JP2002261423A - 配線形成方法及びそれを用いて製造した電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚膜配線上に、リフトオフ法により、接触抵
抗の小さい、微細な薄膜配線を確実に形成することを可
能ならしめる。 【解決手段】 厚膜電極（配線）３上にレジストパター
ン５を形成した後、厚膜電極３の表面に残留するレジス
ト残渣及び厚膜電極３の内部に入り込んだレジスト残渣
を除去し、レジスト残渣が除去された厚膜電極３の表面
に、リフトオフ法により薄膜配線７を形成する。レジス
ト残渣の除去をＵＶアッシング法やＲＩＥ法などの化学
的方法により行う。また、レジスト残渣の除去を、イオ
ンミリング法などの物理的方法により行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、厚膜配線上に薄
膜配線を形成する方法に関し、詳しくは、厚膜配線上に
いわゆるリフトオフ法により薄膜配線を形成する方法及
び該方法を用いて製造される電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板などに配線を形成する方法と
しては、それほど高い精度を必要としない場合には、低
コストで配線を形成することが可能な厚膜配線技術、す
なわち、導電性ペーストを所定のパターンとなるように
塗布して、焼成することにより所望のパターンの配線
（厚膜配線）を形成する方法が用いられている。

【０００３】また、スルーホールとして、貫通孔に充填
電極が埋め込まれた構造を有する充填スルーホールを形
成する場合にも、導電性ペーストを貫通孔に充填して、
焼成する方法が用いられている。

【０００４】一方、高精度の配線を形成する方法として
は、例えば、基板の表面に、所定形状の開口部を有する
レジストパターンを形成した後、該レジストパターン上
から配線材料を薄膜形成し、レジストパターン上に堆積
した不要な配線材料薄膜を、レジストパターンとともに
除去することにより基板の表面に薄膜配線を形成する、
いわゆるリフトオフ法が一般的に用いられており、この
リフトオフ法は、セミアディティブ法やウェットエッチ
ング法などよりも、微細化に有利であるという特徴を有
している。また、リフトオフ法は、ＲＩＥ法を用いた配
線形成方法と比較して、基板や下層に与えるダメージが
小さいという特徴を有している。

【０００５】そこで、例えば、 貫通孔に充填電極を埋め込んだ充填スルーホールと、
微細配線を組み合わせた回路構成を有する回路基板や、 導電性ペーストを所定のパターンに塗布して焼き付け
た厚膜配線と、微細配線を組み合わせた回路構成を有す
る回路基板などにおいて、厚膜配線（厚膜電極）と薄膜
配線が種々の態様で組み合わされて使用されている。

【０００６】そして、厚膜配線（厚膜電極）とリフトオ
フ法による薄膜配線を組み合わせた従来の回路基板は、
例えば、以下のようなプロセスにより製造されている。
なお、この例では、貫通孔に充填電極を埋め込んだ充填
スルーホールと、微細な薄膜配線を組み合わせた回路構
成を有する回路基板の製造方法について説明する。

【０００７】まず、図４(ａ)に示すように、基板５１
に形成された貫通孔５２に導電性ペーストを塗布、充填
し、焼成することにより、貫通孔５２に充填電極（厚膜
電極）５３が配設された充填スルーホール５４を形成す
る。 それから、図４(ｂ)に示すように、充填スルーホール
５４を有する基板５１の所定の領域（充填電極５３の露
出面を含む領域）が開口部となるように、基板５１上に
レジスト（レジストパターン）５５を形成する。 次に、図４(ｃ)に示すように、レジストパターン５５
の上から、蒸着法などの方法により配線材料薄膜（金属
薄膜）５６を成膜する。 それから、レジストパターン５５を有機溶剤などによ
り剥離・除去するとともに、配線材料薄膜（金属薄膜）
５６の不要部分を除去することにより、微細な薄膜配線
５７（図４(ｄ)）を形成する。これにより、貫通孔５２
に充填電極５３が埋め込まれた充填スルーホール５４
と、微細な薄膜配線５７が組み合わされた構造を有する
回路基板が得られる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な方法で製造された、充填スルーホール５４と薄膜配線
５７が組み合わされた構造を有する回路基板において
は、厚膜電極（充填電極）５３の露出面は多孔質状で、
フラットな基板５１の表面とは異なり、表面が粗くなっ
ているため、フォトリソグラフィーなどの方法によりレ
ジストパターン５５の形成した後に、厚膜電極５３上に
レジスト残渣が残留する。また、厚膜電極５３は多孔質
で、多数の孔が存在しているため、孔の内部にレジスト
残渣が入り込んで残留する。

