JPH05304107A

JPH05304107A - 配線構造、配線構造の形成方法、配線構造形成装置、及び半導体装置

Info

Publication number: JPH05304107A
Application number: JP13183592A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Taguchi; 充田口
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-04-24
Filing date: 1992-04-24
Publication date: 1993-11-16

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】十分なバリア性をもったバリアメタル構造を
有する配線構造、かかる配線構造を、容易な工程で信頼
性高く得ることができる配線構造の形成方法、かかる配
線構造を、容易に、かつ、従来から配線形成に用いられ
ている装置を特別な改造なくそのまま用い、バリアメタ
ル形成後のプロセスも変更する必要がなく実施できる配
線構造の形成装置、かかる配線構造を備えた半導体装置
を提供すること。【構成】バリアメタル層３と、酸化層４とを備える
バリアメタル構造を有する配線構造。バリアメタル層
３を形成後、自然酸化により酸化層４を形成して、バリ
アメタル構造を得ることを特徴とする配線構造の形成方
法。バリアメタル層形成チャンバーと、酸化系ガスを
パージするパージチャンバーを備えるバリアメタル構造
を有する配線構造形成装置。バリアメタル層と、酸化
層とを備えるバリアメタル構造を備えた配線構造を有す
る半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、配線構造、該配線構造
の形成方法、該配線構造を形成する配線構造形成装置、
及び該配線構造を有する半導体装置に関する。本発明
は、各種の電子材料等の配線構造、及びその製造に用い
ることができ、また、アルミニウム系配線構造等の配線
構造を有する各種の半導体装置に適用することができ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より配線構造、例えば半導体装置の
配線構造において、バリアメタル構造が用いられてい
る。バリアメタル構造とは、配線層と他の層との間の不
都合な干渉を防止するための、主に金属系材料から成る
構造であり、代表的には、Ｓｉ基板にＡｌ系材料が侵入
することを防止するバリア構造として利用される。

【０００３】例えば、ＬＳＩ等のシリコン半導体装置の
コンタクト形成において、Ｓｉ拡散層とＡｌ配線との接
触部分におけるＡｌ突き抜けを防止する手段として、Ａ
ｌ配線の下にチタン系金属化合物、例えばＴｉＮ、Ｔｉ
ＯＮ等により、バリアメタルを形成する方法が従来から
広く用いられている。例えば、図８に示すように、シリ
コン基板１上の層間膜12（ＳｉＯ₂等）に接続孔２を形
成して、基板１のＳｉ拡散層11と接続をとるアルミニウ
ム系配線構造を形成する場合、まずＴｉ層３ａ及びＴｉ
Ｎ（チタンナイトライド）層３ｂを順次形成してバリア
メタル層３とし、この上に配線５としてＡｌ配線を形成
して、ＡｌのＳｉへの突き抜けを防止した配線構造が使
用されている。これらのバリアメタル（Ｔｉ層３ａ、Ｔ
ｉＮ層３ｂ）は、スパッタ法により容易に形成できる。

【０００４】ところで、チタン系金属化合物、例えば上
記ＴｉＮ等は、図９にＴｉＮ層３ｂを拡大して示すよう
に、柱状結晶構造をなしており、かかる柱状結晶の膜
は、図９に符号３ｄで示すように結晶粒界部３ｃが上層
の配線５のＡｌの拡散経路となり易く、この部分でのＡ
ｌ拡散によりＡｌ突き抜け（図９に符号５ａで示す）が
発生し易いという問題点がある。

【０００５】この対策として用いられるようになったの
が、ＴｉＮに適量の酸素を含有させたＴｉＯＮである。
ＴｉＯＮの形成手段としては、通常、プロセスガスに窒
素及び酸素を用いた反応性スパッタ法や、ＴｉＮ膜を形
成した後熱処理、例えばfurnace anneal処理を行いＴｉ
ＯＮ化する方法等が用いられる。このようにＴｉＯＮを
用いた場合、図10（ａ）に示すように、ＴｉＯＮ層３ｅ
の粒界３ｆに偏析した酸素３ｇがＡｌ拡散のストッパー
になり、バリア性が向上するとされている。

