JP2005072135A - 液晶表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 TFTは、逆スタガ構造に形成され、ゲート電極11が液晶表示装置のバックライトからチャネル領域14を遮光している。チャネル領域14は、双方のチャネル縁部のチャネル長が、チャネル中央部分のチャネル長に比して長く形成される。
【選択図】 図1
Description
11:ゲート電極
12:ドレイン電極
13:ソース電極
14:チャネル領域
15:画素電極
21:ガラス基板(絶縁基板)
22:ゲート酸化膜
23:半導体層
24:オーミックコンタクト層
25:第2導電膜
26:パッシベーション膜
27:コンタクトホール
28、29、30:フォトレジストパターン
31:フォトマスク
32:遮光パターン
33:未露光領域
34:露光領域
35:半露光領域
Claims (16)
- 薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、ブラックマトリックスが形成された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板との間に挟まれた液晶層と、前記TFT基板の背面に配設されたバックライトとを備える液晶表示装置において、
前記TFTのチャネルは、チャネル縁部の少なくとも一方のチャネル長が、チャネル中央部分のチャネル長に比して長いことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記TFTの双方のチャネル縁部のチャネル長が、前記チャネル中央部分のチャネル長よりも長い、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記TFTのゲート電極は、前記チャネルとバックライトとの間に配設され、前記チャネルに入射するバックライト光からの光を遮光する、請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記チャネルを含むTFTの半導体層がアモルファスシリコンで形成されている、請求項1〜3の何れか一に記載の液晶表示装置。
- 前記TFTのソース電極及びドレイン電極が、前記半導体層を挟んで前記ゲート電極と対向して配置されている、請求項1〜4の何れか一に記載の液晶表示装置。
- 前記TFTは、前記半導体層と、ソース電極及びドレイン電極との間に、オーミックコンタクト層を有する、請求項1〜5の何れか一に記載の液晶表示装置。
- 前記TFTのソース電極及びドレイン電極が、前記半導体層の上層側に配置されている、請求項1〜6の何れか一に記載の液晶表示装置。
- TFTのゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層とを順次に形成する工程と、
前記半導体層及びオーミックコンタクト層をパターニングする工程と、
前記パターニングされたオーミックコンタクト層上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記ソース電極とドレイン電極の間に対応する領域の前記オーミックコンタクト層を除去することによって、前記半導体層を露出させてチャネル領域を形成する工程とを順次に備え、
前記チャネル領域の縁部の少なくとも一方のチャネル長を、チャネル領域の中央部分のチャネル長に比して長く形成することを特徴とするTFTの製造方法。 - TFTのゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層と、金属層とを順次に形成する工程と、
前記金属層上にレジスト層を形成し、該レジスト層を、所定の波長を有する光源を用い、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン、及び、前記ソース電極パターンとドレイン電極パターンとの間に配設される露光解像限界以下のパターンを有するマスクを介して露光し、前記ソース電極パターンと前記ドレイン電極パターンとの間に対応する領域の膜厚が、前記ソース電極パターン及びドレイン電極パターンに対応する領域の膜厚に比して薄いレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて、前記金属層、オーミックコンタクト層、及び、半導体層をパターニングする工程と、
前記レジストパターンを所定の膜厚まで残して除去するレジスト一部除去工程と、
前記レジスト一部除去工程後のレジストパターンをマスクとし、前記金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記ソース電極とドレイン電極の間に対応する領域の前記オーミックコンタクト層を除去することによって、前記半導体層を露出させてチャネル領域を形成する工程とを順次に備え、
前記チャネル領域の縁部の少なくとも一方のチャネル長を、チャネル領域の中央部分のチャネル長に比して長く形成することを特徴とするTFTの製造方法。 - 前記露光解像限界以下のパターンは、露光解像限界以下のスリットパターンとして構成される、請求項9に記載のTFTの製造方法。
- 前記露光解像限界以下のパターンは、露光限界解像以下のハシゴ状パターンとして構成される、請求項9に記載のTFTの製造方法。
- 前記露光解像限界以下のパターンは、露光限界解像以下のドットパターンとして構成される、請求項9に記載のTFTの製造方法。
- 前記レジスト一部除去工程では、RIE−DE装置により、前記レジストパターンを所定の膜厚まで残して除去する、請求項9〜12の何れか一に記載のTFTの製造方法。
- 前記レジスト一部除去工程では、UVアッシャーにより、前記レジストパターンを所定の膜厚まで残して除去する、請求項9〜12の何れか一に記載のTFTの製造方法。
- 前記TFTの双方のチャネル縁部のチャネル長を、前記チャネル中央部分のチャネル長よりも長く形成する、請求項8〜14の何れか一に記載のTFTの製造方法。
- 前記チャネルを含むTFTの半導体層をアモルファスシリコンで形成する、請求項8〜15の何れか一に記載のTFTの製造方法。
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