JPH11109417A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置

Info

Publication number
JPH11109417A
JPH11109417A JP27432797A JP27432797A JPH11109417A JP H11109417 A JPH11109417 A JP H11109417A JP 27432797 A JP27432797 A JP 27432797A JP 27432797 A JP27432797 A JP 27432797A JP H11109417 A JPH11109417 A JP H11109417A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
picture element
liquid crystal
active matrix
element electrode
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP27432797A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3281849B2 (ja
Inventor
Hirohiko Nishiki
博彦 錦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP27432797A priority Critical patent/JP3281849B2/ja
Priority to US09/122,756 priority patent/US6195140B1/en
Priority to TW087112317A priority patent/TW509809B/zh
Priority to TW93111338A priority patent/TWI240130B/zh
Priority to KR1019980030361A priority patent/KR100321943B1/ko
Priority to CNB031309267A priority patent/CN1288478C/zh
Priority to CNB98116868XA priority patent/CN1148603C/zh
Priority to TW90118174A priority patent/TWI240098B/zh
Publication of JPH11109417A publication Critical patent/JPH11109417A/ja
Priority to US09/523,658 priority patent/US6330047B1/en
Priority to KR1020000070944A priority patent/KR100332519B1/ko
Priority to US09/739,697 priority patent/US6452654B2/en
Priority to KR1020010053724A priority patent/KR100389520B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of JP3281849B2 publication Critical patent/JP3281849B2/ja
Priority to KR10-2002-0056787A priority patent/KR100451065B1/ko
Priority to KR1020030089930A priority patent/KR100430873B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置において、明るい場所では消費
電力が少なく、暗い場所で十分な表示輝度を有する表示
状態を得ること目的とする。 【解決手段】 このアクティブマトリクス基板は一つの
絵素の中に反射用絵素電極10と透過用絵素電極11を
備えており、図2に示すように、一つの絵素の中に外部
からの光を反射する反射用絵素電極10部分とバックラ
イトの光を透過する透過用絵素電極11部分を形成して
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透過表示領域と反
射表示領域を備えた液晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置としては、互いに交差する
複数本ずつのゲート配線とデータ配線とともに、アモル
ファスSiにより構成した薄膜トランジスタ(TFT)
或いはMIM素子を基板上に形成したアクティブマトリ
クス型液晶表示装置が知られている。このアクティブマ
トリクス基板には、光源としてバックライトを利用する
透過型液晶表示装置と、外部の光を反射して表示に利用
する反射型液晶表示装置がある。これらのアクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、感光性透明アクリル
樹脂などの有機材料を層間絶縁膜として用い、ゲート配
線及びデータ配線に絵素電極を層間絶縁膜を介して重畳
させる高開口率構造の透過型液晶表示装置や反射型液晶
表示装置が開発されている。
【0003】図8(a)は、層間絶縁膜として有機絶縁
膜を用いた高開口率構造の反射型液晶表示装置の平面図
であり、図8(b)は、図8(a)のF−F断面を示す
断面図である。図8に示すアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ゲート配線1、データ配線2、駆動素子
3、ドレイン電極4、補助容量電極5、ゲート絶縁膜
6、絶縁性基板7、コンタクトホール8、層間絶縁膜
9、反射用絵素電極10、補助容量配線12とを備えて
いる。
【0004】図8に示すアクティブマトリクス型液晶表
示装置の反射用絵素電極10を透明の電極とすることに
より透過型液晶表示装置とすることができる。
【0005】この高開口率構造に使用する層間絶縁膜9
の材料としては、層間絶縁膜9を介して絵素電極をゲー
ト配線及びデータ配線に重畳させることにより発生する
容量を低減するために、数μmの厚さで形成することが
容易であること、誘電率が窒化シリコン等と比較して小
さいこと等が要求されており、有機絶縁膜が用いられて
いる。
【0006】また、この高開口率構造を形成する為に
は、層間絶縁膜9の下層に配設されたドレイン電極4と
層間絶縁膜9の上層に配設された絵素電極の電気的接触
を取るために、層間絶縁膜9にコンタクトホールを形成
する必要があるが、感光性アクリル樹脂を層間絶縁膜9
として用いることにより、液状の樹脂材料をスピン塗布
法により基板に塗布した後、フォトリソ工程にて露光
し、アルカリ性溶液による現像を行うことによりパター
ニングし、コンタクトホールを形成することができるの
で、成膜とパターニングを同時に行うことが可能であ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】バックライトからの光
を表示に利用する透過型液晶表示装置はバックライトを
使用するため消費電力が多く、バッテリーを使用する場
合、連続使用時間が短いという問題点があった。
【0008】また反射型液晶表示装置は、バックライト
を使用しないため消費電力が少なく、連続使用時間が長
いという長所を持っているが、反射強度が十分ではな
く、暗いところでは使用しにくいという問題点があっ
た。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板
