KR100722725B1 - 누설전류를 감소시키기 위한 tft를 포함하는 lcd장치 - Google Patents
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- 박막 트랜지스터 (TFT) 가 형성된 TFT 기판, 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판, 상기 TFT 기판과 상기 대향 기판 사이에 끼워진 액정층, 및 상기 TFT 기판의 배면에 배치·형성된 백라이트를 구비한 액정 표시 장치에 있어서,상기 대향 기판에는, 평면적으로 보아 상기 TFT 의 채널을 피복하는 차광막이 형성되어 있고, 상기 TFT 의 채널과 상기 백라이트 사이에 상기 TFT 의 채널을 차광하는 차광층을 갖고 있고,상기 TFT 의 채널은, 채널 에지부의 적어도 한쪽 채널 길이가, 채널 중심부의 채널 길이에 비하여 긴 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 TFT 의 쌍방의 채널 에지부의 채널 길이는 상기 채널 중심부의 채널 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 박막 트랜지스터 (TFT) 가 형성된 TFT 기판, 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판, 상기 TFT 기판과 상기 대향 기판 사이에 끼워진 액정층, 및 상기 TFT 기판의 배면에 배치·형성된 백라이트를 구비한 액정 표시 장치에 있어서,상기 대향 기판에는, 평면적으로 보아 상기 TFT 의 채널을 피복하는 차광막이 형성되어 있고,상기 TFT 의 채널과 상기 백라이트 사이에, 상기 TFT 의 채널을 차광하는 차광층을 갖고 있고,상기 TFT 의 채널은, 화소 전극측의 에지부의 채널 길이만이 채널 중심부의 채널 길이에 비하여 긴 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 TFT 의 게이트 전극은 상기 TFT 의 채널과 상기 백라이트 사이에서 형성되어 있고, 상기 TFT 의 게이트 전극이 상기 차광층을 겸하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널을 포함한 TFT 의 반도체층은 비결정 실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 TFT 의 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 반도체층을 사이에 끼우고 상기 게이트 전극과 대향하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 TFT 는 상기 반도체층과 소스 전극 및 드레인 전극 사이에, 오믹 컨택트층을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널을 사이에 끼워 서로 대향하는 소스 전극의 에지부와 드레인 전극의 에지부가, 채널에 관하여 비대칭으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널의 쌍방의 에지부는, 채널 길이가 계단상으로 확장하는 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널은 상기 채널의 중심부로부터 상기 채널의 쌍방의 에지부를 향하여 만곡하여 확장되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 26 항에 있어서,상기 TFT 의 소스 전극 및 드레인 전극이, 상기 반도체층의 상층 측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 박막 트랜지스터 (TFT) 가 형성된 TFT 기판, 적어도 상기 TFT 의 채널을 차폐하는 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판, 상기 TFT 기판과 상기 대향 기판 사이에 끼워진 액정층, 및 상기 TFT 기판의 배면에 배치·형성된 백라이트를 구비하는 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,상기 TFT 기판을 형성하는 공정은,TFT 의 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 및 오믹 컨택트층을 차례로로 형성하는 공정,상기 반도체층 및 오믹 컨택트층을 패터닝하는 공정,상기 패터닝된 오믹 컨택트층 상에, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정, 및상기 소스 전극 및 드레인 전극을 마스크로서 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 대응하는 영역의 상기 오믹 컨택트층을 제거함으로써, 상기 반도체층을 노출시켜 채널 영역을 형성하는 공정을 차례로 구비하고,상기 채널 영역의 적어도 한쪽 에지부의 채널 길이를, 채널 영역의 중심부의 채널 길이에 비하여 길게 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 박막 트랜지스터 (TFT) 가 형성된 TFT 기판, 적어도 상기 TFT 의 채널을 차폐하는 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판, 상기 TFT 기판과 상기 대향 기판 사이에 끼워진 액정층, 및 상기 TFT 기판의 배면에 배치·형성된 백라이트를 구비하는 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,상기 TFT 기판을 형성하는 공정은,TFT 의 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 및 오믹 컨택트층을 차례로 형성하는 공정,상기 반도체층 및 오믹 컨택트층을 패터닝하는 공정,상기 패터닝된 오믹 컨택트층 상에, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정, 및상기 소스 전극 및 드레인 전극을 마스크로서 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 