JP2003098538A - 電気光学装置及びその製造方法 - Google Patents

電気光学装置及びその製造方法

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JP2003098538A JP2001287399A JP2001287399A JP2003098538A JP 2003098538 A JP2003098538 A JP 2003098538A JP 2001287399 A JP2001287399 A JP 2001287399A JP 2001287399 A JP2001287399 A JP 2001287399A JP 2003098538 A JP2003098538 A JP 2003098538A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適
に用いられる、液晶にかかる実効電圧が高く、高コント
ラスト表示が可能で、かつ反射電極の変質が防止された
電気光学装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 液晶５０を封入、保持して対向配置され
た一対の基板１０、２０と、一対の基板１０、２０のう
ちの一方の基板１０の液晶５０側に形成され、一対の基
板１０、２０のうちの他方の基板２０側からの入射光を
反射するとともに、背面光源からの光を透過する一以上
の開口部１４をその所定箇所に有する反射板８とを備え
た電気光学装置であって、反射板８の上に透明電極９が
形成され、この透明電極９が、電位供給線６ｂ又は半導
体層１と電気的に接続されてなることを特徴とする電気
光学装置１００。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
その製造方法に関する。さらに詳しくは、携帯電話機、
モバイルコンピュータ等に好適に用いられる、液晶にか
かる実効電圧が高く、高コントラスト表示が可能で、か
つ反射電極及び反射板の変質が防止された電気光学装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気光学装置（例えば、液晶表示装置、
ＥＬ発光表示装置等）は、携帯電話機、モバイルコンピ
ュータ等の各種電気機器の直視型の表示装置として広く
用いられている。このような電気光学装置のうち、例え
ば、アクティブマトリクス型で、半透過・半反射型の液
晶表示装置においては、対向配置されたＴＦＴアレイ基
板と対向基板とがシール材で貼り合わされているととも
に、基板間のシール材で区画された領域内に電気光学物
質としての液晶が封入、保持されている。
【０００３】また、ＴＦＴアレイ基板の表面に、対向基
板の側から入射してきた外光を対向基板の方向に反射す
るための反射板が形成されており、対向基板側から入射
した光をＴＦＴアレイ基板の反射板で反射し、対向基板
側から出射した光によって画像を表示する（反射モー
ド）。また、反射板には光を透過する開口部が形成さ
れ、この開口部を覆うように、反射板の下層側に透明電
極が形成され、バックライトからの光のうち開口部を透
過した光によって画像を表示する（透過モード）。
【０００４】このような液晶表示装置に用いられるＴＦ
Ｔアレイ基板１２０は、例えば、図１５に示すように、
基板１０１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の下
地保護膜１０２、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０３等
からなるスイッチング素子、ゲート絶縁膜１０３ａ、ソ
ース線１０４、層間絶縁膜１０５、シリコン窒化膜等の
保護膜１０５ａ（この保護膜１０５ａは形成しない場合
がある）、後述する透明電極１０８の下層に反射用の凹
凸を形成するためのアクリル樹脂等の有機系の感光性樹
脂の２層からなる凹凸形成層１０６及び凹凸層１０７、
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からな
る透明電極１０８、並びにアルミニウムや銀、もしくは
これらの合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリ
ブデン、タンタル等との積層膜からなる反射板１０９等
を積層して形成されている。ここで、ソース線１０４と
透明電極１０８とは、凹凸層１０７に形成されたコンタ
クト孔１１０によって電気的に接続されている。一方、
対向基板１３０には、基板１３１上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からなる透明電極１３
２が形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１２０及
び対向基板１３０のそれぞれ液晶５０に対向する側に配
向膜１１１、１３３がそれぞれ形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の液晶表示装置においては、液晶５０にかかる
電圧は、透明電極１３２と、透明電極１０８を介した反
射板１０９との間に印加されるため、反射板１０９部分
で電圧降下が生じ、実効電圧が低下し、表示におけるコ
ントラストが低下するという問題があった。また、反射
板１０９が、液晶に対向する側で剥き出しの状態に曝さ
れるため、反射板１０９を構成する金属膜が変質し易い
という問題もあった。
【０００６】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであって、携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好
適に用いられる、液晶にかかる実効電圧が高く、高コン
トラスト表示が可能で、かつ反射電極の変質が防止され
た電気光学装置及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置は、電気光学物質を封入、
保持して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板
のうちの一方の基板の前記電気光学物質側に形成され、
前記一対の基板のうちの他方の基板側からの入射光を反
射するとともに、背面光源からの光を透過する一以上の
開口部をその所定箇所に有する反射板とを備えた電気光
学装置であって、前記反射板の上に透明電極が形成さ
れ、この透明電極が、電位供給線又は半導体層と電気的
に接続されてなることを特徴とする。
【０００８】このように構成することによって、液晶に
かかる実効電圧を高めて、高コントラスト表示を可能に
するとともに、反射板の変質を防止することができる。
【０００９】また、本発明の電気光学装置は、電気光学
物質を封入、保持して対向配置された一対の基板と、前
記一対の基板のうちの一方の基板の前記電気光学物質側
に形成され、前記一対の基板のうちの他方の基板側から
の入射光を反射するとともに、背面光源からの光を透過
する一以上の開口部をその所定箇所に貫通して有する反
射板とを備えた電気光学装置であって、前記反射板の上
に形成された透明電極をさらに備えるとともに、前記反
射板が、電位供給線又は半導体層と電気的に接続されて
なる反射電極であることを特徴とするものであってもよ
い。
【００１０】このように構成することによって、反射板
の変質を防止することができる。
【００１１】この場合、前記反射板としては、アルミニ
ウム、銀、アルミニウム及び銀の少なくともいずれかを
含む合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデ
ン、タンタル等との積層膜から構成されたものであるこ
とが好ましい。また、前記透明電極としては、ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜から構成され
たものであることが好ましい。
【００１２】このように構成することによって、光反射
効率を高めることができる。
【００１３】また、前記透明電極としては、ＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜から構成されたも
のであることが好ましい。
【００１４】このように構成することによって、透過モ