【０００９】そして、このようなレジスト残渣の影響に
より、厚膜電極５３と、リフトオフ法によりその上に形
成される薄膜配線５７の間の接触抵抗が大きくなり、特
性の劣化を招くという問題点がある。

【００１０】なお、上記の例では、スルーホールの充填
電極（厚膜電極）上に薄膜配線を形成する場合について
説明したが、導電性ペーストを所望の配線パターンとな
るように基板上に塗布、焼成することにより形成される
厚膜配線上にリフトオフ法により薄膜電極を形成する場
合にも同様の問題点が生じる。

【００１１】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、厚膜配線上に、リフトオフ法により、接触抵抗の
小さい、微細な薄膜配線を確実に形成することが可能な
配線形成方法及び該配線形成方法を用いて製造される電
子部品を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の配線形成方法は、厚膜配線
上に、所定形状の開口部を有するレジストパターンを形
成した後、該レジストパターン上から配線材料を薄膜形
成し、レジストパターン上に堆積した不要な配線材料薄
膜を、レジストパターンとともに除去するリフトオフ法
により、厚膜配線上に薄膜配線を形成する薄膜配線の形
成方法であって、厚膜配線上に、所定形状の開口部を有
するレジストパターンを形成した後、厚膜配線の表面に
残留するレジスト残渣及び厚膜配線内部に入り込んだレ
ジスト残渣を除去する工程と、レジスト残渣が除去され
た厚膜配線の表面に、所定形状の開口部を有するレジス
トパターン上から配線材料を薄膜形成し、レジストパタ
ーン上に堆積した不要な配線材料薄膜を、レジストパタ
ーンとともに除去することにより、厚膜配線上に薄膜配
線を形成する工程とを具備することを特徴としている。

【００１３】厚膜配線上にレジストパターンを形成した
後、厚膜配線の表面に残留するレジスト残渣及び厚膜配
線内部に入り込んだレジスト残渣を除去し、レジスト残
渣が除去された厚膜配線の表面に、リフトオフ法により
薄膜配線を形成することにより、厚膜配線上に、接触抵
抗の小さい、所望のパターンの薄膜配線を確実に形成す
ることが可能になる。

【００１４】また、請求項２の配線形成方法は、表面又
は内部に入り込んだレジスト残渣が除去された厚膜配線
が、貫通孔に充填電極が埋め込まれた構造を有する充填
スルーホールであることを特徴としている。

【００１５】本願発明は、貫通孔に充填電極が埋め込ま
れた構造を有する充填スルーホール上に薄膜配線を形成
する場合にも適用することが可能であり、効率よく、し
かも確実に、厚膜配線（充填スルーホール）の表面に、
所望のパターンの薄膜電極を配設することができる。

【００１６】また、請求項３の配線形成方法は、前記レ
ジスト残渣を化学的方法により除去することを特徴とし
ている。

【００１７】レジスト残渣の除去を化学的方法により除
去することにより、厚膜配線の表面に残留するレジスト
残渣及び厚膜配線内部に入り込んだレジスト残渣を効率
よく除去することが可能になり、本願発明を実効あらし
めることが可能になる。

【００１８】また、請求項４の配線形成方法は、前記化
学的方法が、ＵＶアッシング法及びＲＩＥ法から選ばれ
る少なくとも１種であることを特徴としている。

【００１９】レジスト残渣を除去するための化学的方法
として、ＵＶアッシング法及びＲＩＥ法から選ばれる少
なくとも１種を用いることにより、厚膜配線の表面に残
留するレジスト残渣及び厚膜配線内部に入り込んだレジ
スト残渣を確実に除去することが可能になり、本願発明
をさらに実効あらしめることが可能になる。なお、ＵＶ
アッシング法においては、酸素雰囲気中でＤＵＶ光（紫
外線の波長の短いもの）を照射することにより発生する
Ｏ₃によって、レジスト残渣などの有機物を効率よく除
去することが可能になり、厚膜配線上に、接触抵抗の小
さい、所望のパターンの薄膜配線を確実に形成すること
が可能になる。