대응하는 영역의 상기 오믹 컨택트층을 제거함으로써, 상기 반도체층을 노출시켜 채널 영역을 형성하는 공정을 차례로 구비하고,상기 채널 영역의 화소 전극측의 에지부만의 채널 길이를, 채널 영역의 중심부의 채널 길이에 비하여 길게 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 박막 트랜지스터 (TFT) 가 형성된 TFT 기판, 적어도 상기 TFT 의 채널을 차폐하는 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판, 상기 TFT 기판과 상기 대향 기판 사이에 끼워진 액정층, 및 상기 TFT 기판의 배면에 배치·형성된 백라이트를 구비하는 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,상기 TFT 기판을 형성하는 공정은,TFT 의 게이트 전극과 게이트 절연막과 반도체층과 오믹 컨택트층과 금속층을 차례로 형성하는 공정,상기 금속층 상에 레지스트층을 형성하고, 그 레지스트층을, 소정의 파장을 갖는 광원을 이용하고, 소스 전극 패턴, 드레인 전극 패턴, 및, 상기 소스 전극 패턴과 드레인 전극 패턴 사이에 배치·형성되는 노광 해상 한계 이하의 패턴을 갖는 마스크를 통하여 노광하고, 상기 소스 전극 패턴과 상기 드레인 전극 패턴 사이에 대응하는 영역의 막두께가, 상기 소스 전극 패턴 및 드레인 전극 패턴에 대응하는 영역의 막두께에 비하여 얇은 레지스트 패턴을 형성하는 공정,상기 레지스트 패턴을 이용하고, 상기 금속층, 오믹 컨택트층, 및, 반도체층을 패터닝하는 공정,상기 레지스트 패턴을 소정의 막두께까지 남겨 제거하는 레지스트 일부 제거 공정,상기 레지스트 일부 제거 공정 후의 레지스트 패턴을 마스크로서, 상기 금속층을 패터닝하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정, 및상기 소스 전극 및 드레인 전극을 마스크로서 상기 소스 전극과 드레인 전극의 사이에 대응하는 영역의 상기 오믹 컨택트층을 제거함으로써, 상기 반도체층을 노출시켜 채널 영역을 형성하는 공정을 차례로 구비하고,상기 채널 영역의 적어도 한쪽 에지부의 채널 길이를, 채널 영역의 중심부의 채널 길이에 비하여 길게 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 노광 해상 한계 이하의 패턴은, 노광 해상 한계 이하의 슬릿 패턴으로서 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서,상기 슬릿 패턴의 긴 변 방향의 길이가, 상기 소스 전극 패턴 및 드레인 전극 패턴의 서로 대향하는 변보다 긴 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 노광 해상 한계 이하의 패턴은, 노광 한계 해상 이하의 사다리형 패턴으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 노광 해상 한계 이하의 패턴은, 노광 한계 해상 이하의 닷 패턴으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 30 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레지스트 일부 제거 공정에서는, RIE-DE장치에 의해, 상기 레지스트 패턴을 소정의 막두께까지 남겨 제거하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 30 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레지스트 일부 제거 공정에서는, UV 에싱 시스템에 의해, 상기 레지스트 패턴을 소정의 막두께까지 남겨 제거하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 28 항 또는 제 30 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서상기 TFT 의 쌍방의 채널 에지부의 채널 길이를, 상기 채널 중심부의 채널 길이보다 길게 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 28 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널을 포함한 TFT 의 반도체층을 비결정 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 복수의 TFT 를 상부에 형성한 TFT 기판, 블랙 매트릭스를 상부에 형성한 대향 기판, 상기 TFT 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재되고 화소의 어레이를 규정하는 액정층, 및 백라이트로 TFT 기판을 조명하기 위해 상기 TFT 기판의 후면측에 배치된 백라이트 유닛을 구비하는 액정 표시 장치로서,상기 TFT 의 각각은 반도체층에 채널을 가지고, 상기 채널은 채널의 중심부에서보다는 상기 화소 중 하나에 인접한 상기 채널의 에지부에서 더 긴 채널 길이를 가짐으로써 상기 에지부에서 상기 TFT 의 누설 전류가 억제되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 박막 트랜지스터 (TFT) 가 형성된 TFT 기판, 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판, 상기 TFT 기판과 상기 대향 기판 사이에 끼워진 액정층, 및 상기 TFT 기판의 배면에 배치·형성된 백라이트를 구비한 액정 표시 장치에 있어서,상기 대향 기판에는, 평면적으로 보아 상기 TFT 의 채널을 피복하는 차광막이 형성되어 있고, 상기 TFT 의 채널과 상기 백라이트 사이에 상기 TFT 의 채널을 차광하는 차광층을 갖고 있고,상기 TFT 의 채널의 길이는, 채널 중심부로부터 채널 에지부를 향하여 단조증가하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
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