ードにおける表示のコントラストを高めることができ
る。
【００１５】また、前記透明電極の形成領域は、前記反
射板の形成領域よりも広いことが好ましい。
【００１６】このように構成することによって、反射板
の変質を防止することができる。
【００１７】また、前記反射板及び前記透明電極の下層
に形成された、表面に凹凸を有する凹凸層をさらに備
え、前記反射板が前記凹凸層の凹凸に対応した反射光を
散乱させる表面凹凸形状を有するものであることが好ま
しい。
【００１８】このように構成することによって、反射特
性を向上させることができる。
【００１９】本発明の電気光学装置の製造方法は、電気
光学物質を封入、保持して対向配置した一対の基板のう
ちの、一方の基板の前記電気光学物質側に、反射板を形
成する工程と、前記反射板の所定箇所に、前記一対の基
板のうちの他方の基板側からの入射光を反射するととも
に、背面光源からの光を透過する一以上の開口部を形成
する工程と、前記反射板の上に、透明電極を、前記反射
板の前記開口部に対応した領域を覆うように形成する工
程と、前記透明電極を、電位供給線又は半導体層と電気
的に接続する工程とを含むことを特徴とする。
【００２０】このように構成することによって、液晶に
かかる実効電圧が高く、高コントラスト表示が可能であ
るとともに、反射板の変質が防止された電気光学装置を
効率よく低コストで製造することができる。
【００２１】本発明の電気光学装置の製造方法は、電気
光学物質を封入、保持して対向配置した一対の基板のう
ちの、一方の基板の前記電気光学物質側に、反射板を形
成する工程と、前記反射板の所定箇所に、前記一対の基
板のうちの他方の基板側からの入射光を反射するととも
に、背面光源からの光を透過する一以上の開口部を形成
する工程と、前記反射板を、電位供給線又は半導体層と
電気的に接続し、反射電極とする工程と、該反射電極の
上に、透明電極を、前記反射電極の前記開口部に対応し
た領域を覆うように形成する工程とを含むことを特徴と
するものであってもよい。
【００２２】このように構成することによって、反射電
極の変質が防止された電気光学装置を効率よく低コスト
で製造することができる。
【００２３】この場合、前記反射電極として、アルミニ
ウム、銀、アルミニウム及び銀の少なくともいずれかを
含む合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデ
ン、タンタル等との積層膜を用いることが好ましい。
【００２４】このように構成することによって、光反射
効率を高めた電気光学装置を効率よく低コストで製造す
ることができる。
【００２５】また、前記透明電極として、ＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜を用いることが好ま
しい。
【００２６】このように構成することによって、透過モ
ードにおける表示のコントラストを高めた電気光学装置
を効率よく低コストで製造することができる。
【００２７】また、前記透明電極を形成する工程におい
て、前記透明電極の形成領域を、前記反射電極の形成領
域よりも広く形成することが好ましい。
【００２８】このように構成することによって、反射電
極の変質を防止した電気光学装置を効率よく低コストで
製造することができる。
【００２９】また、前記反射電極を形成する工程の前
に、前記一方の基板の上に、表面に凹凸を有する凹凸層
を形成する工程をさらに含むことが好ましい。
【００３０】このように構成することによって、反射特
性を向上させた電気光学装置を効率よく低コストで製造
することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電気光学装置及び
その製造方法の実施の形態を図面を参照しつつ、具体的
に説明する。
【００３２】（電気光学装置の基本的な構成）図１は、
本発明の電気光学装置の一の実施の形態である液晶表示
装置を、各構成要素とともに対向基板の側から見た平面
図であり、図２は、図１におけるＨ−Ｈ’線で切断した
ときの断面図である。図３は、電気光学装置（液晶表示
装置）の画像表示領域においてマトリクス状に形成され
た複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で
ある。なお、本形態の説明に用いた各図においては、各
層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするた
め、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３３】図１及び図２において、本実施の形態の電
気光学装置（液晶表示装置）１００は、ＴＦＴアレイ基
板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）と
がシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５
２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電
気光学物質としての液晶５０が封入、保持されている。
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料
からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５
２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１、及び実
装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形
成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線
駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走
査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２
０５が設けられており、さらに、周辺見切り５３の下側
等を利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられ
ることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少な
くとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材
２０６が配設されている。
【００３４】なお、データ線駆動回路２０１及び走査線
駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する
代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ
（テープ オートメイテッド ボンディング）基板とＴ
ＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異
方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するように
してもよい。なお、電気光学装置１００においては、使
用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッド
ネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード
等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマ
リブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差
フィルム、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここ
では図示を省略している。
【００３５】また、電気光学装置１００をカラー表示用
として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域
に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフ
ィルタをその保護膜とともに形成する。
【００３６】このような構造を有する電気光学装置１０
０の画像表示領域においては、図３に示すように、複数