と、該絶縁性基板上に設けられた複数のゲート配線と、
該ゲート配線と交差する複数のデータ配線と、該ゲート
配線と該データ配線との交差部に設けられた駆動素子
と、該駆動素子に電気的に接続された絵素電極とを有す
るアクティブマトリクス基板と、対向電極が形成された
対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向
基板との間に介在された液晶層と、バックライトとを有
するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前
記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを有
することを特徴とする。本発明によれば、明るいところ
では反射型液晶表示装置として使用し、暗い所ではバッ
クライトを点灯し透過型液晶表示装置として使用できる
透過反射切り替え可能なアクティブマトリクス型液晶表
示装置の形成が可能となる。
【0010】また、本発明は、前記反射用絵素電極と前
記透過用絵素電極を電気的に接続することを特徴とす
る。本発明によれば、反射用絵素電極と透過用絵素電極
とを電気的に接続しているため別々に駆動信号を入力す
るための配線を設ける必要がなく、アクティブマトリク
ス基板の構成を簡略化できる。
【0011】また、本発明は、前記駆動素子の上部に前
記反射用絵素電極を形成することを特徴とする。本発明
によれば、駆動素子の上に反射用絵素電極を形成してお
り、外部からの光が駆動素子に入射することを防ぐこと
ができる。
【0012】また、本発明は、前記反射用絵素電極によ
って外部の光を反射する部分の面積を、前記透過用絵素
電極によってバックライトの光を透過する部分の面積よ
りも大きくすることを特徴とする。本発明によれば、透
過用絵素電極は、バックライトを消灯しているときはパ
ネルの輝度に寄与しないが、外部からの光を反射する反
射用絵素電極はバックライトの点灯、消灯にかかわらず
パネルの輝度に寄与するため、その面積を大きくするこ
とにより、バックライトの光が消灯したときや輝度が低
いときにも表示の輝度を安定させることができる。
【0013】また、本発明は、前記アクティブマトリク
ス基板と前記バックライトの間にマイクロレンズを設け
たことを特徴とする。本発明によれば、反射用絵素電極
やゲート配線等により遮蔽されるバックライトからの光
を透過用絵素電極に集めることができるため、バックラ
イト自体の輝度を高めなくても、表示装置の輝度を高め
ることができる。
【0014】また、本発明は前記ドレイン電極上に傾斜
部又は凹凸部をもつ層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁
膜上に前記反射用絵素電極が形成されたことを特徴とす
る。本発明によれば、反射用絵素電極によって外部から
の光が反射される方向に拡がりが出るため、視野角を広
げることができる。
【0015】また、本発明は、前記ゲート配線又は前記
データ配線と同じ層に前記反射用絵素電極を形成するこ
とを特徴とする。本発明によれば、反射用絵素電極を形
成する工程を別に設ける必要が無く、工程数及び製造コ
ストを増加させることが無い。
【0016】また、本発明は、前記ゲート配線と同じ層
に形成された前記反射用絵素電極と隣接した絵素のゲー
ト配線を電気的に接続することを特徴とする。本発明に
よれば、反射用絵素電極がゲート配線と電気的に接続さ
れいるため、浮遊容量化を防ぐことができ、ドレイン電
極との間に補助容量を形成することができる。
【0017】また、本発明は、前記ゲート配線と同じ層
に形成された前記反射用絵素電極に前記対向電極に印加
される信号と同じ信号を入力することを特徴とする。本
発明によれば、反射用絵素電極に対向電極に印加される
信号と同じ信号が入力されるため、浮遊容量化を防ぐこ
とができる。
【0018】また、本発明は、前記ゲート配線と同じ層
に形成された前記反射用絵素電極とドレイン電極又は透
過用絵素電極を重畳して補助容量を形成することを特徴
とする。本発明によれば、絵素電極に印加される電圧の
補助容量を反射用絵素電極を利用して形成することがで
きる。
【0019】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)図1(a)は本発明の実施形態1のアク
ティブマトリクス基板の平面図を示し、図1(b)は図
1(a)のA−A断面の断面図を示す。
【0020】アクティブマトリクス基板は、ゲート配線
1、データ配線2、駆動素子3、ドレイン電極4、補助
容量電極5、ゲート絶縁膜6、絶縁性基板7、コンタク
トホール8、層間絶縁膜9、反射用絵素電極10と透過
用絵素電極11を備えている。補助容量電極5は、ドレ
イン電極4と電気的に接続されており、ゲート絶縁膜6
を介してゲート配線1と重畳し補助容量を形成してい
る。コンタクトホール8は、透過用絵素電極11と補助
容量電極5を接続するために層間絶縁膜9に設けられて
いる。
【0021】このアクティブマトリクス基板は一つの絵
素の中に反射用絵素電極10と透過用絵素電極11を備
えており、図2に示すように、一つの絵素の中に外部か
らの光を反射する反射用絵素電極10部分とバックライ
トの光を透過する透過用絵素電極11部分を形成してい
る。
【0022】図2は、図1に示すアクティブマトリクス
基板を用いた液晶表示装置を示す断面図であり、データ
配線2、ドレイン電極4、ゲート絶縁膜6、絶縁性基板
7、層間絶縁膜9、反射用絵素電極10、透過用絵素電
極11、カラーフィルター層13、対向電極14、液晶
層15、配向膜16、偏光板17、バックライト18を
有している。
【0023】バックライト18の光を透過する透過用絵
素電極11部分は、バックライトを消灯しているときは
パネルの輝度に寄与しないが、外部からの光を反射する
反射用絵素電極10部分はバックライトの点灯、消灯に
かかわらずパネルの輝度に寄与するため、透過用絵素電
極11部分より反射用絵素電極10部分の面積を大きく
するほうが望ましい。
【0024】本実施形態では反射用絵素電極10と透過
用絵素電極11に同じ信号を入力するために反射用絵素
電極10を透過用絵素電極11の上に形成して電気的に
接続しているが、反射用絵素電極10と透過用絵素電極
11を電気的に接続せず、別の信号をそれぞれに入力し
別々の表示を行ってもよい。
【0025】図2の液晶表示装置では反射用絵素電極1
0が形成された領域に入射されるバックライト18から
の光は、表示光として利用できないため、図3に示す液
晶表示装置の断面図のようにバックライト18と液晶表
示パネルの間にマイクロレンズ19とマイクロレンズ保
護層20を形成し、マイクロレンズ19により反射用絵
素電極10が形成されていない透過用絵素電極11の領
域にバックライト光を集光させ、透過用絵素電極11を
透過する光の量を増加させ表示の輝度を高めることがで
きる。
【0026】図4(a)は本実施形態の他の例のアクテ
ィブマトリクス基板の平面図を示し、図4(b)は図4
(a)のB−B断面の断面図を示しており、図1に対し
て反射用絵素電極10と透過用絵素電極11の領域を逆
転させており、反射用絵素電極10と透過用絵素電極1
1の面積比は適宜変更してもよい。
【0027】図1のアクティブマトリクス基板と図4の
アクティブマトリクス基板を比べた場合、図1のアクテ
ィブマトリクス基板の方が、駆動素子3の上に反射用絵
素電極10を形成しており、外部からの光が駆動素子3
に入射することを防ぐことができ、また、透過用絵素電
極11が絵素の中央に配設されているため集光用のマイ
クロレンズ19を形成しやすい。
【0028】本発明では、一つの絵素の中に光を反射す
