JP4593094B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 47
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 101100489577 Solanum lycopersicum TFT10 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
TFTのチャネルは、ドレイン電極側の接触層のソース電極側の縁部の位置から、ソース電極側の接触層のドレイン電極側の縁部の位置までの間の真性半導体層によって形成される。TFTは、チャネルエッチ型であってもよく、或いは、チャネル保護型であってもよい。
本発明の第1及び第2の視点のTFTの製造方法では、前記チャネルを含むTFTの半導体層をアモルファスシリコンで形成することができる。
11:ゲート電極
12:ドレイン電極
13:ソース電極
14:チャネル領域
15:画素電極
21:ガラス基板(絶縁基板)
22:ゲート酸化膜
23:半導体層
24:オーミックコンタクト層
25:第2導電膜
26:パッシベーション膜
27:コンタクトホール
28、29、30:フォトレジストパターン
31:フォトマスク
32:遮光パターン
33:未露光領域
34:露光領域
35:半露光領域
Claims (16)
- 薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、ブラックマトリックスが形成された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板との間に挟まれた液晶層と、前記TFT基板の背面に配設されたバックライトとを備える液晶表示装置において、
前記TFTは、順次に形成されたゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層及びオーミックコンタクト層と、該オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記オーミックコンタクト層の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に対応する領域に離間部が形成され、該離間部に対応する前記半導体層にチャネルが形成されており、
前記対向基板には、平面的に見て前記TFTのチャネルを被覆する遮光膜が形成されており、
前記TFTのチャネルと前記バックライトとの間に、前記TFTのチャネルを遮光する遮光層を有しており、
前記TFTのチャネルは、画素電極側の縁部のチャネル長のみが、チャネル中央部分のチャネル長に比して長いことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記TFTのゲート電極が前記TFTのチャネルと前記バックライトとの間に形成されており、該TFTのゲート電極が前記遮光層を兼ねる、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記チャネルを含むTFTの半導体層がアモルファスシリコンで形成されている、請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記チャネルを挟んで相互に対向するソース電極の縁部とドレイン電極の縁部とが、チャネルに関して非対称に形成されている、請求項1〜3の何れか一に記載の液晶表示装置。
- 前記チャネルの双方の縁部は、チャネル長が階段状に拡がる部分を有する、請求項1〜4の何れか一に記載の液晶表示装置。
- 前記チャネルは、前記チャネルの中央部から前記双方の縁部に向かって湾曲して拡がる、請求項1〜3の何れか一に記載の液晶表示装置。
- 薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、少なくとも前記TFTのチャネルを遮蔽するブラックマトリックスが形成された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板との間に挟まれた液晶層と、前記TFT基板の背面に配設されたバックライトとを備える液晶表示装置を製造する方法において、
前記TFT基板を形成する工程が、
TFTのゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層とを順次に形成する工程と、
前記半導体層及びオーミックコンタクト層をパターニングする工程と、
前記パターニングされたオーミックコンタクト層上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記ソース電極とドレイン電極の間に対応する領域の前記オーミックコンタクト層を除去することによって、前記半導体層を露出させてチャネル領域を形成する工程とを順次に備え、
前記チャネル領域の画素電極側の縁部のみのチャネル長を、チャネル領域の中央部分のチャネル長に比して長く形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、少なくとも前記TFTのチャネルを遮蔽するブラックマトリックスが形成された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板との間に挟まれた液晶層と、前記TFT基板の背面に配設されたバックライトとを備える液晶表示装置を製造する方法において、
前記TFT基板を形成する工程が、
TFTのゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層と、金属層とを順次に形成する工程と、
前記金属層上にレジスト層を形成し、該レジスト層を、所定の波長を有する光源を用い、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン、及び、前記ソース電極パターンとドレイン電極パターンとの間に配設される露光解像限界以下のパターンを有するマスクを介して露光し、前記ソース電極パターンと前記ドレイン電極パターンとの間に対応する領域の膜厚が、前記ソース電極パターン及びドレイン電極パターンに対応する領域の膜厚に比して薄いレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて、前記金属層、オーミックコンタクト層、及び、半導体層をパターニングする工程と、
前記レジストパターンを所定の膜厚まで残して除去するレジスト一部除去工程と、
前記レジスト一部除去工程後のレジストパターンをマスクとし、前記金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記ソース電極とドレイン電極の間に対応する領域の前記オーミックコンタクト層を除去することによって、前記半導体層を露出させてチャネル領域を形成する工程とを順次に備え、
前記チャネル領域の少なくとも一方の縁部のチャネル長を、チャネル領域の中央部分のチャネル長に比して長く形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記露光解像限界以下のパターンは、露光解像限界以下のスリットパターンとして構成される、請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記スリットパターンの長辺方向の長さが、前記ソース電極パターン及びドレイン電極パターンの相互に対向する辺よりも長い、請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記露光解像限界以下のパターンは、露光限界解像以下のハシゴ状パターンとして構成される、請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記露光解像限界以下のパターンは、露光限界解像以下のドットパターンとして構成される、請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記レジスト一部除去工程では、RIE−DE装置により、前記レジストパターンを所定の膜厚まで残して除去する、請求項8〜12の何れか一に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記レジスト一部除去工程では、UVアッシャーにより、前記レジストパターンを所定の膜厚まで残して除去する、請求項8〜13の何れか一に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記TFTの双方のチャネル縁部のチャネル長を、前記チャネル中央部分のチャネル長よりも長く形成する、請求項8〜12の何れか一に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記チャネルを含むTFTの半導体層をアモルファスシリコンで形成する、請求項7〜15の何れか一に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003297575A JP4593094B2 (ja) | 2003-08-21 | 2003-08-21 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US10/923,432 US7460190B2 (en) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | LCD device including a TFT for reducing leakage current |
TW093125113A TWI248547B (en) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | LCD device including a TFT for reducing leakage current |
KR1020040066160A KR100722725B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-21 | 누설전류를 감소시키기 위한 tft를 포함하는 lcd장치 |
CNB2004100576544A CN100401144C (zh) | 2003-08-21 | 2004-08-23 | 包括用于减少泄漏电流的tft的lcd设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003297575A JP4593094B2 (ja) | 2003-08-21 | 2003-08-21 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005072135A JP2005072135A (ja) | 2005-03-17 |
JP4593094B2 true JP4593094B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=34191185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003297575A Expired - Lifetime JP4593094B2 (ja) | 2003-08-21 | 2003-08-21 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7460190B2 (ja) |
JP (1) | JP4593094B2 (ja) |
KR (1) | KR100722725B1 (ja) |
CN (1) | CN100401144C (ja) |
TW (1) | TWI248547B (ja) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2003
- 2003-08-21 JP JP2003297575A patent/JP4593094B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-08-20 US US10/923,432 patent/US7460190B2/en active Active
- 2004-08-20 TW TW093125113A patent/TWI248547B/zh active
- 2004-08-21 KR KR1020040066160A patent/KR100722725B1/ko active IP Right Grant
- 2004-08-23 CN CNB2004100576544A patent/CN100401144C/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050041169A1 (en) | 2005-02-24 |
TW200512526A (en) | 2005-04-01 |
US7460190B2 (en) | 2008-12-02 |
KR100722725B1 (ko) | 2007-05-29 |
KR20050021252A (ko) | 2005-03-07 |
TWI248547B (en) | 2006-02-01 |
JP2005072135A (ja) | 2005-03-17 |
CN100401144C (zh) | 2008-07-09 |
CN1584718A (zh) | 2005-02-23 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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