JP4658979B2

JP4658979B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP4658979B2
Application number: JP2007044514A
Authority: JP
Inventors: 康成永田; 茂樹松尾; 正晴瀧山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2007-02-23
Filing date: 2007-02-23
Publication date: 2011-03-23
Anticipated expiration: 2022-02-25
Also published as: JP2007183663A

Description

本発明は液晶表示装置に関するものである。

近年、液晶表示装置は小型もしくは中型の携帯情報端末やノートパソコンの他に、大型かつ高精細のモニターにまで使用されている。さらにバックライトを使用しない反射型液晶表示装置の技術も開発されており、薄型、軽量および低消費電力化に優れている。

反射型液晶表示装置には、後方に配設した基板の内面に対し凹凸形状の光反射層を形成した散乱反射型があるが、バックライトを用いないことで、周囲の光を有効に利用している。

また、光反射層に代えて、半透過膜を形成し、バックライトを設け、反射モードや透過モードに使い分ける半透過型液晶表示装置も開発されている。

この半透過型液晶表示装置によれば、太陽光、蛍光灯などの外部照明によって反射型の装置として用いたり、あるいはバックライトを内部照明として装着して透過型の装置として使用するが、双方の機能を併せ持たせるために、半透過膜を使用している（特許文献１参照）。さらにアクティブマトリクス型半透過型液晶表示装置に同様な目的で半透過膜を使用することが提案されている（特許文献２参照）。

また、光透過用ホールを設けた反射膜により、光透過用ホールから光の一部を透過させ、反射膜にて光の一部を反射させることにより半透過型液晶表示装置を実現する構成も提案されている（特許文献３，４参照）。
特開平８−２９２４１３号公報特開平７−３１８９２９号公報特許第２８７８２３１号特開２０００-１９５６３号公報

しかしながら、ハーフミラーの半透過膜を使用すると、光の内部吸収が大きいため、反射光と透過光の光利用効率が低いという問題がある。

また、特許文献４に示すように、光透過用ホールを設けた反射膜によれば、液晶表示装置のスイッチング素子として通常用いられている薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたことで、ゲート側やソース信号と画素電極とを絶縁するため、隙間を設ける必要がある。

そして、このような構成によれば、特開平１１-１０１９９２号や特開２００１-３３７５４号に示す如く、ゲート配線またはソース配線上に絶縁膜を介して画素電極を形成する構造に比べ、開口率を上げることが困難であった。

また、特許文献４において、ゲート配線と反射率の高い層を同一材料にて形成することが提案されているが、このような条件を満たし、なおかつ信頼性を含めて安定な材料がどのようなものかは明記されていない。

本発明に係る液晶表示装置は、第１透明基板と、該第１透明基板上に設けられ、互いに間隔を空けて配置された複数のゲート配線と、前記第１透明基板上に設けられた、高透過率材料からなる下層画素電極と、前記複数のゲート配線、前記下層画素電極および該ゲート配線と前記下層画素電極との間の領域を被覆するように前記第１透明基板上に設けられた絶縁膜と、前記ゲート配線に対して立体的に交差するように互いに間隔を空けて配置された複数のソース配線と、前記絶縁膜上に設けられた、光透過領域を構成する開口部を有する、高反射率材料からなる上層画素電極と、前記第１透明基板と対向配置された第２透明基板と、前記第１透明基板の前記上層画素電極と前記第２透明基板との間に介在する液晶とを備え、前記上層画素電極および前記下層画素電極は、前記ソース配線と前記ゲート配線とで囲まれた部分に位置し、前記下層画素電極は、前記上層画素電極と電気的に絶縁されるとともに前記上層画素電極と容量を形成し、前記上層画素電極は、その一端部が、平面視して、前記ゲート配線と前記下層画素電極との間の領域を介して前記ゲート配線上まで配置されており、かつ断面視して前記下層画素電極と前記ゲート配線との間に前記第１透明基板側に凹む凹部を有しており、前記上層画素電極と前記下層画素電極との重畳面積は、前記開口部の面積に比べて大きく設定されていることを特徴とする。

