JPS63308315A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63308315A JPS63308315A JP14486387A JP14486387A JPS63308315A JP S63308315 A JPS63308315 A JP S63308315A JP 14486387 A JP14486387 A JP 14486387A JP 14486387 A JP14486387 A JP 14486387A JP S63308315 A JPS63308315 A JP S63308315A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
本発明は半導体装置の製造方法において、白金薄膜、バ
リア金ＷＡ薄膜、配線金属薄膜を堆積させた後、該３ｊ
ｉＭを熱処理して白金を白金シリサイド化することによ
り、白金シリサイドの製造工程を簡略化し、なおかつ高
品質な配線の製造方法を提供するものである。
リア金ＷＡ薄膜、配線金属薄膜を堆積させた後、該３ｊ
ｉＭを熱処理して白金を白金シリサイド化することによ
り、白金シリサイドの製造工程を簡略化し、なおかつ高
品質な配線の製造方法を提供するものである。
従来の白金シリサイドの製造方法は、半導体表面の絶縁
膜に開孔部を設けた後白金薄膜を堆積させ、熱処理して
白金シリサイドを形成してから王水で絶縁膜上の未反応
の白金を除去する。その後バリア金属と配線金属層を堆
積させて配線層を形成していた。
膜に開孔部を設けた後白金薄膜を堆積させ、熱処理して
白金シリサイドを形成してから王水で絶縁膜上の未反応
の白金を除去する。その後バリア金属と配線金属層を堆
積させて配線層を形成していた。
〔発明が解決しようとする間開０
しかし、前述の従来技術では白金シリサイドを形成する
ために王水でエツチングする工程や配線層ｒｙ４ｒ！Ｊ
の形成後フォーミングガスで７ニールする工程があり、
製造工程が長いという問題点を存する。そこで本発明は
このような問題点を解決するもので、′その目的とする
ところは、製造が容易でなおかつ高品質な半導体装置の
製造方法を提供するところにある。
ために王水でエツチングする工程や配線層ｒｙ４ｒ！Ｊ
の形成後フォーミングガスで７ニールする工程があり、
製造工程が長いという問題点を存する。そこで本発明は
このような問題点を解決するもので、′その目的とする
ところは、製造が容易でなおかつ高品質な半導体装置の
製造方法を提供するところにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板表面に形
成した絶８１膜に開孔部を形成し、白金薄膜、バリア金
ｉ薄膜、配線金属薄膜を堆積させた後に該三層膜を熱処
理することにより、前記開孔部には白金シリサイド薄膜
、バリア金属薄膜、配線金属薄膜の三層膜を形成し、前
記絶縁膜上には白金薄膜、バリア金属薄膜、配線金属薄
膜の三層膜を形成することを特徴とする。
成した絶８１膜に開孔部を形成し、白金薄膜、バリア金
ｉ薄膜、配線金属薄膜を堆積させた後に該三層膜を熱処
理することにより、前記開孔部には白金シリサイド薄膜
、バリア金属薄膜、配線金属薄膜の三層膜を形成し、前
記絶縁膜上には白金薄膜、バリア金属薄膜、配線金属薄
膜の三層膜を形成することを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、白金薄膜、バリア金属薄
膜、配線金属１ｌｉｉ［膜を堆積後に熱処理して白金と
基板との反応により開孔部に白金シリサイド薄膜を形成
する。そのため、白金薄膜のみ堆積し、熱処理して白金
シリサイド薄膜を形成した場合の王水によるエツチング
が不要となる。また、白金、バリア金属、配線金属の堆
積を連続して行なえるため、同一の装置内での処理が、
可能となり、工程の簡略化と共に、より清浄な環境での
製造が可能となる。また、絶縁膜上には白金、バリア金
属、配線金属の三層配線が形成されるため、エレクトロ
マイグレーシコン、 ストレスマイグレーシコンの信頼
性不良に対しても二層配線より強くなる。
膜、配線金属１ｌｉｉ［膜を堆積後に熱処理して白金と
基板との反応により開孔部に白金シリサイド薄膜を形成
する。そのため、白金薄膜のみ堆積し、熱処理して白金
シリサイド薄膜を形成した場合の王水によるエツチング
が不要となる。また、白金、バリア金属、配線金属の堆
積を連続して行なえるため、同一の装置内での処理が、
可能となり、工程の簡略化と共に、より清浄な環境での
製造が可能となる。また、絶縁膜上には白金、バリア金
属、配線金属の三層配線が形成されるため、エレクトロ
マイグレーシコン、 ストレスマイグレーシコンの信頼
性不良に対しても二層配線より強くなる。
第１図は本発明の実施例における製造工程図である。以
下、ｗｉ図に隘って本発明の詳細な説明を行なう。
下、ｗｉ図に隘って本発明の詳細な説明を行なう。
工程１・・・第１図（ａ）
シリコン基板１０１表面の絶縁膜１０２に開孔部を形成
してシリコン表面を露出させる。
してシリコン表面を露出させる。
工程２・・・第１図（ｂｌ
前記開孔部および絶縁膜上に白金′Ｒ膜１０３を４００
〜８００人、バリア金Ｒ薄膜を１０００〜２０００人、
配線金属薄膜を５０００〜１０００００００〜１０００
０人スパッタこの場合、三層とも同一スパブタ装置内で
連続的にスバブタを行なえば、高真空中での清浄な雰囲
気における膜形成が可能となる。
〜８００人、バリア金Ｒ薄膜を１０００〜２０００人、
配線金属薄膜を５０００〜１０００００００〜１０００
０人スパッタこの場合、三層とも同一スパブタ装置内で
連続的にスバブタを行なえば、高真空中での清浄な雰囲
気における膜形成が可能となる。
工程３・・・第１図（Ｃ）
その後、前記三層膜を４００〜６００℃の温度で不活性
ガス中で熱処理することにより前記開孔部シリコン上に
白金シリサイド薄膜１０６を形成する。この場合、水素
を含む不活性ガス中で熱処理してもよく、との熱処理で
ＭＯ８型半導体素子の特性の安定化も兼ねることができ
、さらに工程の簡略化となる。との熱処理後も白金薄ａ
１０３は絶縁膜と反応を起こさないため、そのまま白金
として残り、バリア金属薄膜１０４、配線金属薄膜１０
５と共に三層配線を形成する。
ガス中で熱処理することにより前記開孔部シリコン上に
白金シリサイド薄膜１０６を形成する。この場合、水素
を含む不活性ガス中で熱処理してもよく、との熱処理で
ＭＯ８型半導体素子の特性の安定化も兼ねることができ
、さらに工程の簡略化となる。との熱処理後も白金薄ａ
１０３は絶縁膜と反応を起こさないため、そのまま白金
として残り、バリア金属薄膜１０４、配線金属薄膜１０
５と共に三層配線を形成する。
以上述べたように本発明によれば、半導体基板表面の絶
縁膜に形成した開孔部に白金薄膜、バリア金ｒｆ４薄膜
、配線金属薄膜の三層膜を堆積させ、その後熱処理して
前記開孔部に白金シリサイド、バリア金属、配線金属の
三層膜、前記絶縁膜上に白金、バリア金属、配線金属の
三層膜を形成することにより、白金シリサイドの製造工
程を簡略化し、なおかつ、配線がエレクトロマイグレー
ション、ストレスマイグレーシコンに強い高品質になる
という効果を存する。
縁膜に形成した開孔部に白金薄膜、バリア金ｒｆ４薄膜
、配線金属薄膜の三層膜を堆積させ、その後熱処理して
前記開孔部に白金シリサイド、バリア金属、配線金属の
三層膜、前記絶縁膜上に白金、バリア金属、配線金属の
三層膜を形成することにより、白金シリサイドの製造工
程を簡略化し、なおかつ、配線がエレクトロマイグレー
ション、ストレスマイグレーシコンに強い高品質になる
という効果を存する。
第１図（ａｌ〜ｆｃ）は本発明の一実施例を示す半導体
装置の製造工程図。 １０１・・・シリコン基板 １０２・・・絶縁膜 １０３・・・白金薄膜 １０４・・・バリア金属薄膜 １０５・・・配線金属薄膜 １０６・・・白金シリサイド薄膜 以 上
装置の製造工程図。 １０１・・・シリコン基板 １０２・・・絶縁膜 １０３・・・白金薄膜 １０４・・・バリア金属薄膜 １０５・・・配線金属薄膜 １０６・・・白金シリサイド薄膜 以 上
Claims (1)
- 半導体装置の製造方法において、半導体基板表面に形
成した絶縁膜に、開孔部を形成し、白金薄膜、バリア金
属薄膜、配線金属薄膜を堆積させた後に該三層膜を熱処
理することにより、前記開孔部には白金シリサイド薄膜
、バリア金属薄膜、配線金属薄膜の三層膜を形成し、前
記絶縁膜上には白金薄膜、バリア金属薄膜、配線金属薄
膜の三層膜を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14486387A JPS63308315A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14486387A JPS63308315A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308315A true JPS63308315A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15372148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14486387A Pending JPS63308315A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63308315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221853A (en) * | 1989-01-06 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | MOSFET with a refractory metal film, a silicide film and a nitride film formed on and in contact with a source, drain and gate region |
| US5371041A (en) * | 1988-02-11 | 1994-12-06 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method for forming a contact/VIA |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP14486387A patent/JPS63308315A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5371041A (en) * | 1988-02-11 | 1994-12-06 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method for forming a contact/VIA |
| US5221853A (en) * | 1989-01-06 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | MOSFET with a refractory metal film, a silicide film and a nitride film formed on and in contact with a source, drain and gate region |
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