JP2001196746A - プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 - Google Patents

プリント配線板およびプリント配線板の製造方法

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JP2001196746A
JP2001196746A JP2000006140A JP2000006140A JP2001196746A JP 2001196746 A JP2001196746 A JP 2001196746A JP 2000006140 A JP2000006140 A JP 2000006140A JP 2000006140 A JP2000006140 A JP 2000006140A JP 2001196746 A JP2001196746 A JP 2001196746A
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wiring
forming
hole
dry plating
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JP2000006140A
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Hiroshi Fukukawa
弘 福川
Hideaki Fukuju
英明 福寿
Yuichi Tsubaki
裕一 椿
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Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細加工の配線回路を高歩留まりで製造でき
ること。さらに、密着性の良い配線回路のビルドアップ
型多層プリント配線板を製造できること。 【解決手段】 プリント配線用エポキシ樹脂基板1上に
設けた第1の内層配線層のランド6を含む表面に内層絶
縁層5を設ける。この内層絶縁層5にブラインドビアホ
ール7を穿設する。表面に第2 の配線回路パターンの反
転したメッキレジスト層10を設ける。このメッキレジ
スト10をマスクとして上記第2 の配線回路パターンの
銅のメッキ層11を成膜する。次に、上記メッキレジス
ト層10、このメッキレジスト層10の下層の上記下地
層8を除去して、第2 の内層配線層12を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板お
よびプリント配線板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】マルチメデイア時代に対応して、LSI
は、限りなく高集積化されている。これに伴いプリント
配線板には、小型化、極薄化、軽量化、高密度化、低コ
スト化などが要求されている。この要求を満足するプリ
ント配線板の製造技術としてビルドアップ型多層プリン
ト配線板が注目されている。
【0003】近年、携帯電話、インターネット携帯端
末、携帯パソコンなどの電子機器の軽薄短小化に伴な
い、プリント配線板の高多層化、高密度化の要求があ
る。
【0004】一般に、積層型多層プリント配線板の製造
方法は次のとおりである。即ち、絶縁体基板の表裏面上
に内層回路板として使用する銅張り積層板(銅箔)を両
面、又は片面に設ける。配線回路パターンをマスクとし
て前記銅張り積層板(銅箔)を選択エッチングすること
により、内層配線層を形成した内層回路板を作製する。
この内層回路板を複数枚製造する。この各内層回路板に
ついて、上記電気回路パターンの銅箔表面を表面処理す
る。
【0005】さらに、絶縁体基板の表裏面上に外層回路
板として使用する銅張り積層板(銅箔)を両面、又は片
面に設ける。
【0006】次に、内層回路板間に内層絶縁層としてプ
リプレグを介在させて積層する。さらに、最外層として
上下部に上記外層回路板を配置する。この積層状態でプ
レス冶具にセットし、加熱加圧することにより一体に形
成している。しかる後、最外層の銅箔に所定の電気配線
回路パターンの外層配線層を形成する。この外層配線層
について、銅箔表面の表面処理を行う。
【0007】さらに、このように構成された積層板の上
下両面に銅箔付き樹脂シートを配して、再度プレス冶具
に装着して加熱加圧することにより一体に積層してい
る。このようにして、多層プリント配線板を製造してい
る。
【0008】この多層プリント配線板の外層配線板にビ
アホールを形成する。即ち、ビアホール形成位置の最外
層の銅箔を選択エッチングにより除去する。次に、この
エッチング除去した位置に、レーザー光を照射して穴開
け加工を行う。この穴内壁面上に金属メッキ層を形成す
ることにより配線層間の電気的接続を行い、多層プリン
ト配線板を構成している。
【0009】また、複数の内層回路板、外層回路板に跨
ってビアホールを形成する場合には、通常の積層型プリ
ント配線基板では、次のように形成している。即ち、銅
箔付き樹脂シートを上記多層プリント配線板の上下両面
に配置した状態で、上記プレス冶具に装着し、加熱加圧
して一体に成形する工程を繰り返し、複数層の層間接続
用ビアホールを形成している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】プリント配線板の回路
形成に銅箔を使用することにより、密着性がよくリペア
性が良好であるという利点がある。上記銅箔について
は、この銅箔の上にさらにメッキ層を形成することによ
り電気回路パターン形成の配線層を構成している。従っ
て、この配線層の厚さが厚くなり、微細回路形成時の歩
留まり低下を引き起こす原因となっていた。
【0011】特に、LSIにおいては、集積度15Gビ
ットまで製造の可能性がたち、年々集積度が向上し、こ
の集積度に対応してCSP(Chip Size Pa
ckaging)実装の量産化技術が確立し‘99年に
は一部機種で量産開始している。
【0012】このCSP実装は、集積度が高くなるに応
じて、単位面積あたりの電極ピン数が増加することであ
る。この電極ピン数の増加は、はんだバンプ数の増加を
意味し、これを受けて実装するプリント配線板のLSI
実装部ランドパターンの形成に微細化技術が要求されて
いる。
【0013】これら上記した配線層の上記利点を生かし
つつ、微細加工による配線回路の形成を歩留まり良好に
製造し得る方法の開発が望まれていた。特に、微細回路
になると、第1の内層配線層と第2の内層配線層との接
続の抵抗値が課題となる。
【0014】本発明は、上記点に鑑みなされたもので、
微細加工が可能で、歩留まりが高く、且つ内層配線層間
の良好な電気的な接続を得ることが可能なプリント配線
板および多層プリント配線板の製造方法を提供するもの
である。
【0015】さらに、本発明は特にビルドアップ型多層
プリント配線板およびその製造方法に適用して好適なも
のである。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的、課題を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、ビルド
アップ型多層プリント配線板において、第2の内層配線
層の下地層としてレーザ光に対する反射率が、第1の内
層配線層の反射率より小さい導電体を用いることによ
り、微細加工が可能で、第1および第2の内層配線の良
好な接続が可能であることを見出し、本発明を完成した
ものである。
【0017】この発明のプリント配線板は請求項1に記
載されたように、例えば、絶縁体上に設けられた銅箔製
第1の内層配線層と、この第1の内層配線層上に設けら
れた内層絶縁体層と、この内層絶縁体層の前記第1の内
層配線層との内層接続部に設けられたスルーホールと、
このスルーホールを含む前記内層絶縁体層上に設けられ
た卑金属の乾式メッキ層からなる下地層と、この下地層
および前記前記内層接続部上に設けられた銅メッキ層と
からなる。
【0018】この発明のプリント配線板は請求項2に記
載されたように、例えば、絶縁体上に設けられた銅箔製
第1の内層配線層と、この第1の内層配線層上に設けら
れた内層絶縁体層と、この内層絶縁体層の前記第1の内
層配線層との内層接続部に設けられたスルーホールと、
このスルーホールを含む前記内層絶縁体層上に設けられ
たレーザー光に対し反射率が前記銅箔より小さい金属の
乾式メッキ層の乾式メッキ層からなる下地層と、この下
地層および前記前記内層接続部上に設けられた銅メッキ
層とからなる。
【0019】この発明のプリント配線板は請求項3に記
載されたように、例えば、絶縁体上に設けられた銅箔製
第1の内層配線層と、この第1の内層配線層上に設けら
れた内層絶縁体層と、この内層絶縁体層の前記第1の内
層配線層との内層接続部に設けられたスルーホールと、
このスルーホールを含む前記内層絶縁体層上に設けられ
たNi、Cr、Al、Zn、Ti、Fe、Siなどの金
属、又はこれらの合金、又はこれらを主成分とする金属
材料から選ばれた乾式メッキ層からなる下地層と、この
下地層および前記前記内層接続部上に設けられた銅メッ
キ層とからなる。
【0020】この発明のプリント配線板は請求項4に記
載されたように、例えば、絶縁体上に第1の内層配線回
路パターンの銅の第1の内層配線層を形成する工程と、
前記内層配線層上に内層絶縁体層を形成する工程と、前
記内層絶縁体層の前記第1の内層配線層との内層接続位
置にスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール
を含む前記内層絶縁体層上に卑金属からなる乾式メッキ
層を形成する工程と、前記内層接続位置の前記乾式メッ
キ層をレーザー蒸散させる工程と、前記乾式メッキ層上
に第2の内層配線回路パターンのレジストマスクを形成
する工程と、前記乾式メッキ層上および前記内層接続位
置に銅のメッキ層を形成する工程と、前記レジストパタ
ーンを除去する工程と、露出した前記乾式メッキ層を除
去する工程とを備えた方法である。
【0021】この発明のプリント配線板は請求項5に記
載されたように、例えば、絶縁体基板の表裏面上に第1
および第2の内層配線回路パターンを形成する工程と、
前記第1および第2の内層配線回路パターン間の層間接
続部で前記絶縁体基板にスルーホールを形成する工程
と、前記スルーホール内に導電体を設ける工程と、前記
各第1および第2の内層配線回路パターン上に第1およ
び第2の内層絶縁体層を形成する工程と、前記各第1お
よび第2の内層配線層の内層接続部で前記各内層絶縁体
層に第1および第2のブラインドビアホールを形成する
工程と、前記第1および第2のブラインドビアホールを
含む前記第1および第2の内層絶縁体層および前記内層
接続部上に卑金属からなる第1および第2の乾式メッキ
層を形成する工程と、前記内層接続部上の前記乾式メッ
キ層をレーザー蒸散させる工程と、前記第1および第2
の乾式メッキ層上に第2の内層配線回路パターンの第1
および第2のレジストマスクを形成する工程と、前記第
1および第2の乾式メッキ層上および前記内層接続ぶ上
に銅のメッキ層を形成する工程と、前記第1および第2
のレジストパターンを除去する工程と、露出した前記第
1および第2の乾式メッキ層を除去する工程とを備えた
方法である。
【0022】
【発明の実施の形態】次に、本発明のプリント配線板お
よびプリント配線板の製造方法の実施形態を図1を参照
して説明する。図1は、多層プリント配線基板における
内層配線層間の接続工程を、工程順に説明するための断
面図である。
【0023】(1)配線層第1層目の形成 絶縁体基板たとえばガラスエポキシ樹脂基板1の表裏面
上に予め設計された配線回路パターンの配線回路を形成
する。この配線回路は、第1層目は銅箔であり、この銅
箔上に第2層目として銅のメッキ層を形成する。この積
層構造からなる導電体層2、3を上記基板1の表裏面に
形成する。この実施形態では、一方は例えば図1では下
側の導電体層3が外層配線層である。他方の導電体層2
は、内層配線層である。
【0024】レジスト膜の形成 この内層配線層2上に感光性レジスト例えばメッキレジ
スト層4を塗布する。
【0025】第1の内層配線回路の形成 上記メッキレジスト層4を予め定められた第1の内層配
線回路パターンをマスクとして露光、現像する。このプ
ロセスにより、上記メッキレジスト層4を選択的に除去
する。この状態を(B)図に示す。
【0026】このメッキレジスト層4をマスクとして、
(C)図に示すように上記内層配線層2を選択的に除去
例えばプラズマエッチングする。上記マスクとして使用
したレジスト層4は(D)図に示すようにエッチングし
て剥離する。さらに、ソフトエッチングすることによ
り、第1の内層配線回路パターンを形成する。上記ソフ
トエッチング手段は、例えば酸性エッチング液により液
相エッチングする。
【0027】上記実施形態において、上記絶縁体基板1
は上記の他たとえば紙基材―フェノール樹脂積層基板、
紙基材―エポキシ樹脂積層基板、紙基材―ポリエステル
樹脂積層基板、紙基材―テフロン樹脂積層基板、ガラス
基材―エポキシ樹脂積層基板、ガラス基材―ポリイミド
樹脂積層基板ガラス基材―BT(ビシマレイミドートリ
アジン)レジン樹脂積層基板、コンポジット樹脂基板な
どの合成樹脂基板やポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂
基板、セラミック基板など何れかの絶縁基板である。
【0028】(2)第2の内層配線回路パターンの形成 図1の工程により形成された第1の内層配線回路パター
ン上に第2の内層配線回路パターンを形成する。即ち、
上記実施形態のプリント配線板上にビルドアップ層を形
成する。このビルドアップ層上に、内層配線層を形成す
る実施形態を説明する。図1と同一部分は同一番号を付
与して説明する。換言すれば、上記内層配線層中の一つ
のランド6(内層接続部)と層間接続する実施形態であ
る。
【0029】この工程を図2を参照して説明する。図2
は、図1の即ち、第1の内層配線回路パターン2上に第
2の内層配線回路パターンを形成する工程を説明するた
めの断面図である。
【0030】内層絶縁層の形成 内層絶縁層(ビルドアップ層)を成膜する前工程として
黒化還元処理することにより、密着力を向上できる。こ
の処理後、上記第1の内層配線回路パターン2上に内層
絶縁体層(ビルドアップ層)例えば感光性高分子エポキ
シ樹脂層5を図2(A)に示すように厚さ30μm乃至
80μm例えば50μm成膜する。上記したように、
(A)図では、内層配線回路パターン2の一つのランド
6を図示している。
【0031】上記エポキシ樹脂層5の成膜手段は例えば
エポキシ樹脂液を塗布し、加熱、乾燥させることにより
成膜する。この塗布液は、例えば感光性高分子エポキシ
樹脂にシラン系カップリング剤としてアミノエチルーア
ミノプロピルトリメトキシシラン2WT%混合したビル
ドアップ液である。上記カップリング剤としては、チタ
ン系カップリング剤でもよい。次に、この塗布膜の硬化
温度は140℃乃至160℃である。例えば150℃で
60分間加熱して乾燥硬化させる。
【0032】ブラインドビアホール(非貫通穴)の形
成 上記成膜されたエポキシ樹脂層5に、上記ランド6に位
置合わせして、ブラインドビアホール7を深さ例えば約
50μm形成する。この穴の深さは、前工程の内層絶縁
膜5の厚さによって、決定される。即ち、このブライン
ドビアホール7はランド6を底面とする穴である。した
がって、この穴の底面はランド6から位置ずれしないよ
うに、ランド6の形状より小さい穴底面が望ましい。こ
の目的は、ランド6と2層目の内層配線層の電気的接続
を得るためである。換言すれば、第1 および第2 の内層
配線層との接続を得るためである。
【0033】このようなブラインドビアホール7の形成
手段は、たとえば、フォトエチングによる穴開け手段、
レーザー光による穴開け手段、ドリルによる穴開け手段
などである。上記手段において、フォトエチングによる
穴開け手段(フォトビア加工法)は、エポキシ樹脂層5
面内の、総てのブラインドビアホール7について、同時
に均一な穴開けを実行できる効果がある。
【0034】即ち、フォトビア加工法を用いた場合に
は、一つの面に予定されているブラインドビアホール7
のすべてについて同時にマスクパターニングしてフォト
エッチング、プラズマエッチングなどにより化学処理で
形成できる。このフォトエッチング時の露光量は、50
乃至700MJ/CMが望ましい。このようにして形
成するブラインドビアホール7の直径は例えば30μm
〜500μmの範囲で選択される。この状態を(B)図
に示す。
【0035】内層配線層第2層目の形成 上記ブラインドビアホール7を含む上記エポキシ樹脂層
5上に、第2層目の内層配線層を形成する。この内層配
線層は、複数層例えば2層の積層である。下地側は比較
的薄い乾式メッキ層8を形成して、2層目の内層配線層
を構成する。このメッキ層8上に後述する比較的厚い銅
のメッキ層を形成する。
【0036】前者の乾式メッキ法は、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法、プラズマ溶
射法などの成膜手段である。例えば真空中で成膜した導
体層例えばクロム層8を形成する。この成膜状態を
(C)図に示す。このクロム層8は、成膜法例えばスパ
ッタリングにより厚さ例えば1μmに形成する。この真
空蒸着時の真空度は665×10−5 Pa(5×10
−5トル)以下の真空度が選択される。
【0037】この下地層は、真空中で成膜した導体(ク
ロム)層8であり、その下地の上記エポキシ樹脂層5と
の密着性を高くしている。このクロム層8の厚さは加工
上1.5μm乃至0.5μmが適当である。この薄層
が、高精細、高密度の配線加工を可能にする。
【0038】乾式メッキ法により成膜する材料は、後述
する目的でレーザー光に対する反射率が、銅より小さい
材料例えばNi、Cr、Al、Zn、Ti、Fe、Si
などの卑金属、又はこれらの合金、又はこれらを主成分
とする金属材料である。
【0039】このようにして、乾式メッキ法により形成
された卑金属層8と銅からなるランド6との接続抵抗が
問題であることを見出し、課題であった。そこで、この
接続部分のうち少なくとも一部の部分の乾式メッキ層
(卑金属層)8を除去する。この除去手段は、例えばレ
ーザー蒸散工程により、除去することができる。
【0040】このレーザー蒸散工程は、(D)図に示す
ように、ファイン フォーカスされたレーザー光ビーム
9を上記乾式メッキ層8の上記内部接続部分に照射する
ことにより、照射レーザ光の一部は反射し、残部は吸収
される。この吸収されたレーザー光により、乾式メッキ
層8は加熱溶融し、蒸発する現象を行い、ランド6上の
乾式メッキ層8を蒸発させ、除去する。この除去部分
は、ランド6上の少なくとも一部でも、電気的接続を得
ることができる面積であればよい。
【0041】上記レーザー光ビーム9の照射により選択
的に蒸発させるために、上記乾式メッキ層8の材料とし
て、レーザー光ビーム9に対する反射率が銅箔6より小
さい材料を採用している。この手段により選択的にクロ
ム層8のみ選択的に蒸発させることが可能となる。この
状態を(E)図に示す。
【0042】メッキレジストマスクの形成 次に、図3を参照して2層目の内層配線回路の形成を説
明する。図3は、工程順に説明するための断面図であ
る。上記乾式メッキ層8上に感光性レジスト例えばメッ
キレジスト層10を塗布する。
【0043】このメッキレジスト層10を予め定められ
た第2の内層配線回路パターンをマスクとして露光、現
像する。このプロセスにより、上記メッキレジスト層1
0を選択的に除去する。このようにして(A)図に示す
ように、レジスト層10の第2の内層配線回路パターン
の反転パターンを形成する。
【0044】第2層目の内層配線回路パターンの形成 次に、(B)図のように、メッキレジスト層10をマス
クとして、銅のメッキ層11を電気メッキ法により形成
する。このメッキ層11の厚さは2μm乃至6μm例え
ば2μmである。このような厚さは、当該配線を流れる
電流容量や、応力歪みなどに対処した厚さが選択され
る。上記銅メッキ層11は、上記第1の内層配線層であ
る銅のメッキ層2(6)上に形成されたことになり、接
続抵抗の低い電気的接続ができる効果がある。
【0045】次に、(C)図に示すように、上記メッキ
レジスト層10を除去例えばプラズマエッチングにより
除去する。
【0046】次に、このメッキレジスト層10の下層に
あった露出した上記乾式メッキ層8を除去例えばソフト
エッチングする。このソフトエッチング手段は、アッシ
ング、酸性エッチング液による液相エッチングなど例え
ば酸性エッチング液により液相エッチングする。このよ
うにして第2層目の内層配線回路パターン12を形成す
る。
【0047】上記実施形態では、乾式メッキ層8を銅の
メッキ層2(6)上にも形成したが、上記銅のメッキ層
2(6)上の少なくとも一部をマスクして形成すれば、
上記レーザ蒸散工程は省略できる。この工程を図4を参
照して説明する。図4は第1および第2の内層配線層と
の他の接続工程を説明するための断面図である。
【0048】即ち、上記実施形態において、図2(B)
から図3の(A)までの工程の他の実施形態である。図
1乃至図3までのプロセスと同一工程は同一番号を付与
して説明する。図2(B)の第1の内層配線層のブライ
ンドビアホール7での接続部即ち、ランド6の少なくと
も一部例えば中央部にマスクレジスト21を図4(A)
に示すように形成する。
【0049】次に、(B)図に示すように乾式メッキ層
8を成膜する。この乾式メッキ層8の成膜後、上記マス
クレジスト21を除去例えばプラズマエッチングする。
このエッチングプロセスによりランド6上に乾式メッキ
層8の無い領域を形成する。次に、メッキレジスト層を
塗布し、第2層目の内層配線回路パターンをマスクとし
て、選択エッチングすることにより、反転のレジストパ
ターン10を形成する。このレジストパターン10をマ
スクとして銅のメッキ層11を成膜する。このようにし
て、図3(B)の工程まで製造することができる。
【0050】さらに他の実施形態として、多層のプリン
ト配線板を製造する場合には、図2(A)から図3
(E)のプロセスを所望する枚数回、ビルドアップ層、
内層配線層などの成膜プロセスを繰り返し実施すること
により、多層プリント配線板を得ることができる。
【0051】上記実施形態では、、第2の内層配線層を
銅のメッキ層で処理、形成したので、回路の密着性の良
いビルドアップ型多層プリント配線板を製造することが
可能となる。
【0052】上記実施形態では、基板1の一方面(片
面)上に内層配線層、内層絶縁膜を順次介在して積層し
たビルドアップ型多層プリント配線板に適用した実施形
態について説明したが、プリント配線板の配線層であれ
ば何れにも適用できる。たとえば、プリント配線板1の
両面に内層配線層および内層絶縁層を順次積層してもよ
い。この場合にも上記実施形態と同様に微細な配線の電
気回路を高歩留まりで形成することが出来る。
【0053】この実施形態を図5を参照して説明する。
図1乃至図4と同一部分は同一番号を付与して説明す
る。エポキシ樹脂基板1上に図1に示すプロセスで、表
裏面に内層配線層2、2を形成する。この実施形態で
は、上記表裏面の電極パターンが異なる状態を示してい
る。勿論、同一でもよい。
【0054】この表裏面上に内層絶縁膜5、5を図2
(A)のように成膜する。この内層絶縁膜5、5の各内
層接続部に、図2(B)のように、表裏面にブラインド
ビアホール7、7を形成する。
【0055】このブラインドビアホール7、7を含む表
裏面面上に乾式メッキ層8、8を成膜する。この乾式メ
ッキ層8、8の上記内層配線層2、2の内層接続部(ラ
ンド)との接続部(対向部)にレーザー光9を照射し、
表面の乾式メッキ層8、8を蒸散する。以下同様にし
て、図2(E)から図3(D)までの工程を表裏面実行
する。このようにして、表裏面に順次多層に内層配線層
を積層することができる。 多層プリント基板として
は、複数層内層配線層を形成し、プリプレグを介在して
積層し、加熱、加圧して積層型多層プリント配線板を得
ることもできる。
【0056】上記実施形態では、ブラインドビアホール
の実施形態について、説明したがスルーホールに形成す
ることもできる。例えば、図6に示すようにエポキシ樹
脂基板1の予め定められた位置例えば電源線などのラン
ド6部分にスルーホール25、26を形成しておき、こ
のスルーホール25、26内に導電体層例えば銅ペース
トを充填することにより、貫通した層間接続体27、2
8を形成できる。
【0057】次工程以降は図5(B)以降の工程を実行
することにより形成できる。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれ
ば、、微細加工の配線回路を高歩留まりで製造すること
が可能となる。
【0059】さらに、密着性の良い配線回路のビルドア
ップ型多層プリント配線板を製造することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の一実施形態を説明するためのプ
リント基板上に第1の内層配線層を形成する方法を工程
順に説明するための断面図である。
【図2】図2は図1の第1の内層配線層上に第2の内層
配線層の下地層を形成する方法を工程順に説明するため
の断面図である。
【図3】図3は図2の第2の内層配線層の下地層上に第
2の内層配線層を形成する方法を工程順に説明するため
の断面図である。
【図4】図4は図2及び図3 の他の実施形態を工程順に
説明するための断面図である。
【図5】図5は図2及び図3 の他の実施形態を工程順に
説明するための断面図である。
【図6】図6は図1乃至図3 の他の実施形態を工程順に
説明するための断面図である。
【符号の説明】
1…エポキシ樹脂基板 2、3…銅箔 4…メッキレジスト層 5…内層配線層 6…ランド 7…ブラインドビアホール 8…第1 の内層配線層の下地層 9…レーザー光ビーム 10…レジストマスク 11…銅メッキ層 12…第2 の内層配線層 21…マスクレジスト 25、26…スルーホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/42 630 H05K 3/42 630A (72)発明者 椿 裕一 埼玉県川口市領家5丁目14番25号 東芝ケ ミカル株式会社川口工場内 Fターム(参考) 4E351 AA03 AA07 BB01 BB32 BB33 BB38 BB49 CC01 CC06 DD04 DD10 DD11 DD17 DD19 DD21 GG01 5E317 AA24 BB01 BB02 BB04 BB11 BB12 BB15 BB18 CC31 CC33 CC52 CD15 CD25 CD32 GG03 GG11 GG16 5E346 AA12 AA15 AA32 AA35 AA43 BB01 CC09 CC31 CC32 CC34 CC37 CC54 DD03 DD15 DD22 DD33 DD47 EE33 EE38 FF07 FF17 GG01 GG15 GG17 GG22 GG23 HH07 HH11 HH25 HH26

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁体上に設けられた銅箔製第1の内層
    配線層と、 この第1の内層配線層上に設けられた内層絶縁体層と、 この内層絶縁体層の前記第1の内層配線層との内層接続
    部に設けられたスルーホールと、 このスルーホールを含む前記内層絶縁体層上