以上のように、本発明の液晶表示装置によれば、二層構造の画素電極において、一方の電極をもう一方の電極に対して張り出すことにより、開口率を向上することができた。そして、二層の画素電極において、反射膜と透過膜を組み合わせることにより、光利用効率の高い反射型表示もしくは反射型表示と透過型表示ができる液晶表示装置が実現された。

（実施形態１）
本発明の実施形態１について図面に基づき、以下に説明する。

図１は本実施形態の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の要部平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ'断面図、図３は図１のＢ−Ｂ'断面図、図４は図１のＣ−Ｃ'断
面図である。

本実施形態において、１はゲート配線、２はソース配線、３は上層画素電極、４は下層画素電極、５は薄膜トランジスタ、１１は保護膜、１２は液晶材料、１３は対向電極、１４、１５はガラスまたはプラスチック等からなる透明基板である。

透明基板１５上には、複数のゲート配線１と複数のソース配線２が直交するように配置され、これらの配線に囲まれた部分が画素であり、これらの配線の交差部には薄膜トランジスタ５が設けられている。

薄膜トランジスタ５は、ゲート配線１の上部に、ゲート絶縁膜８、半導体層９、ｎ+−Ｓｉ層１０、ソース電極６、ドレイン電極７で構成される。

ゲート配線１はＴａ、Ａｌ、Ａｌ合金（ＡｌＴａ、ＡｌＮｄ）等の金属薄膜で形成される。ゲート絶縁膜８はＴａ_２Ｏ_３やＳｉＮｘ等で形成される。半導体膜９はＳｉで形成される。ソース電極６、ドレイン電極７は、ＩＴＯ、Ａｌ、Ａｌ合金（ＡｌＴａ、ＡｌＮｄ）等の金属薄膜で形成される。

図示していないが、以上のアクティブマトリクス基板上に配向膜を塗布し、この基板をＩＴＯ等からなる透明電極と配向膜を形成した対向基板と貼り合わせ、２枚の基板間に液晶１２を注入し、本実施形態の液晶表示装置が構成される。

この液晶表示装置では、図１に示すように、薄膜トランジスタ５のドレイン電極７には上層画素電極３が接続されており、この上層画素電極３の下層に絶縁膜を介して下層画素電極４が設けられて、画素電極が二層構造となっており、しかも、下層画素電極が上層画素電極に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して、すなわち延在して形成している。

上層画素電極３は、前記光反射性金属材にて形成するが、たとえば、反射率の高い材料であるＡｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等で形成する。

下層画素電極４も、前記光反射性金属材として、たとえば、反射率の高い材料であるＡｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等で形成されている。

ここで、ゲート配線１と下側画素電極４は同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成することができる。

しかしながら、半導体層９を形成する際の高温処理後にも、信頼性が高く、反射率が高い材料を選択する必要がある。

本発明者は、ゲート配線１と下側画素電極４として考えられる材料と表１に示すような金属材や金属合金を用いて、それぞれの高温処理後の信頼性・反射率についての評価を行った。

ここで、信頼性の評価基準は、○：信頼性に優れている、△：信頼性が少し悪い、×：信頼性が大変悪い、という場合である。

反射率の評価基準は、◎：反射率が大変高い、○：反射率が高い、△：反射率が少し低い、×：反射率が大変低い、という場合である。

この表から明らかなとおり、ゲート配線と下側画素電極を同一材料にしても信頼性と反射率を両立する材料として、Ａｌ合金が良く、好ましくはＡｌＮｄ（Ｎｄの含有比率：重量比率２％〜５％）が良いことが分かる。

また、ソース配線２と上側画素電極３も同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成ができる。この層に関しては、Ａｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等がよい。

上層画素電極３と隣接するゲート配線１'との間で、液晶材料に印加する電圧を保持するための付加容量Ｃｓが、上層画素電極３と対向電極１３との間で液晶容量Ｃ_ＬＣ１が、下層画素電極４と対向電極１３との間で液晶容量Ｃ_ＬＣ２が、上層画素電極３と下層画素電極４との間の重なり容量Ｃａがそれぞれ形成され、よって、画素の等価回路は図５に示すようになる。

