JPH10301142A

JPH10301142A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH10301142A
Application number: JP10867697A
Authority: JP
Inventors: Hisafumi Saito; 尚史斉藤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-04-25
Filing date: 1997-04-25
Publication date: 1998-11-13

Abstract

(57)【要約】【課題】明るく高コントラストを有する反射型アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法を提
供する。【解決手段】ＴＦＴ２６等のスイッチング素子を有す
る反射型液晶表示装置において、スイッチング素子に接
続される反射電極１６がＡｇまたはＡｌ等の金属膜によ
って形成され、反射電極１６の下方位置に第２の平坦化
膜１７を介して、黒色化されたＩＴＯ等の透明導電性膜
によって形成された黒色層１４が配置される。このこと
により、反射電極１６よりも下方の領域への光の入射お
よび反射電極１６の裏面側での反射を効果的に抑制する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称する）等のスイッチング素子を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置に関し、特に画
素電極に金属膜等を用いた反射電極を有する反射型液晶
表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型で軽量、かつ低消費電力であ
る利点を有するディスプレイとして液晶表示装置が注目
を集めている。中でも、各画素毎にＴＦＴ等のアクティ
ブ素子を設け、各画素を制御するようにしたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置は、解像度に優れ、鮮明な画
像が得られる等の理由から特に注目されている。

【０００３】前述のアクティブマトリクス型液晶表示装
置には、画素電極にＩＴＯ等の透明導電性薄膜を用いた
透過型液晶表示装置と、画素電極に金属膜等からなる反
射電極を用いた反射型液晶表示装置とが有る。

【０００４】本来、液晶表示装置は自発光型のディスプ
レイではないため、透過型液晶表示装置の場合には、液
晶表示装置の背後に照明装置、所謂バックライトまたは
プロジェクションランプ等を配置して、そこから入射さ
れる光によって表示を行っている。また、反射型液晶表
示装置の場合には、外部からの入射光を反射電極によっ
て反射させることで表示を行っている。

【０００５】反射型液晶表示装置は、バックライトを使
用しないため、消費電力は極めて小さいが、使用環境ま
たは使用条件、即ち周囲の明るさ等によって表示の明る
さおよびコントラストが左右されてしまうという問題を
有している。一方、透過型液晶表示装置の場合は、前述
のようにバックライトを用いて表示を行うため、消費電
力は大きくなるものの、周囲の明るさ等にさほど影響さ
れることなく、明るく、高いコントラストを有する表示
を行える利点がある。

【０００６】前述のように、見た目の明るさおよびコン
トラストは使用条件等によって異なるが、本質的にこの
ような液晶表示装置の表示の明るさを左右する最大の要
因は開口率である。開口率とは、液晶表示装置の表示領
域における直接表示に寄与する画素領域の面積の割合を
示したものである。例えば透過型液晶表示装置の場合、
開口率が小さいということは、即ち光の透過量が少ない
ということであり、したがってその表示は暗いものとな
る。

【０００７】これまでの液晶表示装置においては、画素
電極とそれに隣接するゲート配線およびソース配線が短
絡することがないように、その間に一定の間隔が設けら
れており、その領域は表示に寄与することがないため、
開口率は低い水準であった。そこで、今日ではＴＦＴ、
ゲート配線およびソース配線上に、樹脂等によって表面
を平坦にした樹脂絶縁層を設け、その上に画素電極を形
成し、樹脂絶縁層に開口したコンタクトホールを介して
ＴＦＴと画素電極とを接続するようにした保護膜上画素
構造（以下、ピクセル・オン・パッシ構造と称する）が
採用されるようになっている。

【０００８】ピクセル・オン・パッシ構造によると、ゲ
ート配線およびソース配線と画素電極とが電気的に絶縁
された別層に形成されることになり、従来短絡を防止す
るために設けられていたゲート配線およびソース配線と
画素電極間との間隔をなくすことができ、その結果、従
来に比べ開口率を大幅に拡大することが可能となってい
る。

【０００９】また、特開平６−１６０８７５号公報に示
されるように、さらに開口率を拡大するために、ピクセ
ル・オン・パッシ構造であり、かつ隣り合う画素電極を
別層に形成することにより、画素電極間の間隙を限りな
く少なくするような構造が提案されている。

【００１０】このようなピクセル・オン・パッシ構造に
おいても、透過型液晶表示装置の場合は、ゲート配線、
ソース配線およびＴＦＴの部分は光を透過しないため、
その領域は表示に寄与しない。ところが、反射型液晶表
示装置の場合は、画素電極が主に金属膜からなる反射電
極であることから、ピクセル・オン・パッシ構造を採用
することにより、ゲート配線、ソース配線およびＴＦＴ
上であっても表示に寄与させることができる。以上のよ
うに、開口率を向上させる観点からは反射型液晶表示装
置の方が有利であると言える。

【００１１】次に、前述のアクティブマトリクス型液晶
表示装置に用いられるＴＦＴに関して簡単に説明する。

【００１２】現在、アクティブマトリクス型液晶表示装
置に用いられるＴＦＴとしては、非晶質シリコン薄膜を
用いたものが広く知られており、このＴＦＴを搭載した
アクティブマトリクス型液晶表示装置が数多く商品化さ
れている。

【００１３】この非晶質シリコン薄膜を用いたＴＦＴに
代わるアクティブ素子として、画素電極を駆動させるた
めの画素用ＴＦＴと、その画素用ＴＦＴを駆動させるた
めの駆動回路とを、一つの基板上に一体形成することが
できる可能性が有る多結晶シリコン薄膜を用いたＴＦＴ
を形成する技術に、大きな期待が寄せられている。

【００１４】多結晶シリコン薄膜は、従来のＴＦＴに用
いられている非晶質シリコン薄膜に比べて高移動度を有
しており、高性能なＴＦＴを形成することが可能であ
る。画素用ＴＦＴを駆動させるための駆動回路を一つの
安価なガラス基板上に一体形成することが実現される
と、従来に比べ、製造コストが大幅に低減されることに
なる。

【００１５】このような多結晶シリコンＴＦＴの活性層
となる多結晶シリコン薄膜をガラス基板上に作成する技
術としては、ガラス基板上に非晶質シリコン薄膜を堆積
した後、６００℃程度の温度で数時間〜数十時間熱処理
して結晶化させる固相成長法、エキシマレーザー等のパ
ルスレーザー光を照射して、その部分の非晶質シリコン
薄膜を瞬時に熔融させて再結晶化させるレーザー結晶化
法等の方法が提案されている。

【００１６】ところで、前述のようにＴＦＴの活性層と
なる半導体薄膜には、非晶質シリコン薄膜または多結晶
シリコン薄膜が用いられるが、これらの半導体薄膜に強
い光が照射されると光電流が発生することにより、ＴＦ
Ｔのオフ時のリーク電流が増加し、表示のコントラスト
等を劣化させるという問題点がある。