【０００６】しかしながら近年のＬＳＩ素子の微細化に
従い、ＴｉＯＮを用いても十分なバリア性確保が困難に
なって来ている。ＴｉＯＮによりバリア性を確保するに
は、コンタクト部分に形成されるＴｉＯＮの膜厚がある
程度以上の必要であり、これが不足するとＡｌ突き抜け
を容易に起こすのであるが、近年のＬＳＩ素子等の微細
化によりコンタクトホール（接続孔）のアスペクト比は
増大傾向にあり、よって図10（ｂ）に示すように、接続
孔２の高アスペクト比化によって、ＴｉＯＮ（またはＴ
ｉＮ）層３ｅをスパッタ成膜した場合に、図10（ｂ）に
符号３ｈで示すように、接続孔２の底部に堆積される膜
厚はシャドウイング効果によりますます薄くなり、バリ
ア性が不十分になるのである。これによりＡｌ突き抜け
５ｂが生じる可能性が大きくなる。

【０００７】この改善対策として、段差被覆率がスパッ
タ法より優れているＣＶＤ法によりＴｉＮ膜等を形成す
る方法や、スパッタ法自体の段差被覆性を改善する方法
（コリメータスパッタ、低圧スパッタ等）が検討されて
いる。しかし、いずれもまだ開発段階でその実用性は不
明である。

【０００８】以上のような事情から十分なバリア性を有
するバリアメタル構造を有する配線構造、及びその形成
方法、形成装置、及びこのような配線構造を備えた性能
の良好な半導体装置が切望されている。

【０００９】

【発明の目的】本出願の発明は、上記のような従来技術
の問題点を背景としてなされたものである。

【００１０】本出願の発明の第１の目的は、十分なバリ
ア性をもったバリアメタル構造を有する配線構造を提供
することである。

【００１１】本出願の発明の第２の目的は、十分なバリ
ア性をもったバリアメタル構造を有する配線構造を、容
易な工程で信頼性良く得ることができる配線構造の形成
方法を提供することである。

【００１２】本出願の発明の第３の目的は、十分なバリ
ア性をもったバリアメタル構造を有する配線構造を、容
易に、かつ、従来から配線形成に用いられている装置を
特別な改造なくそのまま用いて、またバリアメタル形成
後のプロセスも特に従来法から変更する必要がなく実施
することができる配線構造の形成装置を提供することで
ある。

【００１３】本出願の発明の第４の目的は、十分なバリ
ア性をもったバリアメタル構造を有する配線構造を備え
た半導体装置を提供することである。

【００１４】

【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、バリアメタル構造を有する配線構造において、該
バリアメタル構造が、バリアメタル層と、酸化層とを備
えることを特徴とする配線構造であって、これにより上
記第１の目的を達成するものである。

【００１５】本出願の請求項２の発明は、バリアメタル
構造を有する配線構造の形成方法において、バリアメタ
ル層を形成後、自然酸化により酸化層を形成して、バリ
アメタル構造を得ることを特徴とする配線構造の形成方
法であって、これにより上記第２の目的を達成するもの
である。

【００１６】本出願の請求項３の発明は、バリアメタル
構造を有する配線構造を形成する配線構造形成装置にお
いて、バリアメタル層形成チャンバーと、酸化系ガスを
パージするパージチャンバーを備えることを特徴とする
配線構造形成装置であって、これにより上記の第３の目
的を達成するものである。

【００１７】本出願の請求項４の発明は、バリアメタル
構造を有する配線構造を備える半導体装置において、該
配線構造が、バリアメタル層と、酸化層とを備えるバリ
アメタル構造を有することを特徴とする半導体装置であ
って、これにより上記の第４の目的を達成するものであ
る。

【００１８】

【作用】本出願の請求項１の発明によれば、次のような
作用がもたらされる。つまり、この発明の配線構造のバ
リアメタル構造は、バリアメタル層と酸化層とを備える
ので、仮にバリアメタル層が柱状結晶構造をなしてい
て、そのため配線のＡｌ等がその結晶粒界に沿ってバリ
アメタル層内に拡散したとしても、酸化層があるためそ
の拡散は該酸化層部分で途切れる。よってＡｌ等の拡散
はこの部分で止められ、更に進行することが防止され
る。この結果、十分なバリア性が発揮される。

【００１９】本出願の請求項２の発明によれば、バリア
メタル層形成後、これを空気もしくは酸素その他の酸化
雰囲気中に置いて、自然酸化により酸化層を形成するの
で、上記請求項１の配線構造を容易に形成でき、かつ信
頼性高く形成できる。

【００２０】本出願の請求項３の発明によれば、請求項
１の配線構造を、バリアメタル層形成後に酸化系ガスに
さらすことにより容易に酸化層を形成して得ることがで
きる。しかもこの場合、既存の装置（スパッタ装置等）
はそのまま改造せずに使用でき、プロセスを変える必要
がないので有利である。

【００２１】請求項４の発明によれば、請求項１のバリ
ア性良好な配線構造を備えた半導体装置であって、よっ
て性能良好な半導体装置を得ることができる。

【００２２】

【実施例】以下本出願の発明の実施例について説明す
る。但し当然のことながら、各発明は実施例により限定
を受けるものではない。

【００２３】実施例１この実施例は、微細化・集積化したＬＳＩ等の半導体装
置について、本出願の発明を適用したものである。特
に、Ａｌ配線のバリアメタルとしてＴｉＮ、ＴｉＯＮ等
の柱状結晶構造を持つ膜を用いる際に、柱状結晶膜中に
一層以上の薄い酸化層を形成して配線を形成し、これに
より従来に比べバリア性を向上させた例である。

【００２４】本実施例における配線形成工程を図１
（ａ）〜（ｄ）に順に示す。本実施例により得られる配
線構造は、図１（ｄ）に示すように、バリアメタル構造
を有する配線構造であって、このバリアメタル構造は、
バリアメタル層３（31〜33）と、酸化層４とを備えて成
るものである。本実施例のバリアメタル層３は、基板１
の側から、Ｔｉ層31、ＴｉＯＮ層32、ＴｉＯＮ層33が順
次積層されて成るものであり、そのＴｉＯＮ層32とＴｉ
ＯＮ層33との間に酸化層４が形成され、よってＴｉ／Ｔ
ｉＯＮ／酸化層／ＴｉＯＮの構造でバリアメタル層３が
構成されている。

【００２５】また、本実施例における配線構造の形成方
法は、図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、バリアメタル
構造を有する配線構造を形成する際に、バリアメタル層
31，32を形成（図１（ｂ））後、自然酸化により酸化層
４を形成して（図１（ｃ））、バリアメタル構造を得る
（図１（ｄ））ものである。

【００２６】以下に、本実施例について更に詳述する
と、まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上に素
子分離領域や、拡散層11形成等所定の加工を施した後、
ＳｉＯ₂等の層間絶縁膜12を成膜し、通常のフォトレジ
スト工程及びＲＩＥ工程により接続孔２としてコンタク
トホールを開口する。ここで、層間絶縁膜12の膜厚は 6
00ｎｍ、接続孔２のホール径は 0.5μｍとした。

【００２７】次に、枚葉式スパッタ装置により、Ｔｉ層
31（30ｎｍ）及びＴｉＯＮ層32（35ｎｍ）の成膜を行
い、図２（ｂ）の構造とした。ここでＴｉ層31は、低コ
ンタクト抵抗とするために必要である。また、これらの
膜は、真空中で連続的に成膜することが可能である。以
下に各成膜条件の一例を示す。

【００２８】Ｔｉ成膜条件ＤＣパワー４ｋＷプロセスガスＡｒ１００ＳＣＣＭスパッタ圧力０．４Ｐａ基板加熱１５０℃

【００２９】ＴｉＯＮ成膜条件ＤＣパワー５ｋＷプロセスガスＡｒ：７０ＳＣＣＭＮ₂−６％Ｏ₂：４０ＳＣＣＭスパッタ圧力０．４Ｐａ基板加熱１５０℃

【００３０】次に基板を一旦スパッタ装置から大気中に
取り出し、ＴｉＯＮ層32の表面に意図的に酸化層４を形
成する。通常３〜５ｎｍ厚程度の自然酸化膜が形成され
る。これにより図１（ｃ）の構造が得られる。

【００３１】次に再び枚葉式スパッタ装置により、Ｔｉ
ＯＮ層33（35ｎｍ）及び配線層５としてＡｌ合金（また
は純Ａｌ）(500ｎｍ）の成膜を行う。ここではＡｌ系材
料としてＡｌ１％Ｓｉを用いた例を示す。ＴｉＯＮ成膜
条件は上記１層目と同様である。Ａｌ１％Ｓｉの成膜条
件を次に示す。

【００３２】Ａｌ１％Ｓｉ成膜条件ＤＣパワー２０ｋＷプロセスガスＡｒ１００ＳＣＣＭスパッタ圧力０．４Ｐａ基板加熱１５０℃

【００３３】以上のプロセスにより、図１（ｄ）に示す
配線構造が得られ、コンタクトが形成される。この配線
構造におけるコンタクトの特長は、上層ＴｉＯＮ層33と
下層のＴｉＯＮ層32の結晶粒界が、酸化層４を境に不連
続になっている点にある。よって、この構造では、配線
層５のＡｌが仮に図２に符号５ｃで示すように上層Ｔｉ
ＯＮ層33の粒界に沿ってＴｉＯＮ層33中に拡散した場合
でも、柱状構造の柱方向の粒界３ｉが酸化層４部分で途
切れているので、Ａｌ拡散はこの部分で止められ、下層
ＴｉＯＮ層32の粒界へ容易に入り込むことはできない。
従って本バリアメタル構造では、膜厚 700ｎｍのＴｉＯ
Ｎ膜を１層形成した場合に比べてＡｌ突き抜けを起こし
にくく、良好なバリア性が得られる。また、上層ＴｉＯ
Ｎ層33と下層ＴｉＯＮ層32は配線全面積で接触している
ので、間に酸化層４を挟んだことによる配線抵抗の上昇
はほとんど無視できる。

【００３４】尚本実施例（その他の例においても同じ）
において、コリメータスパッタや低圧スパッタ等の手段
を併用して、更に効果を高めることができる。例えば、
成膜原料ガスを分配するとともに、基板面に対しほぼ垂
直方向に沿った複数の通路を設けて、原料ガス分子流の
基板面に垂直な速度分布を増大して、ステップカバレー
ジ（段差被覆性）を向上させる手段を用いることがで
き、またこのとき、該複数の通路の長さが原料ガスの平
均自由行程以上であるようにして、基板に垂直な方向に
ガス流速度分布を偏重させるようにすることができる。

【００３５】実施例２実施例１では上層ＴｉＯＮ層33と下層ＴｉＯＮ層32の成
膜条件を同じにしたため、両者ともほぼ同じ結晶構造と
なっているが、意図的に両者を違った条件で成膜し、そ
れぞれの結晶構造を変えることで、よりＡｌ突き抜けを
起こしにくいバリアメタル構造を形成することが可能で
ある。本実施例はそのようにした場合であり、ここで
は、下層ＴｉＯＮ層32の成膜条件は実施例１と同じと
し、上層ＴｉＯＮ層33の成膜条件を変えることで、その
結晶粒径を変えた。図３に本実施例により得た配線構造
を示す。本例の場合、上層ＴｉＯＮ層33の成膜条件以外
の一切のプロセス条件は、実施例１と同じでよい。以下
に、上層ＴｉＯＮ層33の成膜条件を示す。

【００３６】ＴｉＯＮ成膜条件ＤＣパワー５ｋＷプロセスガスＡｒ：７０ＳＣＣＭＮ₂−６％Ｏ₂：４０ＳＣＣＭスパッタ圧力０．４Ｐａ基板加熱５００℃

【００３７】即ち本実施例では、上層ＴｉＯＮ層33の成
膜温度を 500℃とすることで、ＴｉＯＮ結晶を大粒径化
し、図３に示す如く、酸化層４を挟んだ上・下ＴｉＯＮ
層32，33の粒界不一致をより強調した構造となってい
る。これによりバリア性は一段と向上する。

【００３８】実施例３本実施例は、実施例１または２で示した如きバリアメタ
ル構造を、高温スパッタＡｌ埋め込みに適用した例であ
る。図４に本実施例により得られた構造を示す。本例の
場合、上層ＴｉＯＮ層33以降の成膜構造が、上層ＴｉＯ
Ｎ層33（35ｎｍ）及びＴｉ層34（30ｎｍ）及び配線層５
であるＡｌ１％Ｓｉ（高温スパッタ、500 ｎｍ）となる
こと以外は、全て実施例１または２と同様のプロセス条
件でよい。ここで、上記の３層33，34，５は、真空中で
連続的に成膜される。尚、ＴｉＯＮ層33と配線層５であ
るＡｌＳｉとの間に形成されるＴｉ層34は、高温スパッ
タ時のＡｌのぬれ性を向上させ、良好なＡｌ埋め込みを
行うために必要なものである。以下に、Ｔｉ及びＡｌＳ
ｉの成膜条件を示す。

【００３９】Ｔｉ成膜条件ＤＣパワー４ｋＷプロセスガスＡｒ１００ＳＣＣＭスパッタ圧力０．４Ｐａ基板加熱１５０℃

【００４０】Ａｌ１％Ｓｉ成膜条件ＤＣパワー１０ｋＷ（成膜レート：0.6 μｍ／ｍｉｎ）プロセスガスＡｒ１００ＳＣＣＭスパッタ圧力０．４Ｐａ基板加熱５００℃

【００４１】本実施例で形成される図４に示すコンタク
ト構造においても、良好なバリア性が得られることは、
実施例１または２と同様である。

【００４２】実施例４実施例１〜３に示したバリアメタル構造では、１層の酸
化層４を上・下２層のＴｉＯＮ層32，33で挟んだ構造を
用いているが、多数の酸化層を多数のＴｉＯＮで挟んだ
構造とすることも可能である。図５に、２層の酸化層4
1，42を３層のＴｉＯＮ層31，32，35で挟んだ構成でバ
リアメタル構造30を形成した例を示す。この場合の成膜
シーケンスは、次の〜の工程をとるものとする。

【００４３】Ｔｉ層31（30ｎｍ）及びＴｉＯＮ層32
（23ｎｍ）成膜大気開放（自然酸化膜としての酸化層41形成）ＴｉＯＮ層33（23ｎｍ）成膜大気開放（自然酸化膜として酸化層42形成）ＴｉＯＮ層35（23ｎｍ）（及び必要に応じＴｉ層
（30ｎｍ））及び配線層５であるＡｌＳｉ（500 ｎｍ）
成膜

【００４４】ここで、各膜の成膜条件は実施例１〜３と
同じで良い。

【００４５】実施例５実施例１〜４においては、酸化層形成方法として、スパ
ッタ装置から基板を一旦取り出し大気開放する方法を用
いているが、マルチチャンバースパッタ装置の１チャン
バーをドライエアー（または酸素ガス）パージ室専用室
とし、ここで酸化層を形成する方法を用いることができ
る。

【００４６】図６に、この目的のために使用する配線構
造形成装置の構成の概念図を示す。

【００４７】図６の装置は、基板10の搬送方向Ｉが一定
の装置例である。

【００４８】本実施例の装置は、図６に示すように、バ
リアメタル構造を有する配線構造を形成する配線構造形
成装置であって、図示の如くバリアメタル層形成チャン
バー61，62と、酸化系ガス、即ち酸化層形成のための酸
化能力を有するガスをパージするパージチャンバー63を
備えるものである。

【００４９】チャンバー61はＴｉ層及びＴｉＯＮ層を順
次成膜するチャンバーであり、チャンバー62はＴｉＯＮ
層及びＴｉ層を順次成膜するチャンバーである。64はバ
リアメタル構造形成後、配線層としてのＡｌＳｉを成膜
するチャンバーである。65は搬入側のロードロックチャ
ンバー、66は搬出側のロードロックチャンバーである。
71〜80はゲートバルブである。

【００５０】本実施例では、この装置を用い、実施例１
〜４に示したプロセスにおいて、大気開放を行う部分を
全てそれぞれのドライエアパージチャンバー63で行う。
即ち、基板10をパージチャンバー63に搬送した後ゲート
バルブ74，75を閉め、チャンバー63内をドライエアー
（または酸素ガス）等の酸化系ガスでパージする。81で
この時のバルブを示し、82で酸化系ガスの流入を示す。

【００５１】パージ完了次第、再びチャンバー63内を真
空引きし、ゲードバルブ74，75を開け、基板10を次のチ
ャンバー62へ搬送するというプロセスを用いる。

【００５２】本実施例を用いることにより、スループッ
トを大幅に向上させることができる。

【００５３】実施例６実施例５の装置に対し、本例の配線構造形成装置は、図
７に示す構成であって、これは、各チャンバーへのラン
ダムアクセスが可能な装置例である。

【００５４】図中、95は搬送室であり、この周囲にはロ
ードロックチャンバー91、バリアメタル層形成チャンバ
ー92（特にここではＴｉＯＮ及びＴｉ成膜チャンバ
ー）、酸化系ガスパージチャンバー93、配線層形成チャ
ンバー94（ここではＡｌＳｉ成膜チャンバー）が配備さ
れており、搬送室95内の基板搬送ロボット96により、基
板10が各チャンバー91〜94に任意の順で搬送・搬出でき
るようになっている。97ａ〜97ｄはゲートバルブであ
る。

【００５５】本実施例においても、実施例５と同様、酸
化層の形成に当たっては、基板10をパージチャンバー93
に搬送した後ゲートバルブ97ａを閉め、チャンバー93内
をドライエアー（または酸素ガス）等の酸化系ガスでパ
ージする。81でこの時のバルブを示し、82で酸化系ガス
の流入を示す。

【００５６】パージ完了次第、再びチャンバー93内を真
空引きし、ゲートバルブ97ａを開け、基板10を次のチャ
ンバーへ搬送する。

【００５７】本実施例においても、実施例６と同様、ス
ループットを大幅に向上させることができた。

【００５８】

【発明の効果】本出願の発明によれば、十分なバリア性
をもったバリアメタル構造を有する配線構造を提供する
ことができ、また十分なバリア性をもったバリアメタル
構造を有する配線構造を、容易な工程で信頼性高く得る
ことができる配線構造の形成方法を提供することがで
き、また、十分なバリア性をもったバリアメタル構造を
有する配線構造を、容易に、かつ、従来から配線形成に
用いられている装置を特別な改造なくそのまま用いて、
しかもバリアメタル形成後のプロセスも特に従来法から
変更する必要がなく実施することができる配線構造の形
成装置を提供することができ、更に、十分なバリア性を
もったバリアメタル構造を有する配線構造を備えた半導
体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の工程を順に断面図で示すものであ
る。

【図２】実施例１の要部の拡大断面図である。

【図３】実施例２の要部の拡大断面図である。

【図４】実施例３のバリアメタル構造を示す断面図であ
る。

【図５】実施例４のバリアメタル構造を示す断面図であ
る。

【図６】実施例５の配線構造形成装置の構成図である。

【図７】実施例６の配線構造形成装置の構成図である。

【図８】従来のバリアメタル構造を示す図である。

【図９】従来技術の問題点を示す図である。

【図10】従来技術の問題点を示す図である。

【符号の説明】

１基板２接続孔（コンタクトホール）３，31〜35 バリアメタル層 30 バリアメタル構造４，41，42 酸化層５配線層（Ａｌ系材料配線） 63，93 酸化系ガスパージチャンバー

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｄ 7735−4Ｍ 29/46 Ｒ 7738−4Ｍ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バリアメタル構造を有する配線構造におい
て、該バリアメタル構造が、バリアメタル層と、酸化層とを
備えることを特徴とする配線構造。
【請求項２】バリアメタル構造を有する配線構造の形成
方法において、バリアメタル層を形成後、自然酸化により酸化層を形成
して、バリアメタル構造を得ることを特徴とする配線構
造の形成方法。
【請求項３】バリアメタル構造を有する配線構造を形成
する配線構造形成装置において、バリアメタル層形成チャンバーと、酸化系ガスをパージ
するパージチャンバーを備えることを特徴とする配線構
造形成装置。
【請求項４】バリアメタル構造を有する配線構造を備え
る半導体装置において、該配線構造が、バリアメタル層と、酸化層とを備えるバ
リアメタル構造を有することを特徴とする半導体装置。