本実施形態の場合には、上層画素電極３と下層画素電極４はゲート絶縁膜８を介して大きな面積で重なっているため、液晶容量Ｃ_ＬＣ２に比べて、上層画素電極３と下層画素電極４との間の重なり容量Ｃａの方が大変大きくなり、画素の等価回路は図６の等価回路と見なせる。そのため、下層画素電極４も上層画素電極３と同じ働きをすることになる。

つぎに、下層画素電極４が上層画素電極３に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して形成されている構造について図２〜図４を用いて説明する。

まず、Ａ−Ａ'断面図について図２を用いて説明する。

画素電極はゲート絶縁膜８を介して上層画素電極３と下層画素電極４から構成され、下側画素電極４は上側画素電極３に比べて、ゲート配線側１に張り出して形成されている。

上側画素電極３と隣接する上側画素電極３”は同じレベルの層であるため、所定の間隔をもって形成しなければならないが、隣接する上層画素電極３”と下側画素電極４はゲート絶縁膜８を介して配置されているため、隣接する上層画素電極３”と下側画素電極４の間隔を従来の間隔の１／４以下にすることができる。

つぎに、Ｂ−Ｂ'断面図について図３を用いて説明する。

画素電極はゲート絶縁膜８を介して上層画素電極３と下層画素電極４から構成され、下側画素電極４は上側画素電極３に比べて、ソース配線側２，２'に張り出して形成されている。上層画素電極３とソース配線２，２'は同じレベルの層であるために、所定の間隔をもって形成しなければならないが、下層画素電極４とソース配線２，２'は異なるレベルの層であるために、ソース配線２，２'と下層画素電極４の間隔を従来の間隔の１／４以下にすることができる。

つぎに、Ｃ−Ｃ'断面図について図４を用いて説明する。

上層画素電極３は、隣接するゲート配線１'より外側に張り出しているが、この隣接するゲート配線１'と上層画素電極３で付加容量Ｃｓを形成している。この場合は、隣接するゲート配線１'上にも画素電極を形成しているため、従来のように隣接するゲート配線と画素電極を所定の間隔をもって形成する必要はなくなり、画素の開口率が向上する。

以上により、上層画素電極と下層画素電極から構成される二層構造の画素電極全体が反射率の高い層で構成され、また、実質的に画素電極の面積が拡大されるため、光利用効率の高い反射型表示として優位な液晶表示装置が実現される。

（参考例１）
本発明の参考例１について図面に基づき、以下に説明を行う。

図１は本例の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の一部分の平面図であり、図７は図１のＡ−Ａ'断面図、図８は図１のＢ−Ｂ'断面図、図９は図１のＣ−Ｃ'断面
図である。なお、画素以外の構成については、実施形態１と同様である。

この液晶表示装置では、図１に示すように、薄膜トランジスタ５のドレイン電極７には上層画素電極３が接続されており、この上層の下層に絶縁膜を介して下層画素電極４が設けられて、画素電極が二層構造となっており、しかも、下層画素電極が上層画素電極に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して形成している。

上層画素電極３は、透過率の高い材料であるＩＴＯ等で形成されており、下層画素電極４は、反射率の高い材料であるＡｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等で形成されている。

ここで、ゲート配線１と下側画素電極４は同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成ができる。

実施形態１と同様に、ゲート配線と下側画素電極を同一材料にしても信頼性と反射率を両立する材料はＡｌＮｄ（Ｎｄ：２％〜５％）がよい。

また、ソース配線２と上側画素電極３も同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成ができる。この層に関しては、ＩＴＯ等がよい。

以上により、上層画素電極と下層画素電極から構成される二層構造の画素電極全体が反射率の高い層で構成され、また、実質的に画素電極の面積が拡大されるため、光利用効率の高い反射型表示が可能な液晶表示装置が実現される。