る部分と透過する部分を形成するために、できるだけ開
口率を上げるほうが望まく、本実施形態では、絵素電極
とゲート配線1及びソース配線3との間に有機絶縁膜か
らなる層間絶縁膜9を介在した高開口率溝造を採用した
が、他の構造を用いてもよい。
【0029】(実施形態2)図5(a)は実施形態2の
アクティブマトリクス基板の平面図を示し、図5(b)
は図5(a)のC−C断面の断面図を示す。
【0030】実施形態2のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、傾斜部又は凹凸部を形成した層間絶縁膜9
上に反射用絵素電極10を形成しており、反射用絵素電
極10によって外部からの光が反射される方向に拡がり
が出るため、視野角を広げることができる。
【0031】また層間絶縁膜9は、ゲート配線1やデー
タ配線2上で最も厚く、ドレイン電極4上には形成しな
いように傾斜部又は凹凸部を形成すると、ドレイン電極
4と絵素電極10の電気的接触を取るためのコンタクト
ホールを形成する必要が無く、コンタクトホール部での
急峻な段差のために発生していた液晶分子の配向乱れを
防ぐことができるため、開口率を大きく取れる。
【0032】ドレイン電極4は透過用絵素電極を兼ねて
おり、ITO等からなる透明な電極である。
【0033】また層間絶縁膜9の傾斜部の傾斜角又は凹
凸部の凹凸ピッチは、配向膜を形成した上でラビング処
理が十分行える程度の角度に抑える必要があり、各々の
ラビング条件及び液晶分子に対して最適化な条件を用い
る。
【0034】本実施形態においても透過用絵素電極を兼
ねたドレイン電極4部分にマイクロレンズを設け、バッ
クライト点灯時の輝度を増すことができる。
【0035】(実施形態3)図6(a)は実施形態3の
アクティブマトリクス基板の平面図を示し、図6(b)
は図6(a)のD−D断面の断面図を示す。
【0036】本実施形態において、反射用絵素電極10
はゲート配線1と同じ層に同一工程で形成する。このよ
うにすれば、反射用絵素電極10を形成する工程を別に
設ける必要が無く、工程数及び製造コストを増加させる
ことが無い。
【0037】本実施形態の場合、反射用絵素電極10
は、駆動素子3のドレイン電極4と接続されておらず、
外部からの光を反射することのみに使われており、液晶
を駆動するための電極としての役割は透過用絵素電極1
1が行う。
【0038】即ち、反射用絵素電極10が反射した光の
透過率の制御は、透過用絵素電極11の電圧によって液
晶層を制御して行う。
【0039】この際、反射用絵素電極10に何も信号を
入力していないと、ドレイン電極4若しくは透過用絵素
電極11との間に浮遊容量が発生するため、反射用絵素
電極10には表示に悪影響を与えないような信号を入力
することが望ましく、隣接したゲート配線1と接続する
ことにより、浮遊容量化を防ぎ、ドレイン電極4との間
に補助容量を形成することができる。
【0040】本実施形態においてもマイクロレンズによ
り透過用絵素電極に集光することによりバックライト点
灯時の輝度を増すことができる。
【0041】本発明でも、一つの絵素の中に光を反射す
る部分と透過する部分を形成するためにできるだけ開口
率を上げるほうが望ましい。
【0042】それ故本実施形態の構成としては、有機絶
縁膜を層間絶縁膜に使用した高開口率構造を採用した
が、この他の構造を用いてもよい。
【0043】(実施形態4)図7(a)には実施形態4
のアクティブマトリクス基板の平面図を示し、図7
(b)には図7(a)のE−E断面の断面図を示す。
【0044】本実施形態は反射用絵素電極10をデータ
配線2と同じ層に形成している。
【0045】このようにすれば、データ配線2を形成す
る際に反射用絵素電極10を形成することができ、工程
数及び製造コストを増加させることが無い。
【0046】本実施形態の場合でも層間絶縁膜9を介し
た高開口率構造を採用しているため、実施形態3と同様
に反射用絵素電極10は外部からの光を反射することの
みに使われており、液晶分子を駆動するための電極とし
ての役割は透過用絵素電極11のみが行う。
【0047】ここで本実施形態が実施形態3と異なるの
は、ドレイン電極4と反射用絵素電極が電気的に接続し
た形で形成されている点であり、層間絶縁膜9を形成せ
ずにドレイン電極4を透過用絵素電極として用いる場合
には、反射用絵素電極10も液晶分子の駆動に寄与す
る。
【0048】本実施形態においてもマイクロレンズによ
り透過用絵素電極11に集光することによりバックライ
ト点灯時の輝度を増すことができる。
【0049】本実施形態でも、一つの絵素の中に光を反
射する部分と透過する部分を形成するためにできるだけ
開口率を上げるほうが望ましい。それ故本実施形態の構
成としては、有機絶縁膜を層間絶縁膜に使用した高開口
率構造を採用したが、他の構成を用いてもよい。
【0050】
【発明の効果】本発明によると反射型と透過型の切り替
えが可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置を形成
できる。これにより使用者が使用状況に合わせて透過と
反射を切り替えることにより、どのような使用状況でも
十分な輝度を出しながらも、消費電力の少なく、長時間
使用可能な液晶表示装置を実現できる。
【0051】また、明るいところでは反射型液晶表示装
置として使用し、暗いところではバックライトを点灯し
透過型液晶表示装置として使用できる透過反射切り替え
可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置の形成が可
能となる。また、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを
電気的に接続しているため別々に駆動信号を入力するた
めの配線を設ける必要がなく、アクティブマトリクス基
板の構成を簡略化できる。
【0052】また、駆動素子の上に反射用絵素電極を形
成しており、外部からの光が駆動素子に入射することを
防ぐことができる。また、透過用絵素電極は、バックラ
イトを消灯しているときはパネルの輝度に寄与しない
が、外部からの光を反射する反射用絵素電極はバックラ
イトの点灯、消灯にかかわらずパネルの輝度に寄与する
ため、その面積を大きくすることにより、バックライト
の光が消灯したときや輝度が低いときにも表示の輝度を
安定させることができる。
【0053】また、反射用絵素電極やゲート配線等によ
り遮蔽されるバックライトからの光を透過用絵素電極に
集めることができるため、バックライト自体の輝度を高
めなくても、表示装置の輝度を高めることができる。ま
た、反射用絵素電極によって外部からの光が反射される
方向に拡がりが出るため、視野角を広げることができ
る。
【0054】また、反射用絵素電極を形成する工程を別
に設ける必要が無く、工程数及び製造コストを増加させ
ることが無い。また、反射用絵素電極がゲート配線と電
気的に接続されいるため、浮遊容量化を防ぐことがで
き、ドレイン電極との間に補助容量を形成することがで
きる。
【0055】また、反射用絵素電極に対向電極に印加さ
れる信号と同じ信号が入力されるため、浮遊容量化を防
ぐことができる。また、絵素電極に印加される電圧の補
助容量を反射用絵素電極を利用して形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
【図2】本発明の実施形態1のアクティブマトリクス基
板を示す断面図である。
【図3】本発明のマイクロレンズを備えたアクティブマ
トリクス基板を示す断面図である。
【図4】本発明の実施形態1のアクティブマトリクス基
板の他の例を示す平面図及び断面図である。
