TWI248547B - LCD device including a TFT for reducing leakage current - Google Patents

Description

1248547 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於包含薄膜電晶體（TFT)的LCD裝置，卢盆旧於 使用於LCD裝置之TFT的構造。本發明也關於用以製造置 之TFT的方法。 、 【先前技術】 主動式陣列LCD裝置包含主動元件，例如TFT作為切換梦置， 愈來愈常被使用。LCD裝置中使用於Τπ之半導體層的材料广包含 例如多晶石夕（p-Si )及非晶石夕（a-Si )。具有多晶石夕層的μ在此 被稱為p-Si TFT，而具有非晶石夕層的TFT在此被稱為a—& τρτ。 互相比較此兩種TFT，a-Si TFT的優點為具有較少數I的制、生半 驟，且允許低溫製造步驟。 衣 圖13係顯示一般之LCD裝置中製造有a—Si TFT 230之LCD 面板的剖面圖。該TFT面板200包含TFT基板202、對向基板204、 夾没於该專之間的液晶層203。基板202或204每一個皆包含位在 該等基板與液晶層203之間的配向膜207。背光單元206，以中間 插入有偏光板201的方式，配置於TFT基板202的背面側（底側）， 用以穿過偏光板201照亮TFT面板200。另一偏光板205配置在對 向基板204的前面側（頂側）。偏光板201與205有各自的偏光軸 (polarizing axes)彼此互相垂直。 圖14為從對向基板204側觀看之圖13所示之TFT基板202 一部分的俯視圖。在TFT基板202上包含多數的訊號線231 ;垂直 於訊號線231而延伸之多數的掃描線232 ;及多數的TFT 230，每 一個皆形成在其中一條訊號線231與其中一條掃描線232之交叉 附近處，且係用以驅動像素電極229。每個TFT 230皆有汲極電極 225，從對應之訊號線231延伸出；源極電極226，連接於像素電 極229 ;及閘極電極222，從對應之掃描線232延伸出。 圖15顯示圖14所示之其中一個TFT 230，其XV-XV線的剖面 1248547 苴'EP~Sl TFT 具有共面式結構（coplanar structure)， y側’而，TFT則具有交錯式結構（sta麟ed的 極電u=及極電Si _的方式與源 ^ 私極對向’如圖15所示。圖；15所示之夺辑爷έ士接 結構，因為其閘極_ 222配置在a—Si層底 a'Si ^ 224 ； 極雷極桃廿二Γί 接觸層233b而與a_Si層224接觸。源 TFT 230、南it由貝通孔28而連接於像素f：極229。圖15所示之 平面Γ十姓刻型TFT。應注意的是，汲極電極225的 ίΓίίίΖίί歐姆接觸層233a的平面尺寸相同；而源極電極 的千面尺寸與下面之歐姆接觸層233b的平面尺寸相同。 極J/ΙΛ30的a—Si層224包含一通道區域234，其鋪在閘極電 内側邊緣，t並從位在沒極電極225下側之歐姆接觸層233a的 制、嘉絡」I伸至位在源極電極226下側之歐姆接觸層233b的内 的#23=所示’通道區域234的長度為“L”。逆交錯式結構 止;’閘極電極222當作遮光膜，遮蔽通道區域234，防 止被照射到從背光單元206所放射的光。 極電H係ί示TFT 230的放大俯視圖。各個汲極電極225與源 對向於足26白具有内側邊緣’以中間插入有通道區域234的方式， 盘Ϊίΐ—汲極電極225與源極電極226的邊緣。汲極電極225 } 234 204 Π為對向於圖14所示之TFT基板202之部分的對向基板 的俯視圖。由圖14與圖17可知，對向基板2〇4包含黑 1248547 陣242 (black matrix)，而該黑色矩陣242具有，從背光放 狳外f向看為覆蓋TFT基板202上之TFT 230、訊號線231與掃描 、、、2的圖案。更尤其是，黑色矩陣242會遮蔽TFT 23〇等，防 到來自背光單元206的光；而光穿過的部分，則界定出有 ς，素區域或光透射區域245。透射通過各光透射區域245的光的 &係由對應之像素電極229與對向基板204之對向電極244 =、13)間的電壓所控制，且該電壓係由對應之TFT23〇所供應。 光透射區域245設有RGB著色層243,用以在LCD面板的螢幕顯 示彩色影像。 雖然黑色矩陣242由具低反射率的材料構成，但從背光單元 6入射至對向基板204之光的一部分，還是會被黑色矩陣242 反射回到TFT基板202。回到TFT基板202的光，有一些部分會被 閘極電極222、汲極電極225、源極電極226反射多數次，而射入 至TFT 230的通道區域234，特別是有較大的數量射入至通道區域 234的兩個邊緣部。射入至通道區域234的光，會造成穿過通道區 域234的漏電流，降低.TFT 230的切換特性，因此LCD裝置的影 像品質就會遭受降低。 為了避免由入射至通道區域234的所造成的漏電流，已知一 種技法，係將黑色矩陣242與著色層243形成在TFT基板202上， 取代开>成在對向基板204上。此技法中，縮小黑色矩陣242與TFT 230間的距離，而能夠減少射入至通道區域234的光，從而減少 TFT 230的漏電流。然而，此技法存在一問題，即tft 230、黑色 矩陣242、著色層243必須依序形成在TFT基板202上，但是其又 難以達成。 〃 TFT的通道區域234會被照射到，來自背光單元2〇β舍過TFT 基板202背面側的入射光、以及如上所述由黑色矩陣m2所反射 的光。這是因為閘極電極222無法完全遮蔽通道區域234防止入 射光的照射。尤其是，通道區域234之在像素電極229附近的其 中一邊緣部，相較於通道區域234之在掃描線232附近的另一邊 1248547 緣部’被照射到較大量的光，此乃由於掃描線232係遠離通道區 域234而配置。這導致較大的漏電流發生在通道區域234其中一 邊緣部的附近。應注意的是，閘極電極222延伸部位在像素電極 =9的附近有一延伸部，用以防止入射光的照射，如圖Μ所示， 得知閘極電極222的延伸部位長度為“d”。 人然而’由於閘極電極222的延伸部擴大了 TFT的區域，並因 而令用來遮蔽TFT區域防止入射光照射的黑色矩陣242之遮擋區 域擴大了，故閘極電極222的延伸部使像素的光透射區域2奶曰減 小了 ’而降低像素的亮度（brightness luminance)。 【發明内容】 鑑1上述習知LCD裝置的問題，本發明之目的在於，提供一 種LCD裝置，其能夠減少LCD裝置之TFT的漏電流，同時抑制TFT 區域擴大。 TFT H明提供一種LCD裝置，包含聊基板，其上安裝有多數 相挑向基板，其上安裝有黑色矩陣；液晶層，夾設於TFT基板 單元’配置在TFT基板之f面侧，以背光 基板，而每個TFT皆具半導體層的通道，該通道在通道 k'·彖。卩的通道長度大於在中央部的通道長度。 =明亦提供一種製造LCD裝置之TFT的方法，包含如下步 能^序形成TFT的閘極電極、閘極絕緣膜、半導體層、及歐姆 ’圖案化該歐姆接觸層及該半導體層；在該圖案化歐姆接 形成該TFT的源極電極和汲極電極；使用該源極電極及 觸:序=TFI的閘極電極、閘極絕緣膜、料體層、及歐 圖"宰化來姓刻在該源極電極和該汲極電極間之該 接觸層的部分藉以將部分的該半導體層曝光成通 逼形成一方邊緣部的通道長度大於在中央部的通道長度。 本發明亦提供另一種LCD裝置之TFT的製造方法，包含如下 1248547 小於該曝光光的極限解析的中fa1®案，該巾_案的寬度 於該源極電極與汲極電極遮罩圖案，它在對應 導體層；除去該光ί遮罩nf屬膜、該歐姆接觸層及該半 遮，;使用該部分的;光阻=以==光: =_部的通道長度大;夂==道’《

袭置，使1 ^置與用本發明之製造方法所製造的LCD 大ΐ的道長度較長，以抑制因合理（p〇ssible) 的瞻善顶 限解芍成於一 式，與其他之目的、特徵、與優點.，參照附隨之圖 式，經由以下說明，會更清楚明白。 口 /【實施方式】 件附ίϊ同具體地說明本發明，圖式中相同構成的元 杯j Li顯示依本發明第1實施例的LCD裝置之形成在TFT基 搞19、3 ，匕被附上符號1(^TFT1〇包含汲極電極12、源極電

古、閘極電極11、通道（通道區域）14,與圖16所示之TFT

1 =不同。要注意的是，TFT10的剖面結構相似於圖15所示之TFT 的σΐΐ面結構。 圖15所示之結構，對應於圖1所示之XV-XV線剖面的結構。 1248547 圖1所示之TFT10配置於訊號線51與掃描線52的交又 像圖14所示之231及232。除了本實施例之LCD裝置的^^^姓楳 外’尚有其他相似於圖13、14、15及17所示的TFT結構，為° # 避免重複在此將其他TFT結構的詳細說明省略。 马了 uj 1中、，/及極電極12與源極電極13係夾隔著通道區域14被 此對向，通道區域14係在位於汲極電極12和源極電極13下 -十曰日梦層中。每個汲極電極12與源極電極13在每個汲極_ 12與源極電極13前側的兩個角落皆 。 其在通道_ 14寬方_财US ί域 向的側邊長度為。因此，通道區域14复中 b的通這長度為固定的L1 ;朝通道區域14的邊緣看時'、 =緣部的通道長度係從L1增加至L2，且L2 = u + 2xAi^圖、 極電極H的閘極長度比L2長。通道區域14在兩邊=部 射=1^、有較大的通道長度，這種結構其因閘極電極η所反 射的先而造成的漏電流，會因較大的通道長度而被減少。斤反

圖2Α〜2G顯示用以製造具有圖i所示之抓的l ，序的連續步驟。將第—導電層沈 ^衣H 光阻遮罩圖案將其_化 ，使用 觸層24沈積在_極n與朗基S板公= η圖，3〇在其上（圖2B)。使用另一光阻‘ 罩，來侧歐姆接觸層24與半導體 ，累3〇田作心 其後，沈積第二導電声2t =(圖2〇° 在其上（圖2D)，該光阻遮罩圖案' 圖1所示之汲極電極12、及第弟圖案28a用以形成 極電極13。該結構經圖案化後顯;ς (圖g形成圖1所示之源 η (明。結果’她域 1248547 從；^極電極12的内緣延伸至源極電極13的内緣。其後，沈積鈍 化膜26 (passivation film)，並使用另一光阻遮罩圖案將它安 化形成貝通孔27。然後，彻塗布技細彡成透明導電膜， 另一光阻遮罩圖案將它圖案化，以形成像素電極15 (圖2g)。 如上所述，通道區域14形成其邊緣部i4a與14c的通道長产 中央部的通道長度14b。因此’若較大量的光入射至通道^ 地緣日寸，由於較長的通道長度使漏電流的電流路徑較長，因此合 抑制漏電流。且也會抑儀漏電流而造成TFT切換特性的降低: 因此，可得到較短的閘極電極突出長度⑷，並而不會降低FT 切換特性，藉以增加LCD裝置中的光透射區域，改進其影像品質。 圖3為顯示依本實施例之TFT⑺與習知吓了 23〇 (圖丨、， ίί 黑暗狀態;下’閘極電崎(V))與汲極電流(安 ^ 間的關係。光活化狀態相當於通道區域 ^細射的狀您；而黑暗狀態相#於通道區域沒”光照 狀悲。 品，通道區域的中央部，其通道寬度（W)為2_、 ί )為6.〇_。細的汲_極及源極電極之各 甬其側邊Μ规分別為3· 〇_與L ，且其從 平均通道長度為7·2卿亦即從通道邊緣 • 5/zm處的通迢長度為7.2/ζιη，其係為中央部 =2^結_緒設：在魏喊扣轉Ι g響。特別容易受_人射光轉向而產生之入射光之 時且2 本實施例之Τ™與習知TFT 230 ,在黑暗狀態 在光活化狀態時’本實施例之TFT1〇相較 較電流。本實施例之™在關閉 極心的敢小值’大約減少至習知TFT 23〇的40%左右； 的導之=0的導通電流.curren t)相似於習知TFT 23 0 料通k。_測量確定認’錢_雜部具有較大的通道 1248547 長度，會有助於減少TFT的漏電流，但相較於習知之Τρτ 相似之導通電流。 一般而言，汲極電流會與TFT通道之寬度對長度的比 成正比增加。因此，本實施例在邊緣部具較大的通道長产， 會不符吾人期望地導致TFT導通電流的減少。在這樣的= 了要達到所想要之TFT的導通電流，本實施例中央部之 L1的设计就必須縮短。 & 圖4顯示依本發明第2實施例之LCD裝置的TFT。本每 中，TFT 10a的通道長度最小值（L3)在通道14的中央^朝^道 14的各邊緣以曲線方式漸漸增加至各邊緣取得最大值（u)。此 外，本實施例之其他結構相似於第1實施例。。 圖5A〜5E顯示用以製造圖4之TFT之程序的連續步驟。閘極 電極11係由第1導電膜形成在玻璃基板21上，接著在其上沈 ，極絕緣膜22、a-Si半導體層23、n+-Si歐姆接觸層24及第二導 電層25，如圖5A所示。然後，將光阻遮罩圖案29形成在 導 電層25上，如圖5B所示。 一、 圖6A顯示圖案化光阻遮罩圖案29的步驟；圖6β顯示形成在 圖6A所示之光罩31上的遮罩圖案32的結構。、^ 圖6B所示之遮罩圖案32，係用以形成圖6A#驟中的光阻遮 罩圖案29，且具有用以形成汲極電極的第}圖案32a、用以形成 源極電極的第2圖案32b、及夾設於第1圖案32a與第2圖案32b 之間但與此二圖案32a及32b分開的第3圖案（狹縫狀圖案Μ%。 =縫狀圖案32c的寬度小於具特定波長之曝光光其曝光極限解析 :。更具體而言，狹縫狀圖案32c的寬度係取決於考阻材料的性 】:曝光光的波長、曝光光之極限解析度，而該極限解析度又由 盯光光的光學系統決定，例如透鏡的數值孔徑（numerical aperture)〇 當^特定波長的曝光光，穿過圖6A所示之步驟中的光罩31， 入射至第二導電層25上的抗蝕劑膜時，部分的曝光光會被圖βΒ 12 1248547 ϊϊΐίΐ 所遮擋。此曝統程中，因為光罩31上的狹 有比曝光光其極限解析度更小的寬度，被狹縫狀 細人射光，部分會料鮮3卜轉致光阻膜形 =曝光部33 ( 33a及33b)、半曝光部35及曝光部34，如圖6Α 八的ί阻Ϊ曝光後進行懸，除去光_的曝光部34而暴露出部 刀的弟二¥電層25 ;殘留未曝光部33形成光阻遮軍圖案 的第二導電層25;並除好曝光部35的糊部分而殘留直 ，側。卩分，該底側部分以較小的膜厚覆蓋另一部分的第二導電層、 25二換言之’光阻遮罩圖案29在未曝光部％與半曝光部3 ^ 一段差，如圖6A所示。 如圖7A所示，顯練序使光_具有—_，包含半曝光部 °曝光部29 (29a&29b)、曝光部（已被除去）。另外，由 ^可知，半曝光部29c在兩通道邊緣具有比中央部更大的長 n為邊緣部會被轉向的光猶料，而絲是從通道寬方向 1兩邊緣附近進人邊緣部的。細遮案29亦包含在未曝光部 a及29b周圍的半曝光部29c，其係因轉向的光所造成。 如圖6B所示，狹縫狀圖案32c從用以形成源極電極與汲極電 極=案32a及32b向外突出。突出的狹縫狀圖案32c，相較於通 ί部，能夠使較大量的光進入狹縫狀圖案32c附近的通道 品知、二藉以在通道邊緣部形成較大的通道長度，如圖所示，並 具有第1及第2圖案29a及29b的曲線邊緣。 使用殘留的光阻遮罩圖案29,如圖7A所示，蝕刻第二導電層 25、歐姆接觸層24、·半導體層四（圖5〇。接著，對圖7A所示之 瞪罩圖案29進行灰化處理，以除去光阻遮罩圖案29全體的 •二f ’藉以除去半曝光部29c而得到圖7B所示之光阻遮罩圖案（圖 bD)。 絲*可^使用反應性離子姓刻系統或紫外線灰化（UV ashing)系 、、、來進行灰化處理，前者優點在於蝕刻非等向性，對光阻遮罩圖 13 1248547 案的尺寸臝得較高的控制能力，·而後者優點在於製程較簡單。 牛處理後所得到之圖7β所示之光阻遮罩圖案29 ’進— Ιίϋ弟二導電層25’以構成汲極電極似與源極電極13a， 心二12a *源極_ 13a間的通道長度（圖5E)。其後， ΐ對部分的歐姆接觸層24與半導體層烈，進行 = 理，接者，形成純化膜26、貫通孔27、像素電極15， 如圖2G所不，以完成TFT〗〇a。 a 知本貝知例中，通道區域14係由曲線狀且彼此對 3=原綱極13a的邊緣所決定，且在通道的邊 ί ϊίίίίίi目：中央部的贼長度⑽。在本結構亦 的漏電流，而它_係由入射光入 射至通運η的邊緣部所造成，_改善LGD裝置的影像品質。 在另-用以形成如上所述之TFT伽的程序中，可以利用相 似於圖2A〜2G所不之程序來形成TFT1〇a。此情況下，可以 案圖案化成具有圖4所示之電極12a及咖的形狀。麻注 思的疋’圖2A〜2G所示之程序需要2個微影步驟，以圖案化光阻 =M 3G與光阻遮罩圖案28。而圖5A〜5E所 施 法僅需1鑛影步驟，因此減少了製造步驟和LCD裝置的成7。 圖8顯示依據本發明第3實施例之LCD裝置的抓。除了沒極 電極12b及源極電極13b的結構外，本實施例 ί^Γ ΓϊΓ 10；f 其内有-切除部，且源極電極13b的前緣伸出插進該切除部内。u ϊ开具有倒角’以纽在通道14兩邊緣的通道長度 L6大於中央#1如的通運長度L5，這類似於第j及第2實施例。 雖然汲極電極12b及源極電極13b彼此為不對稱、，但是 =射光造_職流，尤其是在通道14料 邊緣部14d的通道長度L6較大而被減少。 | u s ν 上述各實施_說明皆是涉及逆交錯式結 本發明之TFT的結構並非僅為蚊逆交錯式結構者，=可=是非 14 1248547 構日ΐ然ΐ不Γ於紐式結構本身。若TFT係使用 擔入^構^可以彻其他位在半導體層下方的遮蔽膜遮 域關：道極間的通道區 若射進通道區域的先掩玆以^ :ΐ:ϊ=ίΓΓ則靠近像素電極的通道邊緣部的通道 ::r：i ir jf---- ΐ" -it;::;： 的通縣度1^可以是相等於第1實_ 12d = = Μ中，汲極電極 緣的腳皆且成梯 案版的示例:之狹縫狀圖 =;:=對 大通道長度的情況'或者==高 向通二置= 15 1248547 合（狹縫狀圖案）32f。當從通道之長方向觀看時 安 長度皆小於曝光光之極限解析度。圖12B所示之圖^合n 夠抑制因為沿著曝光光的掃描方向和光阻遮罩: b 光阻遮罩圖案之形狀的差異度所造成的影$相雜顯影方向的 圖12C所示之遮罩圖案32C，具有多數的點狀圖宰，配 列形成介於第1圖案32a與第2圖案32b之間的圖案組合（狭縫 狀圖案）32g。當從通道之長方向觀看時，各點狀圖案的^度皆小 於曝光光之極限解析度。圖案組合32g可以改善， ^ 汲極電極的第1圖案32a與用以形成源極電極的第2圖 ^ 間的光阻遮罩圖案，其厚度的均勻性。 ° 〃 由於上述各實施讎是作為示例來加以說明，故本發明並非僅 ^定於上述實補’熟習此項技術人士，在無脫離本發明之範 竒内，係可以輕易地將其做各種不同之修改與變更。 【圖式簡單說明】 的

圖1為依本發明第1實施例LCD裝置之τπ基板上的TFT 俯視圖。 圖2A〜2G為製造TFT之連續的步驟中，圖丨之吓了的剖面圖。

Hi顯示光活化狀態與黑暗狀態，TFT的閘極電壓與汲極電 流間之關係的圖表。 的

圖4為依本發明第2實施例LCD裝置之TFT基板上之TFT 俯視圖。 圖5A〜5E為製造TFT之連續的步驟中，圖4之TFT的剖面圖。 圖Μ為用以形成圖5B所示之光阻遮罩圖案的製造步驟之剖 面囝囷祕為使用於圖6A之步驟的光罩其遮罩圖案的俯視圖。 •圖7A為由圖6B之遮罩圖案所獲得之光阻遮罩圖案的俯視 圖；圖為圖7A移除半曝光區域後之光阻遮罩圖案的俯視圖。 、圖8為依本發明第3實施例LCD裝置之TFT基板上之TFT的 俯視圖。 16 1248547 圖9為本發明之LCD裝置之另一示例之tft的 。 圖i〇為本發明之LCD裝置之另-示例之m的俯視固圖。 圖11為本發明之LCD裝置之另-示例之TFT的俯視圖。 圖12A至12C為使用於圖6A之步驟的光罩，且H 一 罩圖案的俯視圖。 ，、另一不例之遮 圖13為一般之LCD裝置的剖面圖。 圖14為圖13所示之TFT面板之一部分的俯視圖。 ' 圖15為圖14所示之XV-XV線的剖面圖。 - 圖16為圖14所示之TFT的放大俯視圖。 圖17為圖13所示之對向基板之部分的俯視圖。 馨 【主要元件符號說明】

10、10a、l〇b : TFT 11 :閘極電極 12、 12b、12d :汲極電極 13、 13b、13d :源極電極 14 :通道、通道區域 14a、14c、14d ··邊緣部 · 14b :中央部 15 =像素電極 ‘ 21 :玻璃基板 22 :閘極絕緣膜 23 :半導體層 24 :歐姆接觸層 · 25 :第二導電層 26 :純化膜 27 :貫通孔 28 :光阻遮罩圖案 17 1248547 28a :第1圖案 29 :光阻遮罩圖案 29c :半曝光部 30 :光阻遮罩圖案 31 :光罩 32、32A、32B、32C :遮罩圖案 32a ··第1圖案 32b :第2圖案 32c :狹縫狀圖案、第3圖案 33 :未曝光部 34 :曝光部 35 :半曝光部 51 :訊號線 52 :掃描線 200 : ΊΤΓ 面板 201 :偏光板 202 : TFT 基板 203 ·液晶層 204 :對向基板 205 :偏光板 206 :背光單元 207 :配向膜 222 :閘極<電極 224 : a-Si 層 225 · >及極電極 226 :源極電極 229 :像素電極 18 1248547

230 : TFT 231 :訊號線 232 :掃描線 234 :通道區域 242 :黑色矩陣 243 :著色層 244 :對向電極 245 :光透射區域 233a :歐姆接觸層 233b :歐姆接觸層

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍·· 1· 一種液晶顯示裝置（LCD)包含： 有多transistGr ’薄膜電晶體）基板，其上安累 對向基板，其上安裝有一黑色矩陣； =晶f，夾設於該TFT基板與該對向基板之間； 基板背光單元’配置在該TFT基板之背_ ’俾料光_亥τρτ 其中， 入/里如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，今ΤΓΓ4 二:己於㈣運與該背光單元_—閘極 1、: 上 遮蔽該通道防止騎光的功能。 賴極㊄極具有 顯專纖圍第1項之液關示裝置，其巾，料導# 每係由非日日石夕膜或多晶石夕膜所構成。 q半‘體 ^如中請專利範圍第丨項之液晶顯 含歐姆祀圍第1項之液晶顯示裝置，其中，該TFT包 rn半導體層與該源極電極細_之間。 ，、语L睛專利範圍第1項之液晶顯示裳置，1中，，tfL 该源極電極與汲極電極配置在該半導體層之上層側。中该TFT的 8· -種製造液晶顯示裝置之TFT的方法，曰包含 依序形成TFT的閘極f極、閘極絕緣 々卜 接觸層； 嗎半導體層、及歐姆 圖案化該歐姆接觸層及該半導體層； 20 1248547 電極 在該圖案化之歐姆接觸層上，形成該财的源極電極和汲極 使用該源極電極及該汲極電極者 和該没極電極間之卵案化 1 j ’軸在該源極電極 的該半導體層曝光形成部分，藉以將部分 於中央部的通道長度。 I 方4緣部的通道長度大 9. -種液晶顯示裝置之TFT的製 接觸 跑錢曝光光 夾設於該雜電極酵碼f、錄電_案、及 案間之-間隙的區域的；^度_極純圖案與該汲極電極圖 接觸圖案當作遮罩’來圖案化該金屬膜、該歐姆 罩圖^ 4阻遮罩_ ’殘留具特定厚度的—部分的該光阻遮 觸來圖咖細，以形成該 極和ί極及該没極_當作遮罩，來银刻在該源極電 部分的Λ該半= ^案化歐姆接觸層的—部分，藉以曝露出 大於中央部的通’麵道軸—方邊緣领通道長度 半Λ〇·*如^專利範圍第9項之液晶顯示裝置之tft的製造方 ’ ” ’射間圖案為—個或更多數的狹缝狀圖案（slit 21 1248547 pattern) ’它的該寬度小於該解析度極限。 、11.如中明專利範園第9項之液晶顯示裝置之抓的製造方 法’其中’該中間圖案包含多數的來 ，通道的延伸方向配置，且每一個 法，ί中如項之液晶顯示裝置之TFT的製造方 = a回^、匕§夕數的點狀圖案，配置成陣列，且每 一個的尺寸皆小於該解析度極限。 X干π I母 法 2中如9項之液晶顯示裝置之τ 15 罩圖案除去步驟’係使用紫外線灰化系統。 法 法 1中^圍第9項之液晶顯示裝置之TFT的製造方 汛如&專利 的f道長度大於該中央部的通道長度。 十一、圖式 其中，該半導體層由非晶賴所構成。 ^的衣造方 • 、 isi · 22