膜９を介して絵素電極をゲー
ト配線及びデータ配線に重畳させることにより発生する
容量を低減するために、数μｍの厚さで形成することが
容易であること、誘電率が窒化シリコン等と比較して小
さいこと等が要求されており、有機絶縁膜が用いられて
いる。
【０００６】また、この高開口率構造を形成する為に
は、層間絶縁膜９の下層に配設されたドレイン電極４と
層間絶縁膜９の上層に配設された絵素電極の電気的接触
を取るために、層間絶縁膜９にコンタクトホールを形成
する必要があるが、感光性アクリル樹脂を層間絶縁膜９
として用いることにより、液状の樹脂材料をスピン塗布
法により基板に塗布した後、フォトリソ工程にて露光
し、アルカリ性溶液による現像を行うことによりパター
ニングし、コンタクトホールを形成することができるの
で、成膜とパターニングを同時に行うことが可能であ
る。
は、層間絶縁膜９の下層に配設されたドレイン電極４と
層間絶縁膜９の上層に配設された絵素電極の電気的接触
を取るために、層間絶縁膜９にコンタクトホールを形成
する必要があるが、感光性アクリル樹脂を層間絶縁膜９
として用いることにより、液状の樹脂材料をスピン塗布
法により基板に塗布した後、フォトリソ工程にて露光
し、アルカリ性溶液による現像を行うことによりパター
ニングし、コンタクトホールを形成することができるの
で、成膜とパターニングを同時に行うことが可能であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】バックライトからの光
を表示に利用する透過型液晶表示装置はバックライトを
使用するため消費電力が多く、バッテリーを使用する場
合、連続使用時間が短いという問題点があった。
を表示に利用する透過型液晶表示装置はバックライトを
使用するため消費電力が多く、バッテリーを使用する場
合、連続使用時間が短いという問題点があった。
【０００８】また反射型液晶表示装置は、バックライト
を使用しないため消費電力が少なく、連続使用時間が長
いという長所を持っているが、反射強度が十分ではな
く、暗いところでは使用しにくいという問題点があっ
た。
を使用しないため消費電力が少なく、連続使用時間が長
いという長所を持っているが、反射強度が十分ではな
く、暗いところでは使用しにくいという問題点があっ
た。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板
と、該絶縁性基板上に設けられた複数のゲート配線と、
該ゲート配線と交差する複数のデータ配線と、該ゲート
配線と該データ配線との交差部に設けられた駆動素子
と、該駆動素子に電気的に接続された絵素電極とを有す
るアクティブマトリクス基板と、対向電極が形成された
対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向
基板との間に介在された液晶層と、バックライトとを有
するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前
記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを有
し、前記反射用絵素電極が傾斜部又は凹凸部をもつ層間
絶縁膜上に形成され、ドレイン電極が前記透過用絵素電
極を兼ねていることを特徴とする。本発明によれば、明
るいところでは反射型液晶表示装置として使用し、暗い
所ではバックライトを点灯し透過型液晶表示装置として
使用できる透過反射切り替え可能なアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の形成が可能となる。また、反射用絵
素電極によって外部からの光が反射される方向に拡がり
が出るため、視野角を広げることができる。
と、該絶縁性基板上に設けられた複数のゲート配線と、
該ゲート配線と交差する複数のデータ配線と、該ゲート
配線と該データ配線との交差部に設けられた駆動素子
と、該駆動素子に電気的に接続された絵素電極とを有す
るアクティブマトリクス基板と、対向電極が形成された
対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向
基板との間に介在された液晶層と、バックライトとを有
するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前
記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを有
し、前記反射用絵素電極が傾斜部又は凹凸部をもつ層間
絶縁膜上に形成され、ドレイン電極が前記透過用絵素電
極を兼ねていることを特徴とする。本発明によれば、明
るいところでは反射型液晶表示装置として使用し、暗い
所ではバックライトを点灯し透過型液晶表示装置として
使用できる透過反射切り替え可能なアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の形成が可能となる。また、反射用絵
素電極によって外部からの光が反射される方向に拡がり
が出るため、視野角を広げることができる。
【００１０】また、本発明は、前記反射用絵素電極と前
記透過用絵素電極を電気的に接続すれば、別々に駆動信
号を入力するための配線を設ける必要がなく、アクティ
ブマトリクス基板の構成を簡略化できる。
記透過用絵素電極を電気的に接続すれば、別々に駆動信
号を入力するための配線を設ける必要がなく、アクティ
ブマトリクス基板の構成を簡略化できる。
【００１１】また、本発明は、前記駆動素子の上部に前
記反射用絵素電極を形成すれば、外部からの光が駆動素
子に入射することを防ぐことができる。
記反射用絵素電極を形成すれば、外部からの光が駆動素
子に入射することを防ぐことができる。
【００１２】また、本発明は、前記反射用絵素電極によ
って外部の光を反射する部分の面積を、前記透過用絵素
電極によってバックライトの光を透過する部分の面積よ
りも大きくすれば、透過用絵素電極は、バックライトを
消灯しているときはパネルの輝度に寄与しないが、外部
からの光を反射する反射用絵素電極はバックライトの点
灯、消灯にかかわらずパネルの輝度に寄与するため、そ
の面積を大きくすることにより、バックライトの光が消
灯したときや輝度が低いときにも表示の輝度を安定させ
ることができる。
って外部の光を反射する部分の面積を、前記透過用絵素
電極によってバックライトの光を透過する部分の面積よ
りも大きくすれば、透過用絵素電極は、バックライトを
消灯しているときはパネルの輝度に寄与しないが、外部
からの光を反射する反射用絵素電極はバックライトの点
灯、消灯にかかわらずパネルの輝度に寄与するため、そ
の面積を大きくすることにより、バックライトの光が消
灯したときや輝度が低いときにも表示の輝度を安定させ
ることができる。
【００１３】また、本発明は、前記アクティブマトリク
ス基板と前記バックライトの間にマイクロレンズを設け
れば、反射用絵素電極やゲート配線等により遮蔽される
バックライトからの光を透過用絵素電極に集めることが
できるため、バックライト自体の輝度を高めなくても、
表示装置の輝度を高めることができる。
ス基板と前記バックライトの間にマイクロレンズを設け
れば、反射用絵素電極やゲート配線等により遮蔽される
バックライトからの光を透過用絵素電極に集めることが
できるため、バックライト自体の輝度を高めなくても、
表示装置の輝度を高めることができる。
【００１４】また、本発明は、前記層間絶縁膜がドレイ
ン電極上を除く領域に形成されていることを特徴とす
る。本発明によれば、ドレイン電極と反射用絵素電極の
電気的接触を取るためのコンタクトホールを形成する必
要が無く、コンタクトホール部での急峻な段差のために
発生していた液晶分子の配向乱れを防ぐことができるた
め、開口率を大きく取れる。
ン電極上を除く領域に形成されていることを特徴とす
る。本発明によれば、ドレイン電極と反射用絵素電極の
電気的接触を取るためのコンタクトホールを形成する必
要が無く、コンタクトホール部での急峻な段差のために
発生していた液晶分子の配向乱れを防ぐことができるた
め、開口率を大きく取れる。
【００１５】また、本発明は、前記ゲート配線と同じ層
に前記反射用絵素電極を形成することを特徴とする。本
発明によれば、反射用絵素電極を形成する工程を別に設
ける必要が無く、工程数及び製造コストを増加させるこ
とが無い。
に前記反射用絵素電極を形成することを特徴とする。本
発明によれば、反射用絵素電極を形成する工程を別に設
ける必要が無く、工程数及び製造コストを増加させるこ
とが無い。
【００１６】また、本発明は、前記ゲート配線と同じ層
に形成された前記反射用絵素電極と隣接した絵素のゲー
ト配線を電気的に接続すれば、反射用絵素電極の浮遊容
量化を防ぐことができ、ドレイン電極との間に補助容量
を形成することができる。
に形成された前記反射用絵素電極と隣接した絵素のゲー
ト配線を電気的に接続すれば、反射用絵素電極の浮遊容
量化を防ぐことができ、ドレイン電極との間に補助容量
を形成することができる。
【００１７】また、本発明は、前記ゲート配線と同じ層
に形成された前記反射用絵素電極に前記対向電極に印加
される信号と同じ信号を入力することを特徴とする。本
発明によれば、反射用絵素電極に対向電極に印加される
信号と同じ信号が入力されるため、浮遊容量化を防ぐこ
とができる。
に形成された前記反射用絵素電極に前記対向電極に印加
される信号と同じ信号を入力することを特徴とする。本
発明によれば、反射用絵素電極に対向電極に印加される
信号と同じ信号が入力されるため、浮遊容量化を防ぐこ
とができる。
【００１８】また、本発明は、前記ゲート配線と同じ層
に形成された前記反射用絵素電極とドレイン電極又は透
過用絵素電極を重畳して補助容量を形成すれば、絵素電
極に印加される電圧の補助容量を反射用絵素電極を利用
して形成することができる。
に形成された前記反射用絵素電極とドレイン電極又は透
過用絵素電極を重畳して補助容量を形成すれば、絵素電
極に印加される電圧の補助容量を反射用絵素電極を利用
して形成することができる。
【００１９】
（実施形態１）図１（ａ）は本発明の実施形態１のアク
ティブマトリクス基板の平面図を示し、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ−Ａ断面の断面図を示す。
ティブマトリクス基板の平面図を示し、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ−Ａ断面の断面図を示す。
【００２０】アクティブマトリクス基板は、ゲート配線
１、データ配線２、駆動素子３、ドレイン電極４、補助
容量電極５、ゲート絶縁膜６、絶縁性基板７、コンタク
トホール８、層間絶縁膜９、反射用絵素電極１０と透過
用絵素電極１１を備えている。補助容量電極５は、ドレ
イン電極４と電気的に接続されており、ゲート絶縁膜６
を介してゲート配線１と重畳し補助容量を形成してい
る。コンタクトホール８は、透過用絵素電極１１と補助
容量電極５を接続するために層間絶縁膜９に設けられて
いる。
１、データ配線２、駆動素子３、ドレイン電極４、補助
容量電極５、ゲート絶縁膜６、絶縁性基板７、コンタク
トホール８、層間絶縁膜９、反射用絵素電極１０と透過
用絵素電極１１を備えている。補助容量電極５は、ドレ
イン電極４と電気的に接続されており、ゲート絶縁膜６
を介してゲート配線１と重畳し補助容量を形成してい
る。コンタクトホール８は、透過用絵素電極１１と補助
容量電極５を接続するために層間絶縁膜９に設けられて
いる。
【００２１】このアクティブマトリクス基板は一つの絵
素の中に反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１１を備
えており、図２に示すように、一つの絵素の中に外部か
らの光を反射する反射用絵素電極１０部分とバックライ
トの光を透過する透過用絵素電極１１部分を形成してい
る。
素の中に反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１１を備
えており、図２に示すように、一つの絵素の中に外部か
らの光を反射する反射用絵素電極１０部分とバックライ
トの光を透過する透過用絵素電極１１部分を形成してい
る。
【００２２】図２は、図１に示すアクティブマトリクス
基板を用いた液晶表示装置を示す断面図であり、データ
配線２、ドレイン電極４、ゲート絶縁膜６、絶縁性基板
７、層間絶縁膜９、反射用絵素電極１０、透過用絵素電
極１１、カラーフィルター層１３、対向電極１４、液晶
層１５、配向膜１６、偏光板１７、バックライト１８を
有している。
基板を用いた液晶表示装置を示す断面図であり、データ
配線２、ドレイン電極４、ゲート絶縁膜６、絶縁性基板
７、層間絶縁膜９、反射用絵素電極１０、透過用絵素電
極１１、カラーフィルター層１３、対向電極１４、液晶
層１５、配向膜１６、偏光板１７、バックライト１８を
有している。
【００２３】バックライト１８の光を透過する透過用絵
素電極１１部分は、バックライトを消灯しているときは
パネルの輝度に寄与しないが、外部からの光を反射する
反射用絵素電極１０部分はバックライトの点灯、消灯に
かかわらずパネルの輝度に寄与するため、透過用絵素電
極１１部分より反射用絵素電極１０部分の面積を大きく
するほうが望ましい。
素電極１１部分は、バックライトを消灯しているときは
パネルの輝度に寄与しないが、外部からの光を反射する
反射用絵素電極１０部分はバックライトの点灯、消灯に
かかわらずパネルの輝度に寄与するため、透過用絵素電
極１１部分より反射用絵素電極１０部分の面積を大きく
するほうが望ましい。
【００２４】本実施形態では反射用絵素電極１０と透過
用絵素電極１１に同じ信号を入力するために反射用絵素
電極１０を透過用絵素電極１１の上に形成して電気的に
接続しているが、反射用絵素電極１０と透過用絵素電極
１１を電気的に接続せず、別の信号をそれぞれに入力し
別々の表示を行ってもよい。
用絵素電極１１に同じ信号を入力するために反射用絵素
電極１０を透過用絵素電極１１の上に形成して電気的に
接続しているが、反射用絵素電極１０と透過用絵素電極
１１を電気的に接続せず、別の信号をそれぞれに入力し
別々の表示を行ってもよい。
【００２５】図２の液晶表示装置では反射用絵素電極１
０が形成された領域に入射されるバックライト１８から
の光は、表示光として利用できないため、図３に示す液
晶表示装置の断面図のようにバックライト１８と液晶表
示パネルの間にマイクロレンズ１９とマイクロレンズ保
護層２０を形成し、マイクロレンズ１９により反射用絵
素電極１０が形成されていない透過用絵素電極１１の領
域にバックライト光を集光させ、透過用絵素電極１１を
透過する光の量を増加させ表示の輝度を高めることがで
きる。
０が形成された領域に入射されるバックライト１８から
の光は、表示光として利用できないため、図３に示す液
晶表示装置の断面図のようにバックライト１８と液晶表
示パネルの間にマイクロレンズ１９とマイクロレンズ保
護層２０を形成し、マイクロレンズ１９により反射用絵
素電極１０が形成されていない透過用絵素電極１１の領
域にバックライト光を集光させ、透過用絵素電極１１を
透過する光の量を増加させ表示の輝度を高めることがで
きる。
【００２６】図４（ａ）は本実施形態の他の例のアクテ
ィブマトリクス基板の平面図を示し、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＢ−Ｂ断面の断面図を示しており、図１に対し
て反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１１の領域を逆
転させており、反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１
１の面積比は適宜変更してもよい。
ィブマトリクス基板の平面図を示し、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＢ−Ｂ断面の断面図を示しており、図１に対し
て反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１１の領域を逆
転させており、反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１
１の面積比は適宜変更してもよい。
【００２７】図１のアクティブマトリクス基板と図４の
アクティブマトリクス基板を比べた場合、図１のアクテ
ィブマトリクス基板の方が、駆動素子３の上に反射用絵
素電極１０を形成しており、外部からの光が駆動素子３
に入射することを防ぐことができ、また、透過用絵素電
極１１が絵素の中央に配設されているため集光用のマイ
クロレンズ１９を形成しやすい。
アクティブマトリクス基板を比べた場合、図１のアクテ
ィブマトリクス基板の方が、駆動素子３の上に反射用絵
素電極１０を形成しており、外部からの光が駆動素子３
に入射することを防ぐことができ、また、透過用絵素電
極１１が絵素の中央に配設されているため集光用のマイ
クロレンズ１９を形成しやすい。
【００２８】本発明では、一つの絵素の中に光を反射す
る部分と透過する部分を形成するために、できるだけ開
口率を上げるほうが望まく、本実施形態では、絵素電極
とゲート配線１及びソース配線３との間に有機絶縁膜か
らなる層間絶縁膜９を介在した高開口率溝造を採用した
が、他の構造を用いてもよい。
る部分と透過する部分を形成するために、できるだけ開
口率を上げるほうが望まく、本実施形態では、絵素電極
とゲート配線１及びソース配線３との間に有機絶縁膜か
らなる層間絶縁膜９を介在した高開口率溝造を採用した
が、他の構造を用いてもよい。
【００２９】（実施形態２）図５（ａ）は実施形態２の
アクティブマトリクス基板の平面図を示し、図５（ｂ）
は図５（ａ）のＣ−Ｃ断面の断面図を示す。
アクティブマトリクス基板の平面図を示し、図５（ｂ）
は図５（ａ）のＣ−Ｃ断面の断面図を示す。
【００３０】実施形態２のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、傾斜部又は凹凸部を形成した層間絶縁膜９
上に反射用絵素電極１０を形成しており、反射用絵素電
極１０によって外部からの光が反射される方向に拡がり
が出るため、視野角を広げることができる。
表示装置は、傾斜部又は凹凸部を形成した層間絶縁膜９
上に反射用絵素電極１０を形成しており、反射用絵素電
極１０によって外部からの光が反射される方向に拡がり
が出るため、視野角を広げることができる。
【００３１】また層間絶縁膜９は、ゲート配線１やデー
タ配線２上で最も厚く、ドレイン電極４上には形成しな
いように傾斜部又は凹凸部を形成すると、ドレイン電極
４と絵素電極１０の電気的接触を取るためのコンタクト
ホールを形成する必要が無く、コンタクトホール部での
急峻な段差のために発生していた液晶分子の配向乱れを
防ぐことができるため、開口率を大きく取れる。
タ配線２上で最も厚く、ドレイン電極４上には形成しな
いように傾斜部又は凹凸部を形成すると、ドレイン電極
４と絵素電極１０の電気的接触を取るためのコンタクト
ホールを形成する必要が無く、コンタクトホール部での
急峻な段差のために発生していた液晶分子の配向乱れを
防ぐことができるため、開口率を大きく取れる。
【００３２】ドレイン電極４は透過用絵素電極を兼ねて
おり、ＩＴＯ等からなる透明な電極である。
おり、ＩＴＯ等からなる透明な電極である。
【００３３】また層間絶縁膜９の傾斜部の傾斜角又は凹
凸部の凹凸ピッチは、配向膜を形成した上でラビング処
理が十分行える程度の角度に抑える必要があり、各々の
ラビング条件及び液晶分子に対して最適化な条件を用い
る。
凸部の凹凸ピッチは、配向膜を形成した上でラビング処
理が十分行える程度の角度に抑える必要があり、各々の
ラビング条件及び液晶分子に対して最適化な条件を用い
る。
【００３４】本実施形態においても透過用絵素電極を兼
ねたドレイン電極４部分にマイクロレンズを設け、バッ
クライト点灯時の輝度を増すことができる。
ねたドレイン電極４部分にマイクロレンズを設け、バッ
クライト点灯時の輝度を増すことができる。
【００３５】（実施形態３）図６（ａ）は実施形態３の
アクティブマトリクス基板の平面図を示し、図６（ｂ）
は図６（ａ）のＤ−Ｄ断面の断面図を示す。
アクティブマトリクス基板の平面図を示し、図６（ｂ）
は図６（ａ）のＤ−Ｄ断面の断面図を示す。
【００３６】本実施形態において、反射用絵素電極１０
はゲート配線１と同じ層に同一工程で形成する。このよ
うにすれば、反射用絵素電極１０を形成する工程を別に
設ける必要が無く、工程数及び製造コストを増加させる
ことが無い。
はゲート配線１と同じ層に同一工程で形成する。このよ
うにすれば、反射用絵素電極１０を形成する工程を別に
設ける必要が無く、工程数及び製造コストを増加させる
ことが無い。
【００３７】本実施形態の場合、反射用絵素電極１０
は、駆動素子３のドレイン電極４と接続されておらず、
外部からの光を反射することのみに使われており、液晶
を駆動するための電極としての役割は透過用絵素電極１
１が行う。
は、駆動素子３のドレイン電極４と接続されておらず、
外部からの光を反射することのみに使われており、液晶
を駆動するための電極としての役割は透過用絵素電極１
１が行う。
【００３８】即ち、反射用絵素電極１０が反射した光の
透過率の制御は、透過用絵素電極１１の電圧によって液
晶層を制御して行う。
透過率の制御は、透過用絵素電極１１の電圧によって液
晶層を制御して行う。
【００３９】この際、反射用絵素電極１０に何も信号を
入力していないと、ドレイン電極４若しくは透過用絵素
電極１１との間に浮遊容量が発生するため、反射用絵素
電極１０には表示に悪影響を与えないような信号を入力
することが望ましく、隣接したゲート配線１と接続する
ことにより、浮遊容量化を防ぎ、ドレイン電極４との間
に補助容量を形成することができる。
入力していないと、ドレイン電極４若しくは透過用絵素
電極１１との間に浮遊容量が発生するため、反射用絵素
電極１０には表示に悪影響を与えないような信号を入力
することが望ましく、隣接したゲート配線１と接続する
ことにより、浮遊容量化を防ぎ、ドレイン電極４との間
に補助容量を形成することができる。
【００４０】本実施形態においてもマイクロレンズによ
り透過用絵素電極に集光することによりバックライト点
灯時の輝度を増すことができる。
り透過用絵素電極に集光することによりバックライト点
灯時の輝度を増すことができる。
【００４１】本発明でも、一つの絵素の中に光を反射す
る部分と透過する部分を形成するためにできるだけ開口
率を上げるほうが望ましい。
る部分と透過する部分を形成するためにできるだけ開口
率を上げるほうが望ましい。
【００４２】それ故本実施形態の構成としては、有機絶
縁膜を層間絶縁膜に使用した高開口率構造を採用した
が、この他の構造を用いてもよい。
縁膜を層間絶縁膜に使用した高開口率構造を採用した
が、この他の構造を用いてもよい。
【００４３】（実施形態４）図７（ａ）には実施形態４
のアクティブマトリクス基板の平面図を示し、図７
（ｂ）には図７（ａ）のＥ−Ｅ断面の断面図を示す。
のアクティブマトリクス基板の平面図を示し、図７
（ｂ）には図７（ａ）のＥ−Ｅ断面の断面図を示す。
【００４４】本実施形態は反射用絵素電極１０をデータ
配線２と同じ層に形成している。
配線２と同じ層に形成している。
【００４５】このようにすれば、データ配線２を形成す
る際に反射用絵素電極１０を形成することができ、工程
数及び製造コストを増加させることが無い。
る際に反射用絵素電極１０を形成することができ、工程
数及び製造コストを増加させることが無い。
【００４６】本実施形態の場合でも層間絶縁膜９を介し
た高開口率構造を採用しているため、実施形態３と同様
に反射用絵素電極１０は外部からの光を反射することの
みに使われており、液晶分子を駆動するための電極とし
ての役割は透過用絵素電極１１のみが行う。
た高開口率構造を採用しているため、実施形態３と同様
に反射用絵素電極１０は外部からの光を反射することの
みに使われており、液晶分子を駆動するための電極とし
ての役割は透過用絵素電極１１のみが行う。
【００４７】ここで本実施形態が実施形態３と異なるの
は、ドレイン電極４と反射用絵素電極が電気的に接続し
た形で形成されている点であり、層間絶縁膜９を形成せ
ずにドレイン電極４を透過用絵素電極として用いる場合
には、反射用絵素電極１０も液晶分子の駆動に寄与す
る。
は、ドレイン電極４と反射用絵素電極が電気的に接続し
た形で形成されている点であり、層間絶縁膜９を形成せ
ずにドレイン電極４を透過用絵素電極として用いる場合
には、反射用絵素電極１０も液晶分子の駆動に寄与す
る。
【００４８】本実施形態においてもマイクロレンズによ
り透過用絵素電極１１に集光することによりバックライ
ト点灯時の輝度を増すことができる。
り透過用絵素電極１１に集光することによりバックライ
ト点灯時の輝度を増すことができる。
【００４９】本実施形態でも、一つの絵素の中に光を反
射する部分と透過する部分を形成するためにできるだけ
開口率を上げるほうが望ましい。それ故本実施形態の構
成としては、有機絶縁膜を層間絶縁膜に使用した高開口
率構造を採用したが、他の構成を用いてもよい。
射する部分と透過する部分を形成するためにできるだけ
開口率を上げるほうが望ましい。それ故本実施形態の構
成としては、有機絶縁膜を層間絶縁膜に使用した高開口
率構造を採用したが、他の構成を用いてもよい。
【００５０】
【発明の効果】本発明によると反射型と透過型の切り替
えが可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置を形成
できる。これにより使用者が使用状況に合わせて透過と
反射を切り替えることにより、どのような使用状況でも
十分な輝度を出しながらも、消費電力の少なく、長時間
使用可能な液晶表示装置を実現できる。
えが可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置を形成
できる。これにより使用者が使用状況に合わせて透過と
反射を切り替えることにより、どのような使用状況でも
十分な輝度を出しながらも、消費電力の少なく、長時間
使用可能な液晶表示装置を実現できる。
【００５１】また、明るいところでは反射型液晶表示装
置として使用し、暗いところではバックライトを点灯し
透過型液晶表示装置として使用できる透過反射切り替え
可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置の形成が可
能となる。また、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを
電気的に接続しているため別々に駆動信号を入力するた
めの配線を設ける必要がなく、アクティブマトリクス基
板の構成を簡略化できる。
置として使用し、暗いところではバックライトを点灯し
透過型液晶表示装置として使用できる透過反射切り替え
可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置の形成が可
能となる。また、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを
電気的に接続しているため別々に駆動信号を入力するた
めの配線を設ける必要がなく、アクティブマトリクス基
板の構成を簡略化できる。
【００５２】また、駆動素子の上に反射用絵素電極を形
成しており、外部からの光が駆動素子に入射することを
防ぐことができる。また、透過用絵素電極は、バックラ
イトを消灯しているときはパネルの輝度に寄与しない
が、外部からの光を反射する反射用絵素電極はバックラ
イトの点灯、消灯にかかわらずパネルの輝度に寄与する
ため、その面積を大きくすることにより、バックライト
の光が消灯したときや輝度が低いときにも表示の輝度を
安定させることができる。
成しており、外部からの光が駆動素子に入射することを
防ぐことができる。また、透過用絵素電極は、バックラ
イトを消灯しているときはパネルの輝度に寄与しない
が、外部からの光を反射する反射用絵素電極はバックラ
イトの点灯、消灯にかかわらずパネルの輝度に寄与する
ため、その面積を大きくすることにより、バックライト
の光が消灯したときや輝度が低いときにも表示の輝度を
安定させることができる。
【００５３】また、反射用絵素電極やゲート配線等によ
り遮蔽されるバックライトからの光を透過用絵素電極に
集めることができるため、バックライト自体の輝度を高
めなくても、表示装置の輝度を高めることができる。ま
た、反射用絵素電極によって外部からの光が反射される
方向に拡がりが出るため、視野角を広げることができ
る。
り遮蔽されるバックライトからの光を透過用絵素電極に
集めることができるため、バックライト自体の輝度を高
めなくても、表示装置の輝度を高めることができる。ま
た、反射用絵素電極によって外部からの光が反射される
方向に拡がりが出るため、視野角を広げることができ
る。
【００５４】また、反射用絵素電極を形成する工程を別
に設ける必要が無く、工程数及び製造コストを増加させ
ることが無い。また、反射用絵素電極がゲート配線と電
気的に接続されいるため、浮遊容量化を防ぐことがで
き、ドレイン電極との間に補助容量を形成することがで
きる。
に設ける必要が無く、工程数及び製造コストを増加させ
ることが無い。また、反射用絵素電極がゲート配線と電
気的に接続されいるため、浮遊容量化を防ぐことがで
き、ドレイン電極との間に補助容量を形成することがで
きる。
【００５５】また、反射用絵素電極に対向電極に印加さ
れる信号と同じ信号が入力されるため、浮遊容量化を防
ぐことができる。また、絵素電極に印加される電圧の補
助容量を反射用絵素電極を利用して形成することができ
る。
れる信号と同じ信号が入力されるため、浮遊容量化を防
ぐことができる。また、絵素電極に印加される電圧の補
助容量を反射用絵素電極を利用して形成することができ
る。
【図１】本発明の実施形態１のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
板を示す平面図及び断面図である。
【図２】本発明の実施形態１のアクティブマトリクス基
板を示す断面図である。
板を示す断面図である。
【図３】本発明のマイクロレンズを備えたアクティブマ
トリクス基板を示す断面図である。
トリクス基板を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態１のアクティブマトリクス基
板の他の例を示す平面図及び断面図である。
板の他の例を示す平面図及び断面図である。
【図５】本発明の実施形態２のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
板を示す平面図及び断面図である。
【図６】本発明の実施形態３のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
板を示す平面図及び断面図である。
【図７】本発明の実施形態４のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
板を示す平面図及び断面図である。
【図８】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
１ ゲート配線 ２ データ配線 ３ 駆動素子 ４ ドレイン電極 ５ 補助容量電極 ６ ゲート絶縁膜 ７ 絶縁性基板 ８ コンタクトホール ９ 層間絶縁膜 １０ 反射用絵素電極 １１ 透過用絵素電極 １２ 補助容量配線 １３ カラーフィルター層 １４ 対向電極 １５ 液晶層 １６ 配向膜 １７ 偏光板 １８ バックライト １９ マイクロレンズ ２０ マイクロレンズ保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−318929（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−33945（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−262131（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−337433（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−204726（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−201851（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−165184（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/136
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けら
れた複数のゲート配線と、該ゲート配線と交差する複数
のデータ配線と、該ゲート配線と該データ配線との交差
部に設けられた駆動素子と、該駆動素子に電気的に接続
された絵素電極とを有するアクティブマトリクス基板
と、対向電極が形成された対向基板と、前記アクティブ
マトリクス基板と前記対向基板との間に介在された液晶
層と、バックライトとを有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、 前記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを
有し、 前記反射用絵素電極が傾斜部又は凹凸部をもつ層間絶縁
膜上に形成され、 ドレイン電極が前記透過用絵素電極を兼ねている ことを
特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記層間絶縁膜が前記ドレイン電極上を
除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１に
記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けら
れた複数のゲート配線と、該ゲート配線と交差する複数
のデータ配線と、該ゲート配線と該データ配線との交差
部に設けられた駆動素子と、該駆動素子に電気的に接続
された絵素電極とを有するアクティブマトリクス基板
と、対向電極が形成された対向基板と、前記アクティブ
マトリクス基板と前記対向基板との間に介在された液晶
層と、バ ックライトとを有するアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、 前記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを
有し、 前記ゲート配線と同じ層に前記反射用絵素電極を形成
し、 前記反射用絵素電極に前記対向電極に印加される信号と
同じ信号を入力することを特徴とするアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。
Priority Applications (14)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27432797A JP3281849B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| US09/122,756 US6195140B1 (en) | 1997-07-28 | 1998-07-27 | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
| KR1019980030361A KR100321943B1 (ko) | 1997-07-28 | 1998-07-28 | 액정표시장치 |
| TW93111338A TWI240130B (en) | 1997-07-28 | 1998-07-28 | Liquid crystal display device |
| CNB031309267A CN1288478C (zh) | 1997-07-28 | 1998-07-28 | 液晶显示器件 |
| CNB98116868XA CN1148603C (zh) | 1997-07-28 | 1998-07-28 | 液晶显示器件及其制造方法 |
| TW087112317A TW509809B (en) | 1997-07-28 | 1998-07-28 | Liquid crystal display device |
| TW90118174A TWI240098B (en) | 1997-07-28 | 1998-07-28 | Liquid crystal display device |
| US09/523,658 US6330047B1 (en) | 1997-07-28 | 2000-03-10 | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| KR1020000070944A KR100332519B1 (ko) | 1997-07-28 | 2000-11-27 | 액정 표시 장치 |
| US09/739,697 US6452654B2 (en) | 1997-07-28 | 2000-12-20 | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
| KR1020010053724A KR100389520B1 (ko) | 1997-07-28 | 2001-09-01 | 액정 표시 장치 |
| KR10-2002-0056787A KR100451065B1 (ko) | 1997-07-28 | 2002-09-18 | 액정 표시 장치 |
| KR1020030089930A KR100430873B1 (ko) | 1997-07-28 | 2003-12-11 | 액정 표시 장치 |
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|---|---|---|---|
| JP27432797A JP3281849B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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| JP2001399157A Division JP2002303875A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2001399153A Division JP2002258300A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2001399155A Division JP3490995B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2001399158A Division JP2002277895A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2001399156A Division JP2002303874A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2001399154A Division JP2002258301A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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ID=17540119
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| KR100613438B1 (ko) * | 1999-11-17 | 2006-08-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시장치 및 그의 제조방법 |
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| JP2001343660A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその欠陥修正方法 |
| KR100682745B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2007-02-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과 액정표시장치 |
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| KR100392602B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-07-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
| JP2002258320A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| JP5067684B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2012-11-07 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100776756B1 (ko) * | 2001-08-01 | 2007-11-19 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| JP4689900B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2011-05-25 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2003098538A (ja) | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
| JP3763285B2 (ja) | 2002-04-16 | 2006-04-05 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
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| TWI250332B (en) | 2002-12-12 | 2006-03-01 | Seiko Epson Corp | Substrate for optoelectronic device, manufacturing method of substrate for optoelectronic device, optoelectronic device, manufacturing method of optoelectronic device, electronic machine and mask |
| KR100945442B1 (ko) * | 2003-02-28 | 2010-03-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씨오티 구조 반투과형 액정표시장치 |
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-
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- 1997-10-07 JP JP27432797A patent/JP3281849B2/ja not_active Expired - Fee Related
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