【図5】本発明の実施形態2のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
【図6】本発明の実施形態3のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
【図7】本発明の実施形態4のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
【図8】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 ゲート配線 2 データ配線 3 駆動素子 4 ドレイン電極 5 補助容量電極 6 ゲート絶縁膜 7 絶縁性基板 8 コンタクトホール 9 層間絶縁膜 10 反射用絵素電極 11 透過用絵素電極 12 補助容量配線 13 カラーフィルター層 14 対向電極 15 液晶層 16 配向膜 17 偏光板 18 バックライト 19 マイクロレンズ 20 マイクロレンズ保護層

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けら
    れた複数のゲート配線と、該ゲート配線と交差する複数
    のデータ配線と、該ゲート配線と該データ配線との交差
    部に設けられた駆動素子と、該駆動素子に電気的に接続
    された絵素電極とを有するアクティブマトリクス基板
    と、対向電極が形成された対向基板と、前記アクティブ
    マトリクス基板と前記対向基板との間に介在された液晶
    層と、バックライトとを有するアクティブマトリクス型
    液晶表示装置において、 前記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを
    有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  2. 【請求項2】 前記反射用絵素電極と前記透過用絵素電
    極を電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載
    のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記駆動素子の上部に前記反射用絵素電
    極を形成することを特徴とする請求項1に記載のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記反射用絵素電極によって外部の光を
    反射する部分の面積を、前記透過用絵素電極によってバ
    ックライトの光を透過する部分の面積よりも大きくする
    ことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記アクティブマトリクス基板と前記バ
    ックライトの間にマイクロレンズを設けたことを特徴と
    する請求項1に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
    装置。
  6. 【請求項6】 前記ドレイン電極上に傾斜部又は凹凸部
    をもつ層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に前記反
    射用絵素電極が形成されたことを特徴とする請求項1に
    記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  7. 【請求項7】 前記ゲート配線又は前記データ配線と同
    じ層に前記反射用絵素電極を形成することを特徴とする
    請求項1に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  8. 【請求項8】 前記ゲート配線と同じ層に形成された前
    記反射用絵素電極と隣接した絵素のゲート配線を電気的
    に接続することを特徴とする請求項7に記載のアクティ
    ブマトリクス型液晶表示装置。
  9. 【請求項9】 前記ゲート配線と同じ層に形成された前
    記反射用絵素電極に前記対向電極に印加される信号と同
    じ信号を入力することを特徴とする請求項7に記載のア
    クティブマトリクス型液晶表示装置。
  10. 【請求項10】 前記ゲート配線と同じ層に形成された
    前記反射用絵素電極とドレイン電極又は透過用絵素電極
    を重畳して補助容量を形成することを特徴とする請求項
    7乃至請求項9に記載のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
JP27432797A 1997-07-28 1997-10-07 アクティブマトリクス型液晶表示装置 Expired - Fee Related JP3281849B2 (ja)

Priority Applications (14)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27432797A JP3281849B2 (ja) 1997-10-07 1997-10-07 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US09/122,756 US6195140B1 (en) 1997-07-28 1998-07-27 Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
TW087112317A TW509809B (en) 1997-07-28 1998-07-28 Liquid crystal display device
TW93111338A TWI240130B (en) 1997-07-28 1998-07-28 Liquid crystal display device
KR1019980030361A KR100321943B1 (ko) 1997-07-28 1998-07-28 액정표시장치
CNB031309267A CN1288478C (zh) 1997-07-28 1998-07-28 液晶显示器件
CNB98116868XA CN1148603C (zh) 1997-07-28 1998-07-28 液晶显示器件及其制造方法
TW90118174A TWI240098B (en) 1997-07-28 1998-07-28 Liquid crystal display device
US09/523,658 US6330047B1 (en) 1997-07-28 2000-03-10 Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR1020000070944A KR100332519B1 (ko) 1997-07-28 2000-11-27 액정 표시 장치
US09/739,697 US6452654B2 (en) 1997-07-28 2000-12-20 Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
KR1020010053724A KR100389520B1 (ko) 1997-07-28 2001-09-01 액정 표시 장치
KR10-2002-0056787A KR100451065B1 (ko) 1997-07-28 2002-09-18 액정 표시 장치
KR1020030089930A KR100430873B1 (ko) 1997-07-28 2003-12-11 액정 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27432797A JP3281849B2 (ja) 1997-10-07 1997-10-07 アクティブマトリクス型液晶表示装置