（参考例２）
本発明の参考例２について図面に基づき以下に説明を行う。

図１０は本例の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の一部分の平面図であり、図１１は図１０のＡ−Ａ'断面図、図１２は図１のＢ−Ｂ'断面図、図１３は図１のＣ−Ｃ'断面図である。なお、画素以外の構成については、実施形態１と同様である。

この液晶表示装置では、図１０に示すように、薄膜トランジスタ５のドレイン電極７には上層画素電極３が接続されており、この上層の下層に絶縁膜を介して下層画素電極４が設けられて、画素電極が二層構造となっており、なおかつ下層画素電極が上層画素電極に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して形成している。

上層画素電極３は、透過率の高い材料であるＩＴＯ等で形成されており、下層画素電極４は、反射率の高い材料であるＡｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等で形成されていて、なおかつ画素電極の面積の３０％の大きさの光通過孔が開いている。

ここで、ゲート配線１と下側画素電極４は同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成が可能である。また、実施形態１と同様に、ゲート配線と下側画素電極を同一材料にしても信頼性と反射率を両立する材料はＡｌＮｄ（Ｎｄ：２％〜５％）がよい。

また、ソース配線２と上側画素電極３も同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成が可能である。この層に関しては、ＩＴＯ等が可能である。

以上により、上層画素電極と下層画素電極から構成される二層構造の画素電極の一部が反射率の高い層、残りの部分が透過率の高い層で構成され、また、実質的に画素電極の面積が拡大されるため、光利用効率の高い反射型表示と透過型表示が可能な液晶表示装置が実現される。ここで、画素電極に占める透過孔の割合は２０〜７０％が好ましい。

（実施形態２）
本発明の実施形態２について図面に基づき以下に説明を行う。

図１４は本実施形態の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の一部分の平面図であり、図１５は図１４のＡ−Ａ'断面図、図１６は図１のＢ−Ｂ'断面図、図１７は図１のＣ−Ｃ'断面図である。なお、画素以外の構成については、実施形態１と同様である
。

この液晶表示装置では、図１４に示すように、薄膜トランジスタ５のドレイン電極７には上層画素電極３が接続されており、この上層の下層に絶縁膜を介して下層画素電極４が設けられて、画素電極が二層構造となっており、なおかつ下層画素電極が上層画素電極に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して形成している。

上層画素電極３は、反射率の高い材料であるＡｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡlＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等で形成されていて、なおかつ画素電極の面積の３０％の大きさの光通過孔が開いており、下層画素電極４は、透過率の高い材料であるＩＴＯ等で形成されている。

ここで、ソース配線２と上側画素電極３は同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成が可能である。この層に関しては、Ａｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡlＣＭ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等がよい。

以上により、上層画素電極と下層画素電極から構成される二層構造の画素電極の一部が反射率の高い層、残りの部分が透過率の高い層で構成され、また、実質的に画素電極の面積が拡大されるため、光利用効率の高い反射型表示と透過型表示が可能な液晶表示装置が実現される。ここで、画素電極に占める光透過孔の割合は２０〜７０％が好ましい。

（参考例３）
本発明の参考例３について図面に基づき以下に説明を行う。

図１８は本例の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の一部分の平面図であり、図１９は図１８のＡ−Ａ'断面図、図２０は図１８のＢ−Ｂ'断面図、図２１は図１８のＣ−Ｃ'断面図である。

図１８〜図２１において、１はゲート配線、２はソース配線、３は上層画素電極、４は下層画素電極、５は薄膜トランジスタ、１１は保護膜、１２は液晶材料、１３は対向電極、１４、１５はガラスまたはプラスチック等からなる透明基板である。

ガラスまたはプラスチック等からなる透明基板１５上に、複数のゲート配線１と複数のソース配線２が直交するように配置され、これらの配線に囲まれた部分が画素であり、これらの配線の交差部には薄膜トランジスタ５が設けられている。

図示していないが、以上のアクティブマトリクス基板上に配向膜を塗布し、この基板をＩＴＯ等からなる透明電極と配向膜を形成した対向基板と貼り合わせ、２枚の基板間に液晶１２を注入し本例の液晶表示装置が構成される。

この液晶表示装置では、図１８に示すように、薄膜トランジスタ５のドレイン電極７には下層画素電極４が接続されており、この下層の上層に保護膜１１を介して上層画素電極３が設けられて、画素電極が二層構造となっており、なおかつ上層画素電極３が下層画素電極４に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して形成している。

上層画素電極３は、反射率の高い材料であるＡｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等で形成されており、下層画素電極３も、反射率の高い材料であるＡｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等で形成されている。

ここで、ソース配線２と下側画素電極４も同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成が可能である。この層に関しては、Ａｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等がよい。

なお、上層画素電極３と下層画素電極４は接続されているので、同電位であり、下層画素電極４も上層画素電極３と同じ働きをすることになる。

つぎに、上層画素電極３が下層画素電極４に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して形成されている構造について図１９〜図２１を用いて説明する。

まず、Ａ−Ａ'断面図について図１９を用いて説明する。

画素電極は保護膜１１を介して上層画素電極３と下層画素電極４から構成され、上側画素電極３は下側画素電極４に比べて、ゲート配線側１に張り出して形成されている。

下側画素電極４と隣接する下側画素電極４”は同じレベルの層であるため、所定の間隔をもって形成しなければならないが、隣接する下層画素電極４”と上側画素電極３は保護膜１１を介して配置されているため、隣接する下層画素電極４”と上側画素電極３の間隔を従来の間隔の１／４以下にすることができる。

つぎに、Ｂ−Ｂ'断面図について図２０を用いて説明する。

画素電極は保護膜１１を介して上層画素電極３と下層画素電極４から構成され、上側画素電極３は下側画素電極４に比べて、ソース配線側２，２'に張り出して形成されている。下層画素電極４とソース配線２，２'は同じレベルの層であるために、所定の間隔をもって形成しなければならないが、上層画素電極３とソース配線２，２'は異なるレベルの層であるために、ソース配線２，２'と上層画素電極３の間隔を従来の間隔の１／４以下にすることができる。

つぎに、Ｃ−Ｃ'断面図について図２１を用いて説明する。下層画素電極４は、隣接するゲート配線１'より外側に張り出しているが、この隣接するゲート配線１'と下層画素電極４で付加容量Ｃｓを形成している。この場合は、隣接するゲート配線１'上にも画素電極を形成しているため、従来のように隣接するゲート配線と画素電極を所定の間隔をもって形成する必要はなくなり、画素の開口率が向上する。

（参考例４）
本発明の参考例４について図面に基づき以下に説明を行う。

図２２は本例の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の一部分の平面図であり、図２３は図２２のＡ−Ａ'断面図、図２４は図２２のＢ−Ｂ'断面図、図２５は図２２のＣ−Ｃ'断面図である。なお、画素以外の構成については、参考例３と同様である。

この液晶表示装置では、図２２に示すように、薄膜トランジスタ５のドレイン電極７には下層画素電極４が接続されており、この下層の上層に保護膜１１を介して上層画素電極３が設けられて、画素電極が二層構造となっており、なおかつ上層画素電極が下層画素電極に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して形成している。

ここで、ソース配線２と下側画素電極４は同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成が可能である。

この層に関しては、Ａｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等が可能である。

（参考例５）
参考例５について図面に基づき以下に説明を行う。

図２６は本例の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の一部分の平面図であり、図２７は図２６のＡ−Ａ'断面図、図２８は図２６のＢ−Ｂ'断面図、図２９は図２６のＣ−Ｃ'断面図である。なお、画素以外の構成については、参考例３と同様である。

この液晶表示装置では、図２６に示すように、薄膜トランジスタ５のドレイン電極７には下層画素電極４が接続されており、この下層の上層に保護膜１１を介して上層画素電極３が設けられて、画素電極が二層構造となっており、なおかつ上層画素電極が下層画素電極に対して、ゲート配線側、ソース配線側に張り出して形成している。

上層画素電極３は、反射率の高い材料であるＡｌ、Ａｌ合金（ＡｌＮｄ、ＡｌＣＭｇ）、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＣｕＡｕ）等で形成され、なおかつ画素電極の面積の３０％の大きさの光通過孔が開いており、下層画素電極４は、透過率の高い材料であるＩＴＯ等で形成されている。

ここで、ソース配線２と下側画素電極４は同じレベルの層であるため、同一材料にすることにより一工程で同時に形成が可能である。この層に関しては、ＩＴＯ等が可能である。

実施形態１の画素の拡大図である。実施形態１における図１のＡ−Ａ'の断面図である。実施形態１における図１のＢ−Ｂ'の断面図である。実施形態１における図１のＣ−Ｃ'の断面図である。実施形態１における図１の回路図である。図５の等価回路図である。参考例１における図１のＡ−Ａ'の断面図である。参考例１における図１のＢ−Ｂ'の断面図である。参考例１における図１のＣ−Ｃ'の断面図である。参考例１の画素の拡大図である。参考例２における図１０のＡ−Ａ'の断面図である。参考例２における図１０のＢ−Ｂ'の断面図である。参考例２における図１０のＣ−Ｃ'の断面図である。実施形態２の画素の拡大図である。実施形態２における図１４のＡ−Ａ'の断面図である。実施形態２における図１４のＢ−Ｂ'の断面図である。実施形態２における図１４のＣ−Ｃ'の断面図である。参考例３の画素の拡大図である。参考例３における図１８のＡ−Ａ'の断面図である。参考例３における図１８のＢ−Ｂ'の断面図である。参考例３における図１８のＣ−Ｃ'の断面図である。参考例４の画素の拡大図である。参考例４における図２２のＡ−Ａ'の断面図である。参考例４における図２２のＢ−Ｂ'の断面図である。参考例４における図２２のＣ−Ｃ'の断面図である。参考例５の画素の拡大図である。参考例５における図２６のＡ−Ａ'の断面図である。参考例５における図２６のＢ−Ｂ'の断面図である。参考例５における図２６のＣ−Ｃ'の断面図である。

符号の説明

１…ゲート配線
２…ソース配線
３…上層画素電極
４…下層画素電極
５…薄膜トランジスタ
６…ソース電極
７…ドレイン電極
８…ゲート絶縁膜
９…半導体層
１０…ｎ+−Ｓｉ層
１１…保護膜
１２…液晶材料
１３…対向電極
１４、１５…ガラスまたはプラスチック等からなる透明基板

Claims

第１透明基板と、該第１透明基板上に設けられ、互いに間隔を空けて配置された複数のゲート配線と、前記第１透明基板上に設けられた、高透過率材料からなる下層画素電極と、前記複数のゲート配線、前記下層画素電極および該ゲート配線と前記下層画素電極との間の領域を被覆するように前記第１透明基板上に設けられた絶縁膜と、前記ゲート配線に対して立体的に交差するように互いに間隔を空けて配置された複数のソース配線と、前記絶縁膜上に設けられた、光透過領域を構成する開口部を有する、高反射率材料からなる上層画素電極と、前記第１透明基板と対向配置された第２透明基板と、前記第１透明基板の前記上層画素電極と前記第２透明基板との間に介在する液晶とを備え、
前記上層画素電極および前記下層画素電極は、前記ソース配線と前記ゲート配線とで囲まれた部分に位置し、
前記下層画素電極は、前記上層画素電極と電気的に絶縁されるとともに前記上層画素電極と容量を形成し、
前記上層画素電極は、その一端部が、平面視して、前記ゲート配線と前記下層画素電極との間の領域を介して前記ゲート配線上まで配置されており、かつ断面視して前記下層画素電極と前記ゲート配線との間に前記第１透明基板側に凹む凹部を有しており、
前記上層画素電極と前記下層画素電極との重畳面積は、前記開口部の面積に比べて大きく設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
前記高反射率材料は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、またはＡｇ合金であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記高透過率材料はＩＴＯであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記上層画素電極の構成材料は、前記ソース配線の構成材料と同一であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
前記下層画素電極の構成材料は、前記ゲート配線の構成材料と同一であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一つに記載の液晶表示装置。