の画素１００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチン
グ用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ
２、・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０の
ソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き
込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、この順に線順
次で（線番号の順番で）供給してもよく、相隣接する複
数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給する
ようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査
線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・
・Ｇｍをこの順に線順次で（線番号の順番で）印加する
ように構成されている。反射電極８及び透明電極９は、
ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイ
ッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態
とすることにより、データ線６ａから供給される画素信
号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミング
で書き込む。このようにして反射電極８及び透明電極９
を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ
１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対
向電極２１との間で一定期間保持される。
【００３７】ここで、液晶５０は、印加される電圧レベ
ルによって分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリホワ
イトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光が
この液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリ
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大する。そ
の結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号
Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光
が出射される。
【００３８】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、透明電極（画素
電極）９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列
に蓄積容量６０（図３参照）を付加することがある。例
えば、透明電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時
間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持さ
れる。これにより、電荷の保持特性は改善され、コント
ラスト比の高い電気光学装置１００を実現することがで
きる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図
３に示すように、蓄積容量６０を形成するための配線で
ある容量線３ｂとの間に形成する場合、及び前段の走査
線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。
【００３９】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本実
施の形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複
数の画素群の平面図である。図５は、図４に示す電気光
学装置の画素の一部を図４におけるＡ−Ａ’線で切断し
たときの断面図である。
【００４０】図４において、ＴＦＴアレイ基板上には、
アルミニウム、もしくはその合金、又はそのチタン、窒
化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成
された反射板８がマトリクス状に形成されており、これ
ら各反射板８の上に透明電極９が形成されている。透明
電極９は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のドレイン
電極６ｂと電気的に接続している。また、反射板８を形
成する領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査
線３ａ、及び容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、デ
ータ線６ａ及び走査線３ａに対して接続している。すな
わち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦ
Ｔ３０における半導体膜１の濃度ソース領域１ａに電気
的に接続し、透明電極９は、ＴＦＴ３における半導体膜
１の高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続している。
【００４１】図４に示すように、このように構成した各
画素１００ａにおいては、反射板８が形成されている領
域のうち、開口部１４が形成された領域は、透明電極９
によって開口部１４に対応する領域が覆われた、透過モ
ードで画像表示を行う透過領域であり、その他の領域
は、反射板８を備えた反射領域であり、ここでは反射モ
ードで画像表示を行う。
【００４２】図５に示すように、図４における反射領域
のＡ−Ａ’線で切断したときの断面は、ＴＦＴアレイ基
板１０の基体としての透明な基板１０’の表面に、厚さ
が３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）
からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１
１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半
導体膜１が形成されている。半導体膜１の表面には、厚
さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲー
ト絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、
厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電
極として通っている。半導体膜１のうち、走査線３ａに
対してゲート絶縁膜２を介して対向する領域がチャネル
形成用領域１ａ’になっている。このチャネル形成用領
域１ａ’に対して一方側には、低濃度領域１ｂ及び高濃
度ソース領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方
側には低濃度領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｄを備
えるドレイン領域が形成されている。図中１ｃは高濃度
領域を示している。
【００４３】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる第１層間絶縁膜４が形成されている。第１層間
絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの
データ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層
間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃
度ソース領域１ａに電気的に接続している。第１層間絶
縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイ
ン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１
層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高
濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続している。
【００４４】第１層間絶縁膜４の上層には、シリコン窒
化膜もしくはシリコン酸化膜の単膜又はシリコン窒化膜
及びシリコン酸化膜の二つの膜等からなるからなる厚さ
が１００ｎｍ〜８００ｎｍの第２層間絶縁膜（表面保護
膜）５が形成されている（この第２層間絶縁膜（表面保
護膜）５は形成しなくてもよい）。この第２層間絶縁膜
（表面保護膜）５の上層に、有機系樹脂等の感光性樹脂
からなる凹凸形成層１３及び凹凸層７がこの順に形成さ
れ、凹凸層７の表面には、透過用の開口部１４を有する
アルミニウム膜等からなる反射板８が形成されている。
反射板８の表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応し
た凹凸パターン８ｇが形成されている。
【００４５】反射板８の上には、ＩＴＯ膜を約５０〜２
００ｎｍの厚さで積層した透明電極９が形成され、この
透明電極９は、コンタクト孔１５を介してドレイン電極
６ｂに電気的に接続している。
【００４６】透明電極９の表面側にはポリイミド膜から
なる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２に
は、ラビング処理が施されている。
【００４７】また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時
形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと
同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、
蓄積容量６０が構成されている。
【００４８】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、及び
低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオン
の打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよ
い。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一
部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、
自己整合的に高濃度のソース及びドレイン領域を形成し
たセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００４９】また、本実施の形態では、ＴＦＴ３０のゲ
ート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に
２個配置したデュアルゲート（ダブルゲート）構造とし
たが、１個配置したシングルゲート構造であってもよ
く、また、これらの間に３個以上のゲート電極を配置し
たトリプルゲート以上の構造であってもよい。複数個配
置した場合、各々のゲート電極には同一の信号が印加さ
れるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲ
ート）、又はトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成す
れば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリ
ーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することがで
きる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構
造又はオフセット構造にすれば、さらに、オフ電流を低
減でき、安定したスイッチング素子を得ることができ
る。
【００５０】図４〜図５において、ＴＦＴアレイ基板１
０では、各画素１００ａの反射領域には、反射板８の表
面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域及び開口部１４から外
れた領域（反射電極形成領域）には、前述のように凹凸
パターン８ｇが形成されている。
【００５１】このような凹凸パターン８ｇを構成するに
あたって、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０では、
反射板８の下層側のうち、反射板８と平面的に重なる領
域には、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂からなる
凹凸形成層１３が第２層間絶縁膜５の表面に１〜３μｍ
の厚さで例えば、スピンコートによって形成され、この
凹凸形成層１３の上層には、アクリル樹脂等の有機系の
感光性樹脂等のような流動性材料から形成された絶縁膜
からなる凹凸層７が１〜２μｍの厚さで例えば、スピン
コートによって積層されている。
【００５２】凹凸形成層１３には、多数の凹凸が形成さ
れている。このため、図５に示すように、反射板８の表
面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応する凹凸パター
ン８ｇが形成され、この凹凸パターン８ｇでは、凹凸層
７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないよう
になっている。なお、凹凸層７を形成せずに、凹凸形成
層１３を形成した後、ベーク工程を行うことにより、凹
凸形成層１３の凹凸の縁を滑らかにしてもよい。
【００５３】（対向基板の構成）図５において、対向基
板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている透
明電極９の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマ
トリクス、又はブラックストライプ等と称せられる遮光
膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる
対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の
上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成さ
れる。なお、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との
間には、液晶５０が封入、保持されている。
【００５４】（本形態の電気光学装置の作用）このよう
に構成した電気光学装置１００（図１参照）では、アル
ミニウム膜等からなる反射電極８が形成されているた
め、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板
１０側で反射し、対向基板２０側から出射することがで
きるので、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎
で光変調を行えば、外光を利用して所望の画像を表示す
ることができる（反射モード）。
【００５５】また、電気光学装置１００においては、図
４において開口部１４を避けるように反射電極８が形成
されているため、透過型の液晶表示装置としても機能す
る。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０の側に配置された
バックライト装置（図示せず）から出射された光は、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０の側に入射した後、各画素１００ａ
（図３参照）において反射板８が形成されている領域の
うち、反射電極８が形成されていない透過領域（透明電
極９によって覆われた開口部１４）を経由して対向基板
２０側に透過する。このため、液晶５０によって各画素
１００ａ毎で光変調を行えば、バックライト装置から出
射された光を利用して所望の画像を表示することができ
る（透過モード）。
【００５６】また、本実施の形態では、反射板８の下層
側のうち、反射板８と平面的に重なる領域に凹凸形成層
１３を形成し、この凹凸形成層１３の凹凸を利用して、
反射板８の表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成し
ている。また、凹凸パターン８ｇでは、凹凸層７によっ
て、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないようになって
いる。従って、反射モードで画像を表示したとき、散乱
反射光で画像を表示するため、視野角依存性が小さい。
【００５７】また、反射板８が透明電極９によってその
表面を被覆されるため、反射板８の変質を防止すること
ができる。
【００５８】なお、本実施の形態においては、透明電極
と、電位供給線（ソース線）とを電気的に接続した場合
を示しているが、透明電極と、半導体層とを電気的に接
続したものであってもよい。
【００５９】図６は、本発明の電気光学装置の他の実施
の形態である液晶表示装置を模式的に示す断面図であ
る。図６に示す液晶表示装置が図５に示す液晶表示装置
と異なる点は、透明電極９に代えて、反射電極８’によ
って、ドレイン電極６ｂと電気的に接続していることで
ある。この場合も、反射電極８’は透明電極９によって
その表面を被覆されるため、反射電極８’の変質を防止
することができる。
【００６０】なお、この実施の形態においても、反射電
極と、電位供給線（ソース線）とを電気的に接続した場
合を示しているが、反射電極と、半導体層とを電気的に
接続したものであってもよい。
【００６１】［ＴＦＴの製造方法］このような構成のＴ
ＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図７〜図１１を
参照しつつ、具体的に説明する。
【００６２】図７〜図１１はいずれも、本実施の形態の
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。
【００６３】まず、図７（Ａ）に示すように、超音波洗
浄等により清浄化したガラス製等の基板１０’を準備し
た後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、
基板１０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護
膜１１をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００ｎ
ｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例
えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混合
ガスやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２
Ｈ５）４）と酸素、又はジシランとアンモニアを用いる
ことができる。
【００６４】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、基板１０’の全面に、非晶質シリコン膜か
らなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により３０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとし
ては、例えば、ジシランやモノシランを用いることがで
きる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレ
ーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体
膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。
この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短
時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的
であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることが
ない。それゆえ、基板１０’としてガラス基板等を用い
ても熱による変形や割れ等が生じない。
【００６５】次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５１を介して半導体
膜１をエッチングすることにより、図７（Ｂ）に示すよ
うに、島状の半導体膜１（能動層）、及び蓄積容量部を
形成するための半導体膜を各々分離した状態に形成す
る。
【００６６】次に、３５０℃以下の温度条件下で、基板
１０’の全面に、ＣＶＤ法等により半導体膜１の表面
に、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２を５０ｎ
ｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガス
は、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。ここで形成するゲート絶縁膜２は、シリ
コン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよい。
【００６７】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに不純物イオ
ンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構
成するための下電極を形成する（図４及び図５参照）。
【００６８】次に、図７（Ｃ）に示すように、スパッタ
法等により、基板１０’の全面に、走査線３ａ等を形成
するためのアルミニウム、タンタル、モリブデン等から
なる金属膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分とす
る合金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの
厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５２を形成する。
【００６９】次に、レジストマスクを介して導電膜３を
ドライエッチングし、図７（Ｄ）に示すように、走査線
３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。
【００７０】次に、画素ＴＦＴ部及び駆動回路のＮチャ
ネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲー
ト電極をマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２〜
約１０×１０１３／ｃｍ２のドーズ量で低濃度の不純物
イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対し
て自己整合的に低濃度領域１ｂを形成する。ここで、走
査線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導
入されなかった部分は半導体膜１のままのチャネル形成
用領域１ａ’となる。
【００７１】次に、図８（Ａ）に示すように、画素ＴＦ
Ｔ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジ
ストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リ
ンイオン）を約０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１
０１５／ｃｍ２のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領
域１ａ及びドレイン領域１ｄを形成する。
【００７２】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及び
ドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマ
スクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライ
ン構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよ
い。
【００７３】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部及びＮチャネルＴＦＴ部をレジ
ストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２
のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己
整合的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成す
る。
【００７４】この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同
様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１３／
ｃｍ２〜約１０×１０１３／ｃｍ２のドーズ量で低濃度
の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜
に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマ
スクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約
０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２
のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造（ライトリー・ド
ープト・ドレイン構造）のソース領域及びドレイン領域
を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを
行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状
態で高濃度の不純物（ボロンイオン）を打ち込み、オフ
セット構造のソース領域及びドレイン領域を形成しても
よい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ
化（相補型化：Ｃｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙ ＭＯＳ
化）が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵
が可能になる。
【００７５】次に、図８（Ｂ）に示すように、走査線３
ａの表面側にＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等から
なる第１層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さ
に形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳ
と酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。
【００７６】次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５４を形成する。
【００７７】次に、レジストマスク５５４を介して第１
層間絶縁膜４にドライエッチングを行い、図８（Ｃ）に
示すように、第１層間絶縁膜４においてソース領域及び
ドレイン領域に対応する部分等にコンタクトホールをそ
れぞれ形成する。
【００７８】次に、図８（Ｄ）に示すように、第１層間
絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）等を
構成するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン
膜、タンタル膜、モリブデン膜、又はこれらの金属のい
ずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜６をスパッ
タ法等で３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、
フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５５
を形成する。
【００７９】次に、図９（Ａ）に示すように、所定のレ
ジストマスクを介して導電膜６にドライエッチングを行
い、データ線６ａ、及びドレイン電極６ｂを形成する。
【００８０】次に、図９（Ｂ）に示すように、第１層間
絶縁膜４の上層に、シリコン窒化膜もしくはシリコン酸
化膜の単膜又はシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の二
つの膜等からなるからなる厚さが１００ｎｍ〜３００ｎ
ｍ程度の厚さの第２層間絶縁膜（表面保護膜）５をプラ
ズマＣＶＤ法によって成膜することによって形成する
（この第２層間絶縁膜５は形成しなくてもよい）。
【００８１】次に、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、第２層間絶縁膜（表面保護膜）５の表面に、アクリ
ル樹脂等の有機系の感光性樹脂１３ａを１〜３μｍの厚
さにスピンコートで塗布した後、感光性樹脂１３ａをフ
ォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることに
よって、後述する反射電極８の下層側に、厚さが１μｍ
〜３μｍの凹凸形成層１３を形成する。次いで、角をと
るためベーク工程を行ってもよい。
【００８２】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して凹凸形成層１３を形成する際、感光性樹脂１３ａと
してはネガタイプ及びポジタイプのいずれを用いてもよ
いが、図１０（Ａ）には、感光性樹脂１３ａとしてポジ
タイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３ａを除去
したい部分に対して、所定の露光マスクの透光部分を介
して紫外線を照射する。
【００８３】次に、図１０（Ｃ）に示すように、第２層
間絶縁膜（表面保護膜）５及び凹凸形成層１３の表面側
に、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂７ａをスピン
コートで１μｍ〜２μｍの厚さに塗布する。
【００８４】次に、図１０（Ｄ）に示すように、フォト
リソグラフィ技術を利用して、第２層間絶縁膜（表面保
護膜）５の表面に達するまで貫通、開口させた（この部
分が最終的にコンタクト孔１５を形成することになる）
厚さが１μｍ〜２μｍの凹凸層７を形成する。
【００８５】ここで、凹凸層７は、流動性を有する材料
を塗布したものから形成されるため、凹凸層７の表面に
は、凹凸形成層１３の凹凸を適度に打ち消して、エッジ
のない、滑らかな形状の凹凸パターンが形成される。
【００８６】なお、凹凸層７を形成せずに、滑らかな形
状の凹凸パターンを形成する場合には、図１０（Ｂ）に
示す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１３の縁を
滑らかな形状にしてもよい。
【００８７】次に、図１１（Ａ）に示すように、凹凸層
７をマスクとして第２層間絶縁膜（表面保護膜）５をド
ライエッチング技術を用いて除去してコンタクト孔１５
を形成し、後述する透明電極９とドレイン電極６ｂとが
電気的に接続できるようにする。
【００８８】次に、図１１（Ｂ）に示すように、スパッ
タリング法等によって、５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さ
の、前述のアルミニウム膜等のような反射性を備えた金
属膜８ａを形成する。
【００８９】次に、図１１（Ｃ）に示すように、微細加
工法を用いて開口部１４部分と隣接する画素との間を選
択的に除去して、開口部１４を有する反射板８を形成す
る。
【００９０】次に、図１１（Ｄ）に示すように、スパッ
タリング法等によって、ＩＴＯ膜９ａを約５０〜２００
ｎｍの厚さで成膜する。
【００９１】次に、図１１（Ｅ）に示すように、フォト
リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、所定の
パターンの透明電極９を形成する。この場合、反射板８
の形成領域よりも広く形成することが好ましい。このよ
うにして、透明電極９とドレイン電極６ｂとが電気的に
接続される。このようにして形成した反射板８及び透明
電極９の表面には、凹凸形成層１３及び凹凸層７からな
る凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以
上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パタ
ーン８ｇは、凹凸層７によって、エッジのない、滑らか
な形状になっている。
【００９２】その後、透明電極９の表面側に配向膜（ポ
リイミド膜）１２を形成する。それには、ブチルセロソ
ルブやｎ−メチルピロリドン等の溶媒に５〜１０重量％
のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・
ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）す
る。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系
繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子
を表面近傍で一定方向に配列させる（ラビング処理を施
す）。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分
子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
このラビング処理の方向は、前述のように、スリットの
長手方向の向きと一致させることが好ましい。
【００９３】以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板１０
が完成する。
【００９４】上記のいずれの形態も、画素スイッチング
素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液
晶表示装置を例に説明したが、画素スイッチング素子と
してＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示
装置、又はパッシブマトリクス型の液晶表示装置、さら
には液晶以外の電気光学物質（例えば、ＥＬ発光素子）
を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００９５】［電気光学装置の電子機器への応用］この
ように構成した半反射・半透過型の電気光学装置１００
は、各種の電子機器の表示部として用いることができる
が、その一例を、図１２〜図１４を参照しつつ具体的に
説明する。
【００９６】図１２は、本発明に係る電気光学装置を表
示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック
図である。
【００９７】図１２において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、及び液晶表示装置７４を有す
る。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及
び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述
した電気光学装置１００を用いることができる。
【００９８】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種
ディスク等のようなストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００９９】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。
【０１００】図１３は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。
【０１０１】図１４は、他の電子機器である携帯電話機
を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操
作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる
表示部とを有している。
【０１０２】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によっ
て、携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適に用い
られる、液晶にかかる実効電圧が高く、高コントラスト
表示が可能で、かつ反射電極の変質が防止された電気光
学装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の電気光学装置の一の実施の形態を対
向基板の側から見たときの平面図である。
【図２】 図１におけるＨ−Ｈ’線で切断したときの断
面図である。
【図３】 本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
いて、マトリクス状に配置された複数の画素に形成され
た各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】 本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
いて、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示
す平面図である。
【図５】 図４におけるＡ−Ａ’線で切断したときの画
素の断面図である。
【図６】 本発明の電気光学装置の他の実施の形態にお
いて、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示
す断面図である。
【図７】 本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施
の形態において、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順
に示す断面図である。
【図８】 図７に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製
造方法を工程順に示す断面図である。
【図９】 図８に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製
造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】 図９に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の
製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】 図１０に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板
の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１２】 本発明に係る電気光学装置を表示装置とし
て用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１３】 本発明の電気光学装置を用いた電子機器の
一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示
す説明図である。
【図１４】 本発明の電気光学装置を用いた電子機器の
他の例としての携帯電話機の説明図である。
【図１５】 従来の電気光学装置における画素の一部を
模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１…半導体膜 １ａ…高濃度ソース領域 １ａ’…チャネル形成用領域 １ｂ…低濃度領域 １ｃ…高濃度領域 １ｄ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…高濃度ドレイン領域からの延設部分 ２…ゲート絶縁膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ４…第１層間絶縁膜 ５…第２層間絶縁膜（表面保護膜） ６…導電膜 ６ａ…データ線 ６ｂ…ドレイン電極 ７…凹凸層 ７ａ…凹凸層を形成するための感光性樹脂 ８…反射板 ８’…反射電極 ８ａ…金属膜 ９…透明電極 ９ａ…ＩＴＯ膜 ８ｇ…凹凸パターン（表面凹凸形状） １０…ＴＦＴアレイ基板 １０’…基板 １１…下地保護膜 １２…配向膜 １３…凹凸形成層 １３ａ…凹凸形成層を形成するための感光性樹脂 １４…開口部 １５…コンタクト孔 ２０…対向基板 ２０’…基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０…画素スイッチング用のＴＦＴ ５０…液晶 ５２…シール材 ５３…周辺見切り ６０…蓄積容量 １００…電気光学装置 １００ａ…画素 １０１…基板 １０２…下地保護膜 １０３…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １０３ａ…ゲート絶縁膜 １０４…ソース線 １０５…層間絶縁膜 １０５ａ…保護膜 １０６…凹凸形成層 １０７…凹凸層 １０８…透明電極 １０９…反射板 １０９’…反射電極 １１０…コンタクト孔 １１１…配向膜 １２０…ＴＦＴアレイ基板 １３０…対向基板 １３１…基板 １３２…透明電極 １３３…配向膜 ２０１…データ線駆動回路 ２０２…実装端子 ２０４…走査線駆動回路 ２０５…配線 ２０６…基板間導通材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０Ｚ ３４９ ３４９Ｄ 9/35 9/35 Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Y FB08 FC10 FC14 FC26 GA03 GA06 GA13 HA06 HA07 HA10 LA12 LA16 2H092 GA13 GA17 GA21 GA25 GA26 HA04 HA05 HA06 JA46 KA18 KB04 KB25 MA05 MA14 MA15 MA19 MA27 NA27 NA29 PA10 PA11 PA12 5C094 AA10 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 EB04 ED11 FA04 HA08 5G435 AA03 AA17 AA18 BB12 BB15 BB16 CC09 KK05 KK09 KK10 LL07 LL08

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気光学物質を封入、保持して対向配置
    された一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基
    板の前記電気光学物質側に形成され、前記一対の基板の
    うちの他方の基板側からの入射光を反射するとともに、
    背面光源からの光を透過する一以上の開口部をその所定
    箇所に有する反射板とを備えた電気光学装置であって、 前記反射板の上に透明電極が形成され、この透明電極
    が、電位供給線又は半導体層と電気的に接続されてなる
    ことを特徴とする電気光学装置。
  2. 【請求項２】 電気光学物質を封入、保持して対向配置
    された一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基
    板の前記電気光学物質側に形成され、前記一対の基板の
    うちの他方の基板側からの入射光を反射するとともに、
    背面光源からの光を透過する一以上の開口部をその所定
    箇所に貫通して有する反射電極とを備えた電気光学装置
    であって、 前記反射電極の上に形成された透明電極をさらに備える
    とともに、前記反射電極が、電位供給線又は半導体層と
    電気的に接続されてなることを特徴とする電気光学装
    置。
  3. 【請求項３】 前記反射電極及び反射板が、アルミニウ
    ム、銀、アルミニウム及び銀の少なくともいずれかを含
    む合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデ
    ン、タンタル等との積層膜から構成された請求項１又は
    ２に記載の電気光学装置。
  4. 【請求項４】 前記透明電極が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
    Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜から構成された請求項１〜３
    のいずれかに記載の電気光学装置。
  5. 【請求項５】 前記透明電極の形成領域が、前記反射電
    極及び反射板の形成領域よりも広い請求項１〜４のいず
    れかに記載の電気光学装置。
  6. 【請求項６】 前記反射電極ないしは反射板及び前記透
    明電極の下層に形成された、表面に凹凸を有する凹凸層
    をさらに備え、前記反射電極が前記凹凸層の凹凸に対応
    した反射光を散乱させる表面凹凸形状を有する請求項１
    〜５のいずれかに記載の電気光学装置。
  7. 【請求項７】 電気光学物質を封入、保持して対向配置
    した一対の基板のうちの、一方の基板の前記電気光学物
    質側に、反射板を形成する工程と、 前記反射板の所定箇所に、前記一対の基板のうちの他方
    の基板側からの入射光を反射するとともに、背面光源か
    らの光を透過する一以上の開口部を形成する工程と、 前記反射板の上に、透明電極を、前記反射板の前記開口
    部に対応した領域を覆うように形成する工程と、 前記透明電極を、電位供給線又は半導体層と電気的に接
    続する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製
    造方法。
  8. 【請求項８】 電気光学物質を封入、保持して対向配置
    した一対の基板のうちの、一方の基板の前記電気光学物
    質側に、反射電極を形成する工程と、 前記反射電極の所定箇所に、前記一対の基板のうちの他
    方の基板側からの入射光を反射するとともに、背面光源
    からの光を透過する一以上の開口部を形成する工程と、 前記反射電極を、電位供給線又は半導体層と電気的に接
    続する工程と、 前記反射電極の上に、透明電極を、前記反射電極の前記
    開口部に対応した領域を覆うように形成する工程とを含
    むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記反射電極及び反射板として、アルミ
    ニウム、銀、アルミニウム及び銀の少なくともいずれか
    を含む合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブ
    デン、タンタル等との積層膜を用いる請求項７又は８に
    記載の電気光学装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記透明電極として、ＩＴＯ（Ｉｎｄ
    ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜を用いる請求項７〜９
    のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記透明電極を形成する工程におい
    て、前記透明電極の形成領域を、前記反射電極及び反射
    板の形成領域よりも広く形成する請求項７〜１０のいず
    れかに記載の電気光学装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記反射電極及び反射板を形成する工
    程の前に、前記一方の基板の上に、表面に凹凸を有する
    凹凸層を形成する工程をさらに含む請求項７〜１１のい
    ずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
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