Related Child Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001399153A Division JP2002258300A (ja) 2001-12-28 2001-12-28 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2001399154A Division JP2002258301A (ja) 2001-12-28 2001-12-28 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2001399158A Division JP2002277895A (ja) 2001-12-28 2001-12-28 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2001399156A Division JP2002303874A (ja) 2001-12-28 2001-12-28 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2001399157A Division JP2002303875A (ja) 2001-12-28 2001-12-28 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2001399155A Division JP3490995B2 (ja) 2001-12-28 2001-12-28 アクティブマトリクス型液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11109417A true JPH11109417A (ja) 1999-04-23
JP3281849B2 JP3281849B2 (ja) 2002-05-13

Family

ID=17540119

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27432797A Expired - Fee Related JP3281849B2 (ja) 1997-07-28 1997-10-07 アクティブマトリクス型液晶表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3281849B2 (ja)

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11242226A (ja) * 1997-12-26 1999-09-07 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2000338482A (ja) * 1999-05-25 2000-12-08 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JP2002258320A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Nec Corp 液晶表示装置
JP2002372713A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2003057639A (ja) * 2001-08-22 2003-02-26 Nec Corp 液晶表示装置
KR100392602B1 (ko) * 2000-12-29 2003-07-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
JP2004070355A (ja) * 2002-07-31 2004-03-04 Lg Phillips Lcd Co Ltd 反射透過型液晶表示装置及びその製造方法
US6710825B2 (en) * 2000-08-11 2004-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha LCD including pixel electrode with multiple sub-electrode portions
US6710827B2 (en) * 2000-03-31 2004-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having sub-pixel electrodes and defect correction method therefor
US6771334B2 (en) 2000-09-27 2004-08-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device
JP2004329687A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Hitachi Displays Ltd 表示装置および遊技機
JP2004537754A (ja) * 2001-08-01 2004-12-16 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法
JP2005070736A (ja) * 2003-02-28 2005-03-17 Lg Phillips Lcd Co Ltd Cot構造の半透過型の液晶表示装置
US6909481B2 (en) 2000-11-07 2005-06-21 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic appliance
WO2005093500A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha 表示パネルおよびその製造方法
KR100538296B1 (ko) * 1998-12-16 2006-02-28 삼성전자주식회사 반사형과 투과형을 동시에 적용한 액정 표시 장치
EP1632794A2 (en) 2004-07-09 2006-03-08 JSR Corporation Radiation sensitive resin composition for forming microlens
US7064799B2 (en) 2002-07-10 2006-06-20 Nec Lcd Technologies, Ltd. Semi-transmissive-type liquid crystal display device and method for manufacturing same
US7088404B2 (en) 2002-12-12 2006-08-08 Seiko Epson Corporation Substrate for electro-optical device having particular concave portions and convex portions and flat section on the surface of a base layer
KR100613438B1 (ko) * 1999-11-17 2006-08-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치 및 그의 제조방법
JP2006292940A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Sony Corp 液晶表示装置
US7142770B2 (en) 2001-09-20 2006-11-28 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and production method therefor
KR100682745B1 (ko) * 2000-07-27 2007-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 액정표시장치
CN1310074C (zh) * 2002-06-17 2007-04-11 索尼公司 液晶显示器
US7215395B2 (en) * 2000-08-11 2007-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP2007133371A (ja) * 2005-10-14 2007-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2007183663A (ja) * 2007-02-23 2007-07-19 Kyocera Corp 液晶表示装置
JP2007193012A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Hitachi Chem Co Ltd 部分透過形液晶表示装置及び携帯電話機器と携帯情報端末機器並びに拡散反射層の開口部形成方法
US7374799B2 (en) 2003-12-25 2008-05-20 Jsr Corporation Radiation sensitive composition, microlens, process for forming microlens and use of the microlens
US7470571B2 (en) 2004-07-27 2008-12-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film transistor array substrate and method of producing the same
US7515227B2 (en) 2004-02-24 2009-04-07 Seiko Epson Corporation Transflective liquid crystal device comprising pixels along an edge of the display region having smaller transmitting portions
KR100928368B1 (ko) 2002-04-16 2009-11-23 소니 가부시끼 가이샤 액정 디스플레이 장치
JP2009300693A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Sony Corp 液晶表示装置
KR100978949B1 (ko) 2003-12-05 2010-08-31 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 액정표시장치
JP2010207605A (ja) * 2010-05-24 2010-09-24 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US8149346B2 (en) 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8405091B2 (en) 2007-02-13 2013-03-26 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method of manufacturing the same

Cited By (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11242226A (ja) * 1997-12-26 1999-09-07 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100538296B1 (ko) * 1998-12-16 2006-02-28 삼성전자주식회사 반사형과 투과형을 동시에 적용한 액정 표시 장치
JP2000338482A (ja) * 1999-05-25 2000-12-08 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
KR100613438B1 (ko) * 1999-11-17 2006-08-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치 및 그의 제조방법
US7538839B2 (en) 1999-12-03 2009-05-26 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic appliance
US6710827B2 (en) * 2000-03-31 2004-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having sub-pixel electrodes and defect correction method therefor
KR100682745B1 (ko) * 2000-07-27 2007-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 액정표시장치
US7215395B2 (en) * 2000-08-11 2007-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US6710825B2 (en) * 2000-08-11 2004-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha LCD including pixel electrode with multiple sub-electrode portions
US6950160B2 (en) 2000-08-11 2005-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with domains formed over solid and open portions of an electrode
US6836306B2 (en) 2000-09-27 2004-12-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device
US6771334B2 (en) 2000-09-27 2004-08-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device
US7583338B2 (en) 2000-11-07 2009-09-01 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic appliance
US6909481B2 (en) 2000-11-07 2005-06-21 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic appliance
US7352420B2 (en) 2000-11-07 2008-04-01 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic appliance
