JPS599982A - 連続組立発光ダイオ−ド - Google Patents
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- JPS599982A JPS599982A JP57119024A JP11902482A JPS599982A JP S599982 A JPS599982 A JP S599982A JP 57119024 A JP57119024 A JP 57119024A JP 11902482 A JP11902482 A JP 11902482A JP S599982 A JPS599982 A JP S599982A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、厚膜印刷基板上に、発光タイオードチップ
と駆動回路とを組込んだ連続組立発光ダイオードに関す
る。
と駆動回路とを組込んだ連続組立発光ダイオードに関す
る。
発光ダイオードは、2木の端子を有する単体の素子とし
て組立てられることが多い。このため、自動化組立、ス
クリーニングなど難しかった。さらに、発光タイオード
を駆動する駆動回路を別個に組立てなければならない、
という面倒な点があった。
て組立てられることが多い。このため、自動化組立、ス
クリーニングなど難しかった。さらに、発光タイオード
を駆動する駆動回路を別個に組立てなければならない、
という面倒な点があった。
第6図は従来例に係る発光ダイオードの縦断面図である
。
。
これは、樹脂モールド型発光ダイオード30を示す。発
光ダイオード30は、竪2本の端子31 、32を用い
、一方の端子の上に発光ダイオードチップ33をダイボ
ンディングし、これの電極と、他の端チをワイヤボンデ
ィングして接he Lでいる。そして、端子の」二部を
透明の樹脂によってモールドしてなる。モールド部35
は、端子31.32を固定し、チップ、ワイヤを保護す
る作用、集光作用なとを担う。
光ダイオード30は、竪2本の端子31 、32を用い
、一方の端子の上に発光ダイオードチップ33をダイボ
ンディングし、これの電極と、他の端チをワイヤボンデ
ィングして接he Lでいる。そして、端子の」二部を
透明の樹脂によってモールドしてなる。モールド部35
は、端子31.32を固定し、チップ、ワイヤを保護す
る作用、集光作用なとを担う。
第7図は、従来例に係る他の発光タイオードの縦断分解
図である。
図である。
金属ケース人発光タイオード36は、竪方向の端子37
を垂設した金属製ヘッダ38の上に、発光ダイオードチ
ップ39をボンデインクし、チップの電極ともう一方の
端子とをワイヤボンディング40シたものである。さら
に、ヘッダ38に、ガラス窓付金属キャップ41を蓋せ
、これを融着しである。
を垂設した金属製ヘッダ38の上に、発光ダイオードチ
ップ39をボンデインクし、チップの電極ともう一方の
端子とをワイヤボンディング40シたものである。さら
に、ヘッダ38に、ガラス窓付金属キャップ41を蓋せ
、これを融着しである。
このような発光ダイオードは、単体のまま組立てるので
、組立作業が能率的てないし、スクIJ−ニング工程も
煩労になる。
、組立作業が能率的てないし、スクIJ−ニング工程も
煩労になる。
スクリーニングというのは、素子などの製品を通電状態
の才ま数日〜数週間試験し、不良品が生しると、これを
除去する工程をいう。
の才ま数日〜数週間試験し、不良品が生しると、これを
除去する工程をいう。
光によって情報を伝送する光リンク送受信回路において
、発光タイオード、ホトタイオードが光ファイバに対向
して設けられ、光情報を送信、受信する。単体の発光ダ
イオードを用いると、駆動回路、変調回路などを別個に
プリント基板の上に製作しなければならない。
、発光タイオード、ホトタイオードが光ファイバに対向
して設けられ、光情報を送信、受信する。単体の発光ダ
イオードを用いると、駆動回路、変調回路などを別個に
プリント基板の上に製作しなければならない。
第8図は従来例にかかる光リンク送信回路の斜視図であ
る。
る。
金属製のケース46の中に、プリント基板47が収納さ
れる。プリント基板47の上には、発光ダイオード駆動
用IC43、その他の回路部品がハンダ付けしである。
れる。プリント基板47の上には、発光ダイオード駆動
用IC43、その他の回路部品がハンダ付けしである。
単体の発光ダイオード49がリード50を介し、プリン
ト基板47にハンダ付けされる。プリント基板47には
、さらに電源端子、アース端子、送信信号端子などの外
部接続端子51がハンダ付けしてあり、金属ケース46
の通し穴52から外部へ延長している。
ト基板47にハンダ付けされる。プリント基板47には
、さらに電源端子、アース端子、送信信号端子などの外
部接続端子51がハンダ付けしてあり、金属ケース46
の通し穴52から外部へ延長している。
このような送信用発光ダイオード回路は、部品点数が多
く、組立工数も多大である。また、ケースに単体の発光
ダイオードを取付けるから、余分な空間か生じ、箱体が
嵩高いものになる。コスト、大きさの点て、l両足てき
ない点かあった。
く、組立工数も多大である。また、ケースに単体の発光
ダイオードを取付けるから、余分な空間か生じ、箱体が
嵩高いものになる。コスト、大きさの点て、l両足てき
ない点かあった。
