TWI664739B - 顯示裝置和其製造方法 - Google Patents

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木村肇
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

本發明的目的在於如下：當在像素電極上形成金屬膜並為疊層結構時，使用一個抗蝕劑掩模形成像素電極及金屬膜。本發明的技術方案在於如下：疊層當成像素電極的導電膜和金屬膜；使用具有半透光部分的曝光掩模在金屬膜上形成具有膜厚度厚的區域和膜厚度比該區域薄的區域的抗蝕劑圖案；以及使用抗蝕劑圖案形成像素電極和接觸於該像素電極的一部分的金屬膜。根據以上所述，可以使用一個抗蝕劑掩模形成像素電極及金屬膜。

Description

顯示裝置和其製造方法
本發明係關於具有像素電極的半導體裝置，特別係關於顯示裝置。
當製造主動矩陣型顯示裝置時，一般情況，形成與薄膜電晶體(TFT)的半導體膜連接的佈線，在該佈線上形成當成像素電極的導電膜。因此，需要用於形成佈線的抗蝕劑掩模和用於形成像素電極的抗蝕劑掩模。
此外，其他示例如下：形成與TFT的半導體膜連接的導電膜，並使該導電膜當成像素電極，在該導電膜上形成金屬膜(例如專利文獻1)。與上述示例不同的是，可採用透明導電膜作為導電膜，透明導電膜與半導體膜直接連接。由於有很多情況下，透明導電膜的材料的電阻高，所以為了補償透明導電膜的電阻大，在透明導電膜上形成金屬膜。
在使透明導電膜與半導體膜直接連接的專利文獻1中，也必須要用於蝕刻透明導電膜而形成像素電極的抗蝕劑掩模和用於蝕刻金屬膜的抗蝕劑掩模。
[專利文獻1]日本特開平6-230425號公報
在習知的主動矩陣型顯示裝置中，當形成疊層佈線時，對於每個層分別需要抗蝕劑掩模。特別是，當形成像素電極時，疊層結構的情況很多，至少需要用於形成像素電極的抗蝕劑掩模和用於蝕刻疊層於像素電極的膜的抗蝕劑掩模，因此需要很多製造步驟。因此，半導體裝置如顯示裝置的製造成本不會降低。
由此，本發明的目的在於藉由使用一個抗蝕劑掩模形成像素電極和疊層於像素電極的膜，以縮短製造處理。
本發明的特徵之一是一種顯示裝置，包括：在基板上的薄膜電晶體；與薄膜電晶體電連接的像素電極；以及在像素電極上接觸的金屬膜，其中金屬膜覆蓋像素電極具有的位準差異部份並與像素電極接觸。
根據該結構，可以防止像素電極在位準差異部份中破裂。破裂指如下狀態：在具有位準差異部份的面上形成膜導致膜在位準差異部份產生裂縫；在位準差異部份中，膜的覆蓋性不好，即一部分沒有形成膜。
本發明的特徵之一是一種顯示裝置，包括：在基板上的薄膜電晶體；與薄膜電晶體電連接的像素電極；以及在 像素電極上接觸的金屬膜，其中金屬膜的平面面積比像素電極小，並且金屬膜的側面配置為沿著該像素電極的側面，金屬膜的側面位置在該像素電極的側面的內側。
根據該結構，可以使用金屬膜作為遮光膜的一部分，從而可以容易進行遮光膜的對準。
本發明的特徵之一是一種顯示裝置，包括：在基板上的薄膜電晶體；與薄膜電晶體電連接的像素電極；在像素電極上的一部分接觸的金屬膜；形成在像素電極及該金屬膜上且使該像素電極的一部分露出的間隔壁；與間隔壁及該像素電極接觸地形成的場致發光層；以及在場致發光層上的電極，其中金屬膜的至少一個側面傾斜且被間隔壁覆蓋。
根據該結構，在電場發光顯示裝置中，可以防止發光元件的短路。
使用一個抗蝕劑圖案可以形成像素電極和與像素電極的一部分接觸的金屬膜。由於使用一個抗蝕劑圖案形成像素電極和金屬膜這兩個圖案，可以縮短製造處理，以實現低成本的顯示裝置。
根據本發明，與現有技術相比，可以減少製造處理，並可以降低半導體裝置的製造成本。此外，由於在像素電極上接觸地形成金屬膜，可以防止像素電極在位準差異部份產生破裂。因此，可以提供廉價、顯示問題少、且可靠 性高的顯示裝置。
1‧‧‧基板
2‧‧‧絕緣膜
3，3a，3b‧‧‧島狀半導體膜
4‧‧‧閘極絕緣膜
5，5a，5b‧‧‧閘極電極
6‧‧‧第一中間層絕緣膜
7‧‧‧第二中間層絕緣膜
8‧‧‧通道形成區域
9‧‧‧雜質區域
10‧‧‧透明導電膜
11‧‧‧金屬膜
12a，12b‧‧‧遮光部份
13‧‧‧半透光部份
19‧‧‧半透光膜
20‧‧‧金屬膜
14a‧‧‧非曝光區域
14b‧‧‧曝光區域
15a，15b‧‧‧抗蝕刻圖案
16a，16b‧‧‧抗蝕刻圖案
17a‧‧‧透明導電膜
17b‧‧‧金屬膜
18a‧‧‧透明導電膜
18b‧‧‧金屬膜
18c‧‧‧金屬膜
17c‧‧‧金屬膜
17d‧‧‧金屬膜
18d‧‧‧金屬膜
92a‧‧‧鋁膜
91a，93a‧‧‧Ti膜
21‧‧‧電容佈線
94，95‧‧‧導電膜
96，97‧‧‧金屬膜
401‧‧‧基板
402‧‧‧絕緣膜
403‧‧‧閘極電極
404‧‧‧閘極絕緣膜
405‧‧‧島狀半導體膜
406‧‧‧導電層
407‧‧‧透明導電膜
408‧‧‧金屬膜
409a，409b‧‧‧遮光部份
410‧‧‧半透光部份
411‧‧‧非曝光區域
412‧‧‧曝光區域
413a，414a‧‧‧抗蝕刻圖案
422‧‧‧顯影區域
423‧‧‧顯影區域
415‧‧‧透明導電膜
416‧‧‧金屬膜
419‧‧‧透明導電膜
420‧‧‧金屬膜
413b，414b‧‧‧抗蝕刻圖案
424‧‧‧金屬膜
421‧‧‧金屬膜
417‧‧‧導電層
418‧‧‧導電層
425‧‧‧金屬膜
426‧‧‧金屬膜
430‧‧‧電容佈線
422‧‧‧區域
423‧‧‧區域
601‧‧‧通道保護膜
602‧‧‧雜質區域
603‧‧‧通道形成區域
604‧‧‧中間層絕緣膜
301‧‧‧狹縫部份
302‧‧‧狹縫部份
303‧‧‧遮光部份
304‧‧‧半透光膜
305‧‧‧透光部份
140‧‧‧開關TFT
141‧‧‧驅動TFT
123‧‧‧透明導電膜
124‧‧‧金屬膜
121‧‧‧透明導電膜
122‧‧‧金屬膜
125‧‧‧透明導電膜
126‧‧‧金屬膜
127‧‧‧透明導電膜
128‧‧‧金屬膜
129‧‧‧絕緣膜
131‧‧‧導電層
130‧‧‧場致發光層
1101‧‧‧開關TFT
1102‧‧‧驅動TFT
1103a-1103d‧‧‧佈線或電極
1104‧‧‧第三中間層絕緣膜
1105‧‧‧透明導電膜
1106‧‧‧金屬膜
805‧‧‧基板
802‧‧‧濾色器
807‧‧‧遮光膜
803‧‧‧相對電極
804‧‧‧對準膜
806‧‧‧液晶
808‧‧‧電容佈線
501‧‧‧源極佈線
502‧‧‧汲極佈線
504‧‧‧透明導電膜
503‧‧‧中間層絕緣膜
505‧‧‧金屬膜
1001‧‧‧TFT
1002‧‧‧透明導電膜
1003‧‧‧金屬膜
1004‧‧‧相對基板
1005‧‧‧相對電極
1006‧‧‧液晶
1007‧‧‧對準膜
1201‧‧‧TFT
1202‧‧‧透明導電膜
1203‧‧‧金屬膜
1204‧‧‧相對基板
1205‧‧‧相對電極
1206‧‧‧液晶
1207‧‧‧對準膜
1501‧‧‧金屬膜
1502‧‧‧透明導電膜
1503‧‧‧TFT
2101‧‧‧主體
2102‧‧‧顯示部份
2104‧‧‧操作鍵
2106‧‧‧快門
2201‧‧‧主體
2202‧‧‧框體
2203‧‧‧顯示部份
2204‧‧‧鍵盤
2205‧‧‧外部連接埠
2206‧‧‧指向滑鼠
2401‧‧‧主體
2402‧‧‧框體
2403‧‧‧顯示部份A
2404‧‧‧顯示部份B
2405‧‧‧記錄媒體讀取部份
2406‧‧‧操作鍵
2407‧‧‧揚聲器部份
1901‧‧‧框體
1902‧‧‧支撐體
1903‧‧‧顯示部份
1904‧‧‧揚聲器
1905‧‧‧視頻輸入端子
900‧‧‧行動電話
901‧‧‧主體(A)
902‧‧‧主體(B)
903‧‧‧框體
904‧‧‧操作開關
905‧‧‧微音器
906‧‧‧揚聲器
907‧‧‧電路板
908‧‧‧顯示面板(A)
909‧‧‧顯示面板(B)
910‧‧‧鉸鏈
圖1A至1C是表示半導體裝置的製造方法的剖面圖(實施例模式1)；圖2A至2C是表示半導體裝置的製造方法的剖面圖(實施例模式1)；圖3是表示半導體裝置的俯視圖(實施例模式1)；圖4A和4B是表示半導體裝置的製造方法的剖面圖(實施例模式1)；圖5A至5C是表示半導體裝置的製造方法的剖面圖(實施例模式2)；圖6A至6C是表示半導體裝置的製造方法的剖面圖(實施例模式2)；圖7是表示半導體裝置的俯視圖(實施例模式2)；圖8是表示半導體裝置的製造方法的剖面圖(實施例模式2)；圖9A至9D是表示半導體裝置的製造方法的剖面圖(實施例模式2)；圖10是表示半導體裝置的剖面圖(實施例模式2)；圖11A至11D是表示曝光掩模的俯視圖及光強度分佈的圖(實施例模式3)；圖12A和12B是表示EL顯示裝置的俯視圖及剖面圖 (實施例模式4)；圖13A和13B是表示EL顯示裝置的俯視圖及剖面圖(實施例模式4)；圖14A和14B是表示液晶顯示裝置的俯視圖及剖面圖(實施例模式5)；圖15A和15B是表示液晶顯示裝置的俯視圖及剖面圖(實施例模式5)；圖16A和16B是表示液晶顯示裝置的俯視圖及剖面圖(實施例模式5)；圖17A和17B是表示液晶顯示裝置的俯視圖及剖面圖(實施例模式5)；圖18是表示液晶顯示裝置的俯視圖(實施例模式5)；圖19是表示半導體裝置的剖面圖(實施例模式1)；圖20A至20D是表示電子器具的圖(實施例模式6)；和圖21是表示行動電話的圖(實施例模式6)。
以下說明本發明的實施例模式。注意，本發明可以在可以實施的範圍內藉由多種不同的方式來實施。所屬領域的普通人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式，而不脫離本發明的宗 旨及其範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在本實施例模式所記載的內容中。此外，下面將說明的實施例模式可以適當地組合。
實施例模式1
在本實施例模式中，參照圖1A至1C說明在基板1上形成頂部閘極型的TFT的方法。基板1是具有透光性的基板，例如石英基板、玻璃基板或塑膠基板。另外，基板1也可以是遮光性的基板、半導體基板、SOI(矽絕緣體)基板。
在基板1上形成絕緣膜2作為底膜。作為絕緣膜2，使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOxNy)等絕緣膜的單層或由這些膜的至少兩個膜構成的疊層。接著，在絕緣膜2上形成島狀半導體膜3。
在藉由濺射法、LPCVD法、或電漿CVD法等在絕緣膜2的整個表面上形成半導體膜之後，使用藉由光微影法等形成的掩模處理半導體膜的形狀，而形成島狀半導體膜3。當使用結晶半導體膜形成島狀半導體膜3時，包括如下方法：在基板1上直接形成結晶半導體膜的方法；以及在基板1上形成非晶半導體膜，然後進行加熱處理使非晶半導體膜晶化而形成結晶半導體膜的方法。在後者的方法中，作為晶化時的加熱處理，使用加熱爐、雷射照射、或者以從燈發射的光的照射(以下稱作燈退火)代替雷射，或者組合這些而使用。
此外，也可以藉由在將鎳等添加到非晶半導體膜之後進行上述加熱處理的熱晶化法來形成結晶半導體膜。另外，當藉由利用鎳的熱晶化法進行晶化來獲得結晶半導體膜時，較佳的在晶化後執行吸除處理以去除鎳。
在採用雷射照射進行晶化來製作結晶半導體膜的情況下，可以使用連續波(CW)型雷射光束或者脈衝振蕩型雷射光束(脈衝雷射光束)。此處，作為雷射光束可以採用由如下的一種或多種雷射器振蕩的雷射光束，即氣體雷射器諸如Ar雷射器、Kr雷射器、受激準分子雷射器等；將在單晶的YAG、YVO4、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YAlO3、GdVO4、或者多晶(陶瓷)的YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料當成介質的雷射器；玻璃雷射器；紅寶石雷射器；變石雷射器；Ti：藍寶石雷射器；銅蒸氣雷射器；或金蒸氣雷射器。藉由照射這種雷射光束的基波或者基波的第二次到第四次高次諧波，可以獲得大粒度尺寸的結晶。例如，可以採用Nd：YVO4雷射器(基波：1064nm)的第二次高次諧波(532nm)或第三次高次諧波(355nm)。該雷射光束既可以CW發射，又可以脈衝振蕩發射。當以CW發射時，需要大約0.01至100MW/cm2(較佳為0.1至10MW/cm2)的雷射能量密度。而且，以大約10至2000cm/sec左右的掃描速度來照射雷射。
另外，將在單晶的YAG、YVO4、鎂橄欖石 (Mg2SiO4)、YAlO3、GdVO4、或多晶(陶瓷)的YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料當成介質的雷射器、Ar離子雷射器、或Ti：藍寶石雷射器可以使雷射光束進行連續振蕩，而且，藉由Q開關動作或模式同步等可以以10MHz或更高的振蕩頻率使雷射光束進行脈衝振蕩。當使用10MHz或更高的振蕩頻率來使雷射光束振蕩時，在用雷射光束熔化半導體膜之後並在凝固半導體膜之前向半導體膜發射下一個脈衝。因此，由於固相和液相之間的介面可以在半導體膜中連續地移動，這不同於使用振蕩頻率低的脈衝雷射的情況，可以獲得沿掃描方向連續生長的晶粒。
藉由使用陶瓷(多晶體)作為介質，可以以短時間和低成本形成任何形狀的介質。當採用單晶體時，通常使用直徑為幾mm、長度為幾十mm的圓柱形的介質，但是，當採用陶瓷時可以形成更大的介質。
由於在直接有助於發光的介質中的Nd、Yb等摻雜物的濃度，在單晶體中和在多晶體中均不能被大幅度地更改，因此，藉由增加濃度而提高雷射輸出就有一定的界限。然而，在用陶瓷的情況下，因為與單晶體相比，可以顯著增大介質的尺寸，所以可以實現大幅度地提高輸出。
而且，在用陶瓷的情況下，可以容易地形成平行六面體形狀或長方體形狀的介質。藉由使用這樣形狀的介質使振蕩光在介質內部以之字型前進，可以增加振蕩光路的距 離。因此，振幅變大，使以大輸出進行振蕩成為可能。另外，由於從這樣形狀的介質發射的雷射光束在發射時的剖面形狀是矩形形狀，所以與圓形狀的雷射光束相比有利於將其整形為線狀雷射光束。藉由利用光學系統整形這樣被發射的雷射光束，可以容易地獲取短邊長度為1mm或更短、長邊長度為幾mm到幾m的線狀雷射光束。此外，藉由將激發光均勻地照射在介質上，線狀雷射光束沿著長邊方向具有均勻能量分佈。
藉由將上述線狀雷射光束照射在半導體膜上，可以對於整個半導體膜表面更均勻地進行退火。當需要對直到線狀雷射光束的兩端進行均勻地退火時，需要採用在雷射光束的兩端佈置狹縫以對能量的衰減部分進行遮光等的方法。
當使用根據上述技術而得到的具有均勻強度的線狀雷射光束對於半導體膜進行退火，並使用該半導體膜製造電子器具時，該電子器具的特性良好且均勻。
接下來，如果有必要，將少量的雜質元素(硼或磷)摻雜到半導體膜中，以便控制TFT的臨界值。在此採用離子摻雜方法，在該方法中，激發成電漿，並使之沒有質量分離。
島狀半導體膜3形成為25至80nm的厚度(較佳為30至70nm)。半導體膜的材料沒有特別的限定，但是較佳的是，使用矽或矽鍺(SiGe)合金等形成。
然後，形成閘極絕緣膜4使其覆蓋島狀半導體膜3。 作為閘極絕緣膜4，可以使用熱氧化膜、氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等的單層或疊層結構。與島狀半導體膜3接觸的閘極絕緣膜4較佳為氧化矽膜。這是因為，當將氧化矽膜用於閘極絕緣膜4時，在與島狀半導體膜的介面中陷捕位準變低。此外，當使用Mo形成閘極電極時，與閘極電極接觸的閘極絕緣膜較佳為氮化矽膜。這是因為氮化矽膜不使Mo氧化。
在此，藉由電漿CVD法形成厚度為115nm的氧氮化矽膜(組成比為Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)作為閘極絕緣膜4。
接下來，在閘極絕緣膜4上形成導電層，使用藉由光微影法等形成的掩模處理該導電層的形狀來形成閘極電極5。作為閘極電極的材料，有Mo、Ti、W、Al、Nd、Cr、以及這些元素的合金等。或者，也可以藉由疊層這些元素，或者疊層這些元素的合金來構成閘極電極5。在此，使用Mo形成閘極電極。接著，以閘極電極5或抗蝕劑為掩模，將雜質元素摻雜到島狀半導體膜3，來形成通道形成區域8和將成為源極區域及汲極區域的雜質區域9。
然後，使用氮化矽形成第一中間層絕緣膜6。並且，進行添加到島狀半導體膜3的雜質元素的活化及氫化。另外，也可以不形成第一中間層絕緣膜6。
接下來，使用具有透光性的無機材料(氧化矽、氮化矽、氧氮化矽等)或介電常數低的有機化合物材料(光敏性或非光敏性的有機樹脂材料)來形成第二中間層絕緣膜 7。此外，也可以使用具有矽氧烷的材料來形成第二中間層絕緣膜。注意，矽氧烷是由矽(Si)-氧(O)鍵形成其骨架結構的材料。使用至少包含氫的有機基(諸如烷基或芳烴)作為取代基。氟基也可以當成取代基。或者，至少包含氫的有機基和氟基可以當成取代基。第二中間層絕緣膜7也可以為疊層結構。
接下來，使用光掩模形成由抗蝕劑構成的掩模，使用該掩模選擇性地蝕刻第一中間層絕緣膜6、第二中間層絕緣膜7、以及閘極絕緣膜4來形成接觸孔。然後，除去由抗蝕劑構成的掩模。
然後，使用濺射法或印刷法在第二中間層絕緣膜7上形成導電膜。導電膜既可為透明導電膜，又可具有反射性。在為透明導電膜的情況下，例如可以使用將氧化錫混合到氧化銦來製作的銦錫氧化物(ITO)膜、將氧化矽混合到銦錫氧化物(ITO)來製作的銦錫矽氧化物(ITSO)膜、將氧化鋅混合到氧化銦來製作的銦鋅氧化物(IZO)膜、氧化鋅膜、或氧化錫膜。注意，IZO指的是使用將2至20wt%的氧化鋅(ZnO)混合到ITO製作的靶藉由濺射法形成的透明導電材料。
在第二中間層絕緣膜7上形成透明導電膜10，接著在透明導電膜10上疊層金屬膜11。透明導電膜10和金屬膜11可以藉由濺射法連續地形成。
在透明導電膜的材料中，電阻高的材料很多，因此，金屬膜11較佳為其電阻比透明導電膜低的材料。例如可 以使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al等。此外，也可以為疊層Ti、Mo、Ta、Cr、W中任何一個和Al而構成的兩層結構；Ti、Mo、Ta、Cr、W等金屬夾Al而構成的三疊層層結構。接著，在金屬膜11的整個表面上塗敷抗蝕劑膜，然後使用圖1A所示的曝光掩膜進行曝光。
在使用ITO膜作為透明導電膜的情況下，必須要對於ITO膜進行熱處理並晶化的處理。此時，較佳為使用濺射法形成ITO膜，進行烘燒，然後形成金屬膜11。當使用ITSO膜時，由於不需要晶化的處理，所以處理步驟數量較少。
在圖1A中，曝光掩模包括曝光光被遮光的遮光部分12a、12b和透過曝光光的一部分的半透光部分13。半透光部分13設置有半透光膜19，由此降低曝光的光強度。遮光部分12a、12b藉由在半透光膜19上疊層有金屬膜20構成。遮光部分12b的寬度表示為t1，而半透光部分13的寬度表示為t2。在此顯示使用半透光膜作為半透光部分的示例，但是不局限於此，半透光部分只要是降低曝光的光強度即可。此外，也可以將衍射光柵圖案用於半透光部分。
藉由使用圖1A所示的曝光掩模來進行抗蝕劑膜的曝光，非曝光區域14a和曝光區域14b形成在抗蝕劑膜中。當進行曝光時，光既反射遮光部分12a、12b又透過半透光部分13，由此形成圖1A所示的曝光區域14b。
然後，藉由進行顯影來除去曝光區域14b，如圖1B 所示，大致分類包括兩個膜厚度的抗蝕劑圖案15a和包括幾乎均勻膜厚度的抗蝕劑圖案16a形成在金屬膜11上。抗蝕劑圖案15a具有膜厚度厚的區域和膜厚度比該區域薄的區域，在膜厚度薄的區域中，藉由調整曝光能或半透光膜19的透過率，可以調整膜厚度。抗蝕劑圖案15a為左右不對稱，而抗蝕劑圖案16a為左右對稱。
接下來，藉由乾蝕刻進行金屬膜11及透明導電膜10的蝕刻。藉由使用高密度電漿源如ECR(電子迴旋共振)或ICP(感應耦合電漿)等的乾蝕刻裝置進行乾蝕刻。
注意，在此顯示使用ICP型蝕刻裝置的示例，但不局限於此。例如，可以使用平行板式蝕刻裝置、磁控管型蝕刻裝置、ECR型蝕刻裝置、螺旋型蝕刻裝置。
也可以使用濕蝕刻進行金屬膜11及透明導電膜10的蝕刻。另外，由於乾蝕刻適合於微細處理，所以較佳的進行乾蝕刻。此外，由於金屬膜11及透明導電膜10的材料和第二中間層絕緣膜7的材料不同，即使進行乾蝕刻，第二中間層絕緣膜7可以獲得比金屬膜11及透明導電膜10高的蝕刻選擇比。為了進一步提高蝕刻選擇比，也可以使用氮化矽膜形成第二中間層絕緣膜7的至少最上層。
像這樣，如圖1C所示，由透明導電膜17a和金屬膜17b的疊層構成的圖案以及由透明導電膜18a和金屬膜18b的疊層構成的圖案形成在第二中間層絕緣膜7上。
接下來，使抗蝕劑圖案15a、16a灰化或蝕刻(圖2A)。藉由該處理，在抗蝕劑圖案15a的膜厚度薄的區域 被蝕刻的同時，抗蝕劑圖案15a、16a的膜厚度整體也變薄與該膜厚度薄的區域的膜厚度相同厚度。這樣，形成抗蝕劑圖案15b、16b。由於抗蝕劑圖案15a、16a除了在膜厚度方向以外，還在寬度方向被蝕刻，所以抗蝕劑圖案15b、16b的寬度比金屬膜17b及18b、透明導電膜17a及18a的寬度小。因此，抗蝕劑圖案15b、16b的側面與在其下層的金屬膜及透明導電膜的側面不一致，並且抗蝕劑圖案15b、16b的側面在更內側。在圖2B中，抗蝕劑圖案15b為左右不對稱，而抗蝕劑圖案16b為左右對稱。
接下來，使用抗蝕劑圖案15b蝕刻金屬膜18b，來形成金屬膜18c(圖2B)。此時，較佳為使用對於透明導電膜18a可以具有高選擇比的材料作為金屬膜18b的材料，以便不使透明導電膜18a受到不必要的蝕刻。例如，如果透明導電膜18a的材料是ITSO，較佳為使用Ti、Mo、Cr、Al等作為金屬膜18b的材料，並且金屬膜18b也可以為由這些材料構成的疊層結構。這樣，形成與透明導電膜18a相比，圖案小，即，平面面積小的金屬膜18c。另一方面，金屬膜17b也由抗蝕劑圖案16b蝕刻，以形成平面面積比透明導電膜17a小的金屬膜17c。
雖然可以使用乾蝕刻和濕蝕刻中的任一蝕刻來進行圖2A至2B中的金屬膜17b及18b的蝕刻，但是圖2B顯示使用乾蝕刻形成金屬膜17c及18c的情況。在使用乾蝕刻的情況下，金屬膜18c的剖面的側面為不對稱。這是因為，抗蝕劑圖案15b的形狀為不對稱，金屬膜18c形成為 反應該形狀的緣故。金屬膜18c的剖面形狀為如下：一個側面的傾斜比另一個側面更大。金屬膜17c形成為其側面與抗蝕劑圖案16b的側面一致。在金屬膜18c中，一個側面位於抗蝕劑圖案15b的一個側面的延長線上，而另一個側面與抗蝕劑圖案15b的另一個側面一致。
當對於金屬膜17b及18b進行濕蝕刻時，由於各向同性地進行蝕刻，所以就形成比抗蝕劑圖案15b、16b小的金屬膜。圖4A和4B顯示進行濕蝕刻的情況的圖。在圖4A中，對於金屬膜17b及18b分別進行濕蝕刻，來形成金屬膜17d及18d。其他部分與圖2B相同。
抗蝕劑圖案15b、16b的側面和金屬膜17d及18d的側面不一致。因此，即使以同一抗蝕劑圖案15b、16b為掩模，與乾蝕刻相比，使用濕蝕刻形成的金屬膜17d及18d更小。
圖4B是金屬膜17d為以三疊層層形成的情況的圖。例如，金屬膜17d為Ti膜91a、93a夾有鋁膜92a而成的疊層結構，金屬膜17d和抗蝕劑圖案16b的側面不一致。此外，金屬膜18d也為Ti膜91b、93b夾有鋁膜92b而成的疊層結構，金屬膜18d和抗蝕劑圖案15b的側面不一致。
在圖4A和4B中，由於使用乾蝕刻形成透明導電膜17a、18a，所以其側面具有對於基板一面大致垂直或近於90°的角度θ1。另一方面，當使用濕蝕刻形成金屬膜17d及18d時，由各向同性蝕刻，其側面具有對於基板一面銳 角的角度θ2。因此，比較透明導電膜的側面的角度θ1和金屬膜的側面的角度θ2，就為θ1>θ2。在此，角度θ1是透明導電膜的側面對於基板1的表面的傾斜角度，角度θ2是金屬膜的側面對於基板1的表面的傾斜角度，並且θ1、θ2都在0°至90°的範圍內。
在金屬膜為如圖4B那樣的疊層結構的情況下，有可能蝕刻速度根據各層不同。伴隨此，有可能各層的側面對於基板表面的角度分別不同。因此，當金屬膜為疊層結構時，以最下層的膜的側面對於基板表面的角度為θ2。
另外，有可能金屬膜17d、18d及作為透明導電膜的透明導電膜17a、18a的側面具有凹凸而不是平滑的表面。在此情況下，適當地確定角度θ1及θ2，即可。例如，可以對於具有凹凸的表面畫粗略的直線或曲線，使用該線來確定角度θ1及θ2。此外，也可以基於側面的凹凸，算出多個角度θ1及θ2，並且以其平均值為θ1及θ2。換言之，採用最合理的方法即可。
如上所述，使用乾蝕刻和濕蝕刻中任一蝕刻方法形成金屬膜17c、18c或金屬膜17d、18d。無論使用哪個蝕刻方法形成，都可以形成具有側面位於透明導電膜17a及18a的側面的內側的金屬膜17c、18c或金屬膜17d、18d。也就是說，平面面積比透明導電膜17a小的金屬膜17c或17d、以及平面面積比透明導電膜18a小的金屬膜18c或18d被形成。其原因之一如下：用於形成透明導電膜17a、18a的掩模即抗蝕劑圖案15a、16a和用於形成金 屬膜的掩模即抗蝕劑圖案15b、16b的大小不同，抗蝕劑圖案15b、16b更小。
然後，除去抗蝕劑圖案15b、16b(圖2C)。由此形成由透明導電膜17a及金屬膜17c構成的佈線或電極、由透明導電膜18a及金屬膜18c構成的佈線或電極。透明導電膜18a作用當成像素電極。在圖4A和4B中，藉由除去抗蝕劑圖案15b、16b，形成由透明導電膜17a及金屬膜17d構成的佈線或電極、由透明導電膜18a及金屬膜18d構成的佈線或電極。
