CN104810322A - 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板，属于显示技术领域。所述阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。本发明解决了阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高的问题，实现了简化制造过程，且降低制造成本的效果，用于制造阵列基板。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(英文：Thin-film transisitor liquid cystal display；简称：TFT-LCD)是多数液晶显示器的一种。在TFT-LCD的光刻工艺中，需要使用掩膜板进行图形制作。
使用掩膜板对TFT-LCD阵列基板进行图形制作的原理为：先将光刻胶涂覆在衬底基板上，接着利用光源照射掩膜板，透过掩膜板的透射光线使衬底基板上的光刻胶感光，再经过显影(通过化学作用将感光的光刻胶溶解掉)将未感光的光刻胶固化，最后经过刻蚀使衬底基板获得需要制作的图形。
由于现有技术中，每张掩膜板上的图形是固定不变的，即每张掩膜板唯一对应一种图形。由于阵列基板的制造过程需要在衬底基板上依次形成多个图形，需要购买与要形成的图形相对应的多个掩膜板，并且掩膜板的价格较为昂贵，因此，阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高。
发明内容
为了解决阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高的问题，本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；
在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。
可选的，所述在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，包括：
在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成第一膜层；
在形成有所述第一膜层的衬底基板上涂覆负性光刻胶；
采用所述掩模板的不透光区域，且通过强光对涂覆有所述负性光刻胶的衬底基板进行曝光；
对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第一掩膜图形；
剥离所述负性光刻胶。
可选的，所述在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形，包括：
在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上形成第二膜层；
在形成有所述第二膜层的衬底基板上涂覆正性光刻胶；
采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域，且通过弱光对涂覆有所述正性光刻胶的衬底基板进行曝光；
对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第二掩膜图形；
剥离所述正性光刻胶。
可选的，所述第一掩膜图形为过孔图形。
可选的，所述第一膜层为钝化层膜。
可选的，所述第二膜层为氧化铟锡膜。
可选的，所述不透光区域位于所述半透光区域内。
可选的，所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
可选的，所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
第二方面，提供了一种阵列基板，其采用如第一方面任一所述的方法制成。
第三方面，提供了一种显示面板，包括第二方面所述的阵列基板。
第四方面，提供了一种显示装置，包括第三方面所述的显示面板。
第五方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：
透明基板；
所述透明基板上形成有半透光区域；
形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；
其中，所述不透光区域用于形成阵列基板的第一掩膜图形，所述半透光区域和所述不透光区域用于共同形成所述阵列基板的第二掩膜图形。
可选的，所述掩膜板形成有半透膜；
所述半透膜上形成有所述半透光区域。
可选的，所述第一掩膜图形为过孔图形。
可选的，所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
可选的，所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板，先在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，再在形成有第一掩膜图形的衬底基板上采用同一掩膜板的半透光区域和不透光区域形成第二掩膜图形，相较于现有的阵列基板制造技术，简化了阵列基板的制造过程，且降低了制造成本。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种不透光区域形状和半透光区域边界形状的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种掩膜板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种形成第一掩膜图形方法的流程图；
图6是本发明实施例提供的一种形成第一膜层的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种在形成有第一膜层的衬底基板上涂覆负性光刻胶的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种通过强光对衬底基板进行曝光的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种负性光刻胶溶解的侧视图；
图10是本发明实施例提供的一种负性光刻胶溶解的俯视图；
图11是本发明实施例提供的一种形成第一掩膜图形的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种剥离负性光刻胶后的侧视图；
图13是本发明实施例提供的一种剥离负性光刻胶后的俯视图；
图14是本发明实施例提供的一种形成第二掩膜图形方法的流程图；
图15是本发明实施例提供的一种形成第二膜层的结构示意图；
图16是本发明实施例提供的一种涂覆正性光刻胶的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种通过弱光对衬底基板进行曝光的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的一种正性光刻胶溶解的侧视图；
图19是本发明实施例提供的一种正性光刻胶溶解的俯视图；
图20是本发明实施例提供的一种形成第二掩膜图形的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的一种剥离正性光刻胶后的侧视图；
图22是本发明实施例提供的一种剥离正性光刻胶后的俯视图。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，如图1所示，该方法包括：
步骤101、在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，该掩膜板包括：透明基板，透明基板上形成有半透光区域，形成有半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，透明基板上除半透光区域和不透光区域之外的区域为全透光区域。
步骤102、在形成有第一掩膜图形的衬底基板上采用掩膜板的半透光区域和不透光区域形成第二掩膜图形。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，先在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，再在形成有第一掩膜图形的衬底基板上采用同一掩膜板的半透光区域和不透光区域形成第二掩膜图形，相较于现有的阵列基板制造技术，简化了阵列基板的制造过程，且降低了制造成本。
如图2所示，该掩膜板10包括：透明基板101，透明基板101上形成有半透光区域102，形成有半透光区域102的透明基板101上形成有不透光区域103，透明基板101上除半透光区域102和不透光区域103之外的区域为全透光区域104。不透光区域103位于半透光区域102内。此外，不透光区域的形状可以为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。半透光区域边界的形状可以为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。图3示出了不透光区域的一种形状与半透光区域边界的一种形状的示意图，图3中的不透光区域103的形状为三角形，半透光区域102边界的形状为圆形。图3中的104为全透光区域。
示例的，第一掩膜图形可以为过孔图形。第二掩膜图形可以为正常版图图形。本发明实施例以第一掩膜图形(过孔图形)为钝化层图形，第二掩膜图形为2氧化铟锡(英文：Indium-Tin Oxide；简称：ITO)图形为例进行详细说明。形成这两个掩膜图形对应的掩膜板10的结构示意图如图4所示。图4中，102为半透光区域，103为不透光区域，104为全透光区域。
步骤101如图5所示，可以包括：
步骤1011、在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成第一膜层。
示例的，第一膜层可以为钝化层膜。如图6所示，在形成有源漏极金属图形504的衬底基板501上形成第一膜层502即钝化层膜。
步骤1012、在形成有第一膜层的衬底基板上涂覆负性光刻胶。
如图7所示，在形成有第一膜层502即钝化层膜的衬底基板501上涂覆负性光刻胶503。图7中的504为源漏极金属图形。负性光刻胶感光之后会变为不可溶，显影时未感光的部分会溶解于显影液。
步骤1013、采用掩模板的不透光区域，且通过强光对涂覆有负性光刻胶的衬底基板进行曝光。
如图8所示，采用掩膜板10的不透光区域103，且通过强光对涂覆有负性光刻胶503的衬底基板501进行曝光。强光对于掩膜板的半透光区域的透过率为1。采用强光对涂覆有负性光刻胶的衬底基板进行曝光。此时，不透光区域不能透光，对应的负性光刻胶无法感光。
步骤1014、对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到第一掩膜图形。
如图9所示，不透光区域对应的负性光刻胶无法感光，因此对曝光后的衬底基板进行显影，未感光的负性光刻胶溶解于显影液。图9为负性光刻胶溶解的侧视图，501为衬底基板，502为钝化层膜，503为负性光刻胶，504为源漏极金属图形。图10为图9对应的俯视图，图10中的502为钝化层膜，503为负性光刻胶。经过刻蚀，即可得到第一掩膜图形即钝化层图形5001，如图11所示。
步骤1015、剥离负性光刻胶。
剥离负性光刻胶形成图12所示的结构。图12为剥离负性光刻胶后的侧视图，5001为钝化层图形，501为衬底基板，504为源漏极金属图形。图13为图12对应的俯视图，图13中的504为源漏极金属图形，5001为钝化层图形。
如图14所示，步骤102可以包括：
步骤1021、在形成有第一掩膜图形的衬底基板上形成第二膜层。
如图15所示，在形成有第一掩膜图形5001即钝化层图形的衬底基板501上形成第二膜层505即2ITO膜。
步骤1022、在形成有第二膜层的衬底基板上涂覆正性光刻胶。
如图16所示，在形成有2ITO膜505的衬底基板501上涂覆正性光刻胶506。图16中的504为源漏极金属图形，5001为钝化层图形。与负性光刻胶相反，正性光刻胶感光之后会变为可溶，显影时感光的部分会溶解于显影液。
步骤1023、采用掩膜板的半透光区域和不透光区域，且通过弱光对涂覆有正性光刻胶的衬底基板进行曝光。
如图17所示，采用掩膜板10的不透光区域103和半透光区域102，且通过弱光对涂覆有正性光刻胶506的衬底基板501进行曝光。弱光对于掩膜板的半透光区域的透过率为2/5～1/2。采用弱光对涂覆有正性光刻胶的衬底基板进行曝光，此时，不透光区域103无法透光，半透光区域102部分透光，对应的正性光刻胶无法全部感光。
步骤1024、对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到第二掩膜图形。
如图18所示，2ITO图形对应的正性光刻胶无法全部感光，因此对曝光后的衬底基板进行显影，无法全部感光的正性光刻胶得到保留。图18为正性光刻胶溶解的侧视图，图18中的501为衬底基板，5001为钝化层图形，505为2ITO膜，506为正性光刻胶，504为源漏极金属图形。图19为图18对应的俯视图，图19中的505为2ITO膜，506为正性光刻胶。经过刻蚀，即可得到第二掩膜图形即2ITO图形5002，如图20所示，图20中的501为衬底基板，5001为钝化层图形，504为源漏极金属图形，506为正性光刻胶。
步骤1025、剥离正性光刻胶。
最后剥离正性光刻胶形成图21所示的结构，图21中的501为衬底基板，5001为钝化层图形，504为源漏极金属图形，5002为2ITO图形。图21为剥离正性光刻胶后的侧视图，图22为图21对应的俯视图，图22中的5001为钝化层图形，5002为2ITO图形。
在TFT-LCD的Array工艺中，都需要使用掩膜板进行图形制作，而掩膜板的价格较为昂贵：数万到数十万美元，是新产品开发的主要成本之一。本发明实施例提供了一种节省掩膜板的技术，通过在掩膜板上使用半透膜技术，在工艺上使用正性光刻胶和负性光刻胶，实现了将两张掩膜板结合为一张掩膜板的目的，为每一款产品节省了至少一张掩膜板，从而节省了掩膜板的使用数量，大大节省了生产成本。本发明实施例中的两个掩膜图形为包含和被包含的关系，第一掩膜图形应该小于第二掩膜图形，且被第二掩膜图形全部覆盖。此外，第一掩膜图形为过孔图形，第二掩膜图形为正常版图图形，采用半透膜(半透光材料)将两个掩膜图形制作在一张掩膜板上，不透光区域用于形成第一掩膜图形，半透光区域和不透光区域用于共同形成第二掩膜图形。与掩膜板图形设计相对应，第一掩膜图形曝光时，光刻胶采用负性光刻胶；第二掩膜图形曝光时，光刻胶采用正性光刻胶。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，先在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，再在形成有第一掩膜图形的衬底基板上采用同一掩膜板的半透光区域和不透光区域形成第二掩膜图形，相较于现有的阵列基板制造技术，简化了阵列基板的制造过程，且降低了制造成本。
本发明实施例还提供了一种阵列基板，如图21所示。该阵列基板采用上述制造方法制成。
相应的，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括由上述制造方法制成的如图21所示的阵列基板。因此，该显示面板的制造过程更简单，且制造成本更低。
相应的，本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。因此，该显示装置的制造过程更简单，且制造成本更低。示例的，该显示装置可以为：笔记本电脑、手机、数码相框、平板电脑、导航仪、电视机、显示器等任何具有显示功能的产品或部件。对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供了一种掩膜板，如图2所示，该掩膜板10包括：透明基板101；透明基板101上形成有半透光区域102；形成有半透光区域102的透明基板101上形成有不透光区域103，透明基板101上除半透光区域102和不透光区域103之外的区域为全透光区域104。
其中，不透光区域103用于形成阵列基板的第一掩膜图形，半透光区域102和不透光区域103用于共同形成阵列基板的第二掩膜图形。
综上所述，本发明实施例提供的掩膜板，通过在透明基板上形成半透光区域、不透光区域和全透光区域，使用不透光区域形成阵列基板的第一掩膜图形，使用半透光区域和不透光区域共同形成阵列基板的第二掩膜图形，简化了阵列基板的制造过程，且降低了制造成本。
进一步的，掩膜板形成有半透膜：半透膜上形成有半透光区域。
第一掩膜图形可以为过孔图形。不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种；半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
综上所述，本发明实施例提供的掩膜板，通过在透明基板上形成半透光区域、不透光区域和全透光区域，使用不透光区域形成阵列基板的第一掩膜图形，使用半透光区域和不透光区域共同形成阵列基板的第二掩膜图形，简化了阵列基板的制造过程，且降低了制造成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；
在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，包括：
在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成第一膜层；
在形成有所述第一膜层的衬底基板上涂覆负性光刻胶；
采用所述掩模板的不透光区域，且通过强光对涂覆有所述负性光刻胶的衬底基板进行曝光；
对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第一掩膜图形；
剥离所述负性光刻胶。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形，包括：
在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上形成第二膜层；
在形成有所述第二膜层的衬底基板上涂覆正性光刻胶；
采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域，且通过弱光对涂覆有所述正性光刻胶的衬底基板进行曝光；
对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第二掩膜图形；
剥离所述正性光刻胶。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，
所述第一掩膜图形为过孔图形。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述第一膜层为钝化层膜。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述第二膜层为氧化铟锡膜。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述不透光区域位于所述半透光区域内。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
10.一种阵列基板，其特征在于，其采用如权利要求1至9任一所述的方法制成。
11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求10所述的阵列基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的显示面板。
13.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：
透明基板；
所述透明基板上形成有半透光区域；
形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；
其中，所述不透光区域用于形成阵列基板的第一掩膜图形，所述半透光区域和所述不透光区域用于共同形成所述阵列基板的第二掩膜图形。
14.根据权利要求13所述的掩膜板，其特征在于，
所述掩膜板形成有半透膜；
所述半透膜上形成有所述半透光区域。
15.根据权利要求13或14所述的掩膜板，其特征在于，
所述第一掩膜图形为过孔图形。
16.根据权利要求13或14所述的掩膜板，其特征在于，
所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
17.根据权利要求13或14所述的掩膜板，其特征在于，
所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105655289A (zh) * 2016-01-04 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
WO2016183968A1 (zh) * 2015-05-18 2016-11-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、掩模板
CN106249549A (zh) * 2016-10-21 2016-12-21 南京华东电子信息科技股份有限公司 有机膜技术与ito薄膜技术共用掩膜板的方法
WO2020062374A1 (zh) * 2018-09-30 2020-04-02 惠科股份有限公司 一种光罩及其制程方法
CN112965335A (zh) * 2021-02-25 2021-06-15 合肥维信诺科技有限公司 一种掩膜版及光学临近修正的方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1805657A (zh) * 2004-12-21 2006-07-19 日东电工株式会社 配线电路基板
CN1949511A (zh) * 2005-10-14 2007-04-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
CN101196681A (zh) * 2006-12-05 2008-06-11 Hoya株式会社 光掩膜的检查装置和方法、制造方法和图案转录方法
CN101442028A (zh) * 2007-11-22 2009-05-27 中华映管股份有限公司 平面显示器的制造方法
CN101807549A (zh) * 2009-02-18 2010-08-18 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US20120094416A1 (en) * 2006-06-15 2012-04-19 Mikuni Electoron Co. Ltd. Low-cost large-screen wide-angle fast-response liquid crystal display apparatus
CN103592815A (zh) * 2013-11-18 2014-02-19 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板、基板及显示装置
CN104062794A (zh) * 2014-06-10 2014-09-24 深圳市华星光电技术有限公司 掩膜板以及紫外线掩膜板、阵列基板的制造方法
CN104517896A (zh) * 2014-12-12 2015-04-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的掺杂方法及制造设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI360886B (en) * 2007-10-30 2012-03-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd A method for manufacturing a flat panel display
CN101598894B (zh) * 2009-07-07 2011-07-27 友达光电股份有限公司 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法
CN104810322A (zh) * 2015-05-18 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1805657A (zh) * 2004-12-21 2006-07-19 日东电工株式会社 配线电路基板
CN1949511A (zh) * 2005-10-14 2007-04-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US20120094416A1 (en) * 2006-06-15 2012-04-19 Mikuni Electoron Co. Ltd. Low-cost large-screen wide-angle fast-response liquid crystal display apparatus
CN101196681A (zh) * 2006-12-05 2008-06-11 Hoya株式会社 光掩膜的检查装置和方法、制造方法和图案转录方法
CN101442028A (zh) * 2007-11-22 2009-05-27 中华映管股份有限公司 平面显示器的制造方法
CN101807549A (zh) * 2009-02-18 2010-08-18 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN103592815A (zh) * 2013-11-18 2014-02-19 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板、基板及显示装置
CN104062794A (zh) * 2014-06-10 2014-09-24 深圳市华星光电技术有限公司 掩膜板以及紫外线掩膜板、阵列基板的制造方法
CN104517896A (zh) * 2014-12-12 2015-04-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的掺杂方法及制造设备

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016183968A1 (zh) * 2015-05-18 2016-11-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、掩模板
US9899225B2 (en) 2015-05-18 2018-02-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing array substrate, array substrate and mask
CN105655289A (zh) * 2016-01-04 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN106249549A (zh) * 2016-10-21 2016-12-21 南京华东电子信息科技股份有限公司 有机膜技术与ito薄膜技术共用掩膜板的方法
WO2020062374A1 (zh) * 2018-09-30 2020-04-02 惠科股份有限公司 一种光罩及其制程方法
US11372325B2 (en) 2018-09-30 2022-06-28 HKC Corporation Limited Mask and manufacturing method thereof
CN112965335A (zh) * 2021-02-25 2021-06-15 合肥维信诺科技有限公司 一种掩膜版及光学临近修正的方法

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