本発明は、このような欠点を解決する事を目的とし、厚
膜印刷基板上に発光ダイオードチップと駆動回路を組込
んだ連続組立発光ダイオードを与える事を目的とする。
膜印刷基板上に発光ダイオードチップと駆動回路を組込
んだ連続組立発光ダイオードを与える事を目的とする。
以下、実施例を示す図面によって、本発明の構成、作用
及び効果を詳細に説明する。
及び効果を詳細に説明する。
第1図は本発明の実施例にかかる発光ダイオードの斜視
図である。
図である。
矩形状の厚膜印刷基板1の上には、厚膜印刷技術によっ
て、導体パターン、抵抗パターン、絶縁ガラスパターン
などか、必要に応じて印刷されている。図に現われない
が、裏面には、電極パターンを導体ペーストによって印
刷しである。
て、導体パターン、抵抗パターン、絶縁ガラスパターン
などか、必要に応じて印刷されている。図に現われない
が、裏面には、電極パターンを導体ペーストによって印
刷しである。
厚膜印刷基板1の上には、発光ダイオードチップ2、駆
動回路チップ3などかボンディングされている。駆動回
路チップ3は半導体ICのチップであるか、必要な数の
電極を持っている。発光ダイオード2のアノード又はカ
ソードは、厚膜印刷基板1上の印刷電極パターン、又は
駆動回路チップ3の電極へワイヤボンディング4により
接続される。
動回路チップ3などかボンディングされている。駆動回
路チップ3は半導体ICのチップであるか、必要な数の
電極を持っている。発光ダイオード2のアノード又はカ
ソードは、厚膜印刷基板1上の印刷電極パターン、又は
駆動回路チップ3の電極へワイヤボンディング4により
接続される。
厚膜印刷基板1の上面には、透明の樹脂5をモールドし
、発光ダイオードチップ、駆動回路チップ等を保護する
。
、発光ダイオードチップ、駆動回路チップ等を保護する
。
このようにしててきた発光ダイオードは、駆動回路を内
蔵しているので、微弱な送信信号を与えることにより、
発光ダイオードを随意に駆動することかできる。矩形状
で寸法は小さい。このまま、チップ部品として利用する
こと、も可能である。裏面の電極を、他の厚膜印刷基板
上の電極ノ々ターンにハンダ付するだけて実装すること
ができる。
蔵しているので、微弱な送信信号を与えることにより、
発光ダイオードを随意に駆動することかできる。矩形状
で寸法は小さい。このまま、チップ部品として利用する
こと、も可能である。裏面の電極を、他の厚膜印刷基板
上の電極ノ々ターンにハンダ付するだけて実装すること
ができる。
この場合、スルーホールを用いて厚膜印刷基板の表裏の
電極を接続しておくとよい。
電極を接続しておくとよい。
第2図は他の実施例を示す斜視図である。
この発光ダイオードは電極パターンにつつく外部接続端
子6を取付けている。たとえは、アース端子、電源端子
、送信信号端子などである。
子6を取付けている。たとえは、アース端子、電源端子
、送信信号端子などである。
このように外部接続端子をつけると、/’1イブリッド
ICとして、プリント基板へ実装することもできる。
ICとして、プリント基板へ実装することもできる。
ハイブリッドICとする場合は、厚膜印刷基板1の裏面
にも、導体パターン、抵抗パターンを印刷して、必要な
回路を組むことかできる。
にも、導体パターン、抵抗パターンを印刷して、必要な
回路を組むことかできる。
第1図、第2図は、発光タイオードチップ等を透明樹脂
で被覆した例を示す。しかし、発光ダイオードチップ、
駆動回路チップなどは、窓付きの金属キャップ、樹脂キ
ャップによって被覆することとしてもよい。
で被覆した例を示す。しかし、発光ダイオードチップ、
駆動回路チップなどは、窓付きの金属キャップ、樹脂キ
ャップによって被覆することとしてもよい。
厚膜印刷回路は、一般に、1枚の基板に同しパターンを
縦横に繰返すように印刷12、これをスクライビングし
て、個々の回路に分ける。
縦横に繰返すように印刷12、これをスクライビングし
て、個々の回路に分ける。
本発明の発光ダイオードは、厚膜印刷基板上に作製する
ので、通常の場合と同じく、同じパターンを縦横に繰返
すように印刷する。印刷かできると、そのまま、必要な
発光ダイオードチップ、駆動回路チップを、各成分にボ
ンディングしてゆき、さらに電極間をワイヤボンディン
グしてゆく。
ので、通常の場合と同じく、同じパターンを縦横に繰返
すように印刷する。印刷かできると、そのまま、必要な
発光ダイオードチップ、駆動回路チップを、各成分にボ
ンディングしてゆき、さらに電極間をワイヤボンディン
グしてゆく。
二次元的な平面空間に、繰返し、同一の工程を実行する
から、工程を自動化するのは簡単である。
から、工程を自動化するのは簡単である。
また、パターンの印刷は、各縦構成分について共通であ
るから、甚だ便利である。
るから、甚だ便利である。
第3図は厚膜印刷基板上へ同一の発光タイオードを並列
的に作製した例を示す斜視図である。簡単のため、横方
向の繰返しだけを図示したが、縦方向にも同一のものが
繰返すようになっている。
的に作製した例を示す斜視図である。簡単のため、横方
向の繰返しだけを図示したが、縦方向にも同一のものが
繰返すようになっている。
破線が各成分素子の境界で、この破線Qにそって、厚膜
印刷基板を切断する。切断作業が簡単に行えるよう、裏
面に、切断溝7を予め刻設しておくこともできる。
印刷基板を切断する。切断作業が簡単に行えるよう、裏
面に、切断溝7を予め刻設しておくこともできる。
1枚の厚膜印刷基板上・に、印刷パターンにより、m
X n個の発光ダイオードを一挙に作る事ができる。こ
のようにすると、製造工程を自動化、高能率化できる。
X n個の発光ダイオードを一挙に作る事ができる。こ
のようにすると、製造工程を自動化、高能率化できる。
それにスクリーニングにも便利である。
各成分素子に共通な、共通導体パターン8,9゜・・・
を印刷しておき、これを各成分素子の回路のアース、電
源、信号各端子につながるようにしておく。この場合、
共通導体パターン8,9.・・・・・・に通電し、試験
駆動信号を与えて、数日〜数週間数i9することにより
、−斉にスクリーニングされることになる。
を印刷しておき、これを各成分素子の回路のアース、電
源、信号各端子につながるようにしておく。この場合、
共通導体パターン8,9.・・・・・・に通電し、試験
駆動信号を与えて、数日〜数週間数i9することにより
、−斉にスクリーニングされることになる。
これまで述へた例では、厚膜印刷基板1は、一様なセラ
ミック(例えばアルミナ板)であった。
ミック(例えばアルミナ板)であった。
発光ダイオードは発熱するので、放熱を良好に行なわな
けれはならない。放熱効果を高めるためには、第4図の
断面図に示すように複合基板とすると良い。この例で、
厚膜印刷基板1は、アルミ板11の」二にアルミナ層1
2をコートした複合基板としている。
けれはならない。放熱効果を高めるためには、第4図の
断面図に示すように複合基板とすると良い。この例で、
厚膜印刷基板1は、アルミ板11の」二にアルミナ層1
2をコートした複合基板としている。
アルミは熱伝導率か高いので、放熱効果を挙げることか
できる。
できる。
同様に第5図の断面図に示すように、鉄板13の」二に
ホーロー14を被覆したものを厚膜印刷基板としても良
い。これも放熱の点で優れている。
ホーロー14を被覆したものを厚膜印刷基板としても良
い。これも放熱の点で優れている。
効果を述へる。
厚膜印刷基板上に縦横方向に、繰返し同じパターンを印
刷するから、配線などの工程は不要となる。自動化実装
が可能で、大量生産に向いている。
刷するから、配線などの工程は不要となる。自動化実装
が可能で、大量生産に向いている。
また、スクリーニングや検査も一挙に行うことかできる
。
。
単体の発光タイオード、ノ1イブリッドICをプリント
基板にハンダ付けしたものに比較して、小型になる。高
密度実装可能になる。部品点数か少なく、組立工数が少
いので、コストを下げることができる。
基板にハンダ付けしたものに比較して、小型になる。高
密度実装可能になる。部品点数か少なく、組立工数が少
いので、コストを下げることができる。
本発明の発光ダイオードは、
(1) 光データリンク
(2)光ワイヤレスリモコン(テレビ等の)の光送信部
(3) 光利用の近接スイッチ
(4) パネル表示など表示用発光ダイオードなどに
、広く利用できる。
、広く利用できる。
第1図は本発明の実施例にかかる発光ダイオードの斜視
図。 第2図は他の実施例を示す発光ダイオードの斜視図。 第3図は厚膜印刷基板上へ、複数個の発光ダイオードを
並列的に作製した例を示す斜視図。 第4図はアルミ、アルミナ複合厚膜印刷基板を有する発
光タイオードの断面図。 第5図は鉄、ホーロー複合厚膜印刷基板を有する発光タ
イオードの断面図。 第6図は樹脂モールドタイプの従来例に係る発光タイオ
ートの断面図。 第7図は金属キャップタイプの従来例に係る発光タイオ
ードの分解−細切断正面図。 第8図は従来例にかかる光リンク送信回路の斜視図。 1 ・厚膜印刷基板 2・・・・発光タイオードチップ 3・・・・駆動回路チップ 4・・・・・ワイヤボンデインク 5・・・・・透明樹脂 6 ・・外部接続端子 7 ・・・ 切 断 溝 8.9・・・・・・共通導体パターン 1j・ アルミ板 12・・・・アルミナ層 13・鉄 板 14 ・・ ・ ホ − ロ 一発 明
者 坂 木 福 馬戸 1)
敏 宏 特許出願人 住友電気工業株式会社
図。 第2図は他の実施例を示す発光ダイオードの斜視図。 第3図は厚膜印刷基板上へ、複数個の発光ダイオードを
並列的に作製した例を示す斜視図。 第4図はアルミ、アルミナ複合厚膜印刷基板を有する発
光タイオードの断面図。 第5図は鉄、ホーロー複合厚膜印刷基板を有する発光タ
イオードの断面図。 第6図は樹脂モールドタイプの従来例に係る発光タイオ
ートの断面図。 第7図は金属キャップタイプの従来例に係る発光タイオ
ードの分解−細切断正面図。 第8図は従来例にかかる光リンク送信回路の斜視図。 1 ・厚膜印刷基板 2・・・・発光タイオードチップ 3・・・・駆動回路チップ 4・・・・・ワイヤボンデインク 5・・・・・透明樹脂 6 ・・外部接続端子 7 ・・・ 切 断 溝 8.9・・・・・・共通導体パターン 1j・ アルミ板 12・・・・アルミナ層 13・鉄 板 14 ・・ ・ ホ − ロ 一発 明
者 坂 木 福 馬戸 1)
敏 宏 特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (6)
- (1)厚膜印刷基板の上に発光ダイオードチップと、こ
れを駆動する駆動回路を設け、両者を印刷配線により接
続し、厚膜印刷基板には電極を設け、発光ダイオードチ
ップ、駆動回路を被覆した事を特徴とする連続組立発光
ダイオード。 - (2)発光タイオードチップ、駆動回路は透明樹脂で被
覆した特許請求の範囲第(1)項記載の連続組立発光ダ
イオード。 - (3)電極には外部接続端子がハンダ付けしである特許
請求の範囲第(1)項記載の連続組立発光ダイオード。 - (4)厚膜印刷基板は一様なセラミックである特許請求
の範囲第(1)項記載の連続組立発光ダイオード。 - (5)厚膜印刷基板は、アルミ板の上にアルミナをコー
チインクした複合基板である特許請求の範囲第(1)項
記載の連続組立発光ダイオード。 - (6)厚膜印刷基板は鉄板の上にホーローを被覆した複
合基板である特許請求の範囲第(1)項記載の連続組立
発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57119024A JPS599982A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 連続組立発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57119024A JPS599982A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 連続組立発光ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS599982A true JPS599982A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14751093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57119024A Pending JPS599982A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 連続組立発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS599982A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0398575A2 (en) * | 1989-05-17 | 1990-11-22 | AT&T Corp. | Method of manufacturing optical assemblies |
KR20030049211A (ko) * | 2001-12-14 | 2003-06-25 | 서오텔레콤(주) | 발광다이오드소자 |
WO2006124582A1 (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-23 | Sandisk Corporation | Method of assembling semiconductor devices with leds |
WO2006132147A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用ホーロー基板とその製造方法、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
WO2006132150A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用基板および発光素子モジュール |
US7709946B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-05-04 | Hana Micron Co., Ltd. | Micro universal serial bus (USB) memory package |
US7829903B2 (en) | 2005-03-03 | 2010-11-09 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
US7982230B2 (en) | 2005-06-13 | 2011-07-19 | Fujikura Ltd. | Substrate for mounting light emitting element, light emitting module and lighting apparatus |
US7997760B2 (en) | 2005-06-07 | 2011-08-16 | Fujikura Ltd. | Enamel substrate for mounting light emitting elements, light emitting element module, illumination apparatus, display apparatus, and traffic signal |
US8835944B2 (en) | 2011-12-26 | 2014-09-16 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Lighting device |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP57119024A patent/JPS599982A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0398575A2 (en) * | 1989-05-17 | 1990-11-22 | AT&T Corp. | Method of manufacturing optical assemblies |
KR20030049211A (ko) * | 2001-12-14 | 2003-06-25 | 서오텔레콤(주) | 발광다이오드소자 |
US7829903B2 (en) | 2005-03-03 | 2010-11-09 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
US7812356B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-10-12 | Sandisk Corporation | Method of assembling semiconductor devices with LEDS |
WO2006124582A1 (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-23 | Sandisk Corporation | Method of assembling semiconductor devices with leds |
US8022417B2 (en) | 2005-05-13 | 2011-09-20 | Sandisk Technologies Inc. | Method of assembling semiconductor devices with LEDS |
US7384817B2 (en) | 2005-05-13 | 2008-06-10 | Sandisk Corporation | Method of assembling semiconductor devices with LEDs |
US7997760B2 (en) | 2005-06-07 | 2011-08-16 | Fujikura Ltd. | Enamel substrate for mounting light emitting elements, light emitting element module, illumination apparatus, display apparatus, and traffic signal |
US7572039B2 (en) | 2005-06-07 | 2009-08-11 | Fujikura, Ltd. | Porcelain enamel substrate for mounting light emitting device and method of manufacturing the same, light emitting device module, illumination device, display unit and traffic signal |
US7537359B2 (en) | 2005-06-07 | 2009-05-26 | Fujikura Ltd. | Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting element module |
WO2006132150A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用基板および発光素子モジュール |
WO2006132147A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用ホーロー基板とその製造方法、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
US8382345B2 (en) | 2005-06-07 | 2013-02-26 | Fujikara Ltd. | Porcelain enamel substrate for mounting light emitting device and method of manufacturing the same, light emitting device module, illumination device, display unit and traffic signal |
US7982230B2 (en) | 2005-06-13 | 2011-07-19 | Fujikura Ltd. | Substrate for mounting light emitting element, light emitting module and lighting apparatus |
US7709946B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-05-04 | Hana Micron Co., Ltd. | Micro universal serial bus (USB) memory package |
US8835944B2 (en) | 2011-12-26 | 2014-09-16 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Lighting device |
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