當以抗蝕劑圖案15b為掩模蝕刻金屬膜18b時，透明導電膜18a的表面的一部分也稍微被蝕刻。特別是，由於當使用乾蝕刻形成金屬膜18c時，難以獲得與下層的透明導電膜的選擇比，所以透明導電膜18a的表面的一部分更容易被蝕刻。因此，比較圖2C的透明導電膜18a的膜厚度a和膜厚度b，就為膜厚度a<膜厚度b。另外，膜厚度a是與金屬膜18c或金屬膜18d不重疊的部分中的透明導電膜18a的平均膜厚度，而膜厚度b是在達到雜質區域9的接觸孔底部的透明導電膜18a的膜厚度。
當在圖2C所示的TFT上疊層發光元件來形成向基板1的方向發光的發光裝置時，因透明導電膜18a的膜厚度薄而透過率提高，所以可以提供明亮的顯示。因此，膜厚度a較佳為薄。此外，當以抗蝕劑圖案15b為掩模蝕刻金屬膜18b時，由於可以蝕刻透明導電膜18a的表面，所以可以除去表面的灰塵，可以防止起因於灰塵的發光元件的 短路。
在本實施例模式中形成的金屬膜18c的一個側面具有傾斜。因此，在利用於液晶顯示裝置的情況下，如果從金屬膜18c的具有傾斜的側面一側拋光，就可以順利地拋光金屬膜18c的側面。如果從金屬膜18c的側面為垂直的方向拋光，有時因拋光布在垂直的側面上受到壓力等原因而導致拋光不充分，以至不充分對準。因此，較佳從金屬膜18c的側面具有傾斜一側拋光。
此外，如圖4所示，在使用濕蝕刻形成雙側面都具有傾斜的金屬膜17d及18d的情況下，可以從任意方向順利地拋光，因此更有效。
圖3顯示圖2C的俯視圖。圖2C是沿圖3的A-A’的剖面圖。如從圖3看得出，由透明導電膜17a及金屬膜17c的疊層構成的佈線或電極當成TFT的源極電極或汲極電極，還當成源極佈線。此外，由透明導電膜18a及金屬膜18c構成的佈線或電極當成TFT的源極電極或汲極電極，還當成像素電極。嚴密地說，與金屬膜18c不重疊的透明導電膜18a的部分當成像素電極，是透過光的部分。此外，電容佈線21由與閘極電極5相同的層形成，並且電容佈線21藉由與透明導電膜18a重疊來形成電容器。另外，電容佈線21也可以由與閘極電極5不同的層形成。金屬膜17c的側面與透明導電膜17a的側面不一致，並位於透明導電膜17a的側面的內側。金屬膜18c的側面與透明導電膜18a的側面不一致，並位於透明導電膜18a 的側面的內側。在圖4中所說明的金屬膜17d和透明導電膜17a的關係、金屬膜18d和透明導電膜18a的關係也與此同樣。
在本實施例模式中，在平坦的面上形成當成像素電極的透明導電膜非常有利於防止透明導電膜的破裂。當蝕刻並形成金屬膜18c時，露出於金屬膜18c的下層的透明導電膜18a的表面也稍微被蝕刻。由此，如果在透明導電膜18a形成在具有位準差異的面上的狀態下，該透明導電膜的膜厚度不均勻，由形成金屬膜18c的蝕刻，透明導電膜的膜厚度薄的部分也被蝕刻，透明導電膜有可能產生破裂。當產生破裂時，在破裂部分中產生漏光，像素電極的面積又縮小由此導致開口率降低。因此，較佳的在平坦的面上形成露出於金屬膜18c的透明導電膜18a的部分。為此而較佳為使用有機材料形成第二中間層絕緣膜7，形成具有平坦面的第二中間層絕緣膜。
在根據本發明形成金屬膜和導電膜的疊層的情況下，導電膜接觸並位於金屬膜下。但是，在位準差異大的部分上，導電膜不一定接觸並位於金屬膜下。這是因為有可能導電膜由於位準差異而產生破裂的緣故。因此，在達到圖1A至1C中雜質區域9的接觸孔的部分，較佳為在導電膜上配置金屬膜。
圖19顯示導電膜在接觸孔中產生破裂的狀態。導電膜94、95由於接觸孔側面的傾斜一部分斷裂。但是，如果在接觸孔部分中，金屬膜96、97形成在導電膜94、95 上，即使透明導電膜斷裂，也可以藉由金屬膜電連接被斷裂了的導電膜。在此情況下，在接觸孔的側面上有金屬膜96、97與第二中間層絕緣膜7接觸的部分。此外，由於在接觸孔中的導電膜不作用當成像素電極，所以其上部殘存有金屬膜也沒有問題。因此，在本實施例模式的結構中，即使透明導電膜在接觸孔中產生破裂，也可以由形成在其上部的金屬膜補償透明導電膜的電連接，所以可以防止顯示缺點。
此外，在圖3中，在導電膜的起因於電容佈線21產生的位準差異的部分上，也較佳的使金屬膜在導電膜上殘存。即使導電膜由於位準差異斷裂，也可以藉由金屬膜電連接導電膜，因此可以確實地形成電容器。
另外，在圖3所示的透明導電膜18a的形狀只是一個例子，也可以為其他形狀。例如，既藉由使透明導電膜具有梳齒狀來形成使用IPS(板內切換)方式、FFS(邊緣區域切換)方式的像素電極，又藉由設置裂縫來形成使用MVA(多域垂直對準)方式、PVA(圖案垂直對準)方式的像素電極。
根據以上，由於可以使用一個抗蝕劑圖案形成透明導電膜和金屬膜，所以可以減少製造處理數量。此外，藉由在作為佈線或電極利用透明導電膜的同時疊層金屬膜，可以減少電阻而提高導電性。
在一種情況下，可以不設置使抗蝕劑圖案灰化或蝕刻並形成抗蝕劑圖案15b、16b的處理，該情況是如下：在 圖1B所示的狀態至蝕刻透明導電膜10及金屬膜11之間，抗蝕劑圖案15a、16a也自然被蝕刻，來形成抗蝕劑圖案15b、16b。
另外，雖然在本實施例模式中，使用具有由結晶半導體膜構成的島狀半導體膜的頂部閘極型TFT來進行說明，但是本實施例模式也可以應用於由結晶半導體膜構成的底部閘極型TFT。此外，在本實施例模式中，島狀半導體膜具有將成為源極區域及汲極區域的雜質區域9和通道形成區域8，但除此之外還可以具有低濃度雜質區域、偏移區域等。
實施例模式2
將參照圖5A至5C說明本實施例模式。關於在本實施例模式中將說明的構成TFT的基板的種類、各層的形成方法及材料等，可以參照實施例模式1。
在基板401上形成絕緣膜402作為底膜。另外，也可以不設置底膜。接著，在絕緣膜402上形成導電層，使用藉由光微影法等形成的掩模處理導電層的形狀，來形成閘極電極403。
形成閘極絕緣膜404使其覆蓋閘極電極403。在閘極絕緣膜404上形成非晶半導體膜。非晶半導體膜的材料沒有特別的限制，較佳的使用矽或矽鍺(SiGe)合金等來形成。接著，在非晶半導體膜上形成導電層。作為導電層，例如可以使用含有磷的非晶矽膜。然後，使用藉由光微影 法等形成的掩模處理非晶半導體膜及導電層的形狀，來形成島狀半導體膜405和導電層406。
在導電層406上疊層並形成透明導電膜407及金屬膜408。另外，也可以使用具有反射性的導電層代替透明導電膜。此外，作為透明導電膜可以使用實施例模式1所示的透明導電膜材料。接著，在金屬膜408的整個表面上塗敷抗蝕劑膜，然後使用圖5A所示的曝光掩模來進行曝光。
在圖5A中，曝光掩模具有遮光部分409a、409b、半透光部分410。可以將衍射圖案或半透光膜用於半透光部分410。當使用圖5A所示的曝光掩模進行抗蝕劑膜的曝光時，非曝光區域411和曝光區域412形成在抗蝕劑膜中。然後進行顯影，如圖5B所示，抗蝕劑圖案413a和抗蝕劑圖案414a被形成。抗蝕劑圖案414a包括在曝光時對應於遮光部分409b的顯影區域422(抗蝕劑圖案414a中的虛線的左側部分)和在曝光時對應於半透光部分410的顯影區域423(抗蝕劑圖案414a中的虛線的右側部分)構成。
接下來，使用乾蝕刻進行對於金屬膜408及透明導電膜407的蝕刻。由此，如圖5C所示，由透明導電膜415及金屬膜416的疊層構成的圖案和由透明導電膜419及金屬膜420的疊層構成的圖案被形成。作為該蝕刻，也可以使用濕蝕刻。但是，由於乾蝕刻適合於微細處理，所以較佳為使用乾蝕刻。此外，由於金屬膜408及透明導電膜 407的材料與閘極絕緣膜404的材料不同，所以即使使用乾蝕刻，也可以獲得高蝕刻選擇比。為了使兩者的蝕刻選擇比更高，也可以使用氮化矽膜形成閘極絕緣膜404的至少最上層。
接下來，如圖6A所示，灰化或蝕刻抗蝕劑圖案413a、414a。藉由該處理，抗蝕劑圖案414a的區域423被除去。此外，抗蝕劑圖案414a的區域422變薄與上述區域423的膜厚度d2相同的厚度，形成抗蝕劑圖案414b。抗蝕劑圖案413a也被灰化與膜厚度d2相同的厚度，形成抗蝕劑圖案413b。此外，由於在寬度方向中也被蝕刻，所以抗蝕劑圖案413b、414b的寬度比金屬膜416、420、透明導電膜415、419的寬度小。因此，抗蝕劑圖案413b、414b的側面與在下層的金屬膜及透明導電膜的側面不一致，並且抗蝕劑圖案413b、414b的側面在更內側。此外，抗蝕劑圖案414b的兩側面對於基板表面的角度互相不同。另一方面，抗蝕劑圖案413b的兩側面對於基板表面的角度大致相同。
接下來，使用抗蝕劑圖案414b蝕刻金屬膜416，來形成金屬膜421。此外，使用抗蝕劑圖案413b蝕刻金屬膜420，來形成金屬膜424(圖6B)。此時，不使透明導電膜415不必要地蝕刻。金屬膜424、421由比透明導電膜419、415小的圖案形成。此外，以透明導電膜419、415為掩模蝕刻導電層406，以形成導電層417及418。島狀半導體膜405的一部分也稍微被蝕刻。透明導電膜 419的一個端部和導電層417的一個端部、以及透明導電膜415的一個端部和導電層418的一個端部分別一致。金屬膜421及424在同一處理中形成。
此外，在用於形成金屬膜421及424的蝕刻的同時，也可以蝕刻導電層406。
然後，除去抗蝕劑圖案413b、414b，以形成由透明導電膜419及金屬膜424構成的佈線或電極、由金屬膜421及透明導電膜415構成的佈線或電極。透明導電膜415作用當成像素電極(圖6C)。
雖然可以在圖5C中所示的蝕刻的同時形成導電層417及418，但是，如圖6A至6C所示，較佳的，當形成金屬膜424、421時或之後形成導電層417及418。這是因為，如果在圖5C的位準差異中使島狀半導體膜露出，當形成金屬膜424、421時，就有可能進一步蝕刻島狀半導體膜。
圖6B的蝕刻既可為乾蝕刻，又可為濕蝕刻。在使用乾蝕刻的情況下，如圖6B和6C所示，金屬膜421的剖面形狀反映抗蝕劑圖案414b的形狀，左右不對稱。也就是說，金屬膜421具有其一個側面的傾斜比另一個側面更大的剖面形狀，一個側面位於抗蝕劑圖案414b的一個側面的延長線上，另一個側面與抗蝕劑圖案414b的另一個側面一致。金屬膜424形成為其側面與抗蝕劑圖案413b的側面一致。
將參照圖8說明使用濕蝕刻形成金屬膜421及424的 情況。以使用濕蝕刻形成的金屬膜為金屬膜425、426，而代替使用乾蝕刻形成的金屬膜421、424。
在使用濕蝕刻的情況下，如圖8所示，小於抗蝕劑圖案413b、414b的金屬膜425、426被形成，抗蝕劑圖案413b、414b的側面和金屬膜425、426的側面不一致。因此，即使使用同一抗蝕劑圖案413b、414b作為掩模，與乾蝕刻相比，使用濕蝕刻可以形成平面面積更小的金屬膜。此外，與圖4相同，在使用濕蝕刻形成金屬膜的情況下，比較透明導電膜415、419的側面的角度θ1和金屬膜425、426的側面的角度θ2，就為θ1>θ2。在此，角度θ1是透明導電膜的側面對於基板401的表面的傾斜角度，角度θ2是金屬膜的側面對於基板401的表面的傾斜角度，並且θ1、θ2都在0°至90°的範圍內。此外，當金屬膜425、426為如圖4B那樣的疊層結構時，以最下層的膜的側面對於基板表面的角度為θ2。
另外，當使用濕蝕刻時，導電層406的蝕刻既可在與圖5C的蝕刻同時進行，又可在圖6B中形成金屬膜425、426之後進行。
無論使用哪個蝕刻方法形成金屬膜，都可以形成具有側面位於透明導電膜419的側面的內側的金屬膜425或金屬膜424、具有側面位於透明導電膜415的側面的內側的金屬膜421或金屬膜426。也就是說，平面面積比透明導電膜419小的金屬膜424或425、以及平面面積比透明導電膜415小的金屬膜421或426被形成。
然後，除去抗蝕劑圖案413b、414b，形成由透明導電膜419及金屬膜424構成的佈線或電極、由金屬膜421及透明導電膜415構成的佈線或電極(圖6C)。在圖8中，藉由除去抗蝕劑圖案413b、414b，形成由透明導電膜419及金屬膜425構成的佈線或電極、由透明導電膜415及金屬膜426構成的佈線或電極。
在使用本發明的具有膜厚度不同的區域的抗蝕劑圖案414a疊層並形成金屬膜421及透明導電膜415的情況下，當形成金屬膜421時，透明導電膜415的表面的一部分也稍微被蝕刻。特別是，由於當使用乾蝕刻形成金屬膜421時，難以獲得與下層的透明導電膜415的選擇比，所以透明導電膜415的表面的一部分更容易被蝕刻。因此，比較圖6C的透明導電膜415的膜厚度a(露出於金屬膜421的透明導電膜415的膜厚度)和膜厚度c(與閘極絕緣膜404和金屬膜421接觸的透明導電膜的膜厚度)，就為膜厚度a<膜厚度c。另外，膜厚度a和膜厚度c是平均的膜厚度。
當在圖6C的TFT上疊層發光元件來形成發光裝置時，膜厚度a<膜厚度c帶來如下效果。在向基板401的方向發光的發光裝置中，因膜厚度a薄而可以提供明亮的顯示。此外，由於可以蝕刻透明導電膜415的表面，所以可以除去表面的灰塵，可以防止發光元件的短路。
在本實施例模式中形成的金屬膜421的一個側面具有傾斜。因此，在利用於液晶顯示裝置的情況下，如果從金 屬膜421的具有傾斜的側面一側拋光，就可以順利地拋光金屬膜421的側面。如果從金屬膜421的側面為垂直的方向拋光，有時因拋光布在垂直的側面上受到壓力等原因而導致拋光不充分，以至對準不充分。因此，較佳為從金屬膜421的側面具有傾斜一側拋光。
此外，如圖8所示，在使用濕蝕刻形成兩側面都具有傾斜的金屬膜425及426的情況下，可以從任意方向順利地拋光，因此更有效。
圖7顯示圖6C的俯視圖。圖6C是沿圖7的A-A’的剖面圖。如從圖7看得出，由透明導電膜419及金屬膜424的疊層構成的佈線或電極當成TFT的源極電極或汲極電極，還當成源極佈線。此外，由透明導電膜415及金屬膜421的疊層構成的佈線或電極當成TFT的源極電極或汲極電極，還當成像素電極。嚴密地說，與金屬膜421不重疊的透明導電膜415的部分當成像素電極。此外，由與閘極電極403相同的層形成的電容佈線430藉由與透明導電膜415重疊來形成電容器。另外，電容佈線430也可以由與閘極電極不同的層形成。金屬膜424的側面與透明導電膜419的側面不一致，並位於透明導電膜419的側面的內側。金屬膜421的側面與透明導電膜415的側面不一致，並位於透明導電膜415的側面的內側。在圖8中所說明的金屬膜425和透明導電膜419的關係、金屬膜426和透明導電膜415的關係也與此同樣。
此外，使用金屬膜421覆蓋形成在起因於電容佈線 430、閘極電極403或島狀半導體膜405的位準差異上的透明導電膜415，有益於防止當成像素電極的透明導電膜的破裂。由於當藉由蝕刻形成金屬膜421時透明導電膜415也稍微被蝕刻，因此，如果透明導電膜的膜厚度不均勻，當進行該蝕刻時，透明導電膜就產生破裂。因此，較佳為利用透明導電膜的在平坦面上的部分作為像素電極，這是因為在平坦面上容易形成為膜厚度均勻。為此，形成金屬膜421以覆蓋位於具有位準差異的面上的透明導電膜415即可。由此，在具有位準差異的面上的透明導電膜415不會被蝕刻，從而不會產生破裂。
此外，為了以金屬膜421覆蓋在位準差異面上的透明導電膜415，當以圖5B的抗蝕劑圖案414a的區域423的膜厚度為d2並且以區域422中最薄的膜厚度為d1時，必須至少為d1>d2。這是因為，雖然當在圖6A中灰化抗蝕劑時，膜厚度d2被灰化，從而抗蝕劑整體的膜厚度變薄了d2，但是即使藉由該灰化使膜厚度變薄了d2，區域422也需要殘存有抗蝕劑。因此，較佳是至少在抗蝕劑圖案414a中，區域422中的膜厚度最薄的部分的膜厚度d1比區域423的膜厚度d2厚。
藉由以上處理，可以形成具有由非晶半導體膜構成的島狀半導體膜的底部閘極型TFT。在利用透明導電膜作為佈線或電極的同時，藉由疊層金屬膜可以降低電阻，以提高導電性。此外，由於不需要另外設置用於形成金屬膜421的抗蝕劑圖案，因此可以減少處理數量。
另外，圖9A顯示具有通道保護膜的TFT的結構作為本實施例模式的另一個TFT的結構。在圖9A的TFT中，與圖5至圖8相同的部分由相同的符號表示，並且省略詳細說明。
直到在基板401上形成島狀半導體膜405的處理與圖5A相同。接下來，形成絕緣膜如氮化矽膜等，藉由蝕刻處理該絕緣膜的形狀，來在島狀半導體膜405上的大致中央形成通道保護膜601。然後，順序形成導電層406、透明導電膜407、金屬膜408以覆蓋該通道保護膜601。然後，在金屬膜408的整個表面上塗敷抗蝕劑膜。接著，在使用具有半透光部分的曝光掩模曝光抗蝕劑膜之後，進行顯影來形成抗蝕劑圖案413a、414a。
接下來，藉由乾蝕刻使用抗蝕劑圖案413a、414a進行蝕刻來形成導電層417、導電層418、透明導電膜415、透明導電膜419、金屬膜416、金屬膜420。透明導電膜415當成像素電極(圖9B)。通道保護膜601成為當形成導電層417、418時防止島狀半導體膜，405被蝕刻的保護膜。
接下來，將抗蝕劑圖案413a、414a灰化來形成抗蝕劑圖案413b、414b(圖9C)。使用抗蝕劑圖案413b、414b蝕刻金屬膜420、416來形成金屬膜424、421(圖9D)。圖9D顯示使用乾蝕刻形成金屬膜424、421的情況。另外，也可以使用濕蝕刻形成圖8所示的金屬膜425、426。該情況的金屬膜和透明導電膜的端部的形狀與 圖8所說明的形狀相同。
具有通道保護膜601的結構的TFT包括如下效果。首先，在圖9B所示的透明導電膜407、金屬膜408的蝕刻處理中，當進行乾蝕刻時，沒有島狀半導體膜被蝕刻的憂慮。因此透明導電膜及金屬膜的蝕刻處理具有自由度，可以以最合適的蝕刻條件進行蝕刻。此外，可以使用乾蝕刻微細地處理。此外，可以形成薄的島狀半導體膜405，以提高TFT的特性。因此，最合適於主動矩陣型有機發光二極體，其需要大電流流出的TFT作為驅動TFT。
此外，圖10顯示另一個TFT的結構。該結構是用結晶半導體膜形成的底部閘極型TFT。直到在基板401上形成閘極絕緣膜404的處理與圖5A相同。然後，在閘極絕緣膜上形成結晶半導體膜。既可在閘極絕緣膜上直接形成結晶半導體膜，又可如實施例模式1那樣在形成非晶半導體膜之後進行晶化來形成結晶半導體膜。藉由蝕刻處理結晶半導體膜的形狀來形成島狀半導體膜405。藉由將雜質選擇性地摻雜到島狀半導體膜405中，在島狀半導體膜405中形成一對雜質區域602和通道形成區域603。在島狀半導體膜405上形成中間層絕緣膜604，然後在該中間層絕緣膜604中形成到達雜質區域602的接觸孔，疊層透明導電膜及在該透明導電膜上的金屬膜。然後，使用由圖5A所示的曝光掩模曝光並顯影的抗蝕劑圖案進行蝕刻，來形成由透明導電膜419及金屬膜424構成的電極或佈線、以及由透明導電膜415及金屬膜421構成的電極或佈 線。在圖10的結構中，藉由使用有機樹脂材料等形成中間層絕緣膜604，中間層絕緣膜604具有平坦面。也就是說，由於可以將透明導電膜415形成在平坦面上，因此可以防止當進行蝕刻形成金屬膜421時產生透明導電膜415的破裂。
另外，在圖10中所示的TFT中，除了一對雜質區域602之外，還可以具有雜質區域。
此外，在圖9A至9D及圖10中，起因於用於形成金屬膜421、424的蝕刻方法的金屬膜的形狀的特徵與上述特徵相同。既可使用濕蝕刻形成如圖8所示的形狀的金屬膜425、426而代替金屬膜421、424，又可使用疊層結構的金屬膜。此外，在此作為當成像素電極的導電膜使用了透明導電膜，也可以使用反射型導電膜。作為透明導電膜的材料，可以使用實施例模式1所示的材料。
本實施例模式可以在能夠實施的範圍內自由地組合實施例模式1。
實施例模式3
在本實施例模式中，將參照圖11A至11D說明在實施例模式1及2中使用的曝光掩模。圖11A至11C顯示圖1A或圖5A所示的曝光掩模的遮光部分12b及半透光部分13的俯視圖。曝光掩模的遮光部分12b的寬度表示為t1，而半透光部分13的寬度表示為t2。
在半透光部分13中可以設置衍射光柵圖案。圖11A 和11B顯示曝光裝置的具有由解析度極限或更低的多個狹縫構成的狹縫部分的衍射光柵圖案。衍射光柵圖案是配置有至少一個或更多的圖案如狹縫、點等的圖案。在配置多個圖案如狹縫、點等的情況下，既可配置為具有周期性，又可配置為沒有周期性。藉由使用解析度極限或更低的微細圖案，可以調整實際的曝光量，並且可以調制被曝光的抗蝕劑的顯影後的膜厚度。
該狹縫部分的狹縫延伸的方向既可如狹縫部分301那樣與遮光部分303的一邊平行，又可如狹縫部分302那樣與遮光部分303的一邊垂直。或者，對於遮光部分303的一邊傾斜的方向也可以為狹縫延伸的方向。另外，在該光微影處理中使用的抗蝕劑較佳為正型抗蝕劑。
此外，作為半透光部分的另一個示例，圖11C顯示設置具有降低曝光的光強度的功能的半透光膜304的示例。作為半透光膜，可以使用MoSiN、MoSi、MoSiO、MoSiON、CrSi等。使用具備半透光部分的曝光掩模的曝光法也稱作半色調曝光方法。
在將曝光光照射到這些圖11A至11C所示的曝光掩模的情況下，遮光部分303的光強度為0，而透光部分305的光強度為100%。另一方面，經過狹縫部分301、302、或由半透光膜304構成且具有光強度降低功能的半透光部分的光強度以10至70%的範圍內可以調整。圖11D顯示光強度分佈的典型示例。在半透光部分是衍射光柵圖案的情況下，藉由調整狹縫部分301、302的間隔及 狹縫寬度來實現經過半透光部分的光強度的調整。
本實施例模式可以與實施例模式1、2自由地組合。
實施例模式4
在本實施例模式中，將參照圖12A和12B、圖13A和13B說明EL(電致發光)顯示裝置。作為構成TFT的基板和各層的形成方法、材料等，可以參照實施例模式1及2。圖12A和12B、圖13A和13B中的TFT採用了實施例模式1的頂部閘極型TFT的結構，但是也可以採用底部閘極型TFT結構。與實施例模式1的圖1A至1C及圖2A至2C相同的部分由相同的符號表示，並且省略詳細說明。另外，像素結構不局限於圖12A和12B、圖13A和13B，也可以採用其他像素結構。
圖12A顯示EL顯示裝置的像素部分的俯視圖。在像素中，設置有兩種TFT，即，開關TFT140和控制流入EL元件的電流的驅動TFT141。將當成開關TFT140的源極電極或汲極電極的透明導電膜123及金屬膜124與驅動TFT141的閘極電極5b電連接。圖12B是沿著圖12A中的A-A’及B-B’的剖面圖。
藉由實施例模式1的方法，在基板1上形成TFT。在基板1上形成絕緣膜2，在其上形成島狀半導體膜3a、3b。島狀半導體膜3a、3b是非晶半導體膜或結晶半導體膜。接著，形成閘極絕緣膜4、閘極電極5a、5b。閘極電極5a是藉由閘極佈線延伸而成的，而閘極電極5b形成為 與閘極佈線(閘極電極5a)分離。以閘極電極5a、5b為掩模將雜質元素摻雜到島狀半導體膜3a、3b，來在每個島狀半導體膜3a、3b中形成一對雜質區域和通道形成區域。接下來，在閘極電極5a、5b上形成第一中間層絕緣膜6、第二中間層絕緣膜7。
接下來，蝕刻閘極絕緣膜4、第一中間層絕緣膜6及第二中間層絕緣膜7，來形成到達島狀半導體膜的一對雜質區域的接觸孔。與此同時，蝕刻第一中間層絕緣膜6及第二中間層絕緣膜7，來形成到達閘極電極5b的接觸孔。在第二中間層絕緣膜7上形成透明導電膜，在其上疊層金屬膜。然後，藉由與實施例模式1相同的方法蝕刻透明導電膜及金屬膜，來形成由金屬膜122及透明導電膜121構成的佈線或電極、由金屬膜124及透明導電膜123構成的佈線或電極、由金屬膜126及透明導電膜125構成的佈線或電極、以及由金屬膜128及透明導電膜127構成的佈線或電極。透明導電膜127當成像素電極。
金屬膜122、124、126分別具有與位於其下層的透明導電膜121、123、125大致相似的關係，並且分別具有比每個透明導電膜小一圈的圖案。如圖1A至1C所示的抗蝕劑圖案16a那樣，藉由使用具有遮光部分的曝光掩模曝光、顯影了的抗蝕劑圖案來蝕刻並形成金屬膜122、124、126。另一方面，由於透明導電膜127的一部分當成像素電極，所以金屬膜128並不一定具有與透明導電膜127相似的關係，並且具有比透明導電膜127更小的圖 案。因此，如圖1A至1C所示的抗蝕劑圖案15a那樣，藉由使用具有半透光部分及遮光部分的曝光掩模曝光、顯影了的抗蝕劑圖案，來蝕刻並形成透明導電膜127及金屬膜128。
在形成金屬膜122、124、126、128之後，也可以拋光透明導電膜127的露出於金屬膜128的部分的表面，來除去透明導電膜上的金屬膜的殘渣。藉由CMP(化學機械拋光)法等可以進行拋光。該拋光具有防止透明導電膜127和在場致發光層上的導電層131短路的效果，該短路是因如下情況而引起的，即，由於接著形成在透明導電膜127上的場致發光層非常薄，所以場致發光層因金屬膜的殘渣而不均勻地形成。
接下來，在TFT上形成當成堤的絕緣膜129(也稱作間隔壁)。絕緣膜129形成為使透明導電膜127的當成像素電極的部分露出。此外，絕緣膜129形成為覆蓋金屬膜128。這是因為，金屬膜128露出於絕緣膜129導致產生EL元件的短路問題。另一方面，絕緣膜129形成為在使透明導電膜127露出的附近，膜厚度漸漸變薄並具有曲面。這是為了防止形成在上部形成的場致發光層因絕緣膜129的位準差異產生破裂的。由於像這樣絕緣膜129是具有曲面的形狀，所以擔心會有金屬膜128的端部容易露出於絕緣膜129。但是，如實施例模式1及2所說明那樣，在本發明中形成的金屬膜128由於其端部具有傾斜或角度θ2，因此為不容易露出於絕緣膜129的結構，並且非常合 適於EL顯示裝置。
在藉由乾蝕刻形成金屬膜128的情況下，金屬膜128反映形成在其上部的抗蝕劑圖案的形狀，並且在圖12B的剖面圖中，金屬膜128的接近於絕緣膜129的曲面一側的端部的傾斜比另一側端部的傾斜大。並且，在圖12A的俯視圖中，金屬膜128的四邊中更離開於透明導電膜127的端部的兩邊的傾斜比另兩邊的傾斜大。另一方面，在藉由濕蝕刻形成金屬膜128的情況下，金屬膜128的端部具有比透明導電膜127的端部的角度θ1銳的θ2。換言之，由於即使使用哪個形成方法，金屬膜128的接近於絕緣膜129的曲面一側的端部也形成為具有傾斜或角度θ2，所以為不容易露出於絕緣膜129的形狀。
接下來，與露出於絕緣膜129的透明導電膜127接觸地形成場致發光層130，接著形成導電層131。在上述結構中，如果驅動發光元件的TFT是N通道型TFT，透明導電膜127和導電層131就分別相當於陰極和陽極。如果將透明導電膜用於導電層131，就為向上方及下方雙方發光的顯示裝置。
圖13A和13B顯示與圖12A和12B不同的結構的EL顯示裝置。圖13A顯示EL顯示裝置的像素部分的俯視圖，而圖13B顯示沿著圖13A中的A-A’及B-B’的剖面圖。
圖13B的直到在形成第二中間層絕緣膜7之後進行蝕刻，來形成到達島狀半導體膜的一對雜質區域的接觸孔的 處理和圖12B中相同。形成開關TFT1101和驅動TFT1102。然後，形成導電層，接著蝕刻來形成佈線或電極1103a至1103d。
在佈線或電極1103a至1103d上，形成第三中間層絕緣膜1104。較佳的使用有機樹脂膜形成第三中間層絕緣膜1104。這是因為，將形成在第三中間層絕緣膜1104上且當成像素電極的透明導電膜形成在平坦面上。
蝕刻第三中間層絕緣膜1104，來形成到達佈線或電極1103d的接觸孔。在第三中間層絕緣膜1104上疊層透明導電膜及金屬膜，蝕刻來形成透明導電膜1105、金屬膜1106。透明導電膜1105和金屬膜1106如圖1A至1C所示的抗蝕劑圖案15a那樣藉由使用具有半透光部分的曝光掩模曝光、顯影了的抗蝕劑圖案來蝕刻。透明導電膜1105當成像素電極。
形成在第二中間層絕緣膜7中的接觸孔和形成在第三中間層絕緣膜1104中的接觸孔較佳形成為重疊。藉由重疊接觸孔，可以提高開口率。另一方面，在接觸孔中的位準差異變大，而導致透明導電膜1105的破裂的問題，但是，藉由使金屬膜1106殘存在接觸孔中的透明導電膜1105上，可以補償破裂的問題。
形成金屬膜1106之後，與圖12B相同，形成絕緣膜129、場致發光層130、導電層131。
在本實施例模式中，以當成像素電極的導電膜為透明導電膜，但是也可以為反射型導電膜。作為透明導電膜的 材料，可以使用實施例模式1所示的材料。此外，本實施例模式以能夠實施的範圍內，可以與實施例模式1至3自由地組合。
實施例模式5
在本實施例模式中，將說明本發明適用於液晶顯示裝置的示例。
首先，使用圖14A說明液晶顯示面板的製造方法。首先，與實施例模式2的圖6C相同，在基板401上形成底部閘極型TFT。TFT的結構不局限於實施例模式2的圖6C的TFT，可以使用各種結構的TFT。
在使用實施例模式3的方法形成TFT之後，形成對準膜801以覆蓋金屬膜424、421、透明導電膜419、415。並且，準備形成有濾色器802、遮光膜807、相對電極803及對準膜804的基板805，使用密封劑(未圖示)貼合基板401和基板805。遮光膜807配置為與TFT重疊，而濾色器802配置為與當成像素電極的透明導電膜415的部分重疊。然後，注入液晶806來完成具備顯示功能的顯示裝置。雖然圖中未示出，但是每個基板401、805的與液晶806相反一側貼附有偏光板。藉由以上處理，就完成液晶顯示面板。另外，可以使用反射型導電膜而代替透明導電膜。
接下來，在本實施例模式中，將說明在液晶顯示裝置中，形成在透明導電膜上的金屬膜的配置。圖14B是液晶 顯示裝置的俯視圖的一個示例，圖14A是沿著圖14B中A-A’的剖面圖。島狀半導體膜405重疊於閘極佈線403上，並且與島狀半導體膜405重疊的閘極佈線部分成為閘極電極。就是說，符號403既是閘極佈線又是閘極電極。此外，島狀半導體膜405藉由導電層417與當成源極佈線的金屬膜424和透明導電膜419的疊層膜電連接，並且藉由導電層418與當成汲極佈線的金屬膜421和透明導電膜415的疊層膜電連接。電容佈線808在與透明導電膜415重疊的部分形成電容器。既可在與閘極佈線403相同的層中形成電容佈線808，又可在其他層中形成。遮光膜807由虛線表示。遮光膜807與源極佈線、汲極佈線及TFT重疊，但是與透明導電膜415的當成像素電極的部分不重疊。
在透明導電膜415上的金屬膜421沿著透明導電膜415的邊緣形成。詳細地說，金屬膜421的側面沿著透明導電膜415的側面形成。但是，金屬膜421的側面與透明導電膜415的側面不一致，並且位於透明導電膜415的側面的內側。像這樣，藉由將金屬膜421沿著透明導電膜415的邊緣形成，可以緩和遮光像素電極之間的遮光膜807的配置精度。這是因為，即使遮光膜807的位置稍微錯開，金屬膜421作用當成遮光膜，因此在金屬膜421存在的範圍內，遮光膜807的位置錯開是可以允許的。特別是，如圖14A和14B所示，在將遮光膜設置在相對基板的情況下，需要高位置調整精度。因此，為了確保像素之 間的遮光，在透明導電膜上沿著像素電極的邊緣形成金屬膜421是很有效果的。
作為另一個液晶顯示裝置的結構，將說明圖15A和15B。圖15A和15B是在圖14A和14B的結構中設置中間層絕緣膜的示例。圖15A是沿圖15B所示的液晶顯示裝置的俯視圖的A-A’的剖面圖。在閘極佈線403上重疊島狀半導體膜405，並且與島狀半導體膜405重疊的閘極佈線部分成為閘極電極。此外，島狀半導體膜405藉由導電層417與源極佈線501電連接，並且藉由導電層418與汲極佈線502電連接。電容佈線808在與透明導電膜504重疊的部分形成電容器。既可在與閘極佈線403相同的層中形成電容佈線808，又可在其他層中形成。
在源極佈線501及汲極佈線502上形成有中間層絕緣膜503，並且在中間層絕緣膜503中形成有到達汲極佈線502的接觸孔。中間層絕緣膜503是有機樹脂膜或無機絕緣膜。在中間層絕緣膜503上形成有透明導電膜504及金屬膜505。在以中間層絕緣膜503為有機樹脂膜的情況下，由於因閘極電極403和島狀半導體膜405的位準差異被緩和，所以可以將當成像素電極的透明導電膜504形成在平坦面上。因此，可以形成比圖14A和14B中的結構大的像素電極，以可以提高開口率。
藉由使用如圖1A至1C所示的抗蝕劑圖案16a那樣具有遮光部分的曝光掩模曝光並顯影了的抗蝕劑圖案，來蝕刻並形成透明導電膜504及金屬膜505。由於透明導電 膜504和汲極佈線502的連接部分具有大的位準差異，所以有可能透明導電膜504產生破裂，因此較佳為使金屬膜505殘存在透明導電膜504上。
圖15B的俯視圖也與圖14B同樣，金屬膜505沿著透明導電膜504的邊緣形成，也可以當成遮光膜的一部分。
作為透明導電膜504，可以使用實施例模式1中所示的透明導電膜材料。
此外，圖16A和16B顯示利用在透明導電膜上的金屬膜，以便將液晶對準多個方向的示例。圖16A是像素部分的俯視圖，而圖16B是沿著圖16A的A-A’的液晶層附近的剖面圖。一個像素由TFT1001、當成像素電極的透明導電膜1002、形成在其上的金屬膜1003構成。此外，符號1004是相對基板，符號1005是相對電極，符號1006是液晶，符號1007是對準膜。在一個透明導電膜1002上配置有多個金屬膜1003。各個金屬膜1003的剖面形狀是三角形，並且使一個像素內的液晶根據其斜面對準兩個方向。各個金屬膜以山脊的形狀形成在透明導電膜1002上。稱這樣的結構為所謂的MVA(多域垂直對準)方式，這樣可以獲得高視角特性。在圖16B的剖面圖中，金屬膜1003的剖面是三角形，但是也可以是梯形。在採用梯形的情況下，也可以根據其斜面使一個像素內的液晶對準兩個方向。
圖17A和17B顯示MVA方式中的金屬膜的另一個配 置示例。圖17A是像素部分的俯視圖，而圖17B是沿著圖17A的A-A’的液晶層附近的剖面圖。一個像素由TFT1201、當成像素電極的透明導電膜1202、形成在其上的金屬膜1203構成。此外，符號1204是相對基板，符號1205是相對電極，符號1206是液晶，符號1207是對準膜。在圖17A和17B中，金屬膜1203構成多個突起物，並且每個突起物具有頂點，為像四稜錐那樣的形狀。因此，一個像素內的液晶對準突起物具有的斜面的數量即四個方向。作為突起物的形狀，除了四稜錐以外，還可以舉出三角錐等，在採用三角錐的情況下，液晶對準三個方向。因此，圖17A和17B的結構可以獲得比圖16A和16B更高的視角特性。
可以利用在本實施例模式中所說明的示例，而代替PVA(圖案垂直對準)方式等的給予液晶特定定向的狹縫。藉由利用此而代替PVA方式的狹縫，可以省略在當成像素電極的透明導電膜中形成狹縫的處理。
此外，圖18顯示金屬膜的另一個配置示例。TFT1503和當成像素電極的透明導電膜1502電連接，並且金屬膜1501疊層在透明導電膜1502上。金屬膜1501具有梳齒狀。
如上那樣，藉由改變在透明導電膜上的金屬膜的配置，既可確保遮光，又可提高視角特性。此外，由於不需要形成特別的掩模而形成金屬膜，因此可以減少製造處理。
另外，圖13至圖18中所示的TFT表示為底部閘極結構，但是，這只是一個示例，可以使用其他TFT結構。此外，本實施例模式以能夠實施的範圍內可以與實施例模式1至4自由地組合。
實施例模式6
作為本發明的半導體裝置，可以舉出視頻相機、數位相機等的影像拍攝裝置、護目鏡式顯示器(頭戴式顯示器)、導航系統、音頻再生裝置(例如，汽車音頻裝置、音頻元件裝置等)、個人電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端(例如，移動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書等)、擁有記錄媒體的影像再生裝置(具體來說，可以再生諸如DVD：數位通用光碟之類的記錄媒體並包括能夠顯示影像的顯示器的裝置)等。這些半導體裝置的具體例子示於圖20A至20D和圖21。
圖20A顯示數位相機，其包括主體2101、顯示部分2102、攝像部分、操作鍵2104、以及快門2106等。另外，圖20A是從顯示部分2102一側來看的附圖，沒有示出攝像部分。根據本發明，可以實現廉價、顯示問題少、且可靠性高的數位相機。
圖20B顯示個人電腦其包括主體22201、框體2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、以及指向滑鼠2206等。根據本發明，可以實現廉價、顯示問題少、且可靠性高的個人電腦。
圖20C顯示擁有記錄媒體的攜帶型影像再生裝置(具體地是DVD再生裝置)，其包括主體2401、框體2402、顯示部分A2403、顯示部分B2404、記錄媒體(DVD等)讀取部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407等。顯示部分A2403主要顯示影像資訊，而顯示部分B2404主要顯示文本資訊。另外，擁有記錄媒體的影像再生裝置還包括家用遊戲機等。根據本發明，可以實現廉價、顯示問題少、且可靠性高的影像再生裝置。
此外，圖20D顯示顯示裝置，其包括框體1901、支撐體1902、顯示部分1903、揚聲器1904、以及視頻輸入端子1905等。藉由將使用上述實施例模式中所示的製造方法形成的薄膜晶體管用於顯示部分1903及驅動電路，來製作該顯示裝置。另外，顯示裝置包括液晶顯示裝置、發光裝置等，具體來說，包括所有的用於顯示資訊的顯示裝置例如用於電腦、接收電視、顯示廣告等。根據本發明，可以實現廉價、顯示問題少、且可靠性高的顯示裝置，特別是具有22至50英寸大螢幕的大型顯示裝置。
此外，在圖21所示的行動電話900中，具備有操作開關904、微音器905等的主體A901和具備有顯示面板A908、顯示面板B909、揚聲器906等的主體B902在鉸鏈910處可以開閉地連接。顯示面板A908和顯示面板B909與電路基板907一起收容在主體B902的框體903中。顯示面板A908和顯示面板B909的像素部分配置為從形成在框體903的視窗可以被視覺確認。
根據該行動電話900的功能可以適當地設定顯示面板A908和顯示面板B909的規格如像素數量等。例如，可以組合作為主螢幕的顯示面板A908和作為副螢幕的顯示面板B909。
根據本發明，可以實現廉價、顯示問題少、且可靠性高的攜帶型資訊終端。
相關於及本實施例模式的行動電話可以對應於其功能或用途變為各種各樣的方式。例如，也可以藉由將影像拍攝元件嵌入在鉸鏈910處，製作裝有影像拍攝裝置的行動電話。此外，採用將操作開關類904、顯示面板A908、顯示面板B909收納到一個框體內的結構，也可以發揮上述功能效果。此外，將本實施例模式的結構適用於具備有多個顯示部分的資訊顯示終端中，也可以獲得相同的效果。
如上那樣，藉由使用實施例模式1至8中的任何結構或製造方法作為圖20A至20D中的顯示部分或圖21中的顯示面板，可以完成各種各樣的電子器具。
依照本發明，可以使用一個掩膜形成作為像素電極的導電膜和在其上疊層的金屬膜。此外，在由於位準差異導致導電膜斷裂時，可以藉由金屬膜連接斷裂的導電膜。由此，可以製造處理步驟少且廉價的半導體裝置，此外還可以實現高可靠性的半導體裝置。

Claims (6)

  1. 一種液晶顯示裝置，具有：複數像素；前述複數像素的各者具有：玻璃基板上的具有Mo的閘極電極；前述閘極電極上的閘極絕緣膜；前述閘極絕緣膜上的非晶質矽膜；與前述非晶質矽膜電連接的透明導電膜；與前述非晶質矽膜電連接的金屬膜；前述金屬膜位於前述透明導電膜上；前述透明導電膜具有接觸於前述閘極絕緣膜上的區域；前述透明導電膜具有作為FFS方式的液晶顯示裝置的像素電極的機能；具有：位於前述透明導電膜上及前述金屬膜上，與前述像素電極成對並對液晶施加電場的電極；前述閘極絕緣膜具有與前述閘極電極接觸的氮化矽膜；前述透明導電膜具有：與前述金屬膜重疊的區域、及不與前述金屬膜重疊的區域；相對於前述玻璃基板的表面的前述金屬膜的側面的傾斜角度，比相對於前述玻璃基板的表面的前述透明導電膜的側面的傾斜角度還小。
  2. 一種液晶顯示裝置，具有：複數像素；前述複數像素的各者具有：玻璃基板上的具有Mo的閘極電極；前述閘極電極上的閘極絕緣膜；前述閘極絕緣膜上的非晶質矽膜；與前述非晶質矽膜電連接的透明導電膜；與前述非晶質矽膜電連接的金屬膜；前述金屬膜位於前述透明導電膜上；前述透明導電膜具有接觸於前述閘極絕緣膜上的區域；前述透明導電膜具有作為FFS方式的液晶顯示裝置的像素電極的機能；具有：位於前述透明導電膜上及前述金屬膜上，與前述像素電極成對並對液晶施加電場的電極；前述閘極絕緣膜具有與前述閘極電極接觸的氮化矽膜；前述透明導電膜具有：與前述金屬膜重疊的區域、及不與前述金屬膜重疊的區域；在具有前述閘極電極、前述閘極絕緣膜及前述非晶質矽膜的電晶體的通道長方向的剖面，相對於前述玻璃基板的表面的前述金屬膜的兩側面的傾斜角度，分別比相對於前述玻璃基板的表面的前述透明導電膜的側面的傾斜角度還小。
  3. 一種液晶顯示裝置，具有：複數像素；前述複數像素的各者具有：基板上的具有Mo的閘極電極；前述閘極電極上的閘極絕緣膜；前述閘極絕緣膜上的非晶質矽膜；與前述非晶質矽膜電連接的透明導電膜；與前述非晶質矽膜電連接的鋁膜；前述鋁膜位於前述透明導電膜上；前述透明導電膜具有接觸於前述閘極絕緣膜上的區域；前述透明導電膜具有作為FFS方式的液晶顯示裝置的像素電極的機能；前述閘極絕緣膜具有與前述閘極電極接觸的氮化矽膜；前述透明導電膜具有：與前述鋁膜重疊的區域、及不與前述鋁膜重疊的區域；相對於前述基板的表面的前述鋁膜的兩側面的傾斜角度，分別比相對於前述基板的表面的前述透明導電膜的側面的傾斜角度還小；前述鋁膜的前述兩側面的一者與前述非晶質矽膜重疊，前述兩側面的另一者不與前述非晶質矽膜重疊。
  4. 一種液晶顯示裝置，具有：複數像素；前述複數像素的各者具有：基板上的具有Mo的閘極電極；前述閘極電極上的閘極絕緣膜；前述閘極絕緣膜上的非晶質矽膜；與前述非晶質矽膜電連接的透明導電膜；與前述非晶質矽膜電連接的金屬膜；前述金屬膜位於前述透明導電膜上；前述透明導電膜具有接觸於前述閘極絕緣膜上的區域；前述透明導電膜具有作為FFS方式的液晶顯示裝置的像素電極的機能；前述閘極絕緣膜具有與前述閘極電極接觸的氮化矽膜；前述透明導電膜具有：與前述金屬膜重疊的區域、及不與前述金屬膜重疊的區域；在具有前述閘極電極、前述閘極絕緣膜及前述非晶質矽膜的電晶體的通道長方向的剖面，相對於前述基板的表面的前述金屬膜的兩側面的傾斜角度，分別比相對於前述基板的表面的前述透明導電膜的側面的傾斜角度還小。
  5. 一種携帶型影像播放裝置，具有：如請求項1至4中任一項所記載之液晶顯示裝置。
  6. 一種家用遊戲機，具有：如請求項1至4中任一項所記載之液晶顯示裝置。
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