【００２０】また、ＲＩＥ法においては、プラズマ（Ｏ
₂プラズマなど）を照射することにより、レジスト残渣
とプラズマが化学的に反応し、レジスト残渣を効率よく
除去することが可能になり、厚膜配線上に、接触抵抗の
小さい、所望のパターンの薄膜配線を確実に形成するこ
とが可能になる。

【００２１】また、請求項５の配線形成方法は、前記レ
ジスト残渣を物理的方法により除去することを特徴とし
ている。

【００２２】本願発明においては、レジスト残渣を物理
的方法によっても除去することが可能である。そして、
物理的方法によってレジスト残渣を除去した厚膜配線の
表面に、リフトオフ法により薄膜配線を形成することに
より、厚膜配線上に、接触抵抗の小さい、所望のパター
ンの薄膜配線を確実に形成することが可能になる。

【００２３】また、請求項６の配線形成方法は、前記物
理的方法がイオンミリング法であることを特徴としてい
る。

【００２４】レジスト残渣を除去するための物理的方法
として、イオンを加速・照射するイオンミリング法を用
いることにより、レジスト残渣を物理的に効率よく除去
することが可能になり、厚膜配線上に、接触抵抗の小さ
い、所望のパターンの薄膜配線を確実に形成することが
可能になる。

【００２５】また、本願発明（請求項７）の電子部品
は、請求項１〜６のいずれかに記載の配線形成方法を用
いて厚膜配線上に薄膜配線が配設された電子部品であっ
て、表面及び内部のレジスト残渣が除去された厚膜配線
上に薄膜配線が形成されていることを特徴としている。

【００２６】本願発明の電子部品は、表面及び内部のレ
ジスト残渣が除去された厚膜配線上に、所望のパターン
の薄膜配線が形成された構造を有しているので、厚膜配
線と薄膜配線の接触抵抗が小さく、電気的特性に優れて
いる。なお、本願発明の電子部品は、本願発明（請求項
１〜６）のいずれかの方法により、効率よく製造するこ
とが可能である。

【００２７】また、請求項８の電子部品は、表面又は内
部のレジスト残渣が除去された厚膜配線が、貫通孔に充
填電極が埋め込まれた構造を有する充填スルーホールで
あることを特徴としている。

【００２８】請求項８の電子部品は、貫通孔に充填電極
が埋め込まれた充填スルーホール上に薄膜配線が形成さ
れた構造を有しており、厚膜配線と薄膜配線の接触抵抗
が小さく、電気的特性に優れている。なお、本願発明の
電子部品は、本願発明（請求項１〜６）のいずれかの方
法により、効率よく製造することが可能である。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。

【００３０】［実施形態１］この実施形態１では、貫通
孔に充填電極を埋め込んだ充填スルーホールと、微細な
薄膜配線を組み合わせた回路構成を有する回路基板（電
子部品）を製造する場合を例にとって説明する。

【００３１】まず、図１(ａ)に示すように、基板１に
形成された貫通孔２に導電性ペーストを塗布、充填し、
焼成することにより、貫通孔２に充填電極（厚膜電極）
３が埋め込まれた充填スルーホール４を形成する。 それから、図１(ｂ)に示すように、充填スルーホール
４を有する基板１の所定の領域（充填電極３の露出面を
含む領域）が開口部となるように、基板１上に逆台形状
のレジスト（レジストパターン）５を形成する。 その後、図１(ｃ)に示すように、ＵＶアッシング処理
を施し、厚膜電極３の表面に残留するレジスト残渣及び
多孔質の厚膜電極３の内部に入り込んだレジスト残渣を
除去する。なお、ＵＶアッシング処理は、酸素雰囲気中
で、光源１０からＤＵＶ光（紫外線の波長の短いもの）
を照射することにより行う。なお、このＵＶアッシング
処理工程においては、発生するＯ₃によって、厚膜電極
３の表面及び内部から、レジスト残渣などの有機物が効
率よく除去される。 次に、図１(ｄ)に示すように、レジストパターン５の
上から、蒸着法により、例えば銅薄膜などの配線材料薄
膜（金属薄膜）６を成膜した後、リフトオフ法により、
アセトンなどの有機溶剤などを用いて、レジストパター
ン５を金属薄膜６の不要部分とともに除去して、基板１
上に微細な薄膜配線７（図１(ｅ)）を形成する。これに
より、貫通孔２に充填電極３が埋め込まれた充填スルー
ホール４と、微細な薄膜配線７が組み合わされた構造を
有する回路基板が得られる。

