SU897052A1

SU897052A1 - Способ изготовлени полупроводниковых приборов с резисторами

Info

Publication number: SU897052A1
Application number: SU803005399A
Authority: SU
Inventors: В.Н. Пухов; А.И. Лизин
Original assignee: Проектно-Технологический И Научно-Исследовательский Институт
Priority date: 1980-07-18
Filing date: 1980-07-18
Publication date: 1984-05-30
Also published as: CS245719B1; CS545681A1; BG41283A1

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С РЕЗИСТОРАМИ, включающий операции формировани диэлектрического сло на полупроводниковой подложке с электрическими компонентами , маскировани , получени резистора путем ионного легировани , вскрыти контактных окон в диэлектрике и формировани межсоединений, отлич ающийс тем, что, с целью повьппени процента выхода годных прибрров, операцию получени резистора провод т после вскрыти контактных окон одновременно с формированием , межсоединений.

Description

Изобретение относитс к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов различного применени , содержащих пассивные элементы.

Известен способ изготовлени полупроводниковых приборов, содержащих резисторы, полученные с помощью ионного легировани Г13.В этом способе резистор формируетс с помощью пучка ионов бора в полупроводниковой подложке.

Недостаток способа состоит в том что он позвол ет получать резистивные слои со стабильным поверхностным сопротивлением лишь до Ю ом/р.

Из известных способов наиболее близким к изобретению вл етс способ изготовлени полупроводниковых приборов с резисторами, включающий операции формировани диэлектрического сло на полупроводниковой подложке с электрическими компонентами , маскировани , получени резистора путем ионного легировани , вскрыти контактных окон 2.

В этом способе на полупроводниковую подложку с электрическими компонентами наноситс диэлектрический слой толщиной 1000-10000 А. Затем проводитс маскирование, и методом ионного легировани ионами провод щих -материалов создаютс резистивные участки резисторов в теле диэлектрика . После этого в диэлектрическом слое формируютс окна. Завершение формирование резисторов осуществл етс путем создани межсоединений через эти окна между резистивными участками и электрическими компонентами на полупроводниковой подложке с помощью методов напылени и фотолитографии.

Способ позвол ет получать полупроводниковые приборы, содержащие резистивные слои в диэлект зике с R 10- 10 Ом, повьш1ает степень интеграции полупроводниковых схем за счет расположени части пассивных элементов в диэлектрике.

Однако последовательность операций , использума в известном способе приводит к увеличению количества промежуточных контактов, что приводит к снижению надежности и уменьшению процента выхода годных приборов. Кроме того, промежуточные соединени между резисторами в диэлектрике и электрическими компонентами на поверхности полупроводника -занимают часть полезной площади диэлетрика, что уменьшает степень интеграции пасивных элементов, расположенных в . диэлетрике.

Целью изобретени вл етс повышение процента выхода годных приборов .

Поставленна цель достигаетс те что по способу изготовлени полупроводниковых приборов с резисторами, включающему операции формировани дэлектрического сло на полупроводниковой подложке с электрическими компонентами , маскировани , получени резистора путем ионного легировани вскрыти контактных окон в диэлектрике и формировани межсоединений, операцию получени резистора провод т после вскрыти контактных окон одновременно с формированием межсоединений.

. На фиг. 1-4 показаны этапы изготовлени полупроводниковьгх приборов с резисторами.

После формировани электрических компонентов 1 в полупроводниковой подложке 2 наносили диэлектрический слой 3 (фиг. 1) пиролитическим способом с использованием смеси паров тетраэтоксисилана и кислорода при 800°С в течение АО мин. Полученна толщина сло составл ла 0,6 мкм.

Контактные окна А (фиг. 2) формировали методом фотолитографии с помощью фоторезиста ФП-383, который наносили на центрифуге при скорости ее вращени 2000 об/мин, в течение 30 с. Полученна толщина фоторезиста составл ла 0,8 мкм. После совмещени фотошаблона и экспонировани в течение 10 с про влением в растворе jKOH получали окна в фоторезисте. После задубливани фоторезиста химическим травлением в буферном травителе в течение 10 мин получали контактные окна. Таким образом обеспечивалс достаточный подтрав диэлектрика так, что боковые грани 5 диэлектрика в контактных окнах находились по углом АО по отношени ) к поверхности полупроводника. Дл избирательного легировани диэлектрика с целью формировани резистивного сло проводили маскирование диэлектрика слоем алкмини 6 толщиной о О,А мкм, задерживающим поток ионов (фиг. 3). При ионном легировании использовали ионы цинка 7 с энергией 100 кэВ и дозой 10.000 мккл.

Ионное легирование проводили одновременно и в диэлектрик и в контактные окна так, что имплантированный резистор 8 имел непосредственный контакт с электрическими компонентами, расположенными на полупроводниковой подложке. Травление маскирующего сло Проводили химическим методом (в буферном травителе).

В предлагаемом способе исключаютс промежуточные соединени между активными элементами на подложке и резисторами, расположенными в диэлектрике . Известно, что в интегральных микросхемах наличие контактов вл етс одной из причин ненадежности схем в процессе эксплуатации и уменьшени процента выхода годных. Уменьшение числа контактов интегральных схем, в которых используютс резисторы , приводит к повышению надежности приборовпри эксг1луатации и повышению выхода годных. Способ также позвол ет повысить степень интеграции на 10 и более процентов за счет исключени площади, котора требуетс согласно базовому объекту на контактные окна к резгисторам в диэлектрике, а также дополнитель .ных областей-резисторов, формируемых в соответствии с определенными допусками на фотолитографию дл формировани контактньж окон к резисторам . В данном случае контактные окна формируютс только к активным элементам, а резисторы имеют с ними непосредственный контакт.

При использовании известного способа изготовлени полупроводниковых приборов с резисторами процент выхода годных составл ет 6,3%, при исцользовании предлагаемого способа 8 ,9%, т.е. увеличилс на 2,6%.

Illllllllllitt 7 . фуг.3 f

3 f 4

фуг.

Claims

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУ-

ПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С РЕЗИСТОРАМИ, включающий операции формирования диэлектрического слоя на полупроводниковой подложке с электрическими компонентами, маскирования, получения резистора путем ионного легирования, вскрытия контактных окон в диэлектрике и формирования межсоединений, отлич ающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных прибрров, операцию получения резистора проводят после вскрытия контактных окон одновременно с формированием. межсоединений.