JPH07170043A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JPH07170043A JPH07170043A JP31491193A JP31491193A JPH07170043A JP H07170043 A JPH07170043 A JP H07170043A JP 31491193 A JP31491193 A JP 31491193A JP 31491193 A JP31491193 A JP 31491193A JP H07170043 A JPH07170043 A JP H07170043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating
- wiring board
- alloy
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種電子機器に利用される配線基板に関する
ものであり、剥離の発生しない信頼性の高いものを提供
することを目的とする。 【構成】 絶縁性基板１上に第１のＣｒ層２、Ｃｕ層３
および第２のＣｒ層４からなる導体層とこれを覆う絶縁
層５から構成され、第２のＣｒ層４が絶縁層５を形成す
る直前に真空中で熱処理されて形成され、密着性の向上
を図ったものである。
ものであり、剥離の発生しない信頼性の高いものを提供
することを目的とする。 【構成】 絶縁性基板１上に第１のＣｒ層２、Ｃｕ層３
および第２のＣｒ層４からなる導体層とこれを覆う絶縁
層５から構成され、第２のＣｒ層４が絶縁層５を形成す
る直前に真空中で熱処理されて形成され、密着性の向上
を図ったものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種電子機器に用いられ
る配線基板に関するものである。
る配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型、高性能化に伴い、これ
に用いられる配線基板にも高密度、高信頼性化が要求さ
れている。高密度化のために配線基板上の配線の幅はよ
り小さくなり、また絶縁層を挟んで高階層化されてい
る。このように配線基板の電極材料としてはより低抵抗
でコスト面でも有利なＣｕが多く用いられ、絶縁性基板
および上層の絶縁膜との密着のためにＣｕ層の上下にＣ
ｒ層を配した三層構成の導体層が用いられている。
に用いられる配線基板にも高密度、高信頼性化が要求さ
れている。高密度化のために配線基板上の配線の幅はよ
り小さくなり、また絶縁層を挟んで高階層化されてい
る。このように配線基板の電極材料としてはより低抵抗
でコスト面でも有利なＣｕが多く用いられ、絶縁性基板
および上層の絶縁膜との密着のためにＣｕ層の上下にＣ
ｒ層を配した三層構成の導体層が用いられている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上述した従来の
配線基板の一例について説明する。図１３は従来の配線
基板の断面構成を示すものである。図１３において、６
１はガラス等の絶縁性基板、６２は第１のＣｒ層、６３
はＣｕ層、６４は第２のＣｒ層、６５はＳｉ系の絶縁層
である。Ｃｕ層６３は導電層であり、Ｃｒ層６２，６４
はＣｕのマイグレーション防止層および密着層の役割を
果たしている。
配線基板の一例について説明する。図１３は従来の配線
基板の断面構成を示すものである。図１３において、６
１はガラス等の絶縁性基板、６２は第１のＣｒ層、６３
はＣｕ層、６４は第２のＣｒ層、６５はＳｉ系の絶縁層
である。Ｃｕ層６３は導電層であり、Ｃｒ層６２，６４
はＣｕのマイグレーション防止層および密着層の役割を
果たしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、真空プロセス等で導体層を形成した後、
配線パターンの形成のためにエッチング等の工程を経る
ため、最表面の第２のＣｒ層６４は酸化物等により覆わ
れてしまう。このため高温高湿環境等に置かれた場合に
Ｓｉ系の絶縁層６５と第２のＣｒ層６４との界面で剥離
が発生することがあった。
うな構成では、真空プロセス等で導体層を形成した後、
配線パターンの形成のためにエッチング等の工程を経る
ため、最表面の第２のＣｒ層６４は酸化物等により覆わ
れてしまう。このため高温高湿環境等に置かれた場合に
Ｓｉ系の絶縁層６５と第２のＣｒ層６４との界面で剥離
が発生することがあった。
【０００５】本発明は上記の課題に鑑み、絶縁層と第２
のＣｒ層の間で剥離が発生せず、十分な信頼性を有する
配線基板を提供するものである。
のＣｒ層の間で剥離が発生せず、十分な信頼性を有する
配線基板を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の配線基板は、絶縁性基板上に順に第１のＣｒ
層、Ｃｕ層、第２のＣｒ層からなる導体層とこれを覆う
絶縁層からなり、第２のＣｒ層が絶縁層を形成する直前
に真空中で熱処理することにより形成した構成としたも
のである。
に本発明の配線基板は、絶縁性基板上に順に第１のＣｒ
層、Ｃｕ層、第２のＣｒ層からなる導体層とこれを覆う
絶縁層からなり、第２のＣｒ層が絶縁層を形成する直前
に真空中で熱処理することにより形成した構成としたも
のである。
【０００７】
【作用】本発明は上記の構成のように、絶縁性基板上に
順に第１のＣｒ層、Ｃｕ層を構成しパターンを形成した
後に、真空中で熱処理することにより第１のＣｒ層から
Ｃｕ表面にＣｒの拡散を行わせ、活性な表面を持った第
２のＣｒ層を形成することができる。そのまま真空を破
らずに絶縁層を構成することにより活性な元素であるＣ
ｒと絶縁層を構成している元素との間に化学結合を形成
し、絶縁層と第２のＣｒ層の間の密着性を向上させ剥離
を防ぐことができる。
順に第１のＣｒ層、Ｃｕ層を構成しパターンを形成した
後に、真空中で熱処理することにより第１のＣｒ層から
Ｃｕ表面にＣｒの拡散を行わせ、活性な表面を持った第
２のＣｒ層を形成することができる。そのまま真空を破
らずに絶縁層を構成することにより活性な元素であるＣ
ｒと絶縁層を構成している元素との間に化学結合を形成
し、絶縁層と第２のＣｒ層の間の密着性を向上させ剥離
を防ぐことができる。
