CS245719B1 - Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory - Google Patents
Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory Download PDFInfo
- Publication number
- CS245719B1 CS245719B1 CS815456A CS545681A CS245719B1 CS 245719 B1 CS245719 B1 CS 245719B1 CS 815456 A CS815456 A CS 815456A CS 545681 A CS545681 A CS 545681A CS 245719 B1 CS245719 B1 CS 245719B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- contact windows
- opening contact
- solution
- semiconductor devices
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 125000000102 trisulfanyl group Chemical group [*]SSS[H] 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract 1
- 235000017399 Caesalpinia tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 241001553014 Myrsine salicina Species 0.000 description 1
- 101000798993 Pseudomonas putida (strain ATCC 700007 / DSM 6899 / BCRC 17059 / F1) 2-hydroxy-6-oxo-2,4-heptadienoate hydrolase Proteins 0.000 description 1
- 241000388430 Tara Species 0.000 description 1
- 210000004081 cilia Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
ŘeSení se týká mikroelektroniky a může
být použito při výrobě polovodičových zařízení
různě použitelných, obsahujících
pasivní prvky.
Cílem řeěení je zvýšení procenta výstupu
použitelných přístrojů.
Způsob výroby polovodičových zařízení
s odpory zahrnuje operace tvarování dielektrické
vrstvy na polovodičové podložce
e elektrickými složkami maskování, výrobu
odporu iontovým legováním, otevření kontaktních
okének v dielektriku a vytváření spojů.
Novost řešení spočívá v tom, že operace
výroby odporu se provádí povotevření
kontaktových okének, záxsoven s vytvářením
mezispojů.
Description
-2- Ι:300ρβΤεΗΙίβ OTHOCHTCH Κ OpJiaCTH MHKpOSJíeKTpOHHKH ΗMOJK6T 0ΗΤί> Ι10Π0ΛΒ3 0Ε3Η0 ΠρίΙ Κ3Γ0Τ0ΕΛβΗΗΗ ΠΟΛγΠρΟΒΟΕΗΗΚΟ-βηχ πρκόοροΒ ρθ3Ληηηογο πρΗΜβΗβΗΗΗ, co^ep-Kamnx naccHEHHeΘΛβΜβΗΤΗ. ΜβΒβοτβΗ cnocod H3roTOBJieHiw nojiynpoBOjoiHKOEHx πρπ-όοροΒ, co^ep''’auii<x pe3HCTopti, c nowomiio ηοηηογο HernpoBa-HHH /1/. E 3TOM cnocoóe pe3HCT0p (TiOpMHpyeTCH c noMomtionpma hohoe óopa e nojiynpoBOiTHHKOEOi" nojyiosKe. HejipcTa-tok cnocotía coctoht b tom, hto OH no3EOJineT nojiyqaTL·pe3HCTHEHHe CJIOH CO CTatíHJttHHM ΠΟΒββΧΗΟΟΤΗΗΜ ΟΟΠρΟΤΗΒΛβ-ΗΗβΜ ΛΗΠΙΒ JJ.O 10^ Ομ/ζΖ .
Ife ΙΙ3ΒθΟΤΗΗΧ ΟΠΟΟΟόΟΒ Η3Η00Λθθ ÓJIH3XHM K HaCTOWMyTexHiraecKOjfly peiiieHmo ηβληθτοη cnocod η3γοτοελβηηη nojiy-npoEO,nHHKOEnx npntíopoB c pe3HCTopai,ui, EiOTnairaui}“ onepa-HHH φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ HHQJieKTpHHCCKOrO CJIOH H3 nOJiynpOEOUHHKO-BOH nOjyiOXKe C 3JieKTpHH6CKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, Μ30ΧΗρ0Β3ΗΗΗ,nojiyneHHH pe3HCTopa nyTeM ηοηηογο λθγηροεθηηη, eckputhhΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ /2/.
B 3tom cnocode Ha nojiynpoEO.nHHKOByio nojyio:w c3JieKTpHHeCKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗθΗΘΗΟΟΗΤΟΗ .WJieKTpHHeCKHfiCJlOlfi TOJHIHHOÍ; ΙΟϋΟ - 10000 A. 3βΤβΜ npOEOJIHTCH MaCKHpO-B3HH8 Η ΜβΤΟΑΟΜ ΗΟΗΗΟΓΟ ΛβΓΗρΟΒΟΗΗΗ HOH3MH npOEOJVHUHXMaTepnaHOE co3,n;aiOTCH pe3HCTHEHHe yqacTKH ps3HCTopoB bTejie jiH3Ji8KTpHKa. IlocJie SToro b EHSJíeKTpireecKOM cJtoe$opMnpyK)TCH OKHa. 3aEepuieHae φορΜίιροΒθΗΗΗ pe3iicTopoE 245719 -3- ocymecTBJUieTCH ι^τβΜ co3^aHHH Mexcoe,nnHeHitíí nepe3 θτηOKHa Me-KJiy pe3HCTHBHHMÍI ynaCTKaMH,H ΒΛβΚΤρίΓίβΟΚΗΜΗ KOM-Π0ΗβΗΤ3ΜΗ H3 nanynpOBOJMHKOBO# nOjyiOSKe C nOMOIUBK) M6TO—JT.OB ΗΘΠΝΛβΗΗΗ Η φ0Τ0ΛΗΤ0Γρ3φΐίΗ.
Cnocoó Π03Ε0ΛΗΘΤ nOSJTBaTL· nOJiynpOBOOTHKOBUe npitóo-pu, c ose plamné ρθ3ηοτηβηηθ csoh b susseKTpHKe c A>s. = 107 - IO9 om/π , rroEtnuaeT οτθπθηβ HHTerpaipmnojiynpoEo.sHimoEiix cxeM 3a οπβτ pačnosojseHaa ηθοτη naccHB-HHX ΒΛβΜβΗΤΟΒ B ΛΗΘΛβΚΤρΗΚβ.
OsHaso nocsesoBaTesBHocTt onepapaB , Hcnosb3yeMaH bη3βθοτηομ cnocoóe, npnBO,snT κ yEestraeHiw KOStreecTBa npo-MeSíyTOHHHX K0HT3KT0B, HTO E CEOIO OBeneSB npHBOSHT K CHH-steHHio HasesHocTH h yMeHBineHJno npopeHTa EHxosa γοεηικ npa-óopoB. XpoMe Toro, npoMe&yTOHHHe coejmHeHHH Mea-yy ne3Hc-TOpaWlH E SMSJtóKTpHKe H ΒΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ Ha ΠΟ-BepXHOCTH nOJiynpOEOSHHKa 3aHHMa»T HaCTh Π0Λβ3Η0β IMOmaSH,ιρϊ3ΛβκτρΐΕί3, Ητο yweHEiiiaeT CTeneHB JíHTerpapo naccHEHwcsseweHTOB, pacnosorteHHHX b snaseií τρπκβ.
Ueshio HacToauero H3odpeTeHiw ηεληθτοη ποβηιπθηηθ προ-peHTa Euxosa γοβηηχ npnóopoB. ΠΟΟΤΘΕΛΘΗΗΘΗ pěst SOCTHraeTC.H ΤβΜ, HTO E Η3ΕΘΟΤΗΟΜcrrocoóe ηβγοτοβλθηηη nosyirpoBOSHHKOBiK πρπόοροΒ c pe3nc-TOpawH, BKSKwawineM onepapnn φορΜπροΒθΗΗΗ susseKTpireecKoroCJIOH Ha nOJlynpOEOSHHKOEOfj nOSSOJiKe C ΘΛβΚΤρΗΒβΟΚΗΜ» KOM-ποηθητθμη, MacKHpoBaHHH, nosyaeHHH pe3ncTopa nyTew hohho-ΓΟ SempOEaHHH, ECKpHTIÍfl ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ OIíOH E ΛΗΘΛβΧΤρίΚβ H$opMHpOBÓHiw Me^coesHHeHHi?, onepapmo nosyaeHHH pe3HcTopanpOEO.HHT ΠΟΟΛ3 ECKpHTHH ΚΟΗΤβΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΕΒΙΟΕρβΜβΗΗΟ C(TopMHpOBaHHeM MeTOOeSHHeHKH.
Ha φΗΓ. 1-4 no;ta3aHH pa3JmHne 3Tanu η3ΓοτοελθηηηnOSynpOEO.SHHKOBHX npHÓOpOE C pe3HCT0paMH.
IJocSe φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ θΛβΚΤρίΙΗβΟΚΗΧ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΟΒ I E ΠΟ-jrynpoEOSHHXOBOH nojyiOOte 2 ηθηοοηλη sHOJieKTpircecKitiř csofí3 (φΗΓ.Ι) ΠΙϊρΟΛΗΤΙΙΗΘΟΚΙ’Μ CnOCOÓOM C Η0Π0ΛΕ30Β3ΗΙ1βΜ CMeCHnapoB TeTpasTOKCHcoaHa h ocJioposa npn TeMnepaiype 300°C 245719 -4- b TeneHHe 40 mhh, nojiymenHaa TOJinzHa cjioh cocTaBJíHJia 0,6 MKM. ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ OKHa 1 (φΗΓ.2) (jOpMHpOBaJIH ΜβΤΟ^ΟΜ φθ-TOJIHTOrpařHH C nOMOUblO (T0T0pe3HCTa, KOTOpUÍ! HaHOCHJIH HapeHTpivTyre πρπ οκοροοτκ ee Epa>ueHHH 2000 oó/mhh, b Teme-líne 30 cen. HojiymeHHan TOjimma φοτορβ3Ηοτθ cocTasJíaJia0,8 MKM. ITocJie coBMemeHíw SoTouiatíJioHa ii θκοποηηροβθηηηe TemeHne 10 c προηβλθηηθμ e pacTBope nojiymajiH oraa bφοτορβ3Ηοτβ. IlocJie 3a^ydJiHEaHM QOTope3HCTa χημηηθοκημTpaBJíeHneM b óy$epHOM τρβΒΗΤβΛβ e TemeHiie 10 mhh nojiyma-ΛΗ ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ OKHa. TaKHM OÓpa3OM ΟόθΟΠβΗΗΒΘΛΟΒ JIOCTaTOH-HHM nOffrpaB ΛΗΘΛβΚΤρΗΚΘ ΤΘΚ, ΗΤΟ όΟΚΟΕΗβ ΓρθΗΗ 5 ^ΗΘΛΘΚ-ΤρΗΚ3 Β Κ0ΗΤ3ΚΤΗΗΧ ΟΚΗ9Χ Η HaXOJTHJIHCL ΠΟ,Π γΓΛΟΜ 40° ΠΟΟΤΗΟΙΠ3ΗΗ10 Κ ΠΟΕβρΧΗΟΟΤΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ^ΗΗΚΏ. JX/I5I H3ÓIipaTeJIiHO-ΓΟ ΛΘΓΗρΟΕΟΗΗΗ OTSJíeKTpiKa C Ι^ΛΒΚ) φΟρΜΗΌΟΒΘΗΗΗ pe3HC-ΤΗΕΗΟΓΟ CJIOH ΠρΟΕΟ,ΗΗΛΠ ΜΘΟΚΗρΟΒΘΗΗβ ΛΗΘΛβΚΤρίΊΚΘ ΟΛΟβΜ 63JII0MHHHH TOJIHHHOH 0,4 ΜΚΜ, 3aflePJSHBaWEIIHÍZ ΠΟΤΟΚ I1OHOE(φΗΓ.3). Πρίί HOHHOM ΛΘΓΗρθΒ3ΗΗΗ Η0Π0ΛΒ30Ε8ΛΗ HOHH 7 HHH-Ka c BHeprneí? 100 κβν η Η030Γ; 10.000 μκκλ. HOHHOe ΛβΓΗρΟΒΘΗΗβ npOEOJBMH ΟΗΗΟΒρθΜβΗΗΟ Η B flH3-ΛβΚΤρΗΚ Η E ΚΟΗΤΘΚΤΗΗβ OKHa T3K, ΗΤΟ HMIIJiaHTHpOEQHHHflρβ3Ηοτορ 8 (φΗΓ.4) μμθλ HenocpejiCTBeHHHii κοητθκτ cΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, pacnOJIOJTB HHHMH Ha IlOJiynpa-ΕΟ,ϋΗΗΚΟΕΟΗ ΠΟ,ΤΡΙΟ^Κβ. ΤρθΕΛβΗΗβ MaCKHpy i<me ΓΟ CJIOH πρΟΕΟΛΗ- \jih xHMHmecKHM Μβτο,ζΟΜ (b óycJepHOM TpaEHTeJie).
JjEHHHÍÍ cnocoó H3r0T0BJieHHH nOJiynpOEOEHHKOBOrO npudo-pa c pe3HCT0paMH βηγο;πηο OTJiHmaeTCH οτ προτοτππβ, npiiHH-Toro e KamecTBe óa3OEoro otíteKTa. B npejyiaraeMOM cnocoóeHCKJiiomaiOTCH npoMesyTomHue coesHHeHHH wejsíy θκτηεηημηsJíeMeHTaMH Ha nojyiojr.e h pe3HCTopaMH, pacnojio^eHHWMH bΠΗΘΛΘΚΤρΗΚβ. IÍ3BeCTHO, ΗΤΟ Β KHTerpaJIEHHX ΜΗΚρΟΟΧΘΜΘΧHaJIOTHe K0HT3KT0B HBJIH6TCH Ο,ΤζΗΟΪί H3 Πρί-ΡίΗΗ ΗβΗΘΛθΗΗΟΟΤΗCX6M ε nponacce sKciuiyaTanKH η νΜβιΐΒΠίθΗΗΗ npopeHTa βηχο-Ηθ ΓΟ^ΗΗΧ. ΪΜβΗΒΠΙβΗΗβ HHCJia ΚΟΗΤΘΚΤΟΕ HHTerpaJIBHHX ΟΧβΜ, Β KOTOpux HCnOJIE3yiOTCH pe3HCTOpU, npHEOKHT K3K Κ ΠΟΕΗΙΗβ— 245719 -5- hhk) HafleacHOCTii npnóopoB πρπ SKcnjiyaTaujiH, Tax u x ποβη-uieHHE) BHxo.ua ΓΟΑΗΗΧ. Cnocoó TaKřKe no3BojiaeT ποβηοητβοτθπθηβ HHTerpapKH Ha 10 h óojiee npopeHTOB 3a cneT hc-XJII0H6HHH ΠΛ0ίΙ(3ΑΗ, KOTOpafí TpeÓyeTCH COrjiaCHO Óa30B0MyoótexTy Ha κοητηΧτηηθ οχηθ k pe3HCTopawi b ΑΚθΛθκτρκκβ,a Tarae αοποληκτβλβηηχ oÓJiacTeií pe3HcropoB, φορΜΗργθΜΗχB COOTB6TCTBHH C ΟΠρβΑβΛβΗΗΗΜΗ AonycxaMH Ha φΟΤΟΛΜΤΟΓρε-φΗΙΟ AJIH (ílOpMKpOBaHHH ΚΟΗΤΒΚΤΗΗΧ OKOH K pe3HCT0paM. B flaH-hom cjiynae κοητηκτηηθ οκηθ eiopMupyioTCfl tojibko κ ηχτηβηημθλθμθητθμ, a pe3MCTopu iraeioT c hhmh HenocpeflCTBeHHHiíKOHTaKT. Πρίί HCnO.71t3OBaHHH CllOCOÓa Η3Γ0Τ0ΒΛβΗΗΗ nojiynpoBos-HKXOBHX npHÓOpOB C pS311CT0paWH Π0 óa30B0My OÓteKTy npo-peHT BHXOAa roAHHX cocTaBAHeT 6,3$. Πο npejmaraeMOMy cnocoóy npopeHT bhxoas γόαηηχ co-cTaBHT 8,9$, to ecTt yBejnmiiTCH Ha 2,6$. 'V, 245719 -6-
ΦΟΡΙΓ/jíA IBOEFSTEHHH "CnOCOÓ Η3ΓΟΤΟΕΛ8ΗΗΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ,ηΗΗΚΟΒΜΧ npHÓOpOB Cpe3HCT0paMM, EKJIKMaiOHlílíí OnepaUHH řOpMHpOEaHHH ΧΗθΛβΚΤρΠ- necKoro cjioh na nojiynpoBOTJHHKOEOií nojyiome c SJíeKTpiraec- »· KHf.UI ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, MaCKHpOEaHIW, JlOJlyqeHHH pé3HCTOpa ny-T8Í.1 ΗΟΗΗΟΓΟ Jler."pOEaHIÍ£, ECKPUTHB ΚΟΗΤΘΚΤΗϋΧ OKOH E,ηΐίθΛβΚΤρΗΚΘ B φΟρΜΗρΟΕΠΗΗΗ ΜβΧ008ΚΗΗβΗΗίί, ΟΤΛΗΗΘΙΟΙΙΙΗΗΟΗΤΘΜ, ΗΤΟ, C ΙίθΛΕΚ) ΠΟΒΗ1ΠΘΗΗΗ ΠρΟίχβΗΤΘ ΕΗΧΟΒΒ TOJUUlX ΠρΗ-dopoE, onepapffio no?iyqeHiíH pe3HCTopa προβολητ ποολθ bckphΤΗΗ ΚΟΗΤΗΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΛΗΟΒρβΜΘΗΗΟ C φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΘΜ ΜΘΧ-ΟΟβ,ΚΗΗβΗΗβ". KCTOHHHKH ΗΗφΟρΜΘΧίΗΗ, ΠρΗΗΗΤΗΘ ΒΟ BHHM8HH6 ΠρΗ3Κ0ΠβρΤΗ3β: 1. ΙΙητθητ CilIA $ 3829890, ΚΛ.148-1,5, 1974. 2. Πθτθητ CÍ1ÍA $ 3922708, κλ.357-51, 1976 (προτοτΗπ) 2457,9 -7-
AHHOTAIW I'Í30ópeTeHne othochtch k odJiacra ΜΗκροΒΛθΚτροΗΗΚΗ πΜΟΧβΤ ÓHTB Η0Π0ΛΒ30Β3Η0 Πρίΐ Η3ΓΟΤΟΒΛβΗΗΗ ΠΟΛγπρΟΒΟ,ηΗΗΚΟ-BLK npHtíOpOB ρθ3ΛΙΠΗ0Γ0 ΠρΗΜβΗβΗΙΡΙ, CO®psaUJEK raCCHBHHe3Λ8ΜβΗΤΗ.
Upjit n3oópeTeHHB - noEHiiieHHe προίξβΗτθ bhxo® rojUKXnpHÓOpOB.
Cnocoó Η3Γ0Τ0ΒΛθΗΗΗ ΠΟΛγΠρΟΕΟ^ΗΗΚΟΒΗΧ npHÓOpOB Cpe3HCTopaMH BKnmaeT onepannií ΦορΜΗροΒΟΗΜ jmsJíeKTpHveο-κογο CJIOH Ha nOJiynpOBOJBlHKOBOfl HOJVIOSOCe C ΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗ-ΜΙΪ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, ΜΘΟΚΗρΟΒβΗΜ, ΠΟΛγΗβΗΗΗ pe3HCT0pa ΠγΤβΜΜΟΗΗΟΓΟ JierHpOEaHIlH, ECKptITJIH K0HT9KTHUX ΟΚΟΗ Ε ;ξΗ3ΛΘΚ-τρίΐκβ Η φορΜΗρΟΕΘΗΗΗ ΜβΚΟΟΘJIíIHSHHH. HOEUK ΗΕΛΗβΤΟΗ ΤΟ, ΗΤΟ ΟΠθρβίρίΚ) ΠΟΛγΗΘΗΗΗ pe3HCT0paΠΡΟΕΟΛΗΤ nOCJie ECKpHTHH ΚΟΗΤΗΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΗΗΟΒρθΜβΗΗΟ CφορΜΗρΟΕΘΗίΙδΜ ΜβΧΟΟβ£ΗΗβΗΗίί. 245719
Claims (1)
- 245719 8 pRedmEt vynálezu Způsob výroby polovodičových zařízeni s odpory, zahrnující operaci vytváření dielektrické vrstvy na polovodičové podložce s elektrickými složkami, maskování, výrobu odporůiontovým legováním, otevřením kontaktových okének v dielektriku a vytváření mezispojů,vyznačující se tím, že za účelem zvýšení procenta vystupujících použitelných zařízeníse provádí operace výroby odporů po otevření kontaktních okének zároveň s vytvářenímmezispojů. Uznáno vynálezem na základě výsledků expertizy, provedené Státním výborem pro vynálezya objevy SSSH, Moskva, SU. 1 výkres i
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803005399A SU897052A1 (ru) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Способ изготовлени полупроводниковых приборов с резисторами |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS545681A1 CS545681A1 (en) | 1984-11-19 |
CS245719B1 true CS245719B1 (cs) | 1986-10-16 |
Family
ID=20926486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS815456A CS245719B1 (cs) | 1980-07-18 | 1981-07-16 | Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
BG (1) | BG41283A1 (cs) |
CS (1) | CS245719B1 (cs) |
SU (1) | SU897052A1 (cs) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012206234A1 (de) | 2012-04-17 | 2013-10-17 | Evonik Industries Ag | Formulierungen enthaltend ammoniakalische Hydroxo-Zink-Verbindungen |
RU2655698C1 (ru) * | 2016-12-14 | 2018-05-29 | ООО "Тонкопленочные технологии" | Полупроводниковый резистор |
-
1980
- 1980-07-18 SU SU803005399A patent/SU897052A1/ru active
-
1981
- 1981-07-14 BG BG5293181A patent/BG41283A1/xx unknown
- 1981-07-16 CS CS815456A patent/CS245719B1/cs unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SU897052A1 (ru) | 1984-05-30 |
CS545681A1 (en) | 1984-11-19 |
BG41283A1 (en) | 1987-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4675973B2 (ja) | 微小電子機械装置およびその製造方法ならびに配線基板 | |
US9985412B2 (en) | Active silicon optical bench | |
US7675231B2 (en) | Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay | |
JP5892378B2 (ja) | パッケージ材の製造方法 | |
JP5180443B2 (ja) | マイクロ波用途におけるltccテープ用厚膜導体ペースト組成物 | |
CN101095380B (zh) | 用于高频应用之包括贯穿连接之多层印刷电路板 | |
CN104220910B (zh) | 使用嵌入式电介质波导和金属波导的芯片间通信 | |
CS245719B1 (cs) | Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory | |
US10377086B2 (en) | Manufacturing method for airtight package | |
EP1278404A4 (en) | PRINTED CIRCUIT BOARD AND ITS PRODUCTION | |
DE102019102836B4 (de) | Verfahren mit panel-bonding-handlungen und elektronische vorrichtungen mit hohlräumen | |
JP2021048247A (ja) | パッケージ基材、パッケージ、及びパッケージ基材の製造方法 | |
WO2018055846A1 (ja) | 発光素子搭載用基板及びその製造方法、並びに発光素子搭載パッケージ | |
JP7132395B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20230096090A (ko) | 실장 기판, 및 회로 기판 | |
US20140262469A1 (en) | Radio frequency feedthrough | |
CN101277591A (zh) | 内嵌式电路板及其制造方法 | |
EP3933908A1 (en) | Electronic-element mounting package and electronic device | |
US3547604A (en) | Functional components | |
JP2008042512A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
Mohri et al. | MEMS wafer‐level packaging technology using LTCC wafer | |
US3439395A (en) | Method of attaching leads to electrical components | |
CN216817735U (zh) | Led显示装置 | |
JPH11251643A (ja) | ハーメチツクシールされたハウジングを有する発光ダイオード及びその製造方法 | |
DE3811313A1 (de) | Gehaeuse fuer hybrid-schaltungen |