【００３２】この実施形態１においては、化学的な処理
方法の一つであるＵＶアッシング処理を施し、酸素雰囲
気中でＤＵＶ光（紫外線の波長の短いもの）を照射する
ことにより発生するＯ₃によって、レジスト残渣などの
有機物を除去した後、薄膜配線７を形成するようにして
いるので、厚膜電極３上に、接触抵抗の小さい、微細な
薄膜配線７を確実に形成することが可能になる。

【００３３】［実施形態２］この実施形態２において
も、貫通孔に充填電極を埋め込んだ充填スルーホール
と、微細な薄膜配線を組み合わせた回路構成を有する回
路基板（電子部品）を製造する場合を例にとって説明す
る。

【００３４】まず、図２(ａ)に示すように、基板１に
形成された貫通孔２に、例えばＡｕ粉末を導電成分とす
る導電性ペーストを塗布、充填し、焼成することによ
り、貫通孔２に充填電極（厚膜電極）３が配設された充
填スルーホール４を形成する。 それから、図２(ｂ)に示すように、充填スルーホール
４を有する基板１の所定の領域（充填電極３の露出面を
含む領域）が開口部となるように、基板１上に逆台形状
のレジスト（レジストパターン）５を形成する。 その後、図２(ｃ)に示すように、イオンミリング処理
を施し、厚膜電極３の表面に残留するレジスト残渣及び
多孔質の厚膜電極３の内部に入り込んだレジスト残渣を
除去する。なお、イオンミリング処理は、イオンを加速
・照射して、厚膜電極３の表面に残留するレジスト残渣
及び厚膜電極３の内部に入り込んだレジスト残渣を除去
する方法であり、このイオンミリング法を用いることに
より、レジスト残渣を物理的に効率よく除去することが
できる。 次に、図２(ｄ)に示すように、レジストパターン５の
上から、蒸着法により、例えば、銅薄膜などの配線材料
薄膜（金属薄膜）６を成膜した後、リフトオフ法によ
り、アセトンなどの有機溶剤などを用いて、レジストパ
ターン５を金属薄膜６の不要部分とともに除去して、基
板１上に微細な薄膜配線７（図２(ｅ)）を形成する。こ
れにより、貫通孔２に充填電極３を埋め込んだ充填スル
ーホール４と、微細な薄膜配線７が組み合わされた構造
を有する回路基板が得られる。

【００３５】この実施形態２においては、イオンを加速
・照射するイオンミリング処理を施して、レジスト残渣
などの有機物を除去した後、薄膜配線７を形成するよう
にしているので、厚膜電極３上に、接触抵抗の小さい、
微細な薄膜配線７を確実に形成することが可能になる。

【００３６】［実施形態３］この実施形態３では、基板
の表面に形成された厚膜電極上に、微細な薄膜配線を形
成してなる回路基板を製造する場合を例にとって説明す
る。

【００３７】まず、図３(ａ)に示すように、基板１の
表面に、所定のパターンとなるように、銀粉末を導電成
分とする導電性ペーストを塗布、充填し、焼成すること
により、厚膜電極（例えば配線やランドなど）１３を形
成する。 それから、図３(ｂ)に示すように、厚膜電極１３を有
する基板１の所定の領域（厚膜電極１３を含む領域）が
開口部となるように、基板１上に逆台形状のレジスト
（レジストパターン）５を形成する。 その後、図３(ｃ)に示すように、ＲＩＥ法による表面
処理を施し、厚膜電極１３の表面に残留するレジスト残
渣及び多孔質の厚膜電極１３の内部に入り込んだレジス
ト残渣を除去する。このＲＩＥ法を用いた場合、例え
ば、プラズマ（Ｏ₂プラズマなど）を照射することによ
り、レジスト残渣とプラズマが化学的に反応し、レジス
ト残渣が効率よく除去される。 次に、図３(ｄ)に示すように、レジストパターン５の
上から、蒸着法により、例えば銅薄膜などの配線材料薄
膜（金属薄膜）６を成膜した後、リフトオフ法により、
アセトンなどの有機溶剤などを用いて、レジストパター
ン５を金属薄膜６の不要部分とともに除去して、基板１
上に微細な薄膜配線７（図３(ｅ)）を形成する。これに
より、厚膜電極１３の表面に微細な薄膜配線７が配設さ
れた構造を有する回路基板が得られる。

