CS245719B1 - Method of manufacturing semiconductor devices with resistors - Google Patents

Abstract

The solution relates to microelectronics and can be used in the production of semiconductor devices of various uses, containing passive elements. The aim of the solution is to increase the percentage of output of usable devices. The method of manufacturing semiconductor devices with resistors includes the operations of shaping a dielectric layer on a semiconductor substrate with electrical masking components, manufacturing a resistor by ion alloying, opening contact windows in the dielectric and creating connections. The novelty of the solution lies in the fact that the operation of manufacturing a resistor is performed after opening the contact windows, in particular with the creation of interconnections.

Description

-2- Ι: 300 Τ ΗΙ β TH J J J J J J J OJ>>>>>>> OJ OJ>>>>> Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π ΜβΒβοτβΗ cnocod H3roTOBJieHiw nojiynpoBOjoiHKOEHx πρπ-όοροΒ, what ^ ep '' 'auii <x pe3HCTopti, c nowomiio ηοηηογο HernpoBa-HHH / 1 /. E 3TOM cnocoóe pe3HCT0p (c TiOpMHpyeTCH noMomtionpma Hohoe óopa e nojiynpoBOiTHHKOEOi "nojyiosKe. HejipcTa-flow cnocotía coctoht b that HTO OH no3EOJineT nojiyqaTL · pe3HCTHEHHe CJIOH CO CTatíHJttHHM ΠΟΒββΧΗΟΟΤΗΗΜ ΟΟΠρΟΤΗΒΛβ-ΗΗβΜ ΛΗΠΙΒ JJ.O 10 ^ Ομ / ζΖ.

Ife ΙΙ3ΒθΟΤΗΗΧ ΟΠΟΟΟόΟΒ Η3Η00Λθθ ÓJIH3XHM K HaCTOWMyTexHiraecKOjfly peiiieHmo ηβληθτοη cnocod η3γοτοελβηηη nojiy-NPOE, nHHKOEnx npntíopoB c pe3HCTopai, ui EiOTnairaui} "onepa-HHH φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ HHQJieKTpHHCCKOrO CJIOH H3 nOJiynpOEOUHHKO-BOH nOjyiOXKe C 3JieKTpHH6CKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, Μ30ΧΗρ0Β3ΗΗΗ, nojiyneHHH pe3HCTopa rivet ηοηηογο λθγηροεθηηη, eckputhhΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ / 2 /.

B 3tom cnocode Ha nojiynpoEO.nHHKOByio nojyio: w c3JieKTpHHeCKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗθΗΘΗΟΟΗΤΟΗ .WJieKTpHHeCKHfiCJ10lf TOJHIHHOI; ΙΟϋΟ - 10000 A. 3 Τ Μ p C C C C C C C C C C C C C C C OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH 3 T T T T T T T T. IlocJie SToro b EHSJíeKTpireecKOM cJtoe $ opMnpyK) TCH OKHa. 3aEepuieHae φορΜίιροΒθΗΗΗ pe3iicTopoE 245,719 -3- ocymecTBJUieTCH ^ ι ^ CO3 τβΜ Ahhh Mexcoe, nnHeHitíí nepe3 θτηOKHa Me-KJiy pe3HCTHBHHMÍI ynaCTKaMH H ΒΛβΚΤρίΓίβΟΚΗΜΗ COM-H3 Π0ΗβΗΤ3ΜΗ nanynpOBOJMHKOBO # nOjyiOSKe nOMOIUBK C) M6TO-JT.OB ΗΘΠΝΛβΗΗΗ Η φ0Τ0ΛΗΤ0Γρ3φΐίΗ.

Cnocoó Π03Ε0ΛΗΘΤ nOSJTBaTL · nOJiynpOBOOTHKOBUe npitóo-pu, c axis of flame ρθ3ηοτηβηηθ csoh b susseKTpHKe c A> s. = 107 - IO9 om / π, rroEtnuaeT οτθπθηβ HHTerpaipmnojiynpoEo.sHimoEiix cxeM 3a οπβτ pacnosojseHaa ηθοτη naccHB-HHX ΒΛβΜβΗΤΟΒ B ΛΗΘΛβΚΤρΗΚβ.

