CS245719B1 - Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory - Google Patents

Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory Download PDF

Info

Publication number
CS245719B1
CS245719B1 CS815456A CS545681A CS245719B1 CS 245719 B1 CS245719 B1 CS 245719B1 CS 815456 A CS815456 A CS 815456A CS 545681 A CS545681 A CS 545681A CS 245719 B1 CS245719 B1 CS 245719B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
contact windows
opening contact
solution
semiconductor devices
manufacturing
Prior art date
Application number
CS815456A
Other languages
English (en)
Other versions
CS545681A1 (en
Inventor
Vladimir Puchov
Alexej I Lizin
Original Assignee
Vladimir Puchov
Alexej I Lizin
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vladimir Puchov, Alexej I Lizin filed Critical Vladimir Puchov
Publication of CS545681A1 publication Critical patent/CS545681A1/cs
Publication of CS245719B1 publication Critical patent/CS245719B1/cs

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

ŘeSení se týká mikroelektroniky a může být použito při výrobě polovodičových zařízení různě použitelných, obsahujících pasivní prvky. Cílem řeěení je zvýšení procenta výstupu použitelných přístrojů. Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory zahrnuje operace tvarování dielektrické vrstvy na polovodičové podložce e elektrickými složkami maskování, výrobu odporu iontovým legováním, otevření kontaktních okének v dielektriku a vytváření spojů. Novost řešení spočívá v tom, že operace výroby odporu se provádí povotevření kontaktových okének, záxsoven s vytvářením mezispojů.