【００３８】なお、この実施形態３においては、化学的
な処理方法の一つであるＲＩＥ法による表面処理を施す
ようにしているので、レジスト残渣を効率よく除去し
て、厚膜電極１３上に、接触抵抗の小さい、微細な薄膜
配線７を確実に形成することができる。

【００３９】なお、上記実施形態では、厚膜電極材料と
して銀を用い、薄膜配線材料として銅を用いた場合を例
にとって説明したが、本願発明においては、厚膜配線材
料及び薄膜配線材料の種類やその具体的なパターンなど
に特別の制約はなく、種々の材料からなる、種々のパタ
ーンを有する配線を形成する場合に広く適用することが
可能である。

【００４０】また、上記実施形態では、レジスト残渣を
除去する工程を１回だけ実施するようにしているが、レ
ジスト残渣を除去する工程は、複数回繰り返して行うこ
とも可能である。

【００４１】また、上記実施形態では、薄膜配線を蒸着
法により形成するようにしているが、配線形成方法とし
ては、その他にも、スパッタリング法などの種々の方法
を用いることが可能である。

【００４２】本願発明は、さらにその他の点においても
上記実施形態に限定されるものではなく、基板の構成材
料や形状、レジストパターンの開口部の具体的な形状、
レジストパターンの形成方法、レジストパターンを構成
する材料や層数、薄膜を形成する場合の具体的な成膜条
件、レジストパターンをリフトオフ法により剥離する際
の具体的な条件などに関し、発明の範囲内において、種
々の応用、変形を加えることが可能である。

【００４３】

【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
配線形成方法は、厚膜配線上にレジストパターンを形成
した後、厚膜配線の表面に残留するレジスト残渣及び厚
膜配線内部に入り込んだレジスト残渣を除去し、レジス
ト残渣が除去された厚膜配線の表面に、リフトオフ法に
より薄膜配線を形成するようにしているので、厚膜配線
上に、接触抵抗の小さい、微細な薄膜配線を確実に形成
することができる。

【００４４】また、本願発明は、請求項２の配線形成方
法のように、貫通孔に充填電極が埋め込まれた構造を有
する充填スルーホール上に薄膜配線を形成する場合にも
適用することが可能であり、効率よく、しかも確実に、
厚膜配線（充填スルーホール）の表面に、所望のパター
ンの薄膜電極を配設することができる。

【００４５】また、請求項３の配線形成方法のように、
レジスト残渣の除去を化学的方法により除去するように
した場合、厚膜配線の表面に残留するレジスト残渣及び
厚膜配線内部に入り込んだレジスト残渣を確実に除去す
ることが可能になり、本願発明を実効あらしめることが
可能になる。

【００４６】また、請求項４の配線形成方法のように、
レジスト残渣を除去するための化学的方法として、ＵＶ
アッシング法及びＲＩＥ法から選ばれる少なくとも１種
を用いた場合、厚膜配線の表面に残留するレジスト残渣
及び厚膜配線内部に入り込んだレジスト残渣をより確実
に除去することが可能になり、本願発明をさらに実効あ
らしめることが可能になる。

【００４７】すなわち、ＵＶアッシング法においては、
酸素雰囲気中でＤＵＶ光（紫外線の波長の短いもの）を
照射することにより発生するＯ₃によって、レジスト残
渣などの有機物を効率よく除去することが可能になり、
厚膜配線上に、接触抵抗の小さい、微細な薄膜配線を確
実に形成することが可能になる。

【００４８】また、ＲＩＥ法においては、プラズマ（Ｏ
₂プラズマなど）を照射することにより、レジスト残渣
とプラズマが化学的に反応し、レジスト残渣が効率よく
除去され、厚膜配線上に、接触抵抗の小さい、微細な薄
膜配線を確実に形成することが可能になる。

【００４９】また、本願発明においては、レジスト残渣
の除去を化学的方法に限らず、請求項５の配線形成方法
のように、物理的方法によっても除去することが可能で
あり、その場合にも、レジスト残渣を効率よく除去する
ことが可能になり、厚膜配線の表面に、リフトオフ法に
より薄膜配線を形成して、接触抵抗の小さい、微細な薄
膜配線を確実に形成することができる。

【００５０】また、請求項６の配線形成方法のように、
レジスト残渣を除去するための物理的方法として、イオ
ンを加速・照射するイオンミリング法を用いた場合、レ
ジスト残渣を物理的に効率よく除去することが可能にな
り、厚膜配線上に、接触抵抗の小さい、微細な薄膜配線
を確実に形成することが可能になる。

【００５１】また、本願発明（請求項７）の電子部品
は、表面及び内部のレジスト残渣が除去された厚膜配線
上に、微細な薄膜配線が形成された構造を有しているの
で、厚膜配線と薄膜配線の接触抵抗が小さく、電気的特
性に優れている。なお、本願発明の電子部品は、本願発
明（請求項１〜６）のいずれかの方法により、効率よく
製造することが可能である。

【００５２】また、請求項８の電子部品は、貫通孔に充
填電極が埋め込まれた充填スルーホール上に薄膜配線が
形成された構造を有しており、厚膜配線と薄膜配線の接
触抵抗が小さく、電気的特性に優れている。なお、本願
発明の電子部品は、本願発明（請求項１〜６）のいずれ
かの方法により、効率よく製造することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】(ａ)〜(ｅ)は、本願発明の一実施形態（実施形
態１）にかかる配線形成方法の主要な工程を示す図であ
る。

【図２】(ａ)〜(ｅ)は、本願発明の他の実施形態（実施
形態２）にかかる配線形成方法の主要な工程を示す図で
ある。

【図３】(ａ)〜(ｅ)は、本願発明のさらに他の実施形態
（実施形態３）にかかる配線形成方法の主要な工程を示
す図である。

【図４】(ａ)〜(ｄ)は、従来の配線形成方法の主要な工
程を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 貫通孔 ３ 充填電極（厚膜電極） ４ 充填スルーホール ５ レジスト（レジストパターン） ６ 配線材料薄膜（金属薄膜） ７ 薄膜配線 １０ 光源 １３ 厚膜電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB12 BB14 CC22 CC25 CC60 CD01 CD40 GG11 5E339 AC01 BC01 BC02 BD13 CC01 CG04 5E343 AA07 BB24 BB25 BB72 DD01 DD23 EE08 EE32 EE36 EE38 ER18 ER33 GG13

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】厚膜配線上に、所定形状の開口部を有する
   レジストパターンを形成した後、該レジストパターン上
   から配線材料を薄膜形成し、レジストパターン上に堆積
   した不要な配線材料薄膜を、レジストパターンとともに
   除去するリフトオフ法により、厚膜配線上に薄膜配線を
   形成する薄膜配線の形成方法であって、 厚膜配線上に、所定形状の開口部を有するレジストパタ
   ーンを形成した後、厚膜配線の表面に残留するレジスト
   残渣及び厚膜配線内部に入り込んだレジスト残渣を除去
   する工程と、 レジスト残渣が除去された厚膜配線の表面に、所定形状
   の開口部を有するレジストパターン上から配線材料を薄
   膜形成し、レジストパターン上に堆積した不要な配線材
   料薄膜を、レジストパターンとともに除去することによ
   り、厚膜配線上に薄膜配線を形成する工程とを具備する
   ことを特徴とする配線形成方法。
2. 【請求項２】表面又は内部に入り込んだレジスト残渣が
   除去された厚膜配線が、貫通孔に充填電極が埋め込まれ
   た構造を有する充填スルーホールであることを特徴とす
   る請求項１記載の配線形成方法。
3. 【請求項３】前記レジスト残渣を化学的方法により除去
   することを特徴とする請求項１又は２記載の配線形成方
   法。
4. 【請求項４】前記化学的方法が、ＵＶアッシング法及び
   ＲＩＥ法から選ばれる少なくとも１種であることを特徴
   とする請求項３記載の配線形成方法。
5. 【請求項５】前記レジスト残渣を物理的方法により除去
   することを特徴とする請求項１又は２記載の配線形成方
   法。
6. 【請求項６】前記物理的方法が、イオンミリング法であ
   ることを特徴とする請求項５記載の配線形成方法。
7. 【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載の配線形成
   方法を用いて厚膜配線上に薄膜配線が配設された電子部
   品であって、 表面及び内部のレジスト残渣が除去された厚膜配線上に
   薄膜配線が形成されていることを特徴とする電子部品。
8. 【請求項８】表面又は内部のレジスト残渣が除去された
   厚膜配線が、貫通孔に充填電極が埋め込まれた構造を有
   する充填スルーホールであることを特徴とする請求項７
   記載の電子部品。