OSHAS nocsesoBaTesBHocTt onepapaB, Hcnosb3yeMaH bη3βθοτηομ cnocoóe, npnBO SNT κ yEestraeHiw KOStreecTBa NPO-MeSíyTOHHHX K0HT3KT0B, HTO E CEOI OBeneSB npHBOSHT K-CHH steHHio HasesHocTH h yMeHBineHJno npopeHTa EHxosa γοεηικ NPA-óopoB. XpoMe Toro npoMe &amp; yTOHHHe coejmHeHHH Mea-yy-ne3Hc TOpaWlH E SMSJtóKTpHKe H ΒΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ Ha-ΠΟ BepXHOCTH nOJiynpOEOSHHKa 3aHHMa »T HaCTh Π0Λβ3Η0β IMOmaSH, ιρϊ3ΛβκτρΐΕί3, Ητο yweHEiiiaeT CTeneHB JíHTerpapo naccHEHwcsseweHTOB, pacnosorteHHHX b snaseií τρπκβ.

Ueshio HacToauero H3odpeTeHiw ηεληθτοη ποβηιπθηηθ προ-peHTa Euxosa γοβηηχ npnóopoB. ΠΟΟΤΘΕΛΘΗΗΘΗ fist SOCTHraeTC.H ΤβΜ, HTO E Η3ΕΘΟΤΗΟΜcrrocoóe ηβγοτοβλθηηη nosyirpoBOSHHKOBiK πρπόοροΒ c pe3nc-TOpawH, BKSKwawineM onepapnn φορΜπροΒθΗΗΗ susseKTpireecKoroCJIOH Ha nOJlynpOEOSHHKOEOfj nOSSOJiKe C ΘΛβΚΤρΗΒβΟΚΗΜ »COM-ποηθητθμη, MacKHpoBaHHH, nosyaeHHH pe3ncTopa nyTew HOHH-ΓΟ SempOEaHHH, ECKpHTIÍfl ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ OIíOH ΛΗΘΛβΧΤρίΚβ H $ E opMHpOBÓHiw Me ^ coesHHeHHi ?, onepapmo nosyaeHHH pe3HcTopanpOEO.HHT ΠΟΟΛ3 ECKpHTHH ΚΟΗΤβΚΤΗΗΧ ΟΕΒΙΟΕρβΜβΗΗΟ C (TopMHpOBaHHeM MeTOOeSHHeHKH.

Ha φΗΓ. 1-4 no; ta3aHH pa3JmHne 3Tanu η3ΓοτοελθηηηnOSynpOEO.SHHKOBHX npHOOpOE C pe3HCT0paMH.

IJocSe φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ θΛβΚΤρίΙΗβΟΚΗΧ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΟΒ ΠΟ IE-2 jrynpoEOSHHXOBOH nojyiOOte ηθηοοηλη sHOJieKTpircecKitiř csofí3 (φΗΓ.Ι) ΠΙϊρΟΛΗΤΙΙΗΘΟΚΙ'Μ CnOCOÓOM C Η0Π0ΛΕ30Β3ΗΙ1βΜ CMeCHnapoB TeTpasTOKCHcoaHa ocJioposa npn TeMnepaiype h 300 ° C 245 719 40 -4 b TeneHHe MHH, nojiymenHaa TOJinzHa cjioh cocTaBJíHJia 0.6 MKM . ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ okha 1 (φΗΓ.2) (jOpMHpOBaJIH ΜβΤΟ ^ ΟΜ φθ-TOJIHTOrpařHH nOMOUblO C (T0T0pe3HCTa, KOTOpUÍ! HaHOCHJIH HapeHTpivTyre πρπ οκοροοτκ EPA ee> ueHHH OO 2000 / MHH, b Teme-line 30 awards. HojiymeHHan TOjimma φοτορβ3Ηοτθ cocTasJíaJia0,8 MKM . ITocJie coBMemeHíw SoTouiatíJioHa ii θκοποηηροβθηηηe TemeHne 10 c προηβλθηηθμ e pacTBope nojiymajiH OR a bφοτορβ3Ηοτβ. IlocJie 3aR ydJiHEaHM QOTope3HCTa χημηηθοκημTpaBJíeHneM b Oy $ epHOM τρβΒΗΤβΛβ e TemeHiie 10 MHH nojiyma-ΛΗ ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ okha. Takhte OÓpa3OM ΟόθΟΠβΗΗΒΘΛΟΒ JIOCTaTOH-HHM nOffrpaB ΛΗΘΛβΚΤρΗΚΘ ΤΘΚ, ΗΤΟ όΟΚΟΕΗβ ΓρθΗΗ 5 ^ ΗΘΛΘΚ-ΤρΗΚ3 Β0ΗΤ3ΚΤΗΗΧ ΟΚΗ9Χ Η HaXOJTHJIHCL ΠΟ, Π γΓΛΟΜ 40 ° ΠΟΟΤΗΟΙΠ3ΗΗ10 Κ ΠΟΕβρΧΗΟΟΤΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ ^ ΗΗΚΏ. pe3HC-ΤΗΕΗΟΓΟ CJIOH ΠρΟΕΟ, ΗΗΛΠ ΜΘΟΚΗρΟΒΘΗΗβ ΛΗΘΛβΚΤρίΊΚΘ ΟΛΟβΜ 63JII0MHHHH TOJIHHHOH 0.4 ΜΚΜ, 3aflePJSHBaWEIIHÍZ ΠΟΤΟΚ I1OHOE (φΗΓ.3). Πρίί HOHHOM ΛΘΓΗρθΒ3ΗΗΗ Η0Π0ΛΒ30Ε8ΛΗ HOHH 7 HHH-Ka BHeprneí c? 100 κβν η Η030Γ; 10000 μκκλ. HOHHOe ΛβΓΗρΟΒΘΗΗβ npOEOJBMH ΟΗΗΟΒρθΜβΗΗΟ Fl B flH3-ΛβΚΤρΗΚ Η E ΚΟΗΤΘΚΤΗΗβ OKHa T3K, ΗΤΟ HMIIJiaHTHpOEQHHHflρβ3Ηοτορ 8 (φΗΓ.4) μμθλ HenocpejiCTBeHHHii κοητθκτ cΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, pacnOJIOJTB HHHMH Ha IlOJiynpa-ΕΟ, ΟΗΕΟΗ ΠΟ, ΤΡΙΟ ^ Κβ. ΤρθΕΛβΗΗβ MaCKHpy i <me J CJIOH πρΟΕΟΛΗ- south xHMHmecKHM Μβτο, ζΟΜ (b óycJepHOM TpaEHTeJie).

JjEHHHÍÍ cnocoó H3r0T0BJieHHH nOJiynpOEOEHHKOBOrO npudo-pa c pe3HCT0paMH βηγο; πηο OTJiHmaeTCH οτ προτοτππβ, npiiHH-Toro e KamecTBe óa3OEoro otíteKTa. B npejyiaraeMOM cnocoóeHCKJiiomaiOTCH npoMesyTomHue coesHHeHHH wejsíy θκτηεηημηsJíeMeHTaMH Ha nojyiojr.e h pe3HCTopaMH, pacnojio ^ eHHWMH bΠΗΘΛΘΚΤρΗΚβ. I3BeCTHO, HT HT KHTerpaJIEHHX ΜΗΚρΟΟΧΘΜΘΧHaJIOTHe K0HT3KT0B HBJIH6TCH ΤζΗΟΪ, ΤζΗΟΪί H3 Πρί-ΡίΗΗ ΗβΗΘΛθΗΗΟΟΤΗCX6M ε nponacce sKciuiyaTanKH η νΜβιΐΒΠίθΗΗΗ npopeHTa βηχο-Ηθ ΓΟ ^ ΗΗΧ. NβΗΒΠΙβΗΗβ HHCJia ΚΟΗΤΘΚΤΟΕ HHTerpaJIBHHX ΟΧβΜ, Β KOTOpux HCnOJIE3yiOTCH pe3HCTOpU, npHEOKHT K3K Κ ΠΟΕΗΙΗβ— 245719 -5- hhk) HafleacHOCTii npnóopoB πρπ SKcnjiyaTaujiH, Tax u x ποβη-uieHHE) BHxo.ua ΓΟΑΗΗΧ. Cnocoó almost no3BojiaeT ποβηοητβοτθπθηβ HHTerpapKH h and 10 h óojiee npopeHTOB 3a CNET HC-XJII0H6HHH ΠΛ0ίΙ (3ΑΗ, KOTOpafí TpeÓyeTCH COrjiaCHO Óa30B0MyoótexTy Ha κοητηΧτηηθ οχηθ to pe3HCTopawi b ΑΚθΛθκτρκκβ and Tara αοποληκτβλβηηχ oÓJiacTeií pe3HcropoB, φορΜΗργθΜΗχB COOTB6TCTBHH C ΟΠρβΑβΛβΗΗΗΜΗ AonycxaMH Ha φΟΤΟΛΜΤΟΓρε-φΗΙΟ AJIH (ílOpMKpOBaHHH ΚΟΗΤΒΚΤΗΗΧ The OKOH pe3HCT0paM. FLASH-B hom cjiynae κοητηκτηηθ οκηθ eiopMupyioTCfl tojibko κ ηχτηβηημθλθμθητθμ and pe3MCTopu iraeioT c hhmh HenocpeflCTBeHHHiíKOHTaKT. Πρίί HCnO.71t3OBaHHH CllOCOÓa Η3Γ0Τ0ΒΛβΗΗΗ nojiynpoBos-HKXOBHX npHÓOpOB C pS311CT0paWH Π0 óa30B0My OÓteKTy NPO-peHT BHXOAa roAHHX cocTaBAHeT 6.3 $. Πο npejmaraeMOMy cnocoóy npopeHT bhxoas co-cTaBHT 8,9 $, to ecTt yBejnmiiTCH Ha 2,6 $. 'V, 245719 -6-

ΦΟΡΙΓ / IBOEFSTEHHH Jia "CnOCOÓ Η3ΓΟΤΟΕΛ8ΗΗΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ, ηΗΗΚΟΒΜΧ npHÓOpOB Cpe3HCT0paMM, EKJIKMaiOHlílíí OnepaUHH řOpMHpOEaHHH ΧΗθΛβΚΤρΠ- necKoro cjioh to nojiynpoBOTJHHKOEOií nojyiome c SJíeKTpiraec-» · KHf.UI ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, MaCKHpOEaHIW, JlOJlyqeHHH pé3HCTOpa NY-T8Í.1 ΗΟΗΗΟΓΟ Jler. "POEaHIÍ £, ECKPUTHB ΚΟΗΤΘΚΤΗϋΧ OKOH E ηΐίθΛβΚΤρΗΚΘ B φΟρΜΗρΟΕΠΗΗΗ ΜβΧ008ΚΗΗβΗΗίί, ΟΤΛΗΗΘΙΟΙΙΙΗΗΟΗΤΘΜ, ΗΤΟ C ΙίθΛΕΚ) ΠΟΒΗ1ΠΘΗΗΗ ΠρΟίχβΗΤΘ ΕΗΧΟΒΒ TOJUUlX ΠρΗ-dopa, onepapffio no? iyqeHiíH pe3HCTopa προβολητ ποολθ bckphΤΗΗ ΚΟΗΤΗΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΛΗΟΒρβΜΘΗΗΟ C φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΘΜ ΜΘΧ-ΟΟβ, ΚΗΗβΗΗβ ". KCTOHHHKH ΗΗφΟρΜΘΧίΗΗ, ΠρΗΗΗΤΗΘ ΒΟ BHHM8HH6 ΠρΗ3Κ0ΠβρΤΗ3β: 1. ΙΙητθητ CilIA $ 3829890, 48.148-1,5, 1974. 2. Πθτθητ CÍ1ÍA $ 3922708, κλ.357-51, 1 976 (προτοτΗπ) 2457.9 -7-

HHTΠOTAW I'Í30óóóóóρ od od od od od od od od od odiaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciac iacHTΠΠΠiacΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓ

Upjit n3oópeTeHHB - noEHiiieHHe προίξβΗτθ bhxo® rojUKXnpHÓOpOB.

Cnocoó Η3Γ0Τ0ΒΛθΗΗΗ ΠΟΛγΠρΟΕΟ ^ ΗΗΚΟΒΗΧ npHÓOpOB Cpe3HCTopaMH BKnmaeT onepannií ΦορΜΗροΒΟΗΜ jmsJíeKTpHveο-κογο CJIOH Ha nOJiynpOBOJBlHKOBOfl HOJVIOSOCe C-ΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗ ΜΙΪ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, ΜΘΟΚΗρΟΒβΗΜ, ΠΟΛγΗβΗΗΗ pe3HCT0pa ΠγΤβΜΜΟΗΗΟΓΟ JierHpOEaHIlH, ECKptITJIH K0HT9KTHUX ΟΚΟΗ Ε; ξΗ3ΛΘΚ-τρίΐκβ Η φορΜΗρΟΕΘΗΗΗ ΜβΚΟΟΘJIíIHSHHH. E ΛΗ ΛΗ ΛΗ ΤΟΗ ΤΟ Ο θ Κ K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K. 245719

Claims (1)

SUMMARY OF THE INVENTION A method of manufacturing semiconductor devices with resistances, comprising the operation of forming a dielectric layer on a semiconductor substrate with electrical components, masking, producing by resistive alloying, opening contact windows in a dielectric, and forming inter-connections, characterized in that performs resistor manufacturing operations after opening contact windows while creating resolutions. Recognized by the invention on the basis of the results of expertise, conducted by the State Committee for Inventions and Discoveries SSSH, Moscow, SU. 1 drawing i