【００１７】透過型のアクティブマトリクス型液晶表示
装置に用いられるＴＦＴは、常にバックライトからの強
い光に晒されることは言うまでもなく、バックライト以
外の外部からの入射光もＴＦＴに到達することがある。
そこで、従来はＴＦＴの下方に光を透過しない金属等か
らなる遮光膜を設けることが一般的となっている。

【００１８】尚、この例はゲート電極が半導体膜の上方
に配置されたコプラナー型ＴＦＴまたはトップゲート型
ＴＦＴの場合であり、ゲート電極が半導体膜の下方に配
置される逆スタガ型ＴＦＴ等の場合は、ＴＦＴの上方に
設けられる。また、何れのＴＦＴの場合であっても、Ｔ
ＦＴの形成された基板に対向する基板、即ちカラーフィ
ルターおよび対向電極が形成された基板側に、赤、青、
緑の各カラーフィルター層の境を形成するために遮光膜
が設けられる。これは、所謂ブラックマトリクスであ
る。

【００１９】一方、反射型液晶表示装置の場合は、ピク
セル・オン・パッシ構造によってＴＦＴに接続される主
に金属膜等からなる反射電極が、ＴＦＴ上を覆うように
配置されるため、外部からの入射光が直接ＴＦＴに到達
する可能性が小さく、透過型液晶表示装置に比べ、リー
ク電流が増大する等、ＴＦＴの特性が劣化することが少
ない。

【００２０】しかしながら、隣り合う反射電極の間隙か
ら入射する光がＴＦＴに到達することも考えられるた
め、例えば特公昭６１−４３７１２号公報、または特開
昭５８−２８７１号公報に示されるように、ＴＦＴと反
射電極との間に遮光層を設けることが提案されている。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、反射
型液晶表示装置の場合は、ピクセル・オン・パッシ構造
とすることによってＴＦＴに接続される主に金属膜等か
らなる反射電極がＴＦＴ上を覆うように配置されるた
め、外部からの入射光が直接ＴＦＴに到達する可能性が
小さい。

【００２２】しかし、図１１に示すように、隣り合う反
射電極１６の間隙からの入射光２５が、反射電極１６と
同じように金属材料からなるバスライン２２によって反
射し、さらに反射電極１６の裏面側で再反射することに
よって、ＴＦＴ２６に到達するような場合も考えられ
る。

【００２３】このような例は、特公昭６１−４３７１２
号公報、または特開昭５８−２８７１号公報に示される
ように、ＴＦＴと反射電極との間に遮光層を設けること
で解決することが可能である。これらの公報に開示され
ている方法は、具体的にはポリイミド樹脂等による絶縁
層の中に、金属等からなる遮光層を埋め込むように形成
するものである。

【００２４】但し、このように遮光層を樹脂による絶縁
層の中に埋め込むように形成するためには、一旦ＴＦＴ
上に樹脂を塗布して表面の平坦な絶縁層を形成した後、
その上に遮光層を形成し、再度樹脂を塗布する工程が必
要となる。ポリイミド樹脂等は、塗布した後に熱を加え
て硬化させる必要が有り、こうした工程が必然的に増加
することになる。

【００２５】また、遮光層として主に金属が用いられる
ため、入射光が遮光層によって反射され、コントラスト
等の表示品位を損なう恐れがあり、さらに、ＴＦＴおよ
び反射電極との絶縁性を確保し、かつ、遮光層によって
生じた段差を平坦にするために、樹脂による絶縁層の膜
厚を従来よりも厚くする必要が生じること等が考えられ
る。

【００２６】さらに、より一層の開口率の向上を目指
し、前述の特開平６−１６０８７５号公報に示されるよ
うな構造を反射型液晶表示装置に応用した場合は、隣り
合う反射電極が各々別層に形成されることになるため、
各反射電極間には間隙が殆ど生じない。したがってＴＦ
Ｔと反射電極との間に遮光層を設ける必要性はないし、
構造上、反射電極とＴＦＴとの間に遮光層を設けること
自体が困難である。

【００２７】しかしながら、この場合、一旦液晶表示装
置に入射した光が、隣り合う反射電極で反射を繰り返し
てＴＦＴに到達する場合がある。このことを図１２を用
いて説明する。

【００２８】図１２に示すように、（イ）および（ロ）
で示す光は、反射電極１６によって反射され、ＴＦＴ２
６には到達していない。しかし、（ハ）で示す光は、一
旦ＴＦＴ２６ａに接続された反射電極１６によって反射
され、次にＴＦＴ２６ｂに接続された反射電極１６の裏
面側で反射されてＴＦＴ２６ｂに到達する。（ニ）で示
す光に至っては、一旦ＴＦＴ２６ａに接続された反射電
極１６によって反射され、次にＴＦＴ２６ｂに接続され
た反射電極１６の裏面側で反射され、次にバスライン２
２で反射され、さらにＴＦＴ２６ｃに接続された反射電
極１６の裏面側で反射されてＴＦＴ２６ｃに到達する。
また、（ホ）で示す光は、反射電極１６およびバスライ
ン２２で反射されることなく直接ＴＦＴ２６に到達して
いる。

【００２９】このように、液晶表示装置の内部で反射し
た光が、反射電極の裏面側で反射を繰り返してＴＦＴに
到達してしまう場合も十分に考えられるのである。

【００３０】前述したように、ＴＦＴの活性層である半
導体薄膜に外部からの強い光が照射されると、ＴＦＴ特
性が劣化して液晶表示装置としての表示品位を著しく損
なうことになる。

【００３１】従来の反射型液晶表示装置では、ＴＦＴの
上方に光を透過しない金属膜等からなる反射電極が設け
られているため、この反射電極によって外部から入射さ
れる光の大部分は反射され、ＴＦＴの活性層である半導
体薄膜に到達しない。しかしながら、前述のように隣り
合う反射電極を別層に形成する構造では、一旦液晶表示
装置内に入射した光が、反射電極の裏面側等で反射を繰
り返してＴＦＴに到達する場合がある。このような僅か
な光であっても、ＴＦＴの特性に悪影響を及ぼすため無
視することはできない。

【００３２】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、明るく高コントラストを有す
る反射型アクティブマトリクス型液晶表示装置およびそ
の製造方法を提供することを目的としている。

【００３３】

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載の反射型液晶表示装置
は、絶縁性基板上にマトリクス状に形成されたスイッチ
ング素子と、前記スイッチング素子を被覆する絶縁性の
第１の平坦化膜と、前記第１の平坦化膜に開口されたコ
ンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的
に接続される反射電極とを具備するアクティブマトリク
ス基板、およびこれに対向する対向基板を有し、これら
の基板間に液晶を封入してなる反射型液晶表示装置にお
いて、前記第１の平坦化膜上に、一部または全体が黒色
化された透明導電性膜が形成され、前記透明導電性膜上
に、絶縁性の第２の平坦化膜が形成され、前記第２の平
坦化膜上に、前記反射電極が形成されていることを特徴
としている。

【００３４】請求項２記載の反射型液晶表示装置は、請
求項１記載の反射型液晶表示装置において、前記透明導
電性膜の端部が、前記反射電極の端部に対して、水平方
向にずれていることを特徴としている。

【００３５】請求項３記載の反射型液晶表示装置は、請
求項２記載の反射型液晶表示装置において、前記透明導
電性膜の端部のずれは、概ね隣り合う前記反射電極間の
距離であることを特徴としている。

【００３６】請求項４記載の反射型液晶表示装置は、絶
縁性基板上にマトリクス状に形成されたスイッチング素
子と、前記スイッチング素子を被覆する絶縁性の第１の
平坦化膜と、前記第１の平坦化膜に開口されたコンタク
トホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続
される反射電極とを具備するアクティブマトリクス基
板、およびこれに対向する対向基板を有し、これらの基
板間に液晶を封入してなる反射型液晶表示装置におい
て、隣り合う前記スイッチング素子には、前記第１の平
坦化膜に開口されたコンタクトホールを介して、それぞ
れ第１の反射電極と一部または全体が黒色化された透明
導電性膜とが接続され、前記透明導電性膜には、前記透
明導電性膜上に形成される絶縁性の第２の平坦化膜に開
口されたコンタクトホールを介して、第２の反射電極が
接続されていることを特徴としている。

【００３７】請求項５記載の反射型液晶表示装置は、請
求項４記載の反射型液晶表示装置において、前記第１の
反射電極と前記第２の反射電極とは、前記第２の平坦化
膜を介して、一部が重畳するように形成されていること
を特徴としている。

【００３８】請求項６記載の反射型液晶表示装置は、請
求項１乃至請求項５記載の反射型液晶表示装置におい
て、前記透明導電性膜は、還元することによって黒色化
されていることを特徴としている。

【００３９】請求項７記載の反射型液晶表示装置の製造
方法は、絶縁性基板上にマトリクス状にスイッチング素
子を形成する工程と、前記スイッチング素子を被覆する
絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、前記第１の
平坦化膜上に酸素濃度の高いガスを用いてスパッタリン
グ法により透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導
電性膜を被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形成する工
程と、前記第２の平坦化膜上に反射電極を形成する工程
とを有することを特徴としている。

【００４０】請求項８記載の反射型液晶表示装置の製造
方法は、絶縁性基板上にマトリクス状にスイッチング素
子を形成する工程と、前記スイッチング素子を被覆する
絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、前記第１の
平坦化膜上に透明導電性膜を形成する工程と、前記透明
導電性膜に水素プラズマまたは水素イオンを照射し、前
記透明導電性膜の表面または全体を還元する工程と、前
記透明導電性膜を被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形
成する工程と、前記第２の平坦化膜上に反射電極を形成
する工程とを有することを特徴としている。

【００４１】請求項９記載の反射型液晶表示装置の製造
方法は、絶縁性基板上にマトリクス状にスイッチング素
子を形成する工程と、前記スイッチング素子を被覆する
絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、前記第１の
平坦化膜上に透明導電性膜を形成する工程と、前記絶縁
性基板を電解液に浸漬して電圧を印加し、前記透明導電
性膜の表面または全体を陰極還元する工程と、前記透明
導電性膜を被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形成する
工程と、前記第２の平坦化膜上に反射電極を形成する工
程とを有することを特徴としている。

【００４２】本発明の反射型液晶表示装置によれば、第
１の平坦化膜上に、一部または全体が黒色化された透明
導電性膜が形成され、透明導電性膜上に、絶縁性の第２
の平坦化膜が形成され、第２の平坦化膜上に、反射電極
が形成されていることにより、反射型液晶表示装置に入
射された光が、バスラインおよび反射電極の裏面側で反
射を繰り返してスイッチング素子に到達することを抑制
することができる。

【００４３】即ち、反射電極の下方領域に第２の平坦化
膜を介して透明導電性膜を配置しており、透明導電性膜
の表面または全体が黒色化されていることによって、反
射型液晶表示装置に入射してバスライン等で反射された
光が、黒色化された透明導電性膜に吸収または遮光さ
れ、再反射されることがない。その結果、ＴＦＴ特性の
変動が極めて少ない安定した表示特性を得ることができ
る。

【００４４】さらに、透明導電性膜の端部が、反射電極
の端部に対して、水平方向にずれていることにより、反
射型液晶表示装置に入射された光が、バスラインおよび
反射電極の裏面側で反射を繰り返してスイッチング素子
に到達することを抑制することができる。

【００４５】即ち、黒色化された透明導電性膜を例えば
スイッチング素子の方向にずらして配置することによ
り、反射型液晶表示装置の内部で反射した光はもとよ
り、直接スイッチング素子の近傍に到達する光を効果的
に遮光することができる。

【００４６】さらに、透明導電性膜の端部のずれは、概
ね隣り合う反射電極間の距離であることにより、反射型
液晶表示装置に入射された光が、バスラインおよび反射
電極の裏面側で反射を繰り返してスイッチング素子に到
達することを抑制することができる。

【００４７】即ち、黒色化された透明導電性膜を例えば
スイッチング素子の方向に、概ね隣り合う反射電極間の
距離をずらして配置し、反射電極間に位置するバスライ
ン上を覆うことで、反射型液晶表示装置の内部に光が入
射することを未然に防止し、さらには直接スイッチング
素子の近傍に到達する光を効果的に遮光することができ
る。

【００４８】また、隣り合うスイッチング素子には、第
１の平坦化膜に開口されたコンタクトホールを介して、
それぞれ第１の反射電極と一部または全体が黒色化され
た透明導電性膜とが接続され、透明導電性膜には、透明
導電性膜上に形成される絶縁性の第２の平坦化膜に開口
されたコンタクトホールを介して、第２の反射電極が接
続されていることにより、反射型液晶表示装置に入射さ
れた光が、バスラインおよび反射電極の裏面側で反射を
繰り返してスイッチング素子に到達することを抑制する
ことができる。

【００４９】即ち、第１の反射電極と第２の反射電極と
が、互いに異なる平坦化膜上に形成されていることによ
り、開口率が向上するとともに、第２の反射電極の下方
位置には、表面または全体が黒色化された透明導電性膜
が配置されることによって、反射型液晶表示装置に入射
してバスライン等で反射された光が、黒色化された透明
導電性膜に吸収され、再反射されることがない。その結
果、ＴＦＴ特性の変動が極めて少ない安定した表示特性
を得ることができる。

【００５０】さらに、第１の反射電極と第２の反射電極
とは、第２の平坦化膜を介して、一部が重畳するように
形成されていることにより、反射型液晶表示装置に入射
された光が、バスラインおよび反射電極の裏面側で反射
を繰り返してスイッチング素子に到達することを抑制す
ることができる。

【００５１】即ち、第１の反射電極と第２の反射電極と
の一部が重畳していることにより、開口率が一段と向上
するとともに、反射型液晶表示装置に入射した光が、直
接ＴＦＴの近傍に到達することが防止でき、ＴＦＴ特性
の変動がない安定した表示特性を得ることができる。

【００５２】また、透明導電性膜は、還元することによ
って黒色化されていることにより、反射型液晶表示装置
に入射された光が、バスラインおよび反射電極の裏面側
で反射を繰り返してスイッチング素子に到達することを
抑制することができる。

【００５３】即ち、透明導電性膜の表面または全体を還
元することによって光透過率を効果的に低減することが
でき、表面の反射率を大幅に低減することを実現したも
のである。

【００５４】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法に
よれば、絶縁性基板上にマトリクス状にスイッチング素
子を形成する工程と、スイッチング素子を被覆する絶縁
性の第１の平坦化膜を形成する工程と、第１の平坦化膜
上に酸素濃度の高いガスを用いてスパッタリング法によ
り透明導電性膜を形成する工程と、透明導電性膜を被覆
する絶縁性の第２の平坦化膜を形成する工程と、第２の
平坦化膜上に反射電極を形成する工程とを有することに
より、黒色化または光透過率の低い透明導電性膜を容易
に成膜することができる。

【００５５】また、絶縁性基板上にマトリクス状にスイ
ッチング素子を形成する工程と、スイッチング素子を被
覆する絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、第１
の平坦化膜上に透明導電性膜を形成する工程と、透明導
電性膜に水素プラズマまたは水素イオンを照射し、透明
導電性膜の表面または全体を還元する工程と、透明導電
性膜を被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形成する工程
と、第２の平坦化膜上に反射電極を形成する工程とを有
することにより、透明導電性膜に対して水素プラズマま
たは水素イオンを照射し、任意の箇所を還元して黒色化
することができ、短時間に、かつ簡便に、透明導電性膜
を還元することができる。

【００５６】また、絶縁性基板上にマトリクス状にスイ
ッチング素子を形成する工程と、スイッチング素子を被
覆する絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、第１
の平坦化膜上に透明導電性膜を形成する工程と、絶縁性
基板を電解液に浸漬して電圧を印加し、透明導電性膜の
表面または全体を陰極還元する工程と、透明導電性膜を
被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形成する工程と、第
２の平坦化膜上に反射電極を形成する工程とを有するこ
とにより、短時間に、かつ簡便に、透明導電性膜を還元
することができる。特にこの方法によれば、新たに特別
な製造装置を必要としない利点がある。

【００５７】

【発明の実施の形態】図１乃至図１０を用いて、本発明
の実施の形態について説明する。尚、本発明の各図面に
おいて、共通する部分は同一の数字で示している。ま
た、同一の数字で示される箇所であっても、特に区別し
て示す場合には末尾にａ、ｂ等を付して示している。

【００５８】図１は本発明の反射型液晶表示装置を示す
断面図である。アクティブ素子としてのＴＦＴは概ね次
のような構成である。

【００５９】図１に示すように、ガラス等の絶縁性基板
１上に、ＳｉＯ₂膜等からなるベースコート膜２が形成
される。その上に、シリコン薄膜からなるＴＦＴ２６の
活性層３が所定の形状に形成され、活性層３上にはＳｉ
Ｏ₂膜等の絶縁膜が堆積されて、ゲート絶縁膜４が形成
される。

【００６０】ゲート絶縁膜４を介して、活性層３上には
Ａｌ等の金属材料からなるゲート電極５が所定の形状に
形成される。活性層３には、不純物イオンが注入された
ソース領域およびドレイン領域６と、ゲート電極５の下
方の領域に不純物イオンが注入されていないチャネル領
域７とが形成される。その後、全面に絶縁膜が堆積され
て層間絶縁膜８が形成される。

【００６１】ソース領域およびドレイン領域６の上方の
層間絶縁膜８並びにゲート絶縁膜４にはコンタクトホー
ルが開口され、Ａｌ等の金属材料からなるドレイン電極
９およびソース電極１０が形成されて、ソース領域およ
びドレイン領域６に接続される。

【００６２】この後、全面にポリイミドまたはアクリル
等の樹脂による第１の平坦化膜１２が塗布形成され、第
１の平坦化膜１２に開口されたコンタクトホール１３を
介して、ドレイン電極９に黒色化された透明導電性膜に
よる黒色層１４が接続され、電極形状にパターニングさ
れる。

【００６３】その後、全面にポリイミドまたはアクリル
等の樹脂による第２の平坦化膜１７が塗布形成され、第
２の平坦化膜１７に開口されたコンタクトホール１８を
介して、ＡｇまたはＡｌ等の金属膜からなる反射電極１
６が黒色層１４に接続される。このようにしてＴＦＴ２
６が形成される。

【００６４】本発明によると、ドレイン電極９に黒色化
された透明導電性膜からなる黒色層１４を接続し、さら
に上層に形成された第２の平坦化膜１７に開口されたコ
ンタクトホール１８を介して、ＡｇまたはＡｌ等の金属
膜からなる反射電極１６を黒色層１４に接続する構成と
なっている。

【００６５】このことにより、黒色層１４はＩＴＯ等の
透明導電性膜で形成されるため、その表面には無数の凹
凸が生じているが、反射電極１６と黒色層１４とはその
大部分が直接接触することなく、異なる平坦化膜の表面
上に形成されることによって、反射電極１６は黒色層１
４表面の状態に影響されることなく、良好な表面の平坦
性を維持することができる。したがって、黒色層１４を
設けることによって、反射電極１６の反射率等の諸特性
に影響を及ぼすことがない。このことは以下に説明する
何れの実施の形態にも共通する特徴である。

【００６６】図２は本発明の反射型液晶表示装置の他の
例を示す断面図である。尚、図１と同様の部分について
は、説明を省略する。

【００６７】図２に示すように、ドレイン電極９および
ソース電極１０が形成された後に、全面にポリイミドま
たはアクリル等の樹脂による第１の平坦化膜１２が塗布
形成され、第１の平坦化膜１２に開口されたコンタクト
ホール１３を介して、ＡｇまたはＡｌ等の金属膜からな
る第１の反射電極１６ａが、ＴＦＴ２６ａのドレイン電
極９に接続される。このようにしてＴＦＴ２６ａが形成
される。

【００６８】一方、ＴＦＴ２６ｂのドレイン電極９に
は、黒色化された透明導電性膜による黒色層１４が接続
される。この際、黒色層１４は、隣り合うＴＦＴ２６ａ
に接続された第１の反射電極１６ａに接しないような形
状、大きさに形成される。

【００６９】次に、全面にポリイミドまたはアクリル等
の樹脂による第２の平坦化膜１７が塗布形成され、黒色
層１４上の第２の平坦化膜１７に開口されたコンタクト
ホール１８を介して、第２の反射電極１６ｂがＴＦＴ２
６ｂのドレイン電極９に接続される。

【００７０】即ち、ＴＦＴ２６ｂのドレイン電極９に
は、黒色化された透明導電性膜による黒色層１４、およ
びＡｇまたはＡｌ等の金属膜からなる第２の反射電極１
６ｂが、間に第１の平坦化膜１２および第２の平坦化膜
１７を介して接続されることになる。そして、隣り合う
ＴＦＴ２６ａおよびＴＦＴ２６ｂに接続される第１の反
射電極１６ａおよび第２の反射電極１６ｂは、それぞれ
別層に形成されることになる。

【００７１】本発明によると、反射電極１６の開口率が
向上するとともに、反射電極１６の表面の平坦性を維持
しながら、反射電極１６の裏面側での反射を黒色層１４
によって効果的に抑制することができるようになる。

【００７２】（実施の形態１）次に、本発明の製造方法
の詳細を説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は図１で示され
る本発明の反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程図
である。

【００７３】図３（ａ）に示すように、ガラス等の絶縁
性基板１の表面に、ＳｉＯ₂膜等からなるベースコート
膜２が堆積され、その後ＴＦＴ２６が形成される。ＴＦ
Ｔ２６は周知の方法によって作製される。作製方法は概
ね以下の通りである。

【００７４】先ず、非晶質シリコン膜等からなるシリコ
ン薄膜が、例えば５０〜１００ｎｍ程度の膜厚に堆積さ
れ、上方からレーザー光が照射されてシリコン薄膜は多
結晶化される。多結晶化されたシリコン薄膜を所定の形
状にパターニングして、ＴＦＴ２６の活性層３を形成す
る。

【００７５】次いで、活性層３上にＳｉＯ₂膜等の絶縁
膜が堆積されてゲート絶縁膜４が形成され、活性層３上
にはゲート絶縁膜４を介して、Ａｌ等の金属材料からな
るゲート電極５が所定の形状に形成される。

【００７６】次いで、活性層３にはゲート電極５をマス
クとして不純物イオンが注入され、その後、注入した不
純物イオンを活性化するための加熱処理を施され、ソー
ス領域およびドレイン領域６が形成される。ゲート電極
５の下方の領域には、不純物イオンが注入されていない
チャネル領域７が形成される。その後、全面に絶縁膜が
堆積されて層間絶縁膜８が形成される。

【００７７】ソース領域およびドレイン領域６の上方の
層間絶縁膜８並びにゲート絶縁膜４にはコンタクトホー
ルが開口され、Ａｌ等の金属材料からなるドレイン電極
９およびソース電極１０が形成され、ソース領域および
ドレイン領域６に接続されて、ＴＦＴ２６が完成する。

【００７８】次に、ＴＦＴ２６が形成された絶縁性基板
１の全面に、第１の平坦化膜１２が形成される。第１の
平坦化膜１２は、ポリイミド樹脂またはアクリル樹脂等
の有機絶縁膜からなり、スピンコートによって基板上に
１〜２μｍの膜厚で形成される。

【００７９】次に、図３（ｂ）に示すように、ドレイン
電極９上の第１の平坦化膜１２にコンタクトホール１３
を開口する。第１の平坦化膜１２にコンタクトホール１
３を開口する場合は、酸素プラズマを用いたドライエッ
チングを用いることができる。

【００８０】その後、全面にスパッタリング法によって
ＩＴＯ等の透明導電性膜を１００〜２００ｎｍ、例えば
１５０ｎｍ程度の膜厚に堆積させる。この際、成膜装置
内に導入するガスの内、酸素の濃度を高くするようにす
ることで、透明導電性膜を黒色化して黒色層１４とする
ことができる。ここではターゲットとしてＩｎ−Ｓｎ合
金を用い、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、Ｏ₂流量１０ｓｃｃ
ｍの条件で成膜を行った。成膜条件は前述に限定される
ものではなく、一例を示したものであり、ガス流量等の
諸条件は適宜決定すればよい。

【００８１】次に、後に形成する反射電極１６と同様の
形状に黒色層１４をパターニングする。透明導電性膜が
ＩＴＯの場合は、ＨＦ（フッ化水素）とＨＮＯ₃（硝
酸）との混合液（混合比１：１０）等でエッチングする
ことができる。

【００８２】ここで、本実施の形態でいう黒色層とは、
必ずしも黒色である必要はなく、液晶表示装置等に用い
られる透明導電性膜の光透過率（可視光領域で９０〜８
０％）よりも低い光透過率を有する膜であれば、一定の
効果を奏することができる。したがって、本明細書中で
は、低い光透過率の透明導電性膜も含めて黒色層と呼ぶ
ことにする。

【００８３】次に、図３（ｃ）に示すように、全面に第
１の平坦化膜１２と同様に、有機絶縁膜からなる第２の
平坦化膜１７を１〜２μｍの膜厚に塗布形成する。その
後、ドレイン電極９上の第２の平坦化膜１７にコンタク
トホール１８を開口する。第２の平坦化膜１７にコンタ
クトホール１８を開口する場合は、コンタクトホール１
３を開口した場合と同様に、酸素プラズマを用いたドラ
イエッチングを用いることができる。

【００８４】次に、図３（ｄ）に示すように、Ａｇまた
はＡｌ等の金属膜を成膜して所定の形状にパターニング
し、ＴＦＴ２６に接続される反射電極１６を形成する。
金属膜はＡｇまたはＡｌに限定されるものではないが、
良好な反射率を有するＡｇまたはＡｌを用いることが好
ましい。

【００８５】このようにして、ＴＦＴ２６およびＴＦＴ
２６に接続される反射電極１６を有するアクティブマト
リクス基板が製造される。

【００８６】図示していないが、この後全面に配向膜を
形成し、配向処理を施した後、カラーフィルターおよび
対向電極等を形成した対向側基板を貼り合わせ、基板間
に液晶を注入して液晶表示装置を完成させる。

【００８７】本実施の形態におけるＴＦＴ部分の製造方
法は、既に周知である製造方法の一例を示したものであ
り、これに限定されるものではない。したがって、コプ
ラナー型ＴＦＴ以外にも逆スタガー型ＴＦＴを用いても
良い。また、ＴＦＴの活性層に多結晶シリコン薄膜を用
いて説明したが、微結晶シリコン薄膜または非晶質シリ
コン薄膜であっても差し支えない。

【００８８】（実施の形態２）次に、本発明の他の製造
方法の詳細を説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は本発明の
反射型液晶表示装置の他の製造方法を示す工程図であ
る。

【００８９】図４（ａ）に示すように、ガラス等の絶縁
性基板１の表面に、ＳｉＯ₂膜等からなるベースコート
膜２が堆積され、その後ＴＦＴ２６が形成される。ＴＦ
Ｔ２６は周知の方法によって作製される。作製方法は概
ね以下の通りである。

【００９０】先ず、非晶質シリコン膜等からなるシリコ
ン薄膜が、例えば５０〜１００ｎｍ程度の膜厚に堆積さ
れ、上方からレーザー光が照射されてシリコン薄膜は多
結晶化される。多結晶化されたシリコン薄膜を所定の形
状にパターニングして、ＴＦＴ２６の活性層３を形成す
る。

【００９１】次いで、活性層３上にＳｉＯ₂膜等の絶縁
膜が堆積されてゲート絶縁膜４が形成され、活性層３上
にはゲート絶縁膜４を介して、Ａｌ等の金属材料からな
るゲート電極５が所定の形状に形成される。

【００９２】次いで、活性層３にはゲート電極５をマス
クとして不純物イオンが注入され、その後、注入した不
純物イオンを活性化するための加熱処理を施され、ソー
ス領域およびドレイン領域６が形成される。ゲート電極
５の下方の領域には、不純物イオンが注入されていない
チャネル領域７が形成される。その後、全面に絶縁膜が
堆積されて層間絶縁膜８が形成される。

【００９３】ソース領域およびドレイン領域６の上方の
層間絶縁膜８並びにゲート絶縁膜４にはコンタクトホー
ルが開口され、Ａｌ等の金属材料からなるドレイン電極
９およびソース電極１０が形成されて、ソース領域およ
びドレイン領域６に接続される。

【００９４】次に、第１の平坦化膜１２が全面に形成さ
れる。第１の平坦化膜１２は、ポリイミド樹脂またはア
クリル樹脂等の有機絶縁膜からなり、スピンコートされ
て基板上に１〜２μｍの膜厚に形成される。

【００９５】その後、ドレイン電極９上の第１の平坦化
膜１２に、コンタクトホール１３を開口する。第１の平
坦化膜１２にコンタクトホール１３を開口する場合は、
酸素プラズマを用いたドライエッチングを用いることが
できる。

【００９６】次に、図４（ｂ）に示すように、全面にス
パッタリング法によってＩＴＯ等の透明導電性膜１９を
１００〜２００ｎｍ、例えば１５０ｎｍ程度の膜厚に堆
積させる。次いで、透明導電性膜１９の表面または全体
を還元させて黒色層１４を形成する。例えば、透明導電
性膜１９がＩＴＯの場合は、ＩｎおよびＳｎの酸化物が
還元されることによって、ＩｎおよびＳｎの金属微粒子
が析出して黒色化する。

【００９７】透明導電性膜１９を還元するためには、Ｎ
₂ガス雰囲気中で２５０〜３００℃に加熱する方法があ
る。但し、この方法によると１時間程度の加熱を要する
ため、本発明では水素（Ｈ⁺）プラズマまたは水素
（Ｈ⁺）イオンを照射して透明導電性膜１９を還元させ
た。

【００９８】条件としては、水素プラズマを用いる場合
は、水素プラズマ濃度は１０⁷〜１０¹²／ｃｍ³、照射時
間は１０秒〜１５分程度が好ましい。水素イオンを用い
る場合は、水素イオンのドーズ量が１０¹²〜１０¹⁸ｃｍ
²が好ましい。本実施の形態では、基板温度２００℃で
水素プラズマ照射を１０分間行うことにより、透明導電
性膜１９を還元させた。

【００９９】図５に、比較のために還元前と還元後のＩ
ＴＯの可視光領域（３９０〜７７０ｎｍ）の波長におけ
る光透過率を示す。このときのＩＴＯの膜厚は１００ｎ
ｍである。これによると、還元後のＩＴＯの光透過率
は、全波長領域において概ね５０％以下の値を示してい
る。

【０１００】尚、水素プラズマの場合は、濃度、照射時
間または基板温度を変えることにより、還元される部分
の膜厚を制御することが可能である。また、水素イオン
の場合は、ドーズ量を変えることにより、同様に還元さ
れる部分の膜厚を制御することが可能である。即ち、還
元される部分の膜厚を制御することにより、光透過率を
さらに低くすることが容易にできるのである。

【０１０１】次に、図４（ｃ）に示すように、後に形成
する反射電極１６と同様の形状に黒色層１４をパターニ
ングする。透明導電性膜１９がＩＴＯの場合は、ＨＦと
ＨＮＯ₃の混合液（混合比１：１０）等でエッチングす
ることができる。

【０１０２】次に、全面に第１の平坦化膜１２と同様
に、有機絶縁膜からなる第２の平坦化膜１７を１〜２μ
ｍの膜厚に塗布形成する。その後、ドレイン電極９上の
第２の平坦化膜１７にコンタクトホール１８を開口す
る。第２の平坦化膜１７にコンタクトホール１８を開口
する場合は、コンタクトホール１３を開口した場合と同
様に酸素プラズマを用いたドライエッチングを用いるこ
とができる。

【０１０３】次に、図４（ｄ）に示すように、Ａｇまた
はＡｌ等の金属膜を成膜して所定の形状にパターニング
し、ＴＦＴ２６に接続される反射電極１６を形成する。
金属膜はＡｇまたはＡｌに限定されるものではないが、
良好な反射率を有するＡｇまたはＡｌを用いることが好
ましい。このようにして、ＴＦＴ２６およびＴＦＴ２６
に接続される反射電極１６を有するアクティブマトリク
ス基板が製造される。

【０１０４】本実施の形態も実施の形態１と同様、図示
していないが、この後全面に配向膜を形成し、配向処理
を施した後、カラーフィルターおよび対向電極等を形成
した対向側基板を貼り合わせ、基板間に液晶を注入して
液晶表示装置を完成させる。

【０１０５】本実施の形態におけるＴＦＴ部分の製造方
法も実施の形態１と同様、既に周知である製造方法の一
例を示したものであり、ＴＦＴの活性層には多結晶シリ
コン薄膜、微結晶シリコン薄膜または非晶質シリコン薄
膜を用いることができることも同じである。

【０１０６】（実施の形態３）次に、本発明の他の製造
方法の詳細を説明する。但し、完成図は実施の形態１お
よび実施の形態２と同様であるため省略し、黒色層を形
成する工程を説明するための図のみを示す。

【０１０７】先ず、前述の実施の形態１および実施の形
態２と同様の方法で、ガラス等の絶縁性基板にＴＦＴを
形成する。そして、第１の平坦化膜を形成した後、全面
にスパッタリング法等によってＩＴＯ等の透明導電性膜
を１００〜２００ｎｍ、例えば１５０ｎｍ程度の膜厚に
堆積させる。尚、透明導電性膜の膜厚は前述の範囲に限
定されるものではなく、適宜決定すれば良い。

【０１０８】次に、図６に示すように、透明導電性膜を
堆積した絶縁性基板１を水素イオンを含む電解液２０に
浸漬し、陰極還元させて黒色層を形成した。ここでは、
塩酸水溶液（濃度４％）中に絶縁性基板１を浸漬し、陽
極にステンレス板２１を用い、２５Ｖの電圧を５〜１０
秒間印加した。尚、前述の例は一例を示したもので、水
溶液の種類および濃度はこれに限定されるものではな
い。水溶液の種類または濃度が変われば、印加する電圧
および電圧印加時間も当然変化する。

【０１０９】このようにしてできた黒色層を所定の形状
にパターニングした後、全面に第２の平坦化膜を形成
し、第２の平坦化膜にコンタクトホールを開口して、Ａ
ｇまたはＡｌ等からなる金属膜を堆積してパターニング
し、反射電極を形成した。

【０１１０】（実施の形態４）次に、本発明の反射型液
晶表示装置の他の例を説明する。本実施の形態で示され
るＴＦＴ部分の製造方法は、前述の実施の形態１に示さ
れている製造方法等の周知の製造方法を用いて製造する
ことができるため、その工程に関しては図示および説明
は省略する。また、黒色層も実施の形態１〜実施の形態
３に示されている方法の何れかを用いて製造することが
できるため、図示および説明は省略する。

【０１１１】図７に示すように、隣り合うＴＦＴ２６ａ
およびＴＦＴ２６ｂに接続される第１の反射電極１６ａ
および第２の反射電極１６ｂは、絶縁性の第２の平坦化
膜１７を介して別層に形成されている。

【０１１２】ＴＦＴ２６ｂには、第１の反射電極１６ａ
と同層に形成された黒色層１４が接続されている。黒色
層１４は、隣り合う第１の反射電極１６ａと接すること
がないように、第２の反射電極１６ｂよりもやや小さめ
の寸法で形成されている。この寸法は、アライメントお
よびエッチングの精度に依存するため、適宜決定すれば
よい。

【０１１３】本実施の形態の構造では、第１の反射電極
１６ａと隣り合う第２の反射電極１６ｂとは、上面から
見たときにその端部がほぼ同一の位置になるように配置
されている。このようにすることで、外部からの反射型
液晶表示装置への入射光２５の多くを遮光するととも
に、反射電極１６の開口率を向上させることができる。
また、反射電極１６の表面の平坦性を維持することがで
き、良好な反射特性を得ることができる。黒色層１４
は、第２の反射電極１６ｂの下方に配置されることによ
り、第２の反射電極１６ｂの裏面側での入射光２５の反
射を効果的に抑制することができるようになる。

【０１１４】（実施の形態５）次に、本発明の反射型液
晶表示装置の他の例を説明する。本実施の形態で示され
るＴＦＴ部分の製造方法は、前述の実施の形態１に示さ
れている製造方法等の周知の製造方法を用いて製造する
ことができるため、その工程に関しては図示および説明
は省略する。また、黒色層も実施の形態１〜実施の形態
３に示されている方法の何れかを用いて製造することが
できるため、図示および説明は省略する。

【０１１５】図８に示すように、隣り合うＴＦＴ２６ａ
およびＴＦＴ２６ｂに接続される第１の反射電極１６ａ
および第２の反射電極１６ｂは、絶縁性の第２の平坦化
膜１７を介して別層に形成されている。ＴＦＴ２６ｂに
は、第１の反射電極１６ａと同層に形成された黒色層１
４が接続されている。黒色層１４は、隣り合う第１の反
射電極１６ａと接することがないように、第２の反射電
極１６ｂよりもやや小さめの寸法で形成されている。こ
の寸法は、アライメントおよびエッチングの精度に依存
するため、適宜決定すればよい。

【０１１６】本実施の形態の構造では、第１の反射電極
１６ａと隣り合う第２の反射電極１６ｂとは、上面から
見たときにその一部が重畳するように配置されている。
このようにすることで、外部からの反射型液晶表示装置
への入射光２５の大部分を効果的に遮光することができ
る。

【０１１７】（実施の形態６）次に、本発明の反射型液
晶表示装置の他の例を説明する。本実施の形態で示され
るＴＦＴ部分の製造方法は、前述の実施の形態１に示さ
れている製造方法等の周知の製造方法を用いて製造する
ことができるため、その工程に関しては図示および説明
は省略する。また、黒色層も実施の形態１〜実施の形態
３に示されている方法の何れかを用いて製造することが
できるため、図示および説明は省略する。

【０１１８】図９は本実施の形態の反射型液晶表示装置
を示す平面図であり、図１０は図９のＡ−Ａ線における
断面図である。

【０１１９】図９および図１０に示すように、ＴＦＴ２
６には黒色層１４および反射電極１６がそれぞれ接続さ
れている。黒色層１４は反射電極１６と概略同一形状に
形成されており、第２の平坦化膜１７を介して配置され
ている。本実施の形態では、上面から見たときに黒色層
１４と反射電極１６との端部は一致しておらず、黒色層
１４が水平方向にずれた位置に配置されている。

【０１２０】本実施の形態では、ＴＦＴ２６側へ黒色層
１４をずらして配置している。黒色層１４を何れの方向
にずらして配置するかは適宜決定すれば良いが、ＴＦＴ
２６の周辺に到達する入射光２５を効果的に遮光するた
めには、黒色層１４をＴＦＴ２６側にずらして配置する
ことが望ましい。そのことにより、黒色層１４を設けた
ことによる遮光および反射防止の効果をより顕著なもの
にすることができる。

【０１２１】また、黒色層１４をずらす距離に関して
は、概ね反射電極１６間の間隔程度の距離をずらして配
置することが好ましい。このようにすることで、反射電
極１６間に位置するバスライン２２上が黒色層１４によ
って遮光されることになり、反射電極１６よりも下方の
領域に入射光２５が入射することを未然に防止すること
ができるようになり、一段と効果を奏するのである。

【０１２２】

【発明の効果】以上の説明のように、本発明の反射型液
晶表示装置によれば、第１の平坦化膜上に、一部または
全体が黒色化された透明導電性膜が形成され、透明導電
性膜上に、絶縁性の第２の平坦化膜が形成され、第２の
平坦化膜上に、反射電極が形成されていることにより、
反射型液晶表示装置に入射された光が、バスラインおよ
び反射電極の裏面側で反射を繰り返してスイッチング素
子に到達することを抑制することができるため、ＴＦＴ
特性の変動が極めて少ない安定した表示特性を得ること
ができる。

【０１２３】さらに、透明導電性膜の端部が、反射電極
の端部に対して、水平方向にずれていることにより、反
射型液晶表示装置の内部で反射した光はもとより、直接
スイッチング素子の近傍に到達する光を効果的に遮光す
ることができる。

【０１２４】さらに、透明導電性膜の端部のずれは、概
ね隣り合う反射電極間の距離であることにより、反射型
液晶表示装置の内部に光が入射することを未然に防止
し、さらには直接スイッチング素子の近傍に到達する光
を効果的に遮光することができる。

【０１２５】また、隣り合うスイッチング素子には、第
１の平坦化膜に開口されたコンタクトホールを介して、
それぞれ第１の反射電極と一部または全体が黒色化され
た透明導電性膜とが接続され、透明導電性膜には、透明
導電性膜上に形成される絶縁性の第２の平坦化膜に開口
されたコンタクトホールを介して、第２の反射電極が接
続されていることにより、開口率が向上するとともに、
反射型液晶表示装置に入射された光が、バスラインおよ
び反射電極の裏面側で反射を繰り返してスイッチング素
子に到達することを抑制することができるため、ＴＦＴ
特性の変動が極めて少ない安定した表示特性を得ること
ができる。

【０１２６】さらに、第１の反射電極と第２の反射電極
とは、第２の平坦化膜を介して、一部が重畳するように
形成されていることにより、開口率が一段と向上すると
ともに、反射型液晶表示装置に入射した光が、直接ＴＦ
Ｔの近傍に到達することが防止でき、ＴＦＴ特性の変動
がない安定した表示特性を得ることができる。

【０１２７】また、透明導電性膜は、還元することによ
って黒色化されていることにより、光透過率を効果的に
低減することができ、表面の反射率を大幅に低減するこ
とができる。

【０１２８】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法に
よれば、絶縁性基板上にマトリクス状にスイッチング素
子を形成する工程と、スイッチング素子を被覆する絶縁
性の第１の平坦化膜を形成する工程と、第１の平坦化膜
上に酸素濃度の高いガスを用いてスパッタリング法によ
り透明導電性膜を形成する工程と、透明導電性膜を被覆
する絶縁性の第２の平坦化膜を形成する工程と、第２の
平坦化膜上に反射電極を形成する工程とを有することに
より、黒色化または光透過率の低い透明導電性膜を容易
に成膜することができる。

【０１２９】また、絶縁性基板上にマトリクス状にスイ
ッチング素子を形成する工程と、スイッチング素子を被
覆する絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、第１
の平坦化膜上に透明導電性膜を形成する工程と、透明導
電性膜に水素プラズマまたは水素イオンを照射し、透明
導電性膜の表面または全体を還元する工程と、透明導電
性膜を被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形成する工程
と、第２の平坦化膜上に反射電極を形成する工程とを有
することにより、透明導電性膜に対して水素プラズマま
たは水素イオンを照射し、任意の箇所を還元して黒色化
することができ、短時間に、かつ簡便に、透明導電性膜
を還元することができる。

【０１３０】また、絶縁性基板上にマトリクス状にスイ
ッチング素子を形成する工程と、スイッチング素子を被
覆する絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、第１
の平坦化膜上に透明導電性膜を形成する工程と、絶縁性
基板を電解液に浸漬して電圧を印加し、透明導電性膜の
表面または全体を陰極還元する工程と、透明導電性膜を
被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形成する工程と、第
２の平坦化膜上に反射電極を形成する工程とを有するこ
とにより、短時間に、かつ簡便に、透明導電性膜を還元
することができる。特にこの方法によれば、新たに特別
な製造装置を必要としない利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の反射型液晶表示装置を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の反射型液晶表示装置の他の例を示す断
面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の反射型液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の反射型液晶表示装置
の他の製造方法を示す工程図である。

【図５】還元前後での透明導電性膜の光透過率を示す説
明図である。

【図６】本発明の反射型液晶表示装置の黒色層の製造方
法を示す説明図である。

【図７】本発明の図２の反射型液晶表示装置の別の例を
示す断面図である。

【図８】本発明の図２の反射型液晶表示装置のさらに別
の例を示す断面図である。

【図９】本発明の図１の反射型液晶表示装置の別の例を
示す平面図である。

【図１０】図９のＡ−Ａ線における断面図である。

【図１１】従来の反射型液晶表示装置の内部での入射光
の反射の様子を示した断面図である。

【図１２】従来の他の反射型液晶表示装置の内部での入
射光の反射の様子を示した断面図である。

【符号の説明】

１絶縁性基板２ベースコート膜３活性層４ゲート絶縁膜５ゲート電極６ソース領域およびドレイン領域７チャネル領域８層間絶縁膜９ドレイン電極１０ソース電極１２第１の平坦化膜１３、１８コンタクトホール１４黒色層１６反射電極１６ａ第１の反射電極１６ｂ第２の反射電極１７第２の平坦化膜１９透明導電性膜２０電解液２１ステンレス板２２バスライン２５入射光２６、２６ａ、２６ｂ、２６ｃＴＦＴ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上にマトリクス状に形成され
たスイッチング素子と、前記スイッチング素子を被覆す
る絶縁性の第１の平坦化膜と、前記第１の平坦化膜に開
口されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素
子に電気的に接続される反射電極とを具備するアクティ
ブマトリクス基板、およびこれに対向する対向基板を有
し、これらの基板間に液晶を封入してなる反射型液晶表
示装置において、前記第１の平坦化膜上に、一部または
全体が黒色化された透明導電性膜が形成され、前記透明
導電性膜上に、絶縁性の第２の平坦化膜が形成され、前
記第２の平坦化膜上に、前記反射電極が形成されている
ことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】前記透明導電性膜の端部が、前記反射電
極の端部に対して、水平方向にずれていることを特徴と
する請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項３】前記透明導電性膜の端部のずれは、概ね
隣り合う前記反射電極間の距離であることを特徴とする
請求項２記載の反射型液晶表示装置。
【請求項４】絶縁性基板上にマトリクス状に形成され
たスイッチング素子と、前記スイッチング素子を被覆す
る絶縁性の第１の平坦化膜と、前記第１の平坦化膜に開
口されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素
子に電気的に接続される反射電極とを具備するアクティ
ブマトリクス基板、およびこれに対向する対向基板を有
し、これらの基板間に液晶を封入してなる反射型液晶表
示装置において、隣り合う前記スイッチング素子には、
前記第１の平坦化膜に開口されたコンタクトホールを介
して、それぞれ第１の反射電極と一部または全体が黒色
化された透明導電性膜とが接続され、前記透明導電性膜
には、前記透明導電性膜上に形成される絶縁性の第２の
平坦化膜に開口されたコンタクトホールを介して、第２
の反射電極が接続されていることを特徴とする反射型液
晶表示装置。
【請求項５】前記第１の反射電極と前記第２の反射電
極とは、前記第２の平坦化膜を介して、一部が重畳する
ように形成されていることを特徴とする請求項４記載の
反射型液晶表示装置。
【請求項６】前記透明導電性膜は、還元することによ
って黒色化されていることを特徴とする請求項１乃至請
求項５記載の反射型液晶表示装置。
【請求項７】絶縁性基板上にマトリクス状にスイッチ
ング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子を被
覆する絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、前記
第１の平坦化膜上に酸素濃度の高いガスを用いてスパッ
タリング法により透明導電性膜を形成する工程と、前記
透明導電性膜を被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形成
する工程と、前記第２の平坦化膜上に反射電極を形成す
る工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置
の製造方法。
【請求項８】絶縁性基板上にマトリクス状にスイッチ
ング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子を被
覆する絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、前記
第１の平坦化膜上に透明導電性膜を形成する工程と、前
記透明導電性膜に水素プラズマまたは水素イオンを照射
し、前記透明導電性膜の表面または全体を還元する工程
と、前記透明導電性膜を被覆する絶縁性の第２の平坦化
膜を形成する工程と、前記第２の平坦化膜上に反射電極
を形成する工程とを有することを特徴とする反射型液晶
表示装置の製造方法。
【請求項９】絶縁性基板上にマトリクス状にスイッチ
ング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子を被
覆する絶縁性の第１の平坦化膜を形成する工程と、前記
第１の平坦化膜上に透明導電性膜を形成する工程と、前
記絶縁性基板を電解液に浸漬して電圧を印加し、前記透
明導電性膜の表面または全体を陰極還元する工程と、前
記透明導電性膜を被覆する絶縁性の第２の平坦化膜を形
成する工程と、前記第２の平坦化膜上に反射電極を形成
する工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装
置の製造方法。