【０００８】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の一実施例の配線
基板について、図面を参照しながら説明する。図１は、
本発明の第１の実施例における配線基板の断面構成を示
すものである。図１において、１はガラス等の絶縁性基
板、２は第１のＣｒ層、３はＣｕ層、４は真空熱処理に
より形成された第２のＣｒ層、５はＳｉＯ2等の絶縁層
である。
基板について、図面を参照しながら説明する。図１は、
本発明の第１の実施例における配線基板の断面構成を示
すものである。図１において、１はガラス等の絶縁性基
板、２は第１のＣｒ層、３はＣｕ層、４は真空熱処理に
より形成された第２のＣｒ層、５はＳｉＯ2等の絶縁層
である。
【０００９】この実施例における配線基板の作成工程を
図２に示す。まず、ガラス等の絶縁性基板１上に蒸着や
スパッタリング等の方法で第１のＣｒ層２およびＣｕ層
３を形成する。次にこの電極にエッチング等の方法でパ
ターン形成を行う。この後、真空中で熱処理を行い第２
のＣｒ層４の形成を行い、この真空状態を保ったままこ
の基板上に絶縁層５を形成する。従って、この熱処理は
絶縁層５の成膜チャンバー内で行うのが望ましい。
図２に示す。まず、ガラス等の絶縁性基板１上に蒸着や
スパッタリング等の方法で第１のＣｒ層２およびＣｕ層
３を形成する。次にこの電極にエッチング等の方法でパ
ターン形成を行う。この後、真空中で熱処理を行い第２
のＣｒ層４の形成を行い、この真空状態を保ったままこ
の基板上に絶縁層５を形成する。従って、この熱処理は
絶縁層５の成膜チャンバー内で行うのが望ましい。
【００１０】この第２のＣｒ層４は、第１のＣｒ層２の
Ｃｒ原子がＣｕ層３中を拡散し表面に析出することによ
り形成されるもので、その膜厚は極めて薄いものであ
る。この時の熱処理条件は、Ｃｕ層３の膜厚や処理温
度、時間、真空度の条件によって影響され、温度は３０
０℃以上、真空度は１×１０-3〜１×１０-7Ｔｏｒｒの
条件が必要である。本実施例の場合では、Ｃｕ層３の膜
厚が３０００Åに対し４００℃、３時間、１×１０-4〜
１×１０-6Ｔｏｒｒの真空熱処理を行うことにより、Ｃ
ｕ層３の表面に膜厚２００Å程度の第２のＣｒ層４を形
成することができた。
Ｃｒ原子がＣｕ層３中を拡散し表面に析出することによ
り形成されるもので、その膜厚は極めて薄いものであ
る。この時の熱処理条件は、Ｃｕ層３の膜厚や処理温
度、時間、真空度の条件によって影響され、温度は３０
０℃以上、真空度は１×１０-3〜１×１０-7Ｔｏｒｒの
条件が必要である。本実施例の場合では、Ｃｕ層３の膜
厚が３０００Åに対し４００℃、３時間、１×１０-4〜
１×１０-6Ｔｏｒｒの真空熱処理を行うことにより、Ｃ
ｕ層３の表面に膜厚２００Å程度の第２のＣｒ層４を形
成することができた。
【００１１】図３は、絶縁層５にＳｉＯＮを使った本実
施例の第２のＣｒ層４と絶縁層５の界面の元素の分布状
態である。図に示すようにこの界面に極めて薄い第２の
Ｃｒ層４が存在することがわかる。この第２のＣｒ層４
の表面は酸素等の不純物が少ないＣｒ表面が得られるた
め、真空熱処理後この真空状態を保ったままこの基板上
に絶縁層５を形成することにより極めて密着性のよい界
面を得ることができる。
施例の第２のＣｒ層４と絶縁層５の界面の元素の分布状
態である。図に示すようにこの界面に極めて薄い第２の
Ｃｒ層４が存在することがわかる。この第２のＣｒ層４
の表面は酸素等の不純物が少ないＣｒ表面が得られるた
め、真空熱処理後この真空状態を保ったままこの基板上
に絶縁層５を形成することにより極めて密着性のよい界
面を得ることができる。
【００１２】また、この方法は従来例に比べて成膜工程
で形成する配線層が一層少なくて済む。さらに、パター
ン形成後に真空熱処理を行うことによって第２のＣｒ層
４はＣｕ層３のパターン上に形成されるため、第２のＣ
ｒ層４はパターン形成を必要とせず従来例に比べてパタ
ーン形成時のエッチング工程を簡略化することができ
る。
で形成する配線層が一層少なくて済む。さらに、パター
ン形成後に真空熱処理を行うことによって第２のＣｒ層
４はＣｕ層３のパターン上に形成されるため、第２のＣ
ｒ層４はパターン形成を必要とせず従来例に比べてパタ
ーン形成時のエッチング工程を簡略化することができ
る。
【００１３】以上のように本実施例によれば、絶縁層５
の形成前にＣｕ層３と第１のＣｒ層２の二層配線に真空
熱処理を行うことによりＣｕ層３の表面に第２のＣｒ層
４を形成し、その真空を保ったまま絶縁層５を形成する
ことにより、配線層と絶縁層５との密着性を大幅に向上
させることができ、同時に成膜工程、パターン形成工程
の簡略化を図ることができる。
の形成前にＣｕ層３と第１のＣｒ層２の二層配線に真空
熱処理を行うことによりＣｕ層３の表面に第２のＣｒ層
４を形成し、その真空を保ったまま絶縁層５を形成する
ことにより、配線層と絶縁層５との密着性を大幅に向上
させることができ、同時に成膜工程、パターン形成工程
の簡略化を図ることができる。
【００１４】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。図４は、本発明
の第２の実施例を示す配線基板の断面構造である。図４
において、１１はガラス等の絶縁性基板、１２は第１の
Ｃｒ層、１３はＣｕ層、１４は第２のＣｒ層、１５はＳ
ｉＯ2等の絶縁層である。本実施例では、第１のＣｒ層
１２、Ｃｕ層１３、第２のＣｒ層１４は共に蒸着やスパ
ッタリング等の成膜法で構成され、これを還元性雰囲気
中で熱処理された後に絶縁層１５が形成される。
について図面を参照しながら説明する。図４は、本発明
の第２の実施例を示す配線基板の断面構造である。図４
において、１１はガラス等の絶縁性基板、１２は第１の
Ｃｒ層、１３はＣｕ層、１４は第２のＣｒ層、１５はＳ
ｉＯ2等の絶縁層である。本実施例では、第１のＣｒ層
１２、Ｃｕ層１３、第２のＣｒ層１４は共に蒸着やスパ
ッタリング等の成膜法で構成され、これを還元性雰囲気
中で熱処理された後に絶縁層１５が形成される。
【００１５】第２の実施例における配線基板の作成工程
を図５に示す。まず、ガラス等の絶縁性基板１１上に第
１のＣｒ層１２、Ｃｕ層１３および第２のＣｒ層１４を
形成する。次にこの電極にエッチング等の方法でパター
ン形成を行う。この後、還元性雰囲気中で熱処理を行う
ことにより、第２のＣｒ層１４の表面の酸化層や水等の
吸着物を除去し、本来活性な元素であるＣｒの表面を形
成する。この状態を保ったまま、同一チャンバーを用い
る等して絶縁層１５を形成する。
を図５に示す。まず、ガラス等の絶縁性基板１１上に第
１のＣｒ層１２、Ｃｕ層１３および第２のＣｒ層１４を
形成する。次にこの電極にエッチング等の方法でパター
ン形成を行う。この後、還元性雰囲気中で熱処理を行う
ことにより、第２のＣｒ層１４の表面の酸化層や水等の
吸着物を除去し、本来活性な元素であるＣｒの表面を形
成する。この状態を保ったまま、同一チャンバーを用い
る等して絶縁層１５を形成する。
【００１６】第２のＣｒ層１４は成膜後にエッチング等
の工程を経るため、その表面は水等の吸着物や不活性な
酸化物に覆われてしまう。この不活性な表面に保護膜と
しての絶縁層１５を形成した場合、この両者の間に強固
な密着性が得られず剥離の原因になることがある。この
ため本実施例では、絶縁層１５の形成前にこの配線基板
を還元性雰囲気中で熱処理を行い、第２のＣｒ層１４の
表面を清浄化、活性化することにより絶縁層１５と第２
のＣｒ層１４の間の密着性を向上させるものである。熱
処理温度は３００℃以上が適当であり、本実施例の場
合、４００℃で１時間行った。還元性ガスには水素を用
い、真空度は約１ｍＴｏｒｒとした。この熱処理後、活
性な表面を維持するため、基板を大気に触れさせること
なく続けて絶縁層１５を形成した。従って、この熱処理
に関しても絶縁層１５の成膜チャンバー内で行うのが望
ましい。
の工程を経るため、その表面は水等の吸着物や不活性な
酸化物に覆われてしまう。この不活性な表面に保護膜と
しての絶縁層１５を形成した場合、この両者の間に強固
な密着性が得られず剥離の原因になることがある。この
ため本実施例では、絶縁層１５の形成前にこの配線基板
を還元性雰囲気中で熱処理を行い、第２のＣｒ層１４の
表面を清浄化、活性化することにより絶縁層１５と第２
のＣｒ層１４の間の密着性を向上させるものである。熱
処理温度は３００℃以上が適当であり、本実施例の場
合、４００℃で１時間行った。還元性ガスには水素を用
い、真空度は約１ｍＴｏｒｒとした。この熱処理後、活
性な表面を維持するため、基板を大気に触れさせること
なく続けて絶縁層１５を形成した。従って、この熱処理
に関しても絶縁層１５の成膜チャンバー内で行うのが望
ましい。
【００１７】以上のように本実施例によれば、絶縁層１
５の形成前に還元性雰囲気中で熱処理を行うことによ
り、第２のＣｒ層１４の表面の吸着物等を除去して活性
な表面を形成し、その表面状態を維持したまま絶縁層１
５を形成することにより第２のＣｒ層１４と絶縁層１５
との密着性を大幅に向上させる。
５の形成前に還元性雰囲気中で熱処理を行うことによ
り、第２のＣｒ層１４の表面の吸着物等を除去して活性
な表面を形成し、その表面状態を維持したまま絶縁層１
５を形成することにより第２のＣｒ層１４と絶縁層１５
との密着性を大幅に向上させる。
【００１８】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について図面を参照しながら説明する。図６において、
２１はガラス等の絶縁性基板、２２は第１のＣｒ層、２
３はＣｕ層、２４は第２のＣｒ層、２５はＳｉＯ2等の
絶縁層である。
について図面を参照しながら説明する。図６において、
２１はガラス等の絶縁性基板、２２は第１のＣｒ層、２
３はＣｕ層、２４は第２のＣｒ層、２５はＳｉＯ2等の
絶縁層である。
【００１９】第３の実施例における配線基板の作成工程
を図７に示す。まず、ガラス等の絶縁性基板２１上に蒸
着やスパッタリング等の成膜法で第１のＣｒ層２２、Ｃ
ｕ層２３および第２のＣｒ層２４を形成する。次にこの
電極にエッチング等の方法でパターン形成を行う。この
後、第２のＣｒ層２４の表面をスパッタエッチング等の
方法で表面の吸着物や酸化層等を除去することによりＣ
ｒの活性な表面を形成する。この状態を保ったまま、同
一チャンバーを用いる等して基板上に絶縁層２５を形成
する。
を図７に示す。まず、ガラス等の絶縁性基板２１上に蒸
着やスパッタリング等の成膜法で第１のＣｒ層２２、Ｃ
ｕ層２３および第２のＣｒ層２４を形成する。次にこの
電極にエッチング等の方法でパターン形成を行う。この
後、第２のＣｒ層２４の表面をスパッタエッチング等の
方法で表面の吸着物や酸化層等を除去することによりＣ
ｒの活性な表面を形成する。この状態を保ったまま、同
一チャンバーを用いる等して基板上に絶縁層２５を形成
する。
【００２０】第２のＣｒ層２４までの工程は実施例２と
同じであるため、前述のように第２のＣｒ層２４の表面
は吸着物等に覆われてしまい、このままの状態で保護膜
としての絶縁層２５を形成した場合剥離の原因になるこ
とがあった。本実施例では、絶縁層２５の形成前にこの
配線基板の表面をスパッタエッチングし、第２のＣｒ層
２４の表面の吸着物や酸化物等の不活性層を除去し活性
な表面を得ることにより、絶縁層２５と第２のＣｒ層２
４の間の密着性を大幅に向上させることができた。本実
施例の場合、スパッタガスにはＡｒを用い、第２のＣｒ
層２４まで形成された基板表面を数分間スパッタエッチ
ングした後、真空状態を保持したまま連続して絶縁層２
５の形成を行った。
同じであるため、前述のように第２のＣｒ層２４の表面
は吸着物等に覆われてしまい、このままの状態で保護膜
としての絶縁層２５を形成した場合剥離の原因になるこ
とがあった。本実施例では、絶縁層２５の形成前にこの
配線基板の表面をスパッタエッチングし、第２のＣｒ層
２４の表面の吸着物や酸化物等の不活性層を除去し活性
な表面を得ることにより、絶縁層２５と第２のＣｒ層２
４の間の密着性を大幅に向上させることができた。本実
施例の場合、スパッタガスにはＡｒを用い、第２のＣｒ
層２４まで形成された基板表面を数分間スパッタエッチ
ングした後、真空状態を保持したまま連続して絶縁層２
５の形成を行った。
【００２１】以上のように本実施例によれば、絶縁層２
５の形成前に第２のＣｒ層２４の表面をスパッタエッチ
ング等のドライエッチング処理を行うことにより、第２
のＣｒ層２４の表面の吸着物や酸化物等の不活性層を取
り除き活性な表面を形成し、その表面状態を維持したま
ま絶縁層２５を形成することにより配線層と絶縁層２５
との密着性を大幅に向上させる。
５の形成前に第２のＣｒ層２４の表面をスパッタエッチ
ング等のドライエッチング処理を行うことにより、第２
のＣｒ層２４の表面の吸着物や酸化物等の不活性層を取
り除き活性な表面を形成し、その表面状態を維持したま
ま絶縁層２５を形成することにより配線層と絶縁層２５
との密着性を大幅に向上させる。
【００２２】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について図面を参照しながら説明する。図８は、本発明
の第４の実施例を示す配線基板の断面構造である。図８
において、３１はガラス等の絶縁性基板、３２は第１の
Ｃｒ層、３３はＣｕＣｒ合金層、３４は第２のＣｒ層、
３５はＳｉＯ2等の絶縁層である。本実施例のＣｕＣｒ
合金層３３は蒸着やスパッタリング等の成膜法で構成さ
れ、このＣｕＣｒ合金層３３中のＣｒ濃度は０．１〜１
０％程度である。ＣｕとＣｒの合金化は、スパッタリン
グの場合はＣｕとＣｒの合金のターゲットを用い、蒸着
の場合にはＣｕとＣｒの合金の蒸発源を用いたが、Ｃｕ
とＣｒの別々のターゲットでの同時スパッタリングや別
々の蒸発源を用いた同時蒸着を行ってもよい。
について図面を参照しながら説明する。図８は、本発明
の第４の実施例を示す配線基板の断面構造である。図８
において、３１はガラス等の絶縁性基板、３２は第１の
Ｃｒ層、３３はＣｕＣｒ合金層、３４は第２のＣｒ層、
３５はＳｉＯ2等の絶縁層である。本実施例のＣｕＣｒ
合金層３３は蒸着やスパッタリング等の成膜法で構成さ
れ、このＣｕＣｒ合金層３３中のＣｒ濃度は０．１〜１
０％程度である。ＣｕとＣｒの合金化は、スパッタリン
グの場合はＣｕとＣｒの合金のターゲットを用い、蒸着
の場合にはＣｕとＣｒの合金の蒸発源を用いたが、Ｃｕ
とＣｒの別々のターゲットでの同時スパッタリングや別
々の蒸発源を用いた同時蒸着を行ってもよい。
【００２３】第１のＣｒ層３２および第２のＣｒ層３４
は、ＣｕＣｒ合金層３３を成膜後これに熱処理を行うこ
とにより形成される。ＣｕとＣｒはほとんど固溶し合わ
ない金属であるため、ＣｕＣｒ合金層３３中のＣｒはＣ
ｕの結晶粒界に存在し比較的不安定な状態になってお
り、加熱等により動きやすくなっている。従って、これ
を加熱することにより粒界中のＣｒはより安定なＣｕＣ
ｒ合金層３３の表面に析出し、第１のＣｒ層３２および
第２のＣｒ層３４が形成されるものである。
は、ＣｕＣｒ合金層３３を成膜後これに熱処理を行うこ
とにより形成される。ＣｕとＣｒはほとんど固溶し合わ
ない金属であるため、ＣｕＣｒ合金層３３中のＣｒはＣ
ｕの結晶粒界に存在し比較的不安定な状態になってお
り、加熱等により動きやすくなっている。従って、これ
を加熱することにより粒界中のＣｒはより安定なＣｕＣ
ｒ合金層３３の表面に析出し、第１のＣｒ層３２および
第２のＣｒ層３４が形成されるものである。
【００２４】この第１のＣｒ層３２および第２のＣｒ層
３４の膜厚は薄く、ＣｕＣｒ合金層３３の膜厚や処理温
度、時間等の条件によって影響される。第１のＣｒ層３
２および第２のＣｒ層３４を形成するためには、温度は
３００℃以上、真空度は１×１０-3〜１×１０-7Ｔｏｒ
ｒの条件が必要である。本実施例の場合では、３０００
ÅのＣｕＣｒ合金層３３に対し４００℃、３時間、１×
１０-4〜１×１０-6Ｔｏｒｒの真空熱処理を行うことに
より、第１のＣｒ層３２および第２のＣｒ層３４を形成
した。
３４の膜厚は薄く、ＣｕＣｒ合金層３３の膜厚や処理温
度、時間等の条件によって影響される。第１のＣｒ層３
２および第２のＣｒ層３４を形成するためには、温度は
３００℃以上、真空度は１×１０-3〜１×１０-7Ｔｏｒ
ｒの条件が必要である。本実施例の場合では、３０００
ÅのＣｕＣｒ合金層３３に対し４００℃、３時間、１×
１０-4〜１×１０-6Ｔｏｒｒの真空熱処理を行うことに
より、第１のＣｒ層３２および第２のＣｒ層３４を形成
した。
【００２５】第４の実施例における配線基板の作成工程
を図９に示す。まず、ガラス等の絶縁性基板３１上にＣ
ｕＣｒ合金層３３を前述した手法を用いて形成する。次
にこの電極にエッチング等の方法でパターン形成を行
う。この後、この基板に真空熱処理を施すことにより、
第１のＣｒ層３２および第２のＣｒ層３４が形成され
る。この第１，第２のＣｒ層３２，３４の形成後、この
真空状態を保ったままこの基板上に絶縁層３５を形成す
る。上記のように、第１のＣｒ層３２および第２のＣｒ
層３４は真空中で形成され、その表面は酸化物等が無い
活性な表面であるため、絶縁層３５および絶縁性基板３
１との密着性は良好である。また、成膜およびパターン
形成はＣｕＣｒ合金層３３のみで良いため工程の簡略化
を達成することができる。
を図９に示す。まず、ガラス等の絶縁性基板３１上にＣ
ｕＣｒ合金層３３を前述した手法を用いて形成する。次
にこの電極にエッチング等の方法でパターン形成を行
う。この後、この基板に真空熱処理を施すことにより、
第１のＣｒ層３２および第２のＣｒ層３４が形成され
る。この第１，第２のＣｒ層３２，３４の形成後、この
真空状態を保ったままこの基板上に絶縁層３５を形成す
る。上記のように、第１のＣｒ層３２および第２のＣｒ
層３４は真空中で形成され、その表面は酸化物等が無い
活性な表面であるため、絶縁層３５および絶縁性基板３
１との密着性は良好である。また、成膜およびパターン
形成はＣｕＣｒ合金層３３のみで良いため工程の簡略化
を達成することができる。
【００２６】なお、この構成を用いることにより熱処理
を行わなくてもＣｕＣｒ合金層３３の表面にはある程度
のＣｒが析出しているため、密着性に関しては比較的良
好な結果が得られる。しかし、この構成ではＣｕＣｒ合
金層３３中に多くのＣｒが残っているため、Ｃｕに比べ
てその電気抵抗が高くなり配線層としてはあまり適当で
はない。従って、本実施例のようにこの基板に真空熱処
理を行いＣｕＣｒ合金層３３中のＣｒを表面に析出させ
ることにより、さらに密着強度を向上させるとともに、
電気抵抗を低下させることにより配線層として適当な構
成とすることができる。
を行わなくてもＣｕＣｒ合金層３３の表面にはある程度
のＣｒが析出しているため、密着性に関しては比較的良
好な結果が得られる。しかし、この構成ではＣｕＣｒ合
金層３３中に多くのＣｒが残っているため、Ｃｕに比べ
てその電気抵抗が高くなり配線層としてはあまり適当で
はない。従って、本実施例のようにこの基板に真空熱処
理を行いＣｕＣｒ合金層３３中のＣｒを表面に析出させ
ることにより、さらに密着強度を向上させるとともに、
電気抵抗を低下させることにより配線層として適当な構
成とすることができる。
【００２７】以上のように本実施例によれば、絶縁性基
板３１上に設ける配線層にＣｕＣｒ合金を用い絶縁層３
５の形成前に真空熱処理を行うことにより、前記ＣｕＣ
ｒ合金層３３の上下に第１のＣｒ層３２および第２のＣ
ｒ層３４を形成し、その真空状態を保ったまま絶縁層３
５を形成することにより、絶縁性基板３１、配線層、絶
縁層３５の間の密着性が良好な配線基板を実現すること
ができ、同時に成膜工程、パターン形成工程の簡略化を
図ることができる。
板３１上に設ける配線層にＣｕＣｒ合金を用い絶縁層３
５の形成前に真空熱処理を行うことにより、前記ＣｕＣ
ｒ合金層３３の上下に第１のＣｒ層３２および第２のＣ
ｒ層３４を形成し、その真空状態を保ったまま絶縁層３
５を形成することにより、絶縁性基板３１、配線層、絶
縁層３５の間の密着性が良好な配線基板を実現すること
ができ、同時に成膜工程、パターン形成工程の簡略化を
図ることができる。
【００２８】（実施例５）以下、本発明の一実施例につ
いて、実施例１の図面を参照しながら説明する。図１
は、本発明の実施例１における配線基板の断面構成を示
すもので、１はガラス等の絶縁性基板、２は第１のＣｒ
層、３はＣｕ層、４は真空熱処理により形成された第２
のＣｒ層、５はＳｉＯ2等の絶縁層である。本実施例で
はこの配線基板のＣｕ層３の代わりにＣｕＮｉ合金層を
用いる。
いて、実施例１の図面を参照しながら説明する。図１
は、本発明の実施例１における配線基板の断面構成を示
すもので、１はガラス等の絶縁性基板、２は第１のＣｒ
層、３はＣｕ層、４は真空熱処理により形成された第２
のＣｒ層、５はＳｉＯ2等の絶縁層である。本実施例で
はこの配線基板のＣｕ層３の代わりにＣｕＮｉ合金層を
用いる。
【００２９】本実施例のＣｕＮｉ合金層３はＣｕＮｉ合
金のターゲットを用いてスパッタリングで形成したが、
ＣｕＮｉ合金の蒸発源を用いて蒸着法で形成してもよ
い。また、ＣｕＮｉ合金層３はＣｕとＮｉの個別のター
ゲットや蒸発源を用いても形成可能であるが、Ｃｕ層を
形成する場合と全く同じ工法でＣｕＮｉ合金層３を形成
できるため、本実施例ではＣｕＮｉ合金のターゲットを
用いた。
金のターゲットを用いてスパッタリングで形成したが、
ＣｕＮｉ合金の蒸発源を用いて蒸着法で形成してもよ
い。また、ＣｕＮｉ合金層３はＣｕとＮｉの個別のター
ゲットや蒸発源を用いても形成可能であるが、Ｃｕ層を
形成する場合と全く同じ工法でＣｕＮｉ合金層３を形成
できるため、本実施例ではＣｕＮｉ合金のターゲットを
用いた。
【００３０】実施例１のように導体層に純Ｃｕを用いた
配線基板が高温高湿環境や腐食性環境等の悪環境に置か
れた場合、Ｃｕ層とＣｒ層の間で剥離することがあっ
た。これはＣｕとＣｒは両者とも金属ではあるがほとん
ど固溶し合わないためこの界面では結合が弱く、従って
この部分に絶縁層のピンホールから水分の侵入等があっ
た場合にはこの界面で剥離が発生することがあった。こ
れに対し、ＮｉはＣｕともＣｒとも完全固溶し合金を作
りやすい。また、ＣｕＮｉ合金は耐食性合金であり、Ｃ
ｕ中にＮｉを添加することにより耐食性の向上が図れ
る。従って、本実施例ではＮｉをＣｕ中に添加すること
により、Ｃｕ層とＣｒ層の界面で合金化を促し密着性を
向上させて、上記問題点の解決を図った。
配線基板が高温高湿環境や腐食性環境等の悪環境に置か
れた場合、Ｃｕ層とＣｒ層の間で剥離することがあっ
た。これはＣｕとＣｒは両者とも金属ではあるがほとん
ど固溶し合わないためこの界面では結合が弱く、従って
この部分に絶縁層のピンホールから水分の侵入等があっ
た場合にはこの界面で剥離が発生することがあった。こ
れに対し、ＮｉはＣｕともＣｒとも完全固溶し合金を作
りやすい。また、ＣｕＮｉ合金は耐食性合金であり、Ｃ
ｕ中にＮｉを添加することにより耐食性の向上が図れ
る。従って、本実施例ではＮｉをＣｕ中に添加すること
により、Ｃｕ層とＣｒ層の界面で合金化を促し密着性を
向上させて、上記問題点の解決を図った。
【００３１】図１０（ａ）はＣｕ層とＣｒ層の界面の、
図１０（ｂ）はＣｕＮｉ合金層とＣｒ層の界面のＳＩＭ
Ｓ分析結果である。ＣｕＮｉ合金層中のＮｉ濃度は５％
程度であるが、図ではＣｕとＮｉの分析感度の違いによ
りＮｉカウント数が濃度比率以上に描かれている。両者
とも絶縁層５の成膜後の状態と同じ条件になるように、
Ｃｕ層またはＣｕＮｉ合金層成膜後に真空中で熱処理を
行っている。この結果より、ＣｕＮｉ合金層の方がＣｒ
層との界面で合金化が進んでいることがわかる。本分析
では結果をわかりやすくするために熱処理を行い合金化
を促進させているが、熱処理を行わない場合でも密着性
の向上が観察されていることから、ＣｕＮｉ合金層成膜
後の時点である程度の合金化が進んでいると思われる。
図１０（ｂ）はＣｕＮｉ合金層とＣｒ層の界面のＳＩＭ
Ｓ分析結果である。ＣｕＮｉ合金層中のＮｉ濃度は５％
程度であるが、図ではＣｕとＮｉの分析感度の違いによ
りＮｉカウント数が濃度比率以上に描かれている。両者
とも絶縁層５の成膜後の状態と同じ条件になるように、
Ｃｕ層またはＣｕＮｉ合金層成膜後に真空中で熱処理を
行っている。この結果より、ＣｕＮｉ合金層の方がＣｒ
層との界面で合金化が進んでいることがわかる。本分析
では結果をわかりやすくするために熱処理を行い合金化
を促進させているが、熱処理を行わない場合でも密着性
の向上が観察されていることから、ＣｕＮｉ合金層成膜
後の時点である程度の合金化が進んでいると思われる。
【００３２】（表１）は、ＣｕＮｉ合金中のＮｉ濃度を
変えて作成した配線基板の信頼性試験の結果である。試
験は、温度６５℃、湿度９０％の条件にこの配線基板を
５００時間放置した後、密着性試験を行い剥離した試料
の割合で評価した。この結果より、Ｃｕ層の代わりにＣ
ｕＮｉ合金層を用いることにより信頼性が大幅に改善さ
れており、本実施例の効果が認められる。
変えて作成した配線基板の信頼性試験の結果である。試
験は、温度６５℃、湿度９０％の条件にこの配線基板を
５００時間放置した後、密着性試験を行い剥離した試料
の割合で評価した。この結果より、Ｃｕ層の代わりにＣ
ｕＮｉ合金層を用いることにより信頼性が大幅に改善さ
れており、本実施例の効果が認められる。
【００３３】
【表１】
【００３４】（表１）の結果より、１％程度のＮｉ濃度
でも効果があることが確認できた。なお本実施例ではＣ
ｕ層の代わりにＣｕＮｉ合金層を用いたが、ＣｕＮｉＣ
ｒ合金層を用いても同様の効果が得られる。
でも効果があることが確認できた。なお本実施例ではＣ
ｕ層の代わりにＣｕＮｉ合金層を用いたが、ＣｕＮｉＣ
ｒ合金層を用いても同様の効果が得られる。
【００３５】（実施例６）以下、本発明の一実施例の配
線基板について、図面を参照しながら説明する。図１１
は、本発明の第６の実施例における配線基板の断面構成
を示すものである。図１１において、４１はガラス等の
絶縁性基板、４２は下層配線の第１のＣｒ層、４３は下
層配線のＣｕ層、４４は下層配線の第２のＣｒ層、４５
はＳｉＯ2等の絶縁層、４６は上層配線のＣｒ層、４７
は上層配線のＣｕ層である。
線基板について、図面を参照しながら説明する。図１１
は、本発明の第６の実施例における配線基板の断面構成
を示すものである。図１１において、４１はガラス等の
絶縁性基板、４２は下層配線の第１のＣｒ層、４３は下
層配線のＣｕ層、４４は下層配線の第２のＣｒ層、４５
はＳｉＯ2等の絶縁層、４６は上層配線のＣｒ層、４７
は上層配線のＣｕ層である。
【００３６】この実施例における下層配線は実施例１，
２，３，４および５の方法を用いて形成される。この下
層配線と上層配線の間には絶縁層４５が形成されてお
り、これには上下の配線を接続するための穴（以下、ビ
アホールと呼ぶ）４８があけられている。本実施例にお
いては、フォトリソグラフィー技術により絶縁層４５上
にレジストパターンを形成した後、ウエットエッチング
でこのビアホール４８を形成している。この穴あけには
ドライエッチングを用いて形成してもよい。このビアホ
ール４８を形成した後、下層配線の第２のＣｒ層４４を
エッチングしＣｕ層４３を露出させる。この後、上層配
線を形成する。第２のＣｒ層４４を取り除くのはこれが
表面に酸化層を形成しているためであり、上層配線との
接続抵抗を低くするためである。上層配線は、下層配線
と同様にスパッタリングや蒸着などの方法で成膜され、
フォトリソグラフィー技術によりパターン形成される。
この上層配線にはＣｕ層４７に代えて、実施例５のよう
に、Ｃｒ層と密着性のよいＣｕＮｉ合金層やＣｕＮｉＣ
ｒ合金層を用いてもよい。
２，３，４および５の方法を用いて形成される。この下
層配線と上層配線の間には絶縁層４５が形成されてお
り、これには上下の配線を接続するための穴（以下、ビ
アホールと呼ぶ）４８があけられている。本実施例にお
いては、フォトリソグラフィー技術により絶縁層４５上
にレジストパターンを形成した後、ウエットエッチング
でこのビアホール４８を形成している。この穴あけには
ドライエッチングを用いて形成してもよい。このビアホ
ール４８を形成した後、下層配線の第２のＣｒ層４４を
エッチングしＣｕ層４３を露出させる。この後、上層配
線を形成する。第２のＣｒ層４４を取り除くのはこれが
表面に酸化層を形成しているためであり、上層配線との
接続抵抗を低くするためである。上層配線は、下層配線
と同様にスパッタリングや蒸着などの方法で成膜され、
フォトリソグラフィー技術によりパターン形成される。
この上層配線にはＣｕ層４７に代えて、実施例５のよう
に、Ｃｒ層と密着性のよいＣｕＮｉ合金層やＣｕＮｉＣ
ｒ合金層を用いてもよい。
【００３７】図１２に本発明の配線基板の一応用例を示
す。これはマルチチップモジュール（以下、ＭＣＭと呼
ぶ）への応用例である。図１２において、５１は本発明
の配線基板、５２はＩＣチップ、５３はチップ部品、５
４は配線基板５１と外部基板を接続するためのリードフ
レームである。以上を１つのモジュール単位とし、プリ
ント配線基板などのマザーボード５５に実装している。
このＭＣＭは複数の部品を集積化し実装に高度の技術を
必要とするため付加価値が高く、従って配線基板には高
い信頼成が要求されるが、本実施例の配線基板を用いる
ことによりこの要求を満足できる。
す。これはマルチチップモジュール（以下、ＭＣＭと呼
ぶ）への応用例である。図１２において、５１は本発明
の配線基板、５２はＩＣチップ、５３はチップ部品、５
４は配線基板５１と外部基板を接続するためのリードフ
レームである。以上を１つのモジュール単位とし、プリ
ント配線基板などのマザーボード５５に実装している。
このＭＣＭは複数の部品を集積化し実装に高度の技術を
必要とするため付加価値が高く、従って配線基板には高
い信頼成が要求されるが、本実施例の配線基板を用いる
ことによりこの要求を満足できる。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明は、絶縁性基板とこ
の絶縁性基板上に設けた第１のＣｒ層と、この第１のＣ
ｒ層上に設けたＣｕ層と、このＣｕ層上に設けた第２の
Ｃｒ層と、前記第１のＣｒ層およびＣｕ層および第２の
Ｃｒ層を覆う絶縁層とから成り、絶縁層を形成する直前
に真空中で熱処理することにより前記第２のＣｒ層を形
成することにより、絶縁層と第２のＣｒ層の間の密着性
を向上させ剥離を防ぐことができる配線基板を実現でき
るものである。
の絶縁性基板上に設けた第１のＣｒ層と、この第１のＣ
ｒ層上に設けたＣｕ層と、このＣｕ層上に設けた第２の
Ｃｒ層と、前記第１のＣｒ層およびＣｕ層および第２の
Ｃｒ層を覆う絶縁層とから成り、絶縁層を形成する直前
に真空中で熱処理することにより前記第２のＣｒ層を形
成することにより、絶縁層と第２のＣｒ層の間の密着性
を向上させ剥離を防ぐことができる配線基板を実現でき
るものである。
【図１】本発明の第１の実施例における配線基板の断面
図
図
【図２】第１の実施例における配線基板の作成工程図
【図３】第１の実施例における配線基板の配線部の深さ
方向の元素分布図
方向の元素分布図
【図４】本発明の第２の実施例における配線基板の断面
図
図
【図５】第２の実施例における配線基板の作成工程図
【図６】本発明の第３の実施例における配線基板の断面
図
図
【図７】第３の実施例における配線基板の作成工程図
【図８】本発明の第４の実施例における配線基板の断面
図
図
【図９】第４の実施例における配線基板の作成工程図
【図１０】（ａ）従来例における配線基板のＣｕ層とＣ
ｒ層の界面の深さ方向の元素分布図 （ｂ）本発明の第５の実施例における配線基板のＣｕＮ
ｉ合金層とＣｒ層の界面の深さ方向の元素分布図
ｒ層の界面の深さ方向の元素分布図 （ｂ）本発明の第５の実施例における配線基板のＣｕＮ
ｉ合金層とＣｒ層の界面の深さ方向の元素分布図
【図１１】本発明の第６の実施例における配線基板の断
面図
面図
【図１２】第６の実施例における配線基板の一応用例の
斜視図
斜視図
【図１３】従来の配線基板の断面図
１１ 絶縁性基板 １２ 第１のＣｒ層 １３ Ｃｕ層 １４ 第２のＣｒ層 １５ 絶縁層
Claims (9)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設け
た第１のＣｒ層と、この第１のＣｒ層上に設けたＣｕ層
と、このＣｕ層上に設けた第２のＣｒ層と、前記第１の
Ｃｒ層およびＣｕ層および第２のＣｒ層を覆う絶縁層と
から成り、前記第２のＣｒ層は絶縁層を形成する直前に
真空中で熱処理することにより形成した配線基板。 - 【請求項２】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設け
た第１のＣｒ層と、この第１のＣｒ層上に設けたＣｕ層
と、このＣｕ層上に設けた第２のＣｒ層と、前記第１の
Ｃｒ層およびＣｕ層および第２のＣｒ層を覆う絶縁層と
から成り、前記絶縁層を形成する直前に前記第２のＣｒ
層を還元性雰囲気中で熱処理した配線基板。 - 【請求項３】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設け
た第１のＣｒ層と、この第１のＣｒ層上に設けたＣｕ層
と、このＣｕ層上に設けた第２のＣｒ層と、前記第１の
Ｃｒ層およびＣｕ層および第２のＣｒ層を覆う絶縁層と
から成り、前記絶縁層を形成する直前に前記第２のＣｒ
層の表面にスパッタエッチング等のドライエッチングを
行った配線基板。 - 【請求項４】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設け
た第１のＣｒ層と、この第１のＣｒ層上に設けたＣｕＣ
ｒ合金層と、このＣｕＣｒ合金層上に設けた第２のＣｒ
層と、前記第１のＣｒ層およびＣｕＣｒ合金層および第
２のＣｒ層を覆う絶縁層とから成り、第１，第２のＣｒ
層は前記絶縁層を形成する直前にＣｕＣｒ合金層を真空
中で熱処理することにより形成した配線基板。 - 【請求項５】 Ｃｕ層の代わりにＣｕＮｉ合金層または
ＣｕＮｉＣｒ合金層を用いることを特徴とする請求項
１，２または３記載の配線基板。 - 【請求項６】 ＣｕＣｒ合金層の代わりにＣｕＮｉＣｒ
合金層を用いることを特徴とする請求項４記載の配線基
板。 - 【請求項７】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設け
た第１のＣｒ層と、この第１のＣｒ層上に設けたＣｕＮ
ｉ合金層と、このＣｕＮｉ合金層上に設けた第２のＣｒ
層と、前記第１のＣｒ層およびＣｕＮｉ合金層および第
２のＣｒ層を覆う絶縁層とから成る配線基板。 - 【請求項８】 エッチングにより絶縁層および第２のＣ
ｒ層を除去し、Ｃｕ層、ＣｕＮｉ層、ＣｕＣｒ層、Ｃｕ
ＮｉＣｒ層のいずれかを露出させた開口部を絶縁層上に
設けたことを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６
または７記載の配線基板。 - 【請求項９】 Ｃｒ層の代わりにＴｉまたはＴｉとＣｒ
の合金を用いたことを特徴とする請求項１，２，３，
４，５，６，７または８記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31491193A JP3085067B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31491193A JP3085067B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07170043A true JPH07170043A (ja) | 1995-07-04 |
| JP3085067B2 JP3085067B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=18059130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31491193A Expired - Fee Related JP3085067B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3085067B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000036641A1 (en) * | 1998-12-14 | 2000-06-22 | Frontec Incorporated | Wiring, thin-film transistor substrate with the wiring, method of manufacture thereof, and liquid crystal display device |
| US8547663B2 (en) | 2010-11-10 | 2013-10-01 | Nitto Denko Corporation | Suspension board with circuit having an electrically conductive layer interposed between a support terminal and metal plating layer |
| JP2015159242A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびそれを備えた多層配線基板 |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP31491193A patent/JP3085067B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000036641A1 (en) * | 1998-12-14 | 2000-06-22 | Frontec Incorporated | Wiring, thin-film transistor substrate with the wiring, method of manufacture thereof, and liquid crystal display device |
| EP1063693A1 (en) * | 1998-12-14 | 2000-12-27 | Frontec Incorporated | Wiring, thin-film transistor substrate with the wiring, method of manufacture thereof, and liquid crystal display device |
| KR100399556B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2003-10-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 배선, 이를 사용한 박막 트랜지스터 기판, 및 그제조방법과 액정표시장치 |
| US6956236B1 (en) | 1998-12-14 | 2005-10-18 | Lg. Phillips Lcd Co., Ltd. | Wiring, TFT substrate using the same and LCD |
| EP1063693A4 (en) * | 1998-12-14 | 2007-06-06 | Lg Philips Lcd Co Ltd | THREADS, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME; LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE |
| US7804174B2 (en) | 1998-12-14 | 2010-09-28 | Lg Display Co., Ltd. | TFT wiring comprising copper layer coated by metal and metal oxide |
| US8547663B2 (en) | 2010-11-10 | 2013-10-01 | Nitto Denko Corporation | Suspension board with circuit having an electrically conductive layer interposed between a support terminal and metal plating layer |
| JP2015159242A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびそれを備えた多層配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3085067B2 (ja) | 2000-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3098509B2 (ja) | 電子コンポーネント構造体およびその製造方法 | |
| US4433004A (en) | Semiconductor device and a method for manufacturing the same | |
| JPH0191438A (ja) | 半導体装置 | |
| WO2011010638A1 (ja) | 誘電体薄膜素子及びその製造方法 | |
| JPH0563102B2 (ja) | ||
| EP0542262B1 (en) | Method for forming a metal conductor in semiconductor device | |
| US5032694A (en) | Conductive film circuit and method of manufacturing the same | |
| US4520554A (en) | Method of making a multi-level metallization structure for semiconductor device | |
| EP0103855B1 (en) | Process for integrated circuit metallization with low via resistance | |
| JP3085067B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2534434B2 (ja) | 耐酸化性化合物およびその製造方法 | |
| JP2509175B2 (ja) | 配線構造体の製造方法 | |
| JPH0590417A (ja) | 半導体素子の多層配線の形成方法 | |
| JP2530008B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH0629294A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0611042B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07249867A (ja) | 絶縁膜の表面処理方法 | |
| JPS59205739A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPH04171745A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JPH104263A (ja) | 電子回路基板及びその製造方法 | |
| JPS63313836A (ja) | 電気・電子回路装置の製造方法 | |
| JPS63308315A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3214066B2 (ja) | 回路導体の処理方法 | |
| KR100195326B1 (ko) | 반도체 집적회로 배선구조 및 그 형성 방법 | |
| JP2000183063A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |