CS245719B1 - Production method of a semiconductor device with resistors - Google Patents

Production method of a semiconductor device with resistors Download PDF

Info

Publication number
CS245719B1
CS245719B1 CS815456A CS545681A CS245719B1 CS 245719 B1 CS245719 B1 CS 245719B1 CS 815456 A CS815456 A CS 815456A CS 545681 A CS545681 A CS 545681A CS 245719 B1 CS245719 B1 CS 245719B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
contact windows
opening contact
solution
semiconductor devices
manufacturing
Prior art date
Application number
CS815456A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS545681A1 (en
Inventor
Vladimir Puchov
Alexej I Lizin
Original Assignee
Vladimir Puchov
Alexej I Lizin
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vladimir Puchov, Alexej I Lizin filed Critical Vladimir Puchov
Publication of CS545681A1 publication Critical patent/CS545681A1/en
Publication of CS245719B1 publication Critical patent/CS245719B1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

ŘeSení se týká mikroelektroniky a může být použito při výrobě polovodičových zařízení různě použitelných, obsahujících pasivní prvky. Cílem řeěení je zvýšení procenta výstupu použitelných přístrojů. Způsob výroby polovodičových zařízení s odpory zahrnuje operace tvarování dielektrické vrstvy na polovodičové podložce e elektrickými složkami maskování, výrobu odporu iontovým legováním, otevření kontaktních okének v dielektriku a vytváření spojů. Novost řešení spočívá v tom, že operace výroby odporu se provádí povotevření kontaktových okének, záxsoven s vytvářením mezispojů.The solution concerns microelectronics and can used in the manufacture of semiconductor devices variously usable, containing passive elements. The aim of the solution is to increase the percentage of output usable devices. Method of manufacturing semiconductor devices with resistors includes dielectric forming operations layers on a semiconductor support e electrical components masking, manufacturing resistance by ion alloying, opening contact windows in dielectrics and bonding. The novelty of the solution is that the operation resistance production is done by opening contact windows, creating with mezispojů.

Description

-2- Ι:300ρβΤεΗΙίβ OTHOCHTCH Κ OpJiaCTH MHKpOSJíeKTpOHHKH ΗMOJK6T 0ΗΤί> Ι10Π0ΛΒ3 0Ε3Η0 ΠρίΙ Κ3Γ0Τ0ΕΛβΗΗΗ ΠΟΛγΠρΟΒΟΕΗΗΚΟ-βηχ πρκόοροΒ ρθ3Ληηηογο πρΗΜβΗβΗΗΗ, co^ep-Kamnx naccHEHHeΘΛβΜβΗΤΗ. ΜβΒβοτβΗ cnocod H3roTOBJieHiw nojiynpoBOjoiHKOEHx πρπ-όοροΒ, co^ep''’auii<x pe3HCTopti, c nowomiio ηοηηογο HernpoBa-HHH /1/. E 3TOM cnocoóe pe3HCT0p (TiOpMHpyeTCH c noMomtionpma hohoe óopa e nojiynpoBOiTHHKOEOi" nojyiosKe. HejipcTa-tok cnocotía coctoht b tom, hto OH no3EOJineT nojiyqaTL·pe3HCTHEHHe CJIOH CO CTatíHJttHHM ΠΟΒββΧΗΟΟΤΗΗΜ ΟΟΠρΟΤΗΒΛβ-ΗΗβΜ ΛΗΠΙΒ JJ.O 10^ Ομ/ζΖ .-2- Ι: 300 Τ ΗΙ β TH J J J J J J J OJ>>>>>>> OJ OJ>>>>> Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π Π ΜβΒβοτβΗ cnocod H3roTOBJieHiw nojiynpoBOjoiHKOEHx πρπ-όοροΒ, what ^ ep '' 'auii <x pe3HCTopti, c nowomiio ηοηηογο HernpoBa-HHH / 1 /. E 3TOM cnocoóe pe3HCT0p (c TiOpMHpyeTCH noMomtionpma Hohoe óopa e nojiynpoBOiTHHKOEOi "nojyiosKe. HejipcTa-flow cnocotía coctoht b that HTO OH no3EOJineT nojiyqaTL · pe3HCTHEHHe CJIOH CO CTatíHJttHHM ΠΟΒββΧΗΟΟΤΗΗΜ ΟΟΠρΟΤΗΒΛβ-ΗΗβΜ ΛΗΠΙΒ JJ.O 10 ^ Ομ / ζΖ.

Ife ΙΙ3ΒθΟΤΗΗΧ ΟΠΟΟΟόΟΒ Η3Η00Λθθ ÓJIH3XHM K HaCTOWMyTexHiraecKOjfly peiiieHmo ηβληθτοη cnocod η3γοτοελβηηη nojiy-npoEO,nHHKOEnx npntíopoB c pe3HCTopai,ui, EiOTnairaui}“ onepa-HHH φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ HHQJieKTpHHCCKOrO CJIOH H3 nOJiynpOEOUHHKO-BOH nOjyiOXKe C 3JieKTpHH6CKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, Μ30ΧΗρ0Β3ΗΗΗ,nojiyneHHH pe3HCTopa nyTeM ηοηηογο λθγηροεθηηη, eckputhhΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ /2/.Ife ΙΙ3ΒθΟΤΗΗΧ ΟΠΟΟΟόΟΒ Η3Η00Λθθ ÓJIH3XHM K HaCTOWMyTexHiraecKOjfly peiiieHmo ηβληθτοη cnocod η3γοτοελβηηη nojiy-NPOE, nHHKOEnx npntíopoB c pe3HCTopai, ui EiOTnairaui} "onepa-HHH φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ HHQJieKTpHHCCKOrO CJIOH H3 nOJiynpOEOUHHKO-BOH nOjyiOXKe C 3JieKTpHH6CKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, Μ30ΧΗρ0Β3ΗΗΗ, nojiyneHHH pe3HCTopa rivet ηοηηογο λθγηροεθηηη, eckputhhΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ / 2 /.

B 3tom cnocode Ha nojiynpoEO.nHHKOByio nojyio:w c3JieKTpHHeCKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗθΗΘΗΟΟΗΤΟΗ .WJieKTpHHeCKHfiCJlOlfi TOJHIHHOÍ; ΙΟϋΟ - 10000 A. 3βΤβΜ npOEOJIHTCH MaCKHpO-B3HH8 Η ΜβΤΟΑΟΜ ΗΟΗΗΟΓΟ ΛβΓΗρΟΒΟΗΗΗ HOH3MH npOEOJVHUHXMaTepnaHOE co3,n;aiOTCH pe3HCTHEHHe yqacTKH ps3HCTopoB bTejie jiH3Ji8KTpHKa. IlocJie SToro b EHSJíeKTpireecKOM cJtoe$opMnpyK)TCH OKHa. 3aEepuieHae φορΜίιροΒθΗΗΗ pe3iicTopoE 245719 -3- ocymecTBJUieTCH ι^τβΜ co3^aHHH Mexcoe,nnHeHitíí nepe3 θτηOKHa Me-KJiy pe3HCTHBHHMÍI ynaCTKaMH,H ΒΛβΚΤρίΓίβΟΚΗΜΗ KOM-Π0ΗβΗΤ3ΜΗ H3 nanynpOBOJMHKOBO# nOjyiOSKe C nOMOIUBK) M6TO—JT.OB ΗΘΠΝΛβΗΗΗ Η φ0Τ0ΛΗΤ0Γρ3φΐίΗ.B 3tom cnocode Ha nojiynpoEO.nHHKOByio nojyio: w c3JieKTpHHeCKHMH ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗθΗΘΗΟΟΗΤΟΗ .WJieKTpHHeCKHfiCJ10lf TOJHIHHOI; ΙΟϋΟ - 10000 A. 3 Τ Μ p C C C C C C C C C C C C C C C OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH OH 3 T T T T T T T T. IlocJie SToro b EHSJíeKTpireecKOM cJtoe $ opMnpyK) TCH OKHa. 3aEepuieHae φορΜίιροΒθΗΗΗ pe3iicTopoE 245,719 -3- ocymecTBJUieTCH ^ ι ^ CO3 τβΜ Ahhh Mexcoe, nnHeHitíí nepe3 θτηOKHa Me-KJiy pe3HCTHBHHMÍI ynaCTKaMH H ΒΛβΚΤρίΓίβΟΚΗΜΗ COM-H3 Π0ΗβΗΤ3ΜΗ nanynpOBOJMHKOBO # nOjyiOSKe nOMOIUBK C) M6TO-JT.OB ΗΘΠΝΛβΗΗΗ Η φ0Τ0ΛΗΤ0Γρ3φΐίΗ.

Cnocoó Π03Ε0ΛΗΘΤ nOSJTBaTL· nOJiynpOBOOTHKOBUe npitóo-pu, c ose plamné ρθ3ηοτηβηηθ csoh b susseKTpHKe c A>s. = 107 - IO9 om/π , rroEtnuaeT οτθπθηβ HHTerpaipmnojiynpoEo.sHimoEiix cxeM 3a οπβτ pačnosojseHaa ηθοτη naccHB-HHX ΒΛβΜβΗΤΟΒ B ΛΗΘΛβΚΤρΗΚβ.Cnocoó Π03Ε0ΛΗΘΤ nOSJTBaTL · nOJiynpOBOOTHKOBUe npitóo-pu, c axis of flame ρθ3ηοτηβηηθ csoh b susseKTpHKe c A> s. = 107 - IO9 om / π, rroEtnuaeT οτθπθηβ HHTerpaipmnojiynpoEo.sHimoEiix cxeM 3a οπβτ pacnosojseHaa ηθοτη naccHB-HHX ΒΛβΜβΗΤΟΒ B ΛΗΘΛβΚΤρΗΚβ.

OsHaso nocsesoBaTesBHocTt onepapaB , Hcnosb3yeMaH bη3βθοτηομ cnocoóe, npnBO,snT κ yEestraeHiw KOStreecTBa npo-MeSíyTOHHHX K0HT3KT0B, HTO E CEOIO OBeneSB npHBOSHT K CHH-steHHio HasesHocTH h yMeHBineHJno npopeHTa EHxosa γοεηικ npa-óopoB. XpoMe Toro, npoMe&amp;yTOHHHe coejmHeHHH Mea-yy ne3Hc-TOpaWlH E SMSJtóKTpHKe H ΒΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ Ha ΠΟ-BepXHOCTH nOJiynpOEOSHHKa 3aHHMa»T HaCTh Π0Λβ3Η0β IMOmaSH,ιρϊ3ΛβκτρΐΕί3, Ητο yweHEiiiaeT CTeneHB JíHTerpapo naccHEHwcsseweHTOB, pacnosorteHHHX b snaseií τρπκβ.OSHAS nocsesoBaTesBHocTt onepapaB, Hcnosb3yeMaH bη3βθοτηομ cnocoóe, npnBO SNT κ yEestraeHiw KOStreecTBa NPO-MeSíyTOHHHX K0HT3KT0B, HTO E CEOI OBeneSB npHBOSHT K-CHH steHHio HasesHocTH h yMeHBineHJno npopeHTa EHxosa γοεηικ NPA-óopoB. XpoMe Toro npoMe &amp; yTOHHHe coejmHeHHH Mea-yy-ne3Hc TOpaWlH E SMSJtóKTpHKe H ΒΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ Ha-ΠΟ BepXHOCTH nOJiynpOEOSHHKa 3aHHMa »T HaCTh Π0Λβ3Η0β IMOmaSH, ιρϊ3ΛβκτρΐΕί3, Ητο yweHEiiiaeT CTeneHB JíHTerpapo naccHEHwcsseweHTOB, pacnosorteHHHX b snaseií τρπκβ.

Ueshio HacToauero H3odpeTeHiw ηεληθτοη ποβηιπθηηθ προ-peHTa Euxosa γοβηηχ npnóopoB. ΠΟΟΤΘΕΛΘΗΗΘΗ pěst SOCTHraeTC.H ΤβΜ, HTO E Η3ΕΘΟΤΗΟΜcrrocoóe ηβγοτοβλθηηη nosyirpoBOSHHKOBiK πρπόοροΒ c pe3nc-TOpawH, BKSKwawineM onepapnn φορΜπροΒθΗΗΗ susseKTpireecKoroCJIOH Ha nOJlynpOEOSHHKOEOfj nOSSOJiKe C ΘΛβΚΤρΗΒβΟΚΗΜ» KOM-ποηθητθμη, MacKHpoBaHHH, nosyaeHHH pe3ncTopa nyTew hohho-ΓΟ SempOEaHHH, ECKpHTIÍfl ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ OIíOH E ΛΗΘΛβΧΤρίΚβ H$opMHpOBÓHiw Me^coesHHeHHi?, onepapmo nosyaeHHH pe3HcTopanpOEO.HHT ΠΟΟΛ3 ECKpHTHH ΚΟΗΤβΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΕΒΙΟΕρβΜβΗΗΟ C(TopMHpOBaHHeM MeTOOeSHHeHKH.Ueshio HacToauero H3odpeTeHiw ηεληθτοη ποβηιπθηηθ προ-peHTa Euxosa γοβηηχ npnóopoB. ΠΟΟΤΘΕΛΘΗΗΘΗ fist SOCTHraeTC.H ΤβΜ, HTO E Η3ΕΘΟΤΗΟΜcrrocoóe ηβγοτοβλθηηη nosyirpoBOSHHKOBiK πρπόοροΒ c pe3nc-TOpawH, BKSKwawineM onepapnn φορΜπροΒθΗΗΗ susseKTpireecKoroCJIOH Ha nOJlynpOEOSHHKOEOfj nOSSOJiKe C ΘΛβΚΤρΗΒβΟΚΗΜ »COM-ποηθητθμη, MacKHpoBaHHH, nosyaeHHH pe3ncTopa nyTew HOHH-ΓΟ SempOEaHHH, ECKpHTIÍfl ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΧ OIíOH ΛΗΘΛβΧΤρίΚβ H $ E opMHpOBÓHiw Me ^ coesHHeHHi ?, onepapmo nosyaeHHH pe3HcTopanpOEO.HHT ΠΟΟΛ3 ECKpHTHH ΚΟΗΤβΚΤΗΗΧ ΟΕΒΙΟΕρβΜβΗΗΟ C (TopMHpOBaHHeM MeTOOeSHHeHKH.

Ha φΗΓ. 1-4 no;ta3aHH pa3JmHne 3Tanu η3ΓοτοελθηηηnOSynpOEO.SHHKOBHX npHÓOpOE C pe3HCT0paMH.Ha φΗΓ. 1-4 no; ta3aHH pa3JmHne 3Tanu η3ΓοτοελθηηηnOSynpOEO.SHHKOBHX npHOOpOE C pe3HCT0paMH.

IJocSe φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ θΛβΚΤρίΙΗβΟΚΗΧ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΟΒ I E ΠΟ-jrynpoEOSHHXOBOH nojyiOOte 2 ηθηοοηλη sHOJieKTpircecKitiř csofí3 (φΗΓ.Ι) ΠΙϊρΟΛΗΤΙΙΗΘΟΚΙ’Μ CnOCOÓOM C Η0Π0ΛΕ30Β3ΗΙ1βΜ CMeCHnapoB TeTpasTOKCHcoaHa h ocJioposa npn TeMnepaiype 300°C 245719 -4- b TeneHHe 40 mhh, nojiymenHaa TOJinzHa cjioh cocTaBJíHJia 0,6 MKM. ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ OKHa 1 (φΗΓ.2) (jOpMHpOBaJIH ΜβΤΟ^ΟΜ φθ-TOJIHTOrpařHH C nOMOUblO (T0T0pe3HCTa, KOTOpUÍ! HaHOCHJIH HapeHTpivTyre πρπ οκοροοτκ ee Epa>ueHHH 2000 oó/mhh, b Teme-líne 30 cen. HojiymeHHan TOjimma φοτορβ3Ηοτθ cocTasJíaJia0,8 MKM. ITocJie coBMemeHíw SoTouiatíJioHa ii θκοποηηροβθηηηe TemeHne 10 c προηβλθηηθμ e pacTBope nojiymajiH oraa bφοτορβ3Ηοτβ. IlocJie 3a^ydJiHEaHM QOTope3HCTa χημηηθοκημTpaBJíeHneM b óy$epHOM τρβΒΗΤβΛβ e TemeHiie 10 mhh nojiyma-ΛΗ ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ OKHa. TaKHM OÓpa3OM ΟόθΟΠβΗΗΒΘΛΟΒ JIOCTaTOH-HHM nOffrpaB ΛΗΘΛβΚΤρΗΚΘ ΤΘΚ, ΗΤΟ όΟΚΟΕΗβ ΓρθΗΗ 5 ^ΗΘΛΘΚ-ΤρΗΚ3 Β Κ0ΗΤ3ΚΤΗΗΧ ΟΚΗ9Χ Η HaXOJTHJIHCL ΠΟ,Π γΓΛΟΜ 40° ΠΟΟΤΗΟΙΠ3ΗΗ10 Κ ΠΟΕβρΧΗΟΟΤΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ^ΗΗΚΏ. JX/I5I H3ÓIipaTeJIiHO-ΓΟ ΛΘΓΗρΟΕΟΗΗΗ OTSJíeKTpiKa C Ι^ΛΒΚ) φΟρΜΗΌΟΒΘΗΗΗ pe3HC-ΤΗΕΗΟΓΟ CJIOH ΠρΟΕΟ,ΗΗΛΠ ΜΘΟΚΗρΟΒΘΗΗβ ΛΗΘΛβΚΤρίΊΚΘ ΟΛΟβΜ 63JII0MHHHH TOJIHHHOH 0,4 ΜΚΜ, 3aflePJSHBaWEIIHÍZ ΠΟΤΟΚ I1OHOE(φΗΓ.3). Πρίί HOHHOM ΛΘΓΗρθΒ3ΗΗΗ Η0Π0ΛΒ30Ε8ΛΗ HOHH 7 HHH-Ka c BHeprneí? 100 κβν η Η030Γ; 10.000 μκκλ. HOHHOe ΛβΓΗρΟΒΘΗΗβ npOEOJBMH ΟΗΗΟΒρθΜβΗΗΟ Η B flH3-ΛβΚΤρΗΚ Η E ΚΟΗΤΘΚΤΗΗβ OKHa T3K, ΗΤΟ HMIIJiaHTHpOEQHHHflρβ3Ηοτορ 8 (φΗΓ.4) μμθλ HenocpejiCTBeHHHii κοητθκτ cΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, pacnOJIOJTB HHHMH Ha IlOJiynpa-ΕΟ,ϋΗΗΚΟΕΟΗ ΠΟ,ΤΡΙΟ^Κβ. ΤρθΕΛβΗΗβ MaCKHpy i<me ΓΟ CJIOH πρΟΕΟΛΗ- \jih xHMHmecKHM Μβτο,ζΟΜ (b óycJepHOM TpaEHTeJie).IJocSe φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΗ θΛβΚΤρίΙΗβΟΚΗΧ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΟΒ ΠΟ IE-2 jrynpoEOSHHXOBOH nojyiOOte ηθηοοηλη sHOJieKTpircecKitiř csofí3 (φΗΓ.Ι) ΠΙϊρΟΛΗΤΙΙΗΘΟΚΙ'Μ CnOCOÓOM C Η0Π0ΛΕ30Β3ΗΙ1βΜ CMeCHnapoB TeTpasTOKCHcoaHa ocJioposa npn TeMnepaiype h 300 ° C 245 719 40 -4 b TeneHHe MHH, nojiymenHaa TOJinzHa cjioh cocTaBJíHJia 0.6 MKM . ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ okha 1 (φΗΓ.2) (jOpMHpOBaJIH ΜβΤΟ ^ ΟΜ φθ-TOJIHTOrpařHH nOMOUblO C (T0T0pe3HCTa, KOTOpUÍ! HaHOCHJIH HapeHTpivTyre πρπ οκοροοτκ EPA ee> ueHHH OO 2000 / MHH, b Teme-line 30 awards. HojiymeHHan TOjimma φοτορβ3Ηοτθ cocTasJíaJia0,8 MKM . ITocJie coBMemeHíw SoTouiatíJioHa ii θκοποηηροβθηηηe TemeHne 10 c προηβλθηηθμ e pacTBope nojiymajiH OR a bφοτορβ3Ηοτβ. IlocJie 3aR ydJiHEaHM QOTope3HCTa χημηηθοκημTpaBJíeHneM b Oy $ epHOM τρβΒΗΤβΛβ e TemeHiie 10 MHH nojiyma-ΛΗ ΚΟΗΤΘΚΤΗΗΘ okha. Takhte OÓpa3OM ΟόθΟΠβΗΗΒΘΛΟΒ JIOCTaTOH-HHM nOffrpaB ΛΗΘΛβΚΤρΗΚΘ ΤΘΚ, ΗΤΟ όΟΚΟΕΗβ ΓρθΗΗ 5 ^ ΗΘΛΘΚ-ΤρΗΚ3 Β0ΗΤ3ΚΤΗΗΧ ΟΚΗ9Χ Η HaXOJTHJIHCL ΠΟ, Π γΓΛΟΜ 40 ° ΠΟΟΤΗΟΙΠ3ΗΗ10 Κ ΠΟΕβρΧΗΟΟΤΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ ^ ΗΗΚΏ. pe3HC-ΤΗΕΗΟΓΟ CJIOH ΠρΟΕΟ, ΗΗΛΠ ΜΘΟΚΗρΟΒΘΗΗβ ΛΗΘΛβΚΤρίΊΚΘ ΟΛΟβΜ 63JII0MHHHH TOJIHHHOH 0.4 ΜΚΜ, 3aflePJSHBaWEIIHÍZ ΠΟΤΟΚ I1OHOE (φΗΓ.3). Πρίί HOHHOM ΛΘΓΗρθΒ3ΗΗΗ Η0Π0ΛΒ30Ε8ΛΗ HOHH 7 HHH-Ka BHeprneí c? 100 κβν η Η030Γ; 10000 μκκλ. HOHHOe ΛβΓΗρΟΒΘΗΗβ npOEOJBMH ΟΗΗΟΒρθΜβΗΗΟ Fl B flH3-ΛβΚΤρΗΚ Η E ΚΟΗΤΘΚΤΗΗβ OKHa T3K, ΗΤΟ HMIIJiaHTHpOEQHHHflρβ3Ηοτορ 8 (φΗΓ.4) μμθλ HenocpejiCTBeHHHii κοητθκτ cΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗΜΗ ΚΟΜΠΟΗβΗΤΘΜΗ, pacnOJIOJTB HHHMH Ha IlOJiynpa-ΕΟ, ΟΗΕΟΗ ΠΟ, ΤΡΙΟ ^ Κβ. ΤρθΕΛβΗΗβ MaCKHpy i <me J CJIOH πρΟΕΟΛΗ- south xHMHmecKHM Μβτο, ζΟΜ (b óycJepHOM TpaEHTeJie).

JjEHHHÍÍ cnocoó H3r0T0BJieHHH nOJiynpOEOEHHKOBOrO npudo-pa c pe3HCT0paMH βηγο;πηο OTJiHmaeTCH οτ προτοτππβ, npiiHH-Toro e KamecTBe óa3OEoro otíteKTa. B npejyiaraeMOM cnocoóeHCKJiiomaiOTCH npoMesyTomHue coesHHeHHH wejsíy θκτηεηημηsJíeMeHTaMH Ha nojyiojr.e h pe3HCTopaMH, pacnojio^eHHWMH bΠΗΘΛΘΚΤρΗΚβ. IÍ3BeCTHO, ΗΤΟ Β KHTerpaJIEHHX ΜΗΚρΟΟΧΘΜΘΧHaJIOTHe K0HT3KT0B HBJIH6TCH Ο,ΤζΗΟΪί H3 Πρί-ΡίΗΗ ΗβΗΘΛθΗΗΟΟΤΗCX6M ε nponacce sKciuiyaTanKH η νΜβιΐΒΠίθΗΗΗ npopeHTa βηχο-Ηθ ΓΟ^ΗΗΧ. ΪΜβΗΒΠΙβΗΗβ HHCJia ΚΟΗΤΘΚΤΟΕ HHTerpaJIBHHX ΟΧβΜ, Β KOTOpux HCnOJIE3yiOTCH pe3HCTOpU, npHEOKHT K3K Κ ΠΟΕΗΙΗβ— 245719 -5- hhk) HafleacHOCTii npnóopoB πρπ SKcnjiyaTaujiH, Tax u x ποβη-uieHHE) BHxo.ua ΓΟΑΗΗΧ. Cnocoó TaKřKe no3BojiaeT ποβηοητβοτθπθηβ HHTerpapKH Ha 10 h óojiee npopeHTOB 3a cneT hc-XJII0H6HHH ΠΛ0ίΙ(3ΑΗ, KOTOpafí TpeÓyeTCH COrjiaCHO Óa30B0MyoótexTy Ha κοητηΧτηηθ οχηθ k pe3HCTopawi b ΑΚθΛθκτρκκβ,a Tarae αοποληκτβλβηηχ oÓJiacTeií pe3HcropoB, φορΜΗργθΜΗχB COOTB6TCTBHH C ΟΠρβΑβΛβΗΗΗΜΗ AonycxaMH Ha φΟΤΟΛΜΤΟΓρε-φΗΙΟ AJIH (ílOpMKpOBaHHH ΚΟΗΤΒΚΤΗΗΧ OKOH K pe3HCT0paM. B flaH-hom cjiynae κοητηκτηηθ οκηθ eiopMupyioTCfl tojibko κ ηχτηβηημθλθμθητθμ, a pe3MCTopu iraeioT c hhmh HenocpeflCTBeHHHiíKOHTaKT. Πρίί HCnO.71t3OBaHHH CllOCOÓa Η3Γ0Τ0ΒΛβΗΗΗ nojiynpoBos-HKXOBHX npHÓOpOB C pS311CT0paWH Π0 óa30B0My OÓteKTy npo-peHT BHXOAa roAHHX cocTaBAHeT 6,3$. Πο npejmaraeMOMy cnocoóy npopeHT bhxoas γόαηηχ co-cTaBHT 8,9$, to ecTt yBejnmiiTCH Ha 2,6$. 'V, 245719 -6-JjEHHHÍÍ cnocoó H3r0T0BJieHHH nOJiynpOEOEHHKOBOrO npudo-pa c pe3HCT0paMH βηγο; πηο OTJiHmaeTCH οτ προτοτππβ, npiiHH-Toro e KamecTBe óa3OEoro otíteKTa. B npejyiaraeMOM cnocoóeHCKJiiomaiOTCH npoMesyTomHue coesHHeHHH wejsíy θκτηεηημηsJíeMeHTaMH Ha nojyiojr.e h pe3HCTopaMH, pacnojio ^ eHHWMH bΠΗΘΛΘΚΤρΗΚβ. I3BeCTHO, HT HT KHTerpaJIEHHX ΜΗΚρΟΟΧΘΜΘΧHaJIOTHe K0HT3KT0B HBJIH6TCH ΤζΗΟΪ, ΤζΗΟΪί H3 Πρί-ΡίΗΗ ΗβΗΘΛθΗΗΟΟΤΗCX6M ε nponacce sKciuiyaTanKH η νΜβιΐΒΠίθΗΗΗ npopeHTa βηχο-Ηθ ΓΟ ^ ΗΗΧ. NβΗΒΠΙβΗΗβ HHCJia ΚΟΗΤΘΚΤΟΕ HHTerpaJIBHHX ΟΧβΜ, Β KOTOpux HCnOJIE3yiOTCH pe3HCTOpU, npHEOKHT K3K Κ ΠΟΕΗΙΗβ— 245719 -5- hhk) HafleacHOCTii npnóopoB πρπ SKcnjiyaTaujiH, Tax u x ποβη-uieHHE) BHxo.ua ΓΟΑΗΗΧ. Cnocoó almost no3BojiaeT ποβηοητβοτθπθηβ HHTerpapKH h and 10 h óojiee npopeHTOB 3a CNET HC-XJII0H6HHH ΠΛ0ίΙ (3ΑΗ, KOTOpafí TpeÓyeTCH COrjiaCHO Óa30B0MyoótexTy Ha κοητηΧτηηθ οχηθ to pe3HCTopawi b ΑΚθΛθκτρκκβ and Tara αοποληκτβλβηηχ oÓJiacTeií pe3HcropoB, φορΜΗργθΜΗχB COOTB6TCTBHH C ΟΠρβΑβΛβΗΗΗΜΗ AonycxaMH Ha φΟΤΟΛΜΤΟΓρε-φΗΙΟ AJIH (ílOpMKpOBaHHH ΚΟΗΤΒΚΤΗΗΧ The OKOH pe3HCT0paM. FLASH-B hom cjiynae κοητηκτηηθ οκηθ eiopMupyioTCfl tojibko κ ηχτηβηημθλθμθητθμ and pe3MCTopu iraeioT c hhmh HenocpeflCTBeHHHiíKOHTaKT. Πρίί HCnO.71t3OBaHHH CllOCOÓa Η3Γ0Τ0ΒΛβΗΗΗ nojiynpoBos-HKXOBHX npHÓOpOB C pS311CT0paWH Π0 óa30B0My OÓteKTy NPO-peHT BHXOAa roAHHX cocTaBAHeT 6.3 $. Πο npejmaraeMOMy cnocoóy npopeHT bhxoas co-cTaBHT 8,9 $, to ecTt yBejnmiiTCH Ha 2,6 $. 'V, 245719 -6-

ΦΟΡΙΓ/jíA IBOEFSTEHHH "CnOCOÓ Η3ΓΟΤΟΕΛ8ΗΗΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ,ηΗΗΚΟΒΜΧ npHÓOpOB Cpe3HCT0paMM, EKJIKMaiOHlílíí OnepaUHH řOpMHpOEaHHH ΧΗθΛβΚΤρΠ- necKoro cjioh na nojiynpoBOTJHHKOEOií nojyiome c SJíeKTpiraec- »· KHf.UI ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, MaCKHpOEaHIW, JlOJlyqeHHH pé3HCTOpa ny-T8Í.1 ΗΟΗΗΟΓΟ Jler."pOEaHIÍ£, ECKPUTHB ΚΟΗΤΘΚΤΗϋΧ OKOH E,ηΐίθΛβΚΤρΗΚΘ B φΟρΜΗρΟΕΠΗΗΗ ΜβΧ008ΚΗΗβΗΗίί, ΟΤΛΗΗΘΙΟΙΙΙΗΗΟΗΤΘΜ, ΗΤΟ, C ΙίθΛΕΚ) ΠΟΒΗ1ΠΘΗΗΗ ΠρΟίχβΗΤΘ ΕΗΧΟΒΒ TOJUUlX ΠρΗ-dopoE, onepapffio no?iyqeHiíH pe3HCTopa προβολητ ποολθ bckphΤΗΗ ΚΟΗΤΗΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΛΗΟΒρβΜΘΗΗΟ C φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΘΜ ΜΘΧ-ΟΟβ,ΚΗΗβΗΗβ". KCTOHHHKH ΗΗφΟρΜΘΧίΗΗ, ΠρΗΗΗΤΗΘ ΒΟ BHHM8HH6 ΠρΗ3Κ0ΠβρΤΗ3β: 1. ΙΙητθητ CilIA $ 3829890, ΚΛ.148-1,5, 1974. 2. Πθτθητ CÍ1ÍA $ 3922708, κλ.357-51, 1976 (προτοτΗπ) 2457,9 -7-ΦΟΡΙΓ / IBOEFSTEHHH Jia "CnOCOÓ Η3ΓΟΤΟΕΛ8ΗΗΗ ΠΟΛγπρΟΕΟ, ηΗΗΚΟΒΜΧ npHÓOpOB Cpe3HCT0paMM, EKJIKMaiOHlílíí OnepaUHH řOpMHpOEaHHH ΧΗθΛβΚΤρΠ- necKoro cjioh to nojiynpoBOTJHHKOEOií nojyiome c SJíeKTpiraec-» · KHf.UI ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, MaCKHpOEaHIW, JlOJlyqeHHH pé3HCTOpa NY-T8Í.1 ΗΟΗΗΟΓΟ Jler. "POEaHIÍ £, ECKPUTHB ΚΟΗΤΘΚΤΗϋΧ OKOH E ηΐίθΛβΚΤρΗΚΘ B φΟρΜΗρΟΕΠΗΗΗ ΜβΧ008ΚΗΗβΗΗίί, ΟΤΛΗΗΘΙΟΙΙΙΗΗΟΗΤΘΜ, ΗΤΟ C ΙίθΛΕΚ) ΠΟΒΗ1ΠΘΗΗΗ ΠρΟίχβΗΤΘ ΕΗΧΟΒΒ TOJUUlX ΠρΗ-dopa, onepapffio no? iyqeHiíH pe3HCTopa προβολητ ποολθ bckphΤΗΗ ΚΟΗΤΗΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΛΗΟΒρβΜΘΗΗΟ C φΟρΜΗρΟΒΘΗΗΘΜ ΜΘΧ-ΟΟβ, ΚΗΗβΗΗβ ". KCTOHHHKH ΗΗφΟρΜΘΧίΗΗ, ΠρΗΗΗΤΗΘ ΒΟ BHHM8HH6 ΠρΗ3Κ0ΠβρΤΗ3β: 1. ΙΙητθητ CilIA $ 3829890, 48.148-1,5, 1974. 2. Πθτθητ CÍ1ÍA $ 3922708, κλ.357-51, 1 976 (προτοτΗπ) 2457.9 -7-

AHHOTAIW I'Í30ópeTeHne othochtch k odJiacra ΜΗκροΒΛθΚτροΗΗΚΗ πΜΟΧβΤ ÓHTB Η0Π0ΛΒ30Β3Η0 Πρίΐ Η3ΓΟΤΟΒΛβΗΗΗ ΠΟΛγπρΟΒΟ,ηΗΗΚΟ-BLK npHtíOpOB ρθ3ΛΙΠΗ0Γ0 ΠρΗΜβΗβΗΙΡΙ, CO®psaUJEK raCCHBHHe3Λ8ΜβΗΤΗ.HHTΠOTAW I'Í30óóóóóρ od od od od od od od od od odiaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciaciac iacHTΠΠΠiacΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΠΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓ

Upjit n3oópeTeHHB - noEHiiieHHe προίξβΗτθ bhxo® rojUKXnpHÓOpOB.Upjit n3oópeTeHHB - noEHiiieHHe προίξβΗτθ bhxo® rojUKXnpHÓOpOB.

Cnocoó Η3Γ0Τ0ΒΛθΗΗΗ ΠΟΛγΠρΟΕΟ^ΗΗΚΟΒΗΧ npHÓOpOB Cpe3HCTopaMH BKnmaeT onepannií ΦορΜΗροΒΟΗΜ jmsJíeKTpHveο-κογο CJIOH Ha nOJiynpOBOJBlHKOBOfl HOJVIOSOCe C ΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗ-ΜΙΪ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, ΜΘΟΚΗρΟΒβΗΜ, ΠΟΛγΗβΗΗΗ pe3HCT0pa ΠγΤβΜΜΟΗΗΟΓΟ JierHpOEaHIlH, ECKptITJIH K0HT9KTHUX ΟΚΟΗ Ε ;ξΗ3ΛΘΚ-τρίΐκβ Η φορΜΗρΟΕΘΗΗΗ ΜβΚΟΟΘJIíIHSHHH. HOEUK ΗΕΛΗβΤΟΗ ΤΟ, ΗΤΟ ΟΠθρβίρίΚ) ΠΟΛγΗΘΗΗΗ pe3HCT0paΠΡΟΕΟΛΗΤ nOCJie ECKpHTHH ΚΟΗΤΗΚΤΗΗΧ ΟΚΟΗ ΟΗΗΟΒρθΜβΗΗΟ CφορΜΗρΟΕΘΗίΙδΜ ΜβΧΟΟβ£ΗΗβΗΗίί. 245719Cnocoó Η3Γ0Τ0ΒΛθΗΗΗ ΠΟΛγΠρΟΕΟ ^ ΗΗΚΟΒΗΧ npHÓOpOB Cpe3HCTopaMH BKnmaeT onepannií ΦορΜΗροΒΟΗΜ jmsJíeKTpHveο-κογο CJIOH Ha nOJiynpOBOJBlHKOBOfl HOJVIOSOCe C-ΘΛβΚΤρΗΗβΟΚΗ ΜΙΪ ΚΟΜΠΟΗΘΗΤΘΜΗ, ΜΘΟΚΗρΟΒβΗΜ, ΠΟΛγΗβΗΗΗ pe3HCT0pa ΠγΤβΜΜΟΗΗΟΓΟ JierHpOEaHIlH, ECKptITJIH K0HT9KTHUX ΟΚΟΗ Ε; ξΗ3ΛΘΚ-τρίΐκβ Η φορΜΗρΟΕΘΗΗΗ ΜβΚΟΟΘJIíIHSHHH. E ΛΗ ΛΗ ΛΗ ΤΟΗ ΤΟ Ο θ Κ K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K K. 245719

Claims (1)

245719 8 pRedmEt vynálezu Způsob výroby polovodičových zařízeni s odpory, zahrnující operaci vytváření dielektrické vrstvy na polovodičové podložce s elektrickými složkami, maskování, výrobu odporůiontovým legováním, otevřením kontaktových okének v dielektriku a vytváření mezispojů,vyznačující se tím, že za účelem zvýšení procenta vystupujících použitelných zařízeníse provádí operace výroby odporů po otevření kontaktních okének zároveň s vytvářenímmezispojů. Uznáno vynálezem na základě výsledků expertizy, provedené Státním výborem pro vynálezya objevy SSSH, Moskva, SU. 1 výkres iSUMMARY OF THE INVENTION A method of manufacturing semiconductor devices with resistances, comprising the operation of forming a dielectric layer on a semiconductor substrate with electrical components, masking, producing by resistive alloying, opening contact windows in a dielectric, and forming inter-connections, characterized in that performs resistor manufacturing operations after opening contact windows while creating resolutions. Recognized by the invention on the basis of the results of expertise, conducted by the State Committee for Inventions and Discoveries SSSH, Moscow, SU. 1 drawing i
CS815456A 1980-07-18 1981-07-16 Production method of a semiconductor device with resistors CS245719B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803005399A SU897052A1 (en) 1980-07-18 1980-07-18 Method for making semiconductor devices with resistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS545681A1 CS545681A1 (en) 1984-11-19
CS245719B1 true CS245719B1 (en) 1986-10-16

Family

ID=20926486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS815456A CS245719B1 (en) 1980-07-18 1981-07-16 Production method of a semiconductor device with resistors

Country Status (3)

Country Link
BG (1) BG41283A1 (en)
CS (1) CS245719B1 (en)
SU (1) SU897052A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012206234A1 (en) 2012-04-17 2013-10-17 Evonik Industries Ag Formulations containing ammoniacal hydroxo-zinc compounds
RU2655698C1 (en) * 2016-12-14 2018-05-29 ООО "Тонкопленочные технологии" Semiconductor resistor

Also Published As

Publication number Publication date
BG41283A1 (en) 1987-05-15
SU897052A1 (en) 1984-05-30
CS545681A1 (en) 1984-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4675973B2 (en) Microelectromechanical device, method for manufacturing the same, and wiring board
US4169001A (en) Method of making multilayer module having optical channels therein
US10411433B2 (en) Active silicon optical bench
US3835531A (en) Methods of forming circuit interconnections
CN101095380B (en) Multi-layer printed circuit board comprising a through connection for high frequency applications
JP5180443B2 (en) Thick film conductor paste composition for LTCC tape in microwave applications
US20050179376A1 (en) Light emitting diode display device
CN104220910B (en) Inter-chip communication using embedded dielectric and metal waveguides
US10068818B2 (en) Semiconductor element package, semiconductor device, and mounting structure
US20050013562A1 (en) Optical component and manufacture method of the same
CN111403582A (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, and display module
EP0417992A2 (en) A stackable multilayer substrate for mounting integrated circuits
CS245719B1 (en) Production method of a semiconductor device with resistors
DE102019102836B4 (en) METHODS OF PANEL BONDING ACTIONS AND ELECTRONIC DEVICES WITH CAVIES
JP2007305856A (en) Sealing structure and manufacturing method therefor
US11652306B2 (en) Electronic-element mounting package and electronic device
US20140262469A1 (en) Radio frequency feedthrough
JP2008042512A (en) Package for electronic component
JP2018049991A (en) Light-emitting element-mounting board, method for manufacturing the same, and light-emitting element-containing package
JP3580688B2 (en) Manufacturing method of multilayer ceramic circuit board
US3119172A (en) Method of making an electrical connection
JP6634668B2 (en) Manufacturing method of mounting board and mounting board
US3439395A (en) Method of attaching leads to electrical components
CN204462464U (en) Integrated photonics module
JP2020047817A5 (en)