Description

-2- Ι:300ρβΤεΗΙίβ OTHOCHTCH Κ OpJiaCTH MHKpOSJíeKTpOHHKH ΗMOJK6T 0ΗΤί> Ι10Π0ΛΒ3 0Ε3Η0 ΠρίΙ Κ3Γ0Τ0ΕΛβΗΗΗ ΠΟΛγΠρΟΒΟΕΗΗΚΟ-βηχ πρκόοροΒ ρθ3Ληηηογο πρΗΜβΗβΗΗΗ, co^ep-Kamnx naccHEHHeΘΛβΜβΗΤΗ. ΜβΒβοτβΗ cnocod H3roTOBJieHiw nojiynpoBOjoiHKOEHx πρπ-όοροΒ, co^ep''’auii<x pe3HCTopti, c nowomiio ηοηηογο HernpoBa-HHH /1/. E 3TOM cnocoóe pe3HCT0p (TiOpMHpyeTCH c noMomtionpma hohoe óopa e nojiynpoBOiTHHKOEOi" nojyiosKe. HejipcTa-tok cnocotía coctoht b tom, hto OH no3EOJineT nojiyqaTL·pe3HCTHEHHe CJIOH CO CTatíHJttHHM ΠΟΒββΧΗΟΟΤΗΗΜ ΟΟΠρΟΤΗΒΛβ-ΗΗβΜ ΛΗΠΙΒ JJ.O 10^ Ομ/ζΖ .
Ife ΙΙ3ΒθΟΤΗΗΧ ΟΠΟΟΟόΟΒ Η3Η00Λθθ ÓJIH3XHM K HaCTOWMyTexHiraecKOjfly peiiieHmo ηβληθτοη cnocod η3γοτοελβηηη nojiy-npoEO,nHHKOEnx npntíopoB c pe3HCTopai,ui, EiOTnairaui}“ onepa-HHH φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ HHQJieKTpHHCCKOrO CJIOH H3 nOJiynpOEOUHHKO-BOH nOjyiOXKe C 3JieKTpHH6CKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, Μ30ΧΗρ0Β3ΗΗΗ,nojiyneHHH pe3HCTopa nyTeM ηοηηογο λθγηροεθηηη, eckputhhΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ /2/.
B 3tom cnocode Ha nojiynpoEO.nHHKOByio nojyio:w c3JieKTpHHeCKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗθΗΘΗΟΟΗΤΟΗ .WJieKTpHHeCKHfiCJlOlfi TOJHIHHOÍ; ΙΟϋΟ - 10000 A. 3βΤβΜ npOEOJIHTCH MaCKHpO-B3HH8 Η ΜβΤΟΑΟΜ ΗΟΗΗΟΓΟ ΛβΓΗρΟΒΟΗΗΗ HOH3MH npOEOJVHUHXMaTepnaHOE co3,n;aiOTCH pe3HCTHEHHe yqacTKH ps3HCTopoB bTejie jiH3Ji8KTpHKa. IlocJie SToro b EHSJíeKTpireecKOM cJtoe$opMnpyK)TCH OKHa. 3aEepuieHae φορΜίιροΒθΗΗΗ pe3iicTopoE 245719 -3- ocymecTBJUieTCH ι^τβΜ co3^aHHH Mexcoe,nnHeHitíí nepe3 θτηOKHa Me-KJiy pe3HCTHBHHMÍI ynaCTKaMH,H ΒΛβΚΤρίΓίβΟΚΗΜΗ KOM-Π0ΗβΗΤ3ΜΗ H3 nanynpOBOJMHKOBO# nOjyiOSKe C nOMOIUBK) M6TO—JT.OB ΗΘΠΝΛβΗΗΗ Η φ0Τ0ΛΗΤ0Γρ3φΐίΗ.
Cnocoó Π03Ε0ΛΗΘΤ nOSJTBaTL· nOJiynpOBOOTHKOBUe npitóo-pu, c ose plamné ρθ3ηοτηβηηθ csoh b susseKTpHKe c A>s. = 107 - IO9 om/π , rroEtnuaeT οτθπθηβ HHTerpaipmnojiynpoEo.sHimoEiix cxeM 3a οπβτ pačnosojseHaa ηθοτη naccHB-HHX ΒΛβΜβΗΤΟΒ B ΛΗΘΛβΚΤρΗΚβ.
OsHaso nocsesoBaTesBHocTt onepapaB , Hcnosb3yeMaH bη3βθοτηομ cnocoóe, npnBO,snT κ yEestraeHiw KOStreecTBa npo-MeSíyTOHHHX K0HT3KT0B, HTO E CEOIO OBeneSB npHBOSHT K CHH-steHHio HasesHocTH h yMeHBineHJno npopeHTa EHxosa γοεηικ npa-óopoB. XpoMe Toro, npoMe&amp;yTOHHHe coejmHeHHH Mea-yy ne3Hc-TOpaWlH E SMSJtóKTpHKe H ΒΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ Ha ΠΟ-BepXHOCTH nOJiynpOEOSHHKa 3aHHMa»T HaCTh Π0Λβ3Η0β IMOmaSH,ιρϊ3ΛβκτρΐΕί3, Ητο yweHEiiiaeT CTeneHB JíHTerpapo naccHEHwcsseweHTOB, pacnosorteHHHX b snaseií τρπκβ.
Ueshio HacToauero H3odpeTeHiw ηεληθτοη ποβηιπθηηθ προ-peHTa Euxosa γοβηηχ npnóopoB. ΠΟΟΤΘΕΛΘΗΗΘΗ pěst SOCTHraeTC.H ΤβΜ, HTO E Η3ΕΘΟΤΗΟΜcrrocoóe ηβγοτοβλθηηη nosyirpoBOSHHKOBiK πρπόοροΒ c pe3nc-TOpawH, BKSKwawineM onepapnn φορΜπροΒθΗΗΗ susseKTpireecKoroCJIOH Ha nOJlynpOEOSHHKOEOfj nOSSOJiKe C ΘΛβΚΤρΗΒβΟΚΗΜ» KOM-ποηθητθμη, MacKHpoBaHHH, nosyaeHHH pe3ncTopa nyTew hohho-ΓΟ SempOEaHHH, ECKpHTIÍfl ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ OIíOH E ΛΗΘΛβΧΤρίΚβ H$opMHpOBÓHiw Me^coesHHeHHi?, onepapmo nosyaeHHH pe3HcTopanpOEO.HHT ΠΟΟΛ3 ECKpHTHH ΚΟΗΤβΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΕΒΙΟΕρβΜβΗΗΟ C(TopMHpOBaHHeM MeTOOeSHHeHKH.
Ha φΗΓ. 1-4 no;ta3aHH pa3JmHne 3Tanu η3ΓοτοελθηηηnOSynpOEO.SHHKOBHX npHÓOpOE C pe3HCT0paMH.
IJocSe φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ θΛβΚΤρίΙΗβΟΚΗΧ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΟΒ I E ΠΟ-jrynpoEOSHHXOBOH nojyiOOte 2 ηθηοοηλη sHOJieKTpircecKitiř csofí3 (φΗΓ.Ι) ΠΙϊρΟΛΗΤΙΙΗΘΟΚΙ’Μ CnOCOÓOM C Η0Π0ΛΕ30Β3ΗΙ1βΜ CMeCHnapoB TeTpasTOKCHcoaHa h ocJioposa npn TeMnepaiype 300°C 245719 -4- b TeneHHe 40 mhh, nojiymenHaa TOJinzHa cjioh cocTaBJíHJia 0,6 MKM. ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ OKHa 1 (φΗΓ.2) (jOpMHpOBaJIH ΜβΤΟ^ΟΜ φθ-TOJIHTOrpařHH C nOMOUblO (T0T0pe3HCTa, KOTOpUÍ! HaHOCHJIH HapeHTpivTyre πρπ οκοροοτκ ee Epa>ueHHH 2000 oó/mhh, b Teme-líne 30 cen. HojiymeHHan TOjimma φοτορβ3Ηοτθ cocTasJíaJia0,8 MKM. ITocJie coBMemeHíw SoTouiatíJioHa ii θκοποηηροβθηηηe TemeHne 10 c προηβλθηηθμ e pacTBope nojiymajiH oraa bφοτορβ3Ηοτβ. IlocJie 3a^ydJiHEaHM QOTope3HCTa χημηηθοκημTpaBJíeHneM b óy$epHOM τρβΒΗΤβΛβ e TemeHiie 10 mhh nojiyma-ΛΗ ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ OKHa. TaKHM OÓpa3OM ΟόθΟΠβΗΗΒΘΛΟΒ JIOCTaTOH-HHM nOffrpaB ΛΗΘΛβΚΤρΗΚΘ ΤΘΚ, ΗΤΟ όΟΚΟΕΗβ ΓρθΗΗ 5 ^ΗΘΛΘΚ-ΤρΗΚ3 Β Κ0ΗΤ3ΚΤΗΗΧ ΟΚΗ9Χ Η HaXOJTHJIHCL ΠΟ,Π γΓΛΟΜ 40° ΠΟΟΤΗΟΙΠ3ΗΗ10 Κ ΠΟΕβρΧΗΟΟΤΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ^ΗΗΚΏ. JX/I5I H3ÓIipaTeJIiHO-ΓΟ ΛΘΓΗρΟΕΟΗΗΗ OTSJíeKTpiKa C Ι^ΛΒΚ) φΟρΜΗΌΟΒΘΗΗΗ pe3HC-ΤΗΕΗΟΓΟ CJIOH ΠρΟΕΟ,ΗΗΛΠ ΜΘΟΚΗρΟΒΘΗΗβ ΛΗΘΛβΚΤρίΊΚΘ ΟΛΟβΜ 63JII0MHHHH TOJIHHHOH 0,4 ΜΚΜ, 3aflePJSHBaWEIIHÍZ ΠΟΤΟΚ I1OHOE(φΗΓ.3). Πρίί HOHHOM ΛΘΓΗρθΒ3ΗΗΗ Η0Π0ΛΒ30Ε8ΛΗ HOHH 7 HHH-Ka c BHeprneí? 100 κβν η Η030Γ; 10.000 μκκλ. HOHHOe ΛβΓΗρΟΒΘΗΗβ npOEOJBMH ΟΗΗΟΒρθΜβΗΗΟ Η B flH3-ΛβΚΤρΗΚ Η E ΚΟΗΤΘΚΤΗΗβ OKHa T3K, ΗΤΟ HMIIJiaHTHpOEQHHHflρβ3Ηοτορ 8 (φΗΓ.4) μμθλ HenocpejiCTBeHHHii κοητθκτ cΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, pacnOJIOJTB HHHMH Ha IlOJiynpa-ΕΟ,ϋΗΗΚΟΕΟΗ ΠΟ,ΤΡΙΟ^Κβ. ΤρθΕΛβΗΗβ MaCKHpy i<me ΓΟ CJIOH πρΟΕΟΛΗ- \jih xHMHmecKHM Μβτο,ζΟΜ (b óycJepHOM TpaEHTeJie).
JjEHHHÍÍ cnocoó H3r0T0BJieHHH nOJiynpOEOEHHKOBOrO npudo-pa c pe3HCT0paMH βηγο;πηο OTJiHmaeTCH οτ προτοτππβ, npiiHH-Toro e KamecTBe óa3OEoro otíteKTa. B npejyiaraeMOM cnocoóeHCKJiiomaiOTCH npoMesyTomHue coesHHeHHH wejsíy θκτηεηημηsJíeMeHTaMH Ha nojyiojr.e h pe3HCTopaMH, pacnojio^eHHWMH bΠΗΘΛΘΚΤρΗΚβ. IÍ3BeCTHO, ΗΤΟ Β KHTerpaJIEHHX ΜΗΚρΟΟΧΘΜΘΧHaJIOTHe K0HT3KT0B HBJIH6TCH Ο,ΤζΗΟΪί H3 Πρί-ΡίΗΗ ΗβΗΘΛθΗΗΟΟΤΗCX6M ε nponacce sKciuiyaTanKH η νΜβιΐΒΠίθΗΗΗ npopeHTa βηχο-Ηθ ΓΟ^ΗΗΧ. ΪΜβΗΒΠΙβΗΗβ HHCJia ΚΟΗΤΘΚΤΟΕ HHTerpaJIBHHX ΟΧβΜ, Β KOTOpux HCnOJIE3yiOTCH pe3HCTOpU, npHEOKHT K3K Κ ΠΟΕΗΙΗβ— 245719 -5- hhk) HafleacHOCTii npnóopoB πρπ SKcnjiyaTaujiH, Tax u x ποβη-uieHHE) BHxo.ua ΓΟΑΗΗΧ. Cnocoó TaKřKe no3BojiaeT ποβηοητβοτθπθηβ HHTerpapKH Ha 10 h óojiee npopeHTOB 3a cneT hc-XJII0H6HHH ΠΛ0ίΙ(3ΑΗ, KOTOpafí TpeÓyeTCH COrjiaCHO Óa30B0MyoótexTy Ha κοητηΧτηηθ οχηθ k pe3HCTopawi b ΑΚθΛθκτρκκβ,a Tarae αοποληκτβλβηηχ oÓJiacTeií pe3HcropoB, φορΜΗργθΜΗχB COOTB6TCTBHH C ΟΠρβΑβΛβΗΗΗΜΗ AonycxaMH Ha φΟΤΟΛΜΤΟΓρε-φΗΙΟ AJIH (ílOpMKpOBaHHH ΚΟΗΤΒΚΤΗΗΧ OKOH K pe3HCT0paM. B flaH-hom cjiynae κοητηκτηηθ οκηθ eiopMupyioTCfl tojibko κ ηχτηβηημθλθμθητθμ, a pe3MCTopu iraeioT c hhmh HenocpeflCTBeHHHiíKOHTaKT. Πρίί HCnO.71t3OBaHHH CllOCOÓa Η3Γ0Τ0ΒΛβΗΗΗ nojiynpoBos-HKXOBHX npHÓOpOB C pS311CT0paWH Π0 óa30B0My OÓteKTy npo-peHT BHXOAa roAHHX cocTaBAHeT 6,3$. Πο npejmaraeMOMy cnocoóy npopeHT bhxoas γόαηηχ co-cTaBHT 8,9$, to ecTt yBejnmiiTCH Ha 2,6$. 'V, 245719 -6-
ΦΟΡΙΓ/jíA IBOEFSTEHHH "CnOCOÓ Η3ΓΟΤΟΕΛ8ΗΗΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ,ηΗΗΚΟΒΜΧ npHÓOpOB Cpe3HCT0paMM, EKJIKMaiOHlílíí OnepaUHH řOpMHpOEaHHH ΧΗθΛβΚΤρΠ- necKoro cjioh na nojiynpoBOTJHHKOEOií nojyiome c SJíeKTpiraec- »· KHf.UI ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, MaCKHpOEaHIW, JlOJlyqeHHH pé3HCTOpa ny-T8Í.1 ΗΟΗΗΟΓΟ Jler."pOEaHIÍ£, ECKPUTHB ΚΟΗΤΘΚΤΗϋΧ OKOH E,ηΐίθΛβΚΤρΗΚΘ B φΟρΜΗρΟΕΠΗΗΗ ΜβΧ008ΚΗΗβΗΗίί, ΟΤΛΗΗΘΙΟΙΙΙΗΗΟΗΤΘΜ, ΗΤΟ, C ΙίθΛΕΚ) ΠΟΒΗ1ΠΘΗΗΗ ΠρΟίχβΗΤΘ ΕΗΧΟΒΒ TOJUUlX ΠρΗ-dopoE, onepapffio no?iyqeHiíH pe3HCTopa προβολητ ποολθ bckphΤΗΗ ΚΟΗΤΗΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΛΗΟΒρβΜΘΗΗΟ C φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΘΜ ΜΘΧ-ΟΟβ,ΚΗΗβΗΗβ". KCTOHHHKH ΗΗφΟρΜΘΧίΗΗ, ΠρΗΗΗΤΗΘ ΒΟ BHHM8HH6 ΠρΗ3Κ0ΠβρΤΗ3β: 1. ΙΙητθητ CilIA $ 3829890, ΚΛ.148-1,5, 1974. 2. Πθτθητ CÍ1ÍA $ 3922708, κλ.357-51, 1976 (προτοτΗπ) 2457,9 -7-
AHHOTAIW I'Í30ópeTeHne othochtch k odJiacra ΜΗκροΒΛθΚτροΗΗΚΗ πΜΟΧβΤ ÓHTB Η0Π0ΛΒ30Β3Η0 Πρίΐ Η3ΓΟΤΟΒΛβΗΗΗ ΠΟΛγπρΟΒΟ,ηΗΗΚΟ-BLK npHtíOpOB ρθ3ΛΙΠΗ0Γ0 ΠρΗΜβΗβΗΙΡΙ, CO®psaUJEK raCCHBHHe3Λ8ΜβΗΤΗ.
Upjit n3oópeTeHHB - noEHiiieHHe προίξβΗτθ bhxo® rojUKXnpHÓOpOB.
Cnocoó Η3Γ0Τ0ΒΛθΗΗΗ ΠΟΛγΠρΟΕΟ^ΗΗΚΟΒΗΧ npHÓOpOB Cpe3HCTopaMH BKnmaeT onepannií ΦορΜΗροΒΟΗΜ jmsJíeKTpHveο-κογο CJIOH Ha nOJiynpOBOJBlHKOBOfl HOJVIOSOCe C ΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗ-ΜΙΪ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, ΜΘΟΚΗρΟΒβΗΜ, ΠΟΛγΗβΗΗΗ pe3HCT0pa ΠγΤβΜΜΟΗΗΟΓΟ JierHpOEaHIlH, ECKptITJIH K0HT9KTHUX ΟΚΟΗ Ε ;ξΗ3ΛΘΚ-τρίΐκβ Η φορΜΗρΟΕΘΗΗΗ ΜβΚΟΟΘJIíIHSHHH. HOEUK ΗΕΛΗβΤΟΗ ΤΟ, ΗΤΟ ΟΠθρβίρίΚ) ΠΟΛγΗΘΗΗΗ pe3HCT0paΠΡΟΕΟΛΗΤ nOCJie ECKpHTHH ΚΟΗΤΗΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΗΗΟΒρθΜβΗΗΟ CφορΜΗρΟΕΘΗίΙδΜ ΜβΧΟΟβ£ΗΗβΗΗίί. 245719

Claims (1)

  1. 245719 8 pRedmEt vynálezu Způsob výroby polovodičových zařízeni s odpory, zahrnující operaci vytváření dielektrické vrstvy na polovodičové podložce s elektrickými složkami, maskování, výrobu odporůiontovým legováním, otevřením kontaktových okének v dielektriku a vytváření mezispojů,vyznačující se tím, že za účelem zvýšení procenta vystupujících použitelných zařízeníse provádí operace výroby odporů po otevření kontaktních okének zároveň s vytvářenímmezispojů. Uznáno vynálezem na základě výsledků expertizy, provedené Státním výborem pro vynálezya objevy SSSH, Moskva, SU. 1 výkres i
CS815456A 1980-07-18 1981-07-16 Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory CS245719B1 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803005399A SU897052A1 (ru) 1980-07-18 1980-07-18 Способ изготовлени полупроводниковых приборов с резисторами

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS545681A1 CS545681A1 (en) 1984-11-19
CS245719B1 true CS245719B1 (cs) 1986-10-16

Family

ID=20926486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS815456A CS245719B1 (cs) 1980-07-18 1981-07-16 Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory

Country Status (3)

Country Link
BG (1) BG41283A1 (cs)
CS (1) CS245719B1 (cs)
SU (1) SU897052A1 (cs)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012206234A1 (de) 2012-04-17 2013-10-17 Evonik Industries Ag Formulierungen enthaltend ammoniakalische Hydroxo-Zink-Verbindungen
RU2655698C1 (ru) * 2016-12-14 2018-05-29 ООО "Тонкопленочные технологии" Полупроводниковый резистор

Also Published As

Publication number Publication date
SU897052A1 (ru) 1984-05-30
CS545681A1 (en) 1984-11-19
BG41283A1 (en) 1987-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4675973B2 (ja) 微小電子機械装置およびその製造方法ならびに配線基板
US9985412B2 (en) Active silicon optical bench
US7675231B2 (en) Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay
JP5892378B2 (ja) パッケージ材の製造方法
JP5180443B2 (ja) マイクロ波用途におけるltccテープ用厚膜導体ペースト組成物
CN101095380B (zh) 用于高频应用之包括贯穿连接之多层印刷电路板
CN104220910B (zh) 使用嵌入式电介质波导和金属波导的芯片间通信
CS245719B1 (cs) Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory
US10377086B2 (en) Manufacturing method for airtight package
EP1278404A4 (en) PRINTED CIRCUIT BOARD AND ITS PRODUCTION
DE102019102836B4 (de) Verfahren mit panel-bonding-handlungen und elektronische vorrichtungen mit hohlräumen
JP2021048247A (ja) パッケージ基材、パッケージ、及びパッケージ基材の製造方法
WO2018055846A1 (ja) 発光素子搭載用基板及びその製造方法、並びに発光素子搭載パッケージ
JP7132395B2 (ja) 発光装置
KR20230096090A (ko) 실장 기판, 및 회로 기판
US20140262469A1 (en) Radio frequency feedthrough
CN101277591A (zh) 内嵌式电路板及其制造方法
EP3933908A1 (en) Electronic-element mounting package and electronic device
US3547604A (en) Functional components
JP2008042512A (ja) 電子部品用パッケージ
Mohri et al. MEMS wafer‐level packaging technology using LTCC wafer
US3439395A (en) Method of attaching leads to electrical components
CN216817735U (zh) Led显示装置
JPH11251643A (ja) ハーメチツクシールされたハウジングを有する発光ダイオード及びその製造方法
DE3811313A1 (de) Gehaeuse fuer hybrid-schaltungen