KR100392602B1 (ko) * 2000-12-29 2003-07-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
US7136116B2 (en) 2001-02-28 2006-11-14 Nec Corporation Liquid crystal display with control electrodes for preventing lateral leak of electric field
JP2002258320A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Nec Corp 液晶表示装置
JP2002372713A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2010009068A (ja) * 2001-08-01 2010-01-14 Samsung Electronics Co Ltd 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法
JP2004537754A (ja) * 2001-08-01 2004-12-16 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法
KR100776756B1 (ko) * 2001-08-01 2007-11-19 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
JP4761707B2 (ja) * 2001-08-01 2011-08-31 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法
JP4689900B2 (ja) * 2001-08-22 2011-05-25 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP2003057639A (ja) * 2001-08-22 2003-02-26 Nec Corp 液晶表示装置
US7142770B2 (en) 2001-09-20 2006-11-28 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and production method therefor
KR100928368B1 (ko) 2002-04-16 2009-11-23 소니 가부시끼 가이샤 액정 디스플레이 장치
CN1310074C (zh) * 2002-06-17 2007-04-11 索尼公司 液晶显示器
US8089589B2 (en) 2002-07-10 2012-01-03 Nlt Technologies, Ltd. Semi-transmissive-type liquid crystal display device and method for manufacturing same
US8289483B2 (en) 2002-07-10 2012-10-16 Nlt Technologies, Ltd. Semi-transmissive-type liquid crystal display device and method for manufacturing same
KR100842491B1 (ko) * 2002-07-10 2008-07-01 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 반 투과형 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US7064799B2 (en) 2002-07-10 2006-06-20 Nec Lcd Technologies, Ltd. Semi-transmissive-type liquid crystal display device and method for manufacturing same
US8330910B2 (en) 2002-07-31 2012-12-11 Lg Display Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2004070355A (ja) * 2002-07-31 2004-03-04 Lg Phillips Lcd Co Ltd 反射透過型液晶表示装置及びその製造方法
US7453537B2 (en) 2002-07-31 2008-11-18 Lg Display Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8115894B2 (en) 2002-07-31 2012-02-14 Lg Display Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US7088404B2 (en) 2002-12-12 2006-08-08 Seiko Epson Corporation Substrate for electro-optical device having particular concave portions and convex portions and flat section on the surface of a base layer
JP2005070736A (ja) * 2003-02-28 2005-03-17 Lg Phillips Lcd Co Ltd Cot構造の半透過型の液晶表示装置
US7495728B2 (en) 2003-02-28 2009-02-24 Lg Display Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device having color filter-on-thin film transistor (COT) structure and method of fabricating the same
JP2004329687A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Hitachi Displays Ltd 表示装置および遊技機
KR100978949B1 (ko) 2003-12-05 2010-08-31 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 액정표시장치
US7374799B2 (en) 2003-12-25 2008-05-20 Jsr Corporation Radiation sensitive composition, microlens, process for forming microlens and use of the microlens
US7515227B2 (en) 2004-02-24 2009-04-07 Seiko Epson Corporation Transflective liquid crystal device comprising pixels along an edge of the display region having smaller transmitting portions
WO2005093500A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha 表示パネルおよびその製造方法
EP1632794A2 (en) 2004-07-09 2006-03-08 JSR Corporation Radiation sensitive resin composition for forming microlens
US7470571B2 (en) 2004-07-27 2008-12-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film transistor array substrate and method of producing the same
JP2006292940A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Sony Corp 液晶表示装置
US9773818B2 (en) 2005-10-14 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having transparent conductive film and metal film
US10847547B2 (en) 2005-10-14 2020-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having transparent conductive film and metal film
US11296124B2 (en) 2005-10-14 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8576347B2 (en) 2005-10-14 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US11901370B2 (en) 2005-10-14 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8149346B2 (en) 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2007133371A (ja) * 2005-10-14 2007-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
US8885114B2 (en) 2005-10-14 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2007193012A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Hitachi Chem Co Ltd 部分透過形液晶表示装置及び携帯電話機器と携帯情報端末機器並びに拡散反射層の開口部形成方法
US8405091B2 (en) 2007-02-13 2013-03-26 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method of manufacturing the same
JP4658979B2 (ja) * 2007-02-23 2011-03-23 京セラ株式会社 液晶表示装置
JP2007183663A (ja) * 2007-02-23 2007-07-19 Kyocera Corp 液晶表示装置
JP2009300693A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Sony Corp 液晶表示装置
JP2010207605A (ja) * 2010-05-24 2010-09-24 Hitachi Displays Ltd 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3281849B2 (ja) 2002-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3281849B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
US6195140B1 (en) Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JP3270821B2 (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
KR100533802B1 (ko) 액정 패널용 기판, 액정 패널 및 이것을 사용한 전자기기및 액정 패널용 기판의 제조 방법
KR100312327B1 (ko) 반사투과형 액정 표시장치
JPH11316382A (ja) 液晶表示パネル及びその製造方法
KR20010060808A (ko) 반사투과형 액정 표시장치
US20030001994A1 (en) Transflective electro-optical device and electronic apparatus
US20120319124A1 (en) Thin film transistor substrate and liquid crystal display device having the same
US7876408B2 (en) Transflective type diode substrate and method having respective masks forming scan line and insulating pattern, organic pattern with hole exposing insulating pattern, and pixel electrode covering hole and reflection electrode overlapping organic pattern
KR100553286B1 (ko) 액티브 매트릭스 기판, 반사 투과형 액정 표시 패널, 및반사 투과형 액정 표시 장치
JP2000258802A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
KR100656696B1 (ko) 반사투과형 액정 표시장치
JP2000122094A (ja) 反射型液晶表示装置
JP3478528B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP3490995B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2002277895A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2002258300A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3662013B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3641630B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2002258301A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2002303874A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2002303875A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2003131246A (ja) 液晶表示パネル
JP3818984B2 (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080222

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees