JP2003107529A - 液晶表示装置用アレー基板及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置用アレー基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003107529A JP2003107529A JP2002209220A JP2002209220A JP2003107529A JP 2003107529 A JP2003107529 A JP 2003107529A JP 2002209220 A JP2002209220 A JP 2002209220A JP 2002209220 A JP2002209220 A JP 2002209220A JP 2003107529 A JP2003107529 A JP 2003107529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- array substrate
- protective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】反射電極を電気的にフローティングさせた反射
板を用い、別途透明電極で画素領域を駆動する反射透過
型液晶表示装置用アレー基板の構造を提案し、並びに漏
れ電流によるスイッチング素子の作動不良を防止して開
口率を改善することにより液晶パネルの収率を改善す
る。 【解決手段】本発明は反射透過型液晶表示装置に関し、
特に反射透過型アレー基板の薄膜トランジスタに構成さ
れるアクティブチャネルで発生する漏れ電流防止とアレー
基板の開口率改善のためのアレー基板の構造に関する。詳
細に説明すると、非晶質シリコンで形成されるアクティ
ブ層を含む薄膜トランシ゛スタにおいて、前記アクティフ゛層に光が直
接入射して漏れ電流を誘発することを防止するために、
電気的にフローティングさせた反射板を前記アクティフ゛層上
部に延ばして形成する。このとき、前記ドレーン電極と
接触して信号を伝達される画素電極が前記アクティフ゛層と重
畳することを避ける。このようにすると、開口率を向上
させ、同時に光による漏れ電流の発生を防止できるので
液晶パネルの収率を改善することができる。
板を用い、別途透明電極で画素領域を駆動する反射透過
型液晶表示装置用アレー基板の構造を提案し、並びに漏
れ電流によるスイッチング素子の作動不良を防止して開
口率を改善することにより液晶パネルの収率を改善す
る。 【解決手段】本発明は反射透過型液晶表示装置に関し、
特に反射透過型アレー基板の薄膜トランジスタに構成さ
れるアクティブチャネルで発生する漏れ電流防止とアレー
基板の開口率改善のためのアレー基板の構造に関する。詳
細に説明すると、非晶質シリコンで形成されるアクティ
ブ層を含む薄膜トランシ゛スタにおいて、前記アクティフ゛層に光が直
接入射して漏れ電流を誘発することを防止するために、
電気的にフローティングさせた反射板を前記アクティフ゛層上
部に延ばして形成する。このとき、前記ドレーン電極と
接触して信号を伝達される画素電極が前記アクティフ゛層と重
畳することを避ける。このようにすると、開口率を向上
させ、同時に光による漏れ電流の発生を防止できるので
液晶パネルの収率を改善することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特に反射モードと透過モードを選択的に用いること
ができる反射透過型液晶表示装置及びその製造方法に関
する。
し、特に反射モードと透過モードを選択的に用いること
ができる反射透過型液晶表示装置及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は自ら光を発しないので別
途光源が必要である。したがって、一般的に液晶パネル
後面にバックライトを配置してバックライトから出る光
を液晶パネルに入射させ、液晶分子の配列により光の量
を調節することで画像を表示する。このとき、液晶表示
装置の電界生成電極は透明導電物質で形成されていなけ
ればならず、二基板も透明基板でならなければならな
い。
途光源が必要である。したがって、一般的に液晶パネル
後面にバックライトを配置してバックライトから出る光
を液晶パネルに入射させ、液晶分子の配列により光の量
を調節することで画像を表示する。このとき、液晶表示
装置の電界生成電極は透明導電物質で形成されていなけ
ればならず、二基板も透明基板でならなければならな
い。
【０００３】このような液晶表示装置を透過型液晶表示
装置という。透過型液晶表示装置はバックライトのよう
な人為的な背面光源を用いるので暗い外部環境でも明る
い画像を具現できるが、バックライトによる電力消費が
大きいという短所がある。
装置という。透過型液晶表示装置はバックライトのよう
な人為的な背面光源を用いるので暗い外部環境でも明る
い画像を具現できるが、バックライトによる電力消費が
大きいという短所がある。
【０００４】このような短所を補完するために反射型液
晶表示装置が提案された。反射型液晶表示装置は外部の
自然光や人造光を反射、液晶分子の配列によって光の透
過率を調節する形態であるため、透過型液晶表示装置に
比べて電力消費が少ない。
晶表示装置が提案された。反射型液晶表示装置は外部の
自然光や人造光を反射、液晶分子の配列によって光の透
過率を調節する形態であるため、透過型液晶表示装置に
比べて電力消費が少ない。
【０００５】前記アレー基板に形成される薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）のアクティブチャネルに関しても考慮が
必要である。
スタ（ＴＦＴ）のアクティブチャネルに関しても考慮が
必要である。
【０００６】すなわち、前記アクティブチャネルを構成
するアクティブ層は、一般的に非晶質シリコン（ａ−Ｓ
ｉ:Ｈ）で形成され、前記アクティブチャネルに直接光
が入射すると、光によってシリコン表面に位置する水素
とシリコンの結合が切れながら自由電子が発生し、この
ような電子の流れは即漏れ電流になる。
するアクティブ層は、一般的に非晶質シリコン（ａ−Ｓ
ｉ:Ｈ）で形成され、前記アクティブチャネルに直接光
が入射すると、光によってシリコン表面に位置する水素
とシリコンの結合が切れながら自由電子が発生し、この
ような電子の流れは即漏れ電流になる。
【０００７】このように自然に発生した前記漏れ電流
は、薄膜トランジスタの作動不良を誘発する。
は、薄膜トランジスタの作動不良を誘発する。
【０００８】したがって、前記薄膜トランジスタのアク
ティブチャネルを遮る必要がある。
ティブチャネルを遮る必要がある。
【０００９】一般的に、前記アクティブチャネルを遮る
手段として、前記アクティブチャネルに対応する上部基
板にブラックマトリックスを構成する構造が一般的であ
る。
手段として、前記アクティブチャネルに対応する上部基
板にブラックマトリックスを構成する構造が一般的であ
る。
【００１０】しかし、このような構成は、ブラックマト
リックスとこれに対応するアクティブチャネルの整列誤
差を勘案して薄膜トランジスタ領域の全体をカバーする
形状で構成する。
リックスとこれに対応するアクティブチャネルの整列誤
差を勘案して薄膜トランジスタ領域の全体をカバーする
形状で構成する。
【００１１】このような構成は、画素領域の開口率を落
とす問題がある。
とす問題がある。
【００１２】したがって、過去には前記開口率を減少さ
せずに薄膜トランジスタに漏れ電流が発生しないように
する方法が複数提案された。
せずに薄膜トランジスタに漏れ電流が発生しないように
する方法が複数提案された。
【００１３】以下、図１は従来の第１例による反射型液
晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示した断面図
である。
晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示した断面図
である。
【００１４】図示したように、絶縁基板１の上部にゲー
ト電極４とアクティブ層８とソース電極１２及びドレー
ン電極１４で構成された薄膜トランジスタが配設され
る。
ト電極４とアクティブ層８とソース電極１２及びドレー
ン電極１４で構成された薄膜トランジスタが配設され
る。
【００１５】薄膜トランジスタの上部には、ベンゾシク
ロブテン(ＢＣＢ)とアクリル系樹脂等を含む透明な有機
絶縁物質グループと、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）と酸化
シリコン（ＳｉＯ２）を含む有機絶縁物質グループのい
ずれかを塗布または蒸着して形成した保護膜１６が構成
される。
ロブテン(ＢＣＢ)とアクリル系樹脂等を含む透明な有機
絶縁物質グループと、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）と酸化
シリコン（ＳｉＯ２）を含む有機絶縁物質グループのい
ずれかを塗布または蒸着して形成した保護膜１６が構成
される。
【００１６】前記保護膜１６には、エッチングされて下
部に配設されたドレーン電極１４の一部を露出するため
のコンタクトホール１８が構成される。
部に配設されたドレーン電極１４の一部を露出するため
のコンタクトホール１８が構成される。
【００１７】前記保護膜１６の上部には、前記コンタク
トホール１８を通して前記ドレーン電極１４と接触する
反射電極２０が配設される。
トホール１８を通して前記ドレーン電極１４と接触する
反射電極２０が配設される。
【００１８】前記反射電極２０は、電極と反射板の役割
を同時にする。
を同時にする。
【００１９】図示したように、従来の第１例は、前記反
射電極２０を前記薄膜トランジスタの上部まで延ばして
構成することを特徴とする。
射電極２０を前記薄膜トランジスタの上部まで延ばして
構成することを特徴とする。
【００２０】前記薄膜トランジスタＴの上部に延びた反
射電極２０は、入射した光から前記ソース電極１２とド
レーン電極１４間に露出したアクティブチャネルＣＨを
遮蔽すると同時に、薄膜トランジスタの上部まで反射領
域を広げるために開口率を増やすことにより、輝度を高
めることができる。
射電極２０は、入射した光から前記ソース電極１２とド
レーン電極１４間に露出したアクティブチャネルＣＨを
遮蔽すると同時に、薄膜トランジスタの上部まで反射領
域を広げるために開口率を増やすことにより、輝度を高
めることができる。
【００２１】しかし、このような構成により、前記反射
電極２０に電圧が印加される際に前記反射電極２０がも
う一つのゲート電極のように作動するために、二重ゲー
ト現像が発生して薄膜トランジスタが誤動作する。
電極２０に電圧が印加される際に前記反射電極２０がも
う一つのゲート電極のように作動するために、二重ゲー
ト現像が発生して薄膜トランジスタが誤動作する。
【００２２】このような問題を解決するための構造が米
国特許第５５００７５０号に開示された。
国特許第５５００７５０号に開示された。
【００２３】以下、図２は従来技術による第２例による
反射型液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示し
た断面図である。ここで、図１と同一な構成要素には図
１と同一な番号を用いる。
反射型液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示し
た断面図である。ここで、図１と同一な構成要素には図
１と同一な番号を用いる。
【００２４】図示したように、前記米国特許に開示され
た従来技術による第２例の構造は、薄膜トランジスタの
チャネルＣＨを光から遮蔽するために、反射電極２０と
は別に電気的で独立的なアイランド状の金属層２２を前
記薄膜トランジスタの上部に配設する。
た従来技術による第２例の構造は、薄膜トランジスタの
チャネルＣＨを光から遮蔽するために、反射電極２０と
は別に電気的で独立的なアイランド状の金属層２２を前
記薄膜トランジスタの上部に配設する。
【００２５】しかし、前述したような従来技術による第
２例の場合、現在の露光技術では、前記ドレーン電極１
４と接触する反射電極２０と、前記光からアクティブチ
ャネルＣＨを遮蔽する金属層２２との離隔距離は最小４
μｍ以上になる。
２例の場合、現在の露光技術では、前記ドレーン電極１
４と接触する反射電極２０と、前記光からアクティブチ
ャネルＣＨを遮蔽する金属層２２との離隔距離は最小４
μｍ以上になる。
【００２６】したがって、アクティブチャネルＣＨを遮
る最小限の必要領域の周囲に４μｍ幅の領域を駆動させ
ることができなくなるので、開口率が減る問題がある。
る最小限の必要領域の周囲に４μｍ幅の領域を駆動させ
ることができなくなるので、開口率が減る問題がある。
【００２７】一方、このような反射型液晶表示装置は、
透過型液晶表示装置に比べて電力消耗が少ない反面、外
部光を利用するために場所と天気に制約がある。すなわ
ち、暗い環境では使用が難しいという問題がある。
透過型液晶表示装置に比べて電力消耗が少ない反面、外
部光を利用するために場所と天気に制約がある。すなわ
ち、暗い環境では使用が難しいという問題がある。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】前述したような問題を
解決するために、本発明は、前記反射電極を電気的にフ
ローティングさせて反射板で用い、別の透明電極により
画素領域を駆動する反射透過型液晶表示装置用アレー基
板の構造を提案する。
解決するために、本発明は、前記反射電極を電気的にフ
ローティングさせて反射板で用い、別の透明電極により
画素領域を駆動する反射透過型液晶表示装置用アレー基
板の構造を提案する。
【００２９】このような構成で、本発明は漏れ電流によ
るスイッチング素子の作動不良を防止し、開口率を改善
して液晶パネルの効率を改善することを目的にする。
るスイッチング素子の作動不良を防止し、開口率を改善
して液晶パネルの効率を改善することを目的にする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため、本発明による液晶表示装置用アレー基板は、基板
と;前記基板上に形成されてチャネル、ゲート電極、ソ
ース及びドレーン電極を有する薄膜トランジスタと;前
記薄膜トランジスタ上部に形成されて前記ドレーン電極
を露出するための第１コンタクトホールを有する第１保
護層と;前記第１保護層上部に形成されて前記薄膜トラ
ンジスタを覆い、前記第１コンタクトホールに対応する
開口部を有する反射板と;前記反射板上部に形成されて
前記開口部を貫通する第２コンタクトホールを有する第
２保護層と;前記第２保護層上部に形成されて、前記薄
膜トランジスタ上にホールを有して前記第１及び第２コ
ンタクトホールを通して前記薄膜トランジスタのドレー
ン電極と連結される透明電極を含む。
ため、本発明による液晶表示装置用アレー基板は、基板
と;前記基板上に形成されてチャネル、ゲート電極、ソ
ース及びドレーン電極を有する薄膜トランジスタと;前
記薄膜トランジスタ上部に形成されて前記ドレーン電極
を露出するための第１コンタクトホールを有する第１保
護層と;前記第１保護層上部に形成されて前記薄膜トラ
ンジスタを覆い、前記第１コンタクトホールに対応する
開口部を有する反射板と;前記反射板上部に形成されて
前記開口部を貫通する第２コンタクトホールを有する第
２保護層と;前記第２保護層上部に形成されて、前記薄
膜トランジスタ上にホールを有して前記第１及び第２コ
ンタクトホールを通して前記薄膜トランジスタのドレー
ン電極と連結される透明電極を含む。
【００３１】一方、本発明による液晶表示装置用アレー
基板の製造方法は、基板上にゲート配線とゲート電極を
形成する段階と;前記ゲート配線とゲート電極上部にゲ
ート絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上にア
クティブ層を形成する段階と;前記アクティブ層上部に
オーミックコンタクト層を形成する段階と;前記オーミ
ックコンタクト層上部にデータ配線、ソース及びドレー
ン電極を形成する段階と;前記データ配線とソース及び
ドレーン電極上部に前記ドレーン電極を露出するための
第１コンタクトホールを有する第１保護層を形成する段
階と;前記第１保護層上部に前記第１コンタクトホール
に対応する開口部を有する反射板を形成する段階と;前
記反射板上部に前記開口部を貫通する第２コンタクトホ
ールを有する第２保護層を形成する段階と;前記第２保
護層上部に前記第１及び第２コンタクトホールを通して
前記ドレーン電極と連結される透明電極を形成する段階
を含み、ここで前記ソース及びドレーン電極間のアクテ
ィブ層は薄膜トランジスタのチャネルとなり、前記反射
板は前記薄膜トランジスタのチャネルを覆い、前記透明
電極は前記薄膜トランジスタのチャネル上部にホールを
有する。
基板の製造方法は、基板上にゲート配線とゲート電極を
形成する段階と;前記ゲート配線とゲート電極上部にゲ
ート絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上にア
クティブ層を形成する段階と;前記アクティブ層上部に
オーミックコンタクト層を形成する段階と;前記オーミ
ックコンタクト層上部にデータ配線、ソース及びドレー
ン電極を形成する段階と;前記データ配線とソース及び
ドレーン電極上部に前記ドレーン電極を露出するための
第１コンタクトホールを有する第１保護層を形成する段
階と;前記第１保護層上部に前記第１コンタクトホール
に対応する開口部を有する反射板を形成する段階と;前
記反射板上部に前記開口部を貫通する第２コンタクトホ
ールを有する第２保護層を形成する段階と;前記第２保
護層上部に前記第１及び第２コンタクトホールを通して
前記ドレーン電極と連結される透明電極を形成する段階
を含み、ここで前記ソース及びドレーン電極間のアクテ
ィブ層は薄膜トランジスタのチャネルとなり、前記反射
板は前記薄膜トランジスタのチャネルを覆い、前記透明
電極は前記薄膜トランジスタのチャネル上部にホールを
有する。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明による実施例を説明する。
本発明による実施例を説明する。
【００３３】最近、反射モードと透過モードを必要によ
って適切に選択して用いることができる装置として、反
射及び透過兼用液晶表示装置が提案された。このような
反射透過型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置と反射
型液晶表示装置の機能を同時に有したものであって、バ
ックライトと外部の自然光源または人造光源をすべて利
用することができるため、周辺環境の制約を受けないで
電力消費を減らすことができるという長所がある。
って適切に選択して用いることができる装置として、反
射及び透過兼用液晶表示装置が提案された。このような
反射透過型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置と反射
型液晶表示装置の機能を同時に有したものであって、バ
ックライトと外部の自然光源または人造光源をすべて利
用することができるため、周辺環境の制約を受けないで
電力消費を減らすことができるという長所がある。
【００３４】以下、添付の図面を参照しながら本発明に
よる反射透過型液晶表示装置用アレー基板について詳細
に説明する。
よる反射透過型液晶表示装置用アレー基板について詳細
に説明する。
【００３５】まず、図３は本発明の第１実施例による反
射透過型液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示
した平面図であり、図４は図３のＩＶ−ＩＶに沿って切
断した断面図である。
射透過型液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示
した平面図であり、図４は図３のＩＶ−ＩＶに沿って切
断した断面図である。
【００３６】図３と図４に示したように、基板１００上
にゲート電極１０２とゲート配線１０４が形成されてい
る。ゲート配線１０４は横方向に延びており、ゲート電
極１０２はゲート配線１０４に連結されている。ゲート
絶縁膜１０６がゲート電極１０２とゲート配線１０４を
覆っており、アクティブ層１０８がゲート絶縁膜１０６
上に形成されている。アクティブ層１０８上にはドーピ
ングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタク
ト層１１０が形成されている。次に、ソース電極１１２
とドレーン電極１１４がオーミックコンタクト層１１０
上に形成されている。ソース電極１１２はデータ配線１
１６と連結されており、データ配線１１６は縦方向に延
びてゲート配線１０４と交差し、画素領域Ｐを定義す
る。ここで、オーミックコンタクト層１１０はアクティ
ブ層１０８とソース及びドレーン電極１１２、１１４間
の接触抵抗を低める役割をする。一方、ゲート電極１０
２とソース電極１１２、そしてドレーン電極１１４は薄
膜トランジスタＴをなし、ソース及びドレーン電極１１
２、１１４間に露出したアクティブ層１０８は薄膜トラ
ンジスタＴのチャネルＣＨになる。
にゲート電極１０２とゲート配線１０４が形成されてい
る。ゲート配線１０４は横方向に延びており、ゲート電
極１０２はゲート配線１０４に連結されている。ゲート
絶縁膜１０６がゲート電極１０２とゲート配線１０４を
覆っており、アクティブ層１０８がゲート絶縁膜１０６
上に形成されている。アクティブ層１０８上にはドーピ
ングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタク
ト層１１０が形成されている。次に、ソース電極１１２
とドレーン電極１１４がオーミックコンタクト層１１０
上に形成されている。ソース電極１１２はデータ配線１
１６と連結されており、データ配線１１６は縦方向に延
びてゲート配線１０４と交差し、画素領域Ｐを定義す
る。ここで、オーミックコンタクト層１１０はアクティ
ブ層１０８とソース及びドレーン電極１１２、１１４間
の接触抵抗を低める役割をする。一方、ゲート電極１０
２とソース電極１１２、そしてドレーン電極１１４は薄
膜トランジスタＴをなし、ソース及びドレーン電極１１
２、１１４間に露出したアクティブ層１０８は薄膜トラ
ンジスタＴのチャネルＣＨになる。
【００３７】続いて、第１保護層１１８がソース電極１
１２とドレーン電極１１４及びデータ配線１１６を覆っ
ている。第１保護層１１８はゲート絶縁膜１０６と一緒
に基板１００の一部を露出させための第１透過ホール１
２２を有する。第１透過ホール１２２は透過モードと反
射モードの輝度を同一にするためのものであって、第１
保護層１１８にのみ形成されうる。ここで、第１保護層
１１８はベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂ
ｕｔｅｎｅ:ＢＣＢ）やアクリル系樹脂から形成するこ
とができる。
１２とドレーン電極１１４及びデータ配線１１６を覆っ
ている。第１保護層１１８はゲート絶縁膜１０６と一緒
に基板１００の一部を露出させための第１透過ホール１
２２を有する。第１透過ホール１２２は透過モードと反
射モードの輝度を同一にするためのものであって、第１
保護層１１８にのみ形成されうる。ここで、第１保護層
１１８はベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂ
ｕｔｅｎｅ:ＢＣＢ）やアクリル系樹脂から形成するこ
とができる。
【００３８】次に、反射板１２６が第１保護層１１８上
に形成されている。反射板１２６は薄膜トランジスタＴ
を覆っており、ドレーン電極１１４上部の開口部１２６
ｂと第１透過ホール１２２に対応する第２透過ホール１
２６ａを有する。反射板１２６はアルミニウム(Ａｌ)の
ように光をよく反射する物質で形成される。次に、反射
板１２６上には第２保護層１２８が形成されている。第
２保護層１２８はドレーン電極１１４を露出させるため
の開口部１２６ｂを貫通するコンタクトホール１２８ａ
を有する。続いて、透明電極１３０が第２保護層１２８
上部の画素領域Ｐに形成されており、透明電極１３０は
コンタクトホール１２８ａを通してドレーン電極１１４
と連結される。ここで、透明電極１３０は薄膜トランジ
スタＴ上部にホール１３０ａを有しており、薄膜トラン
ジスタＴを覆わない。特に、透明電極１３０は薄膜トラ
ンジスタＴのチャネル領域ＣＨを覆わない。このとき、
反射板１２６は透明電極１３０と連結されていないため
に、反射板１２６にはいかなる電荷も生成されない。
に形成されている。反射板１２６は薄膜トランジスタＴ
を覆っており、ドレーン電極１１４上部の開口部１２６
ｂと第１透過ホール１２２に対応する第２透過ホール１
２６ａを有する。反射板１２６はアルミニウム(Ａｌ)の
ように光をよく反射する物質で形成される。次に、反射
板１２６上には第２保護層１２８が形成されている。第
２保護層１２８はドレーン電極１１４を露出させるため
の開口部１２６ｂを貫通するコンタクトホール１２８ａ
を有する。続いて、透明電極１３０が第２保護層１２８
上部の画素領域Ｐに形成されており、透明電極１３０は
コンタクトホール１２８ａを通してドレーン電極１１４
と連結される。ここで、透明電極１３０は薄膜トランジ
スタＴ上部にホール１３０ａを有しており、薄膜トラン
ジスタＴを覆わない。特に、透明電極１３０は薄膜トラ
ンジスタＴのチャネル領域ＣＨを覆わない。このとき、
反射板１２６は透明電極１３０と連結されていないため
に、反射板１２６にはいかなる電荷も生成されない。
【００３９】透明電極１３０が薄膜トランジスタＴを覆
う場合、透明電極１３０に電圧が印加されると透明電極
１３０と薄膜トランジスタＴ間には電界が形成される。
このような場合に形成された電界を図５に示した。
う場合、透明電極１３０に電圧が印加されると透明電極
１３０と薄膜トランジスタＴ間には電界が形成される。
このような場合に形成された電界を図５に示した。
【００４０】図示したように、ドレーン電極１１４と接
触してドレーン電圧が直接印加される透明電極１３０が
前記電気的にフローティングされた反射板１２６の上部
に形成されるならば、前記透明電極１３０に印加された
電圧によって前記反射板１２６の表面に電荷が誘導さ
れ、その結果前記透明電極１３０と反射板１２６間、そ
して前記反射板１２６とその下部のドレーン電極１１４
間には電界Ｅ、Ｆが各々形成される。したがって、この
ような電界Ｅ、Ｆによってゲート電極１０２に電圧が印
加されなくても、前記ソース及びドレーン電極１１２、
１１４間にチャネルＣＨが形成されて漏れ電流が発生す
る。
触してドレーン電圧が直接印加される透明電極１３０が
前記電気的にフローティングされた反射板１２６の上部
に形成されるならば、前記透明電極１３０に印加された
電圧によって前記反射板１２６の表面に電荷が誘導さ
れ、その結果前記透明電極１３０と反射板１２６間、そ
して前記反射板１２６とその下部のドレーン電極１１４
間には電界Ｅ、Ｆが各々形成される。したがって、この
ような電界Ｅ、Ｆによってゲート電極１０２に電圧が印
加されなくても、前記ソース及びドレーン電極１１２、
１１４間にチャネルＣＨが形成されて漏れ電流が発生す
る。
【００４１】これを防止するために、反射板１２６は、
アクティブ層を覆いながら前記透明電極１３０が前記ア
クティブ層１０８の上部には無いようにする。そうする
と、開口率が改善され、同時に漏れ電流による薄膜トラ
ンジスタの作動不良が発生しない反射透過型液晶表示装
置用アレー基板を製作することができる。
アクティブ層を覆いながら前記透明電極１３０が前記ア
クティブ層１０８の上部には無いようにする。そうする
と、開口率が改善され、同時に漏れ電流による薄膜トラ
ンジスタの作動不良が発生しない反射透過型液晶表示装
置用アレー基板を製作することができる。
【００４２】以下、図６Ａないし図６Ｄを参照しながら
本発明による反射透過型液晶表示装置用アレー基板の製
造工程を説明する。
本発明による反射透過型液晶表示装置用アレー基板の製
造工程を説明する。
【００４３】まず、図６Ａに示したように、基板１００
上にゲート電極１０２と、前記ゲート電極１０２と電気
的に連結されたゲート配線１０４を形成する。ゲート電
極１０２とゲート配線１０４は、アルミニウム、アルミ
ニウム合金（ＡｌＮｄ）、タングステン（Ｗ）、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等の単一金属や、アルミ
ニウム／クロム（またはモリブデン）等の二重金属層構
造とすることができる。このようなゲート電極１０２物
質は液晶表示装置の作動に重要であるため、ＲＣディレ
イを小さくするために抵抗が小さなアルミニウムが主流
であるが、純粹アルミニウムは化学的に耐蝕性が弱く、
後続の高温工程でヒロック形成による配線欠陥問題を引
き起こすので、アルミニウム配線の場合は前述したよう
に合金の形態で使用されるか、積層構造が適用される。
上にゲート電極１０２と、前記ゲート電極１０２と電気
的に連結されたゲート配線１０４を形成する。ゲート電
極１０２とゲート配線１０４は、アルミニウム、アルミ
ニウム合金（ＡｌＮｄ）、タングステン（Ｗ）、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等の単一金属や、アルミ
ニウム／クロム（またはモリブデン）等の二重金属層構
造とすることができる。このようなゲート電極１０２物
質は液晶表示装置の作動に重要であるため、ＲＣディレ
イを小さくするために抵抗が小さなアルミニウムが主流
であるが、純粹アルミニウムは化学的に耐蝕性が弱く、
後続の高温工程でヒロック形成による配線欠陥問題を引
き起こすので、アルミニウム配線の場合は前述したよう
に合金の形態で使用されるか、積層構造が適用される。
【００４４】次に、前記ゲート配線１０４とゲート電極
１０２が形成された基板１００上に窒化シリコン（Ｓｉ
ＮＸ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）等を含む無機絶縁物
質または場合によってはベンゾシクロブテンとアクリル
系樹脂等が含まれた有機絶縁物質のいずれかを蒸着また
は塗布してゲート絶縁膜１０６を形成する。
１０２が形成された基板１００上に窒化シリコン（Ｓｉ
ＮＸ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）等を含む無機絶縁物
質または場合によってはベンゾシクロブテンとアクリル
系樹脂等が含まれた有機絶縁物質のいずれかを蒸着また
は塗布してゲート絶縁膜１０６を形成する。
【００４５】続いて、前記ゲート絶縁膜１０６上に非晶
質シリコン（ａ−Ｓｉ:Ｈ）で形成されたアクティブ層
１０８と不純物が含まれた非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓ
ｉ:Ｈ）で形成された不純物半導体層１１０ａを順に形
成する。
質シリコン（ａ−Ｓｉ:Ｈ）で形成されたアクティブ層
１０８と不純物が含まれた非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓ
ｉ:Ｈ）で形成された不純物半導体層１１０ａを順に形
成する。
【００４６】次に、図６Ｂに示したように、不純物半導
体層（図６Ａの１１０ａ）上にソース電極１１２とドレ
ーン電極１１４そしてデータ配線１１６を形成し、あら
われた不純物半導体層（図６Ａの１１０ａ）をエッチン
グしてオーミックコンタクト層１１０を完成する。ここ
で、データ配線１１６はゲート配線１０４と交差して画
素領域Ｐを定義し、ソース電極１１２はデータ配線１１
６に連結される。ソース及びドレーン電極１１２、１１
４とデータ配線１１６は、ゲート電極１０２と同一物質
で形成することができる。ソース及びドレーン電極１１
２、１１４間に露出したアクティブ層１０８は、薄膜ト
ランジスタＴのチャネルＣＨになる。続いて、前記デー
タ配線１１６とソース及びドレーン電極１１２、１１４
上に第１保護層１１８を形成する。第１保護層１１８は
前記ドレーン電極１１４を露出する第１コンタクトホー
ル１１８ａを有し、またゲート絶縁膜１０６にも開口し
て基板１００を露出させる第１透過ホール１２２を有す
る。第１透過ホール１２２は反射領域と透過領域におけ
る液晶層の厚さを同一にすることによって、液晶表示装
置の輝度を均一にする。第１保護層１１８はＢＣＢとア
クリル樹脂などの有機物質で形成することができ、また
はシリコン窒化膜やシリコン酸化膜のような無機物質で
形成することもできる。
体層（図６Ａの１１０ａ）上にソース電極１１２とドレ
ーン電極１１４そしてデータ配線１１６を形成し、あら
われた不純物半導体層（図６Ａの１１０ａ）をエッチン
グしてオーミックコンタクト層１１０を完成する。ここ
で、データ配線１１６はゲート配線１０４と交差して画
素領域Ｐを定義し、ソース電極１１２はデータ配線１１
６に連結される。ソース及びドレーン電極１１２、１１
４とデータ配線１１６は、ゲート電極１０２と同一物質
で形成することができる。ソース及びドレーン電極１１
２、１１４間に露出したアクティブ層１０８は、薄膜ト
ランジスタＴのチャネルＣＨになる。続いて、前記デー
タ配線１１６とソース及びドレーン電極１１２、１１４
上に第１保護層１１８を形成する。第１保護層１１８は
前記ドレーン電極１１４を露出する第１コンタクトホー
ル１１８ａを有し、またゲート絶縁膜１０６にも開口し
て基板１００を露出させる第１透過ホール１２２を有す
る。第１透過ホール１２２は反射領域と透過領域におけ
る液晶層の厚さを同一にすることによって、液晶表示装
置の輝度を均一にする。第１保護層１１８はＢＣＢとア
クリル樹脂などの有機物質で形成することができ、また
はシリコン窒化膜やシリコン酸化膜のような無機物質で
形成することもできる。
【００４７】次に、図６Ｃに示したように、第１保護層
１１８上部に反射板１２６を形成する。反射板１２６は
アルミニウムやアルミニウム合金のように反射率が優れ
た物質を利用することが望ましい。反射板１２６はドレ
ーン電極１１４上部に開口部１２６ｂを有し、第１透過
ホール１２２に対応する第２透過ホール１２６ａを有す
る。前記反射板１２６は前記アクティブチャネルＣＨを
覆う構造で形成する。
１１８上部に反射板１２６を形成する。反射板１２６は
アルミニウムやアルミニウム合金のように反射率が優れ
た物質を利用することが望ましい。反射板１２６はドレ
ーン電極１１４上部に開口部１２６ｂを有し、第１透過
ホール１２２に対応する第２透過ホール１２６ａを有す
る。前記反射板１２６は前記アクティブチャネルＣＨを
覆う構造で形成する。
【００４８】次に、図６Ｄに示したように、前記反射板
１２６上部に有機絶縁物質または無機絶縁物質を塗布す
るか蒸着して第２保護層１２８を形成し、その上に透明
電極１３０を形成する。第２保護層１２８は開口部１２
６ｂを通してドレーン電極を露出させる第２コンタクト
ホール１２８ａを有するが、コンタクトホール１２０、
１２８ａは、第２コンタクトホール１２８ａ形成時に一
緒に形成することができる。透明電極１３０は、薄膜ト
ランジスタＴ上、特に、チャネルＣＨ上には形成されな
い。透明電極１３０はインジウム−スズ−オキサイド
（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ:ＩＴＯ）やイン
ジウム−酸化亜鉛（ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ−ｏｘｉｄ
ｅ:ＩＺＯ）のような透明導電物質で形成される。この
とき、反射板１２６は透明電極１３０と電気的に分離さ
れている。
１２６上部に有機絶縁物質または無機絶縁物質を塗布す
るか蒸着して第２保護層１２８を形成し、その上に透明
電極１３０を形成する。第２保護層１２８は開口部１２
６ｂを通してドレーン電極を露出させる第２コンタクト
ホール１２８ａを有するが、コンタクトホール１２０、
１２８ａは、第２コンタクトホール１２８ａ形成時に一
緒に形成することができる。透明電極１３０は、薄膜ト
ランジスタＴ上、特に、チャネルＣＨ上には形成されな
い。透明電極１３０はインジウム−スズ−オキサイド
（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ:ＩＴＯ）やイン
ジウム−酸化亜鉛（ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ−ｏｘｉｄ
ｅ:ＩＺＯ）のような透明導電物質で形成される。この
とき、反射板１２６は透明電極１３０と電気的に分離さ
れている。
【００４９】図４では、透明電極１３０が基板１００と
接触するように第１透過ホール１２２を形成したが、図
７に示したように、本発明の第２実施例ではこれと異な
るように形成する。すなわち、本発明の第２実施例で
は、第２保護層１２８を透明電極１３０と基板１００間
に配置することにより、透明電極１３０が基板１００と
接触しない。また、第２保護層１２８と基板１００間に
はゲート絶縁膜１０６を配置する場合もある。
接触するように第１透過ホール１２２を形成したが、図
７に示したように、本発明の第２実施例ではこれと異な
るように形成する。すなわち、本発明の第２実施例で
は、第２保護層１２８を透明電極１３０と基板１００間
に配置することにより、透明電極１３０が基板１００と
接触しない。また、第２保護層１２８と基板１００間に
はゲート絶縁膜１０６を配置する場合もある。
【００５０】一方、上述の第１及び第２実施例では反射
透過型液晶表示装置用アレー基板について説明したが、
このような構造は反射型液晶表示装置にも適用すること
ができる。図８と図９に示したように、本発明の第３実
施例では薄膜トランジスタＴと距離を置いて配設された
第１透過ホールと第２透過ホールが除去されている。す
なわち、反射板２２６を基板２００全面に形成し、その
上に形成された透明電極２３０によって液晶分子（図示
せず）が作動する。このとき、反射板２２６は薄膜トラ
ンジスタＴのチャネルＣＨを覆って光漏れ電流の発生を
防止し、透明電極２３０は薄膜トランジスタＴ上にホー
ル２３０ａを有しており、寄生容量が発生することを防
止できる。ここで、反射板２２６と透明電極２３０は電
気的に分離されている。
透過型液晶表示装置用アレー基板について説明したが、
このような構造は反射型液晶表示装置にも適用すること
ができる。図８と図９に示したように、本発明の第３実
施例では薄膜トランジスタＴと距離を置いて配設された
第１透過ホールと第２透過ホールが除去されている。す
なわち、反射板２２６を基板２００全面に形成し、その
上に形成された透明電極２３０によって液晶分子（図示
せず）が作動する。このとき、反射板２２６は薄膜トラ
ンジスタＴのチャネルＣＨを覆って光漏れ電流の発生を
防止し、透明電極２３０は薄膜トランジスタＴ上にホー
ル２３０ａを有しており、寄生容量が発生することを防
止できる。ここで、反射板２２６と透明電極２３０は電
気的に分離されている。
【００５１】
【発明の効果】したがって、本発明により反射透過型液
晶表示装置用アレー基板を製作すると、前記薄膜トラン
ジスタ領域を反射領域で構成することができるので、開
口率をさらに確保することができる。
晶表示装置用アレー基板を製作すると、前記薄膜トラン
ジスタ領域を反射領域で構成することができるので、開
口率をさらに確保することができる。
【００５２】また前記アクティブチャネルに漏れ電流が
発生しないので、薄膜トランジスタの作動不良を防止で
き、それにより液晶パネルの収率を改善することができ
る効果がある。
発生しないので、薄膜トランジスタの作動不良を防止で
き、それにより液晶パネルの収率を改善することができ
る効果がある。
【図１】従来技術の第１例による反射透過型液晶表示装
置用アレー基板の一部を示した断面図である。
置用アレー基板の一部を示した断面図である。
【図２】従来技術の第２例による反射透過型液晶表示装
置用アレー基板の一部を示した断面図である。
置用アレー基板の一部を示した断面図である。
【図３】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示
装置用アレー基板の一部を示した平面図である。
装置用アレー基板の一部を示した平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶに沿って切った断面図であ
る。
る。
【図５】透明電極が薄膜トランジスタを覆う場合に生成
した電界を示す。
した電界を示す。
【図６Ａ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表
示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図であ
る。
示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図であ
る。
【図６Ｂ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表
示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図であ
る。
示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図であ
る。
【図６Ｃ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表
示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図であ
る。
示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図であ
る。
【図６Ｄ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表
示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図であ
る。
示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図であ
る。
【図７】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示
装置用アレー基板の断面図である。
装置用アレー基板の断面図である。
【図８】本発明の第３実施例による液晶表示装置用アレ
ー基板の平面図である。
ー基板の平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線に沿って切った断面図であ
る。
る。
１００: 絶縁基板
１０２: ゲート電極
１０８: アクティブ層
１１０: オーミックコンタクト層
１１２: ソース電極
１１４: ドレーン電極
１１８: 第１保護層
１２８ａ: 第２コンタクトホール
１２２: 第１透過ホール
１２６: 反射板
１２８: 第２保護層
１３０: 透明電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HA05 HB07X HD03
HD05
2H091 FA14Y FB08 FD04 GA02
GA03 GA11 GA13 GA16 LA16
2H092 GA19 JA34 JA37 JA41 JA46
JA47 JB07 NA07 NA16 PA12
5F110 AA21 AA30 BB01 CC07 EE03
EE04 EE06 EE14 FF01 FF02
FF03 FF21 FF27 GG02 GG15
HK03 HK04 HK06 HK09 HK16
HK21 HL07 HM19 NN02 NN23
NN24 NN27 NN43 NN47 NN72
Claims (17)
- 【請求項１】 基板と;前記基板上に形成されてチャネ
ル、ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を有する
薄膜トランジスタと;前記薄膜トランジスタ上部に形成
されて、前記ドレーン電極を露出させるための第１コン
タクトホールを有する第１保護層と;前記第１保護層上
部に形成されて前記薄膜トランジスタを覆い、前記第１
コンタクトホールに対応する開口部を有する反射板と;
前記反射板上部に形成されて前記開口部を貫通する第２
コンタクトホールを有する第２保護層と;前記第２保護
層上部に形成されて、前記薄膜トランジスタのチャネル
上にホールを有し、前記第１及び第２コンタクトホール
を通して前記薄膜トランジスタのドレーン電極と連結さ
れる透明電極を含むことを特徴とする液晶表示装置用ア
レー基板。 - 【請求項２】 前記反射板と第１保護層は、各々第１及
び第２透過ホールを含むことを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置用アレー基板。 - 【請求項３】 前記基板上部に前記ゲート電極を覆うゲ
ート絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項２に記
載の液晶表示装置用アレー基板。 - 【請求項４】 前記第２保護層は、前記第１及び第２透
過ホールに対応する第３透過ホールを有することを特徴
とする請求項２に記載の液晶表示装置用アレー基板。 - 【請求項５】 前記透明電極は、前記透過ホールを通し
て前記基板と接触することを特徴とする請求項４に記載
の液晶表示装置用アレー基板。 - 【請求項６】 前記反射板は、前記透明電極と電気的に
分離されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置用アレー基板。 - 【請求項７】 前記反射板は、アルミニウム又はアルミ
ニウムとネオジム(ＡｌＮｄ）の合金からなることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレー基板。 - 【請求項８】 前記第１保護層は、ベンゾシクロブテン
又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１に
記載の液晶表示装置用アレー基板。 - 【請求項９】 交差して前記薄膜トランジスタのゲート
電極及びドレーン電極に電気的に連結されているゲート
配線とデータ配線をさらに含むことを特徴とする請求項
１に記載の液晶表示装置用アレー基板。 - 【請求項１０】 第２保護層は、無機絶縁物質からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレ
ー基板。 - 【請求項１１】 基板上にゲート配線とゲート電極を形
成する段階と;前記ゲート配線とゲート電極上部にゲー
ト絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上にアク
ティブ層を形成する段階と;前記アクティブ層上部にオ
ーミックコンタクト層を形成する段階と;前記オーミッ
クコンタクト層上部にデータ配線、ソース及びドレーン
電極を形成する段階と;前記データ配線とソース及びド
レーン電極上部に前記ドレーン電極を露出するための第
１コンタクトホールを有する第１保護層を形成する段階
と;前記第１保護層上部に前記第１コンタクトホールに
対応する開口部を有する反射板を形成する段階と;前記
反射板上部に前記開口部を貫通する第２コンタクトホー
ルを有する第２保護層を形成する段階と;前記第２保護
層上部に前記第１及び第２コンタクトホールを通して前
記ドレーン電極と連結される透明電極を形成する段階と
を含み、 前記ソース及びドレーン電極間のアクティブ層は、薄膜
トランジスタのチャネルとなり、前記反射板は前記薄膜
トランジスタのチャネルを覆い、前記透明電極は前記薄
膜トランジスタのチャネル上部にホールを有することを
特徴とする液晶表示装置用アレー基板の製造方法。 - 【請求項１２】 前記反射板と前記第１保護層は、各々
第１及び第２透過ホールを有することを特徴とする請求
項１１に記載の液晶表示装置用アレー基板の製造方法。 - 【請求項１３】 前記第２保護層は、前記第１及び第２
透過ホールに対応する第３透過ホールを有することを特
徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置用アレー基板
の製造方法。 - 【請求項１４】 前記透明電極は、前記透過ホールを通
して前記基板と接触することを特徴とする請求項１３に
記載の液晶表示装置用アレー基板の製造方法。 - 【請求項１５】 前記反射板は、前記透明電極と電気的
で分離されていることを特徴とする請求項１１に記載の
液晶表示装置用アレー基板の製造方法。 - 【請求項１６】 前記反射板は、アルミニウム又はアル
ミニウムとネオジム(ＡｌＮｄ）の合金で形成すること
を特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用アレー
基板の製造方法。 - 【請求項１７】 前記第１保護層は、ベンゾシクロブテ
ン又はアクリル樹脂で形成することを特徴とする請求項
１１に記載の液晶表示装置用アレー基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2001-42993 | 2001-07-18 | ||
| KR10-2001-0042993A KR100380142B1 (ko) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003107529A true JP2003107529A (ja) | 2003-04-09 |
| JP3952389B2 JP3952389B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=19712231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002209220A Expired - Fee Related JP3952389B2 (ja) | 2001-07-18 | 2002-07-18 | 液晶表示装置用アレー基板及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6919945B2 (ja) |
| JP (1) | JP3952389B2 (ja) |
| KR (1) | KR100380142B1 (ja) |
| CN (1) | CN1244011C (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005275102A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2006295176A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ、平板表示装置用アレイ基板、薄膜トランジスタの製造方法、及び平板表示装置用アレイ基板の製造方法 |
| CN100406989C (zh) * | 2003-06-11 | 2008-07-30 | 乐金显示有限公司 | 透射反射式液晶显示器及其制造方法 |
| JP2008545155A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | ポリマー、ビジョン、リミテッド | 電界遮蔽体の使用による画素性能の向上 |
| CN112015016A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-01 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6778229B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-08-17 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| JP4197404B2 (ja) | 2001-10-02 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| TWI242680B (en) * | 2002-07-30 | 2005-11-01 | Hitachi Displays Ltd | Liquid crystal display device |
| TWI294981B (ja) * | 2002-09-12 | 2008-03-21 | Au Optronics Corp | |
| JP2004252047A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 半透過型表示装置 |
| KR100531410B1 (ko) * | 2003-04-15 | 2005-11-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| KR100940909B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2010-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 |
| KR101080356B1 (ko) | 2003-10-13 | 2011-11-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치 |
| KR100556701B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| US7551247B2 (en) * | 2004-06-09 | 2009-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection type display device and method with pixel electrodes having predetermined dimensions and relationships to each other as to gap width therebetween on both short and long sides and pitch of cubic corner cubes |
| KR101139522B1 (ko) | 2004-12-04 | 2012-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101107682B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101112547B1 (ko) | 2005-01-18 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판의제조 방법 |
| US20070052021A1 (en) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, and display device, electronic device, and semiconductor device using the same |
| KR101202983B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2012-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| KR101226512B1 (ko) | 2005-12-30 | 2013-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| TWI297548B (en) * | 2006-06-19 | 2008-06-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure for flat panel display and method for fabricating the same |
| KR101244898B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| TWI379140B (en) * | 2008-04-22 | 2012-12-11 | Au Optronics Corp | Pixel structure and active device array substrate |
| KR102417117B1 (ko) | 2015-10-22 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN105652548A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示面板 |
| CN108735762B (zh) * | 2017-04-24 | 2021-06-15 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 画素结构 |
| KR102448029B1 (ko) * | 2020-06-11 | 2022-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0163933B1 (ko) * | 1995-01-27 | 1999-01-15 | 김광호 | 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조 방법 |
| JP3634061B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP3126661B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2001-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| CN1148600C (zh) * | 1996-11-26 | 2004-05-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基片及其制造方法 |
| JP3512665B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2004-03-31 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | カラー液晶パネル及びその製造方法 |
| JP3503685B2 (ja) * | 1999-08-30 | 2004-03-08 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100654159B1 (ko) * | 2000-02-10 | 2006-12-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법 |
-
2001
- 2001-07-18 KR KR10-2001-0042993A patent/KR100380142B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-06-27 CN CNB021268614A patent/CN1244011C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-28 US US10/183,455 patent/US6919945B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-18 JP JP2002209220A patent/JP3952389B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100406989C (zh) * | 2003-06-11 | 2008-07-30 | 乐金显示有限公司 | 透射反射式液晶显示器及其制造方法 |
| JP2005275102A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2006295176A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ、平板表示装置用アレイ基板、薄膜トランジスタの製造方法、及び平板表示装置用アレイ基板の製造方法 |
| JP4580890B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2010-11-17 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ、平板表示装置用アレイ基板、薄膜トランジスタの製造方法、及び平板表示装置用アレイ基板の製造方法 |
| JP2008545155A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | ポリマー、ビジョン、リミテッド | 電界遮蔽体の使用による画素性能の向上 |
| US8673665B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-03-18 | Creator Technology B.V. | Pixel performance improvement by use of a field shield |
| CN112015016A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-01 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板 |
| CN112015016B (zh) * | 2020-09-07 | 2022-11-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1244011C (zh) | 2006-03-01 |
| KR100380142B1 (ko) | 2003-04-11 |
| US20030016309A1 (en) | 2003-01-23 |
| KR20030008380A (ko) | 2003-01-29 |
| CN1397829A (zh) | 2003-02-19 |
| JP3952389B2 (ja) | 2007-08-01 |
| US6919945B2 (en) | 2005-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3952389B2 (ja) | 液晶表示装置用アレー基板及びその製造方法 | |
| US9070848B2 (en) | Array substrate and liquid crystal display | |
| US7488983B2 (en) | Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| KR100661825B1 (ko) | 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
| KR100598737B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR101252001B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20070200984A1 (en) | Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| US6853405B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display | |
| KR100870522B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR100656696B1 (ko) | 반사투과형 액정 표시장치 | |
| US20070188682A1 (en) | Method for manufacturing a display device | |
| KR101350609B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| US8570466B2 (en) | Transflective liquid crystal display device having a thin film transistor and manufacturing method thereof | |
| KR100611044B1 (ko) | 반사투과형 액정 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20080003075A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| US20070273814A1 (en) | Transflective display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US7116389B2 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| JPH11212118A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| KR20050105422A (ko) | 액정표시패널 및 그 제조 방법 | |
| KR100646172B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100803109B1 (ko) | 반사 투과형 액정표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR100583313B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100866977B1 (ko) | 리페어 구조를 가지는 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| JP3308100B2 (ja) | Ｔｆｔ型液晶表示装置 | |
| JPH04264527A (ja) | アクティブマトリクス基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040603 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070124 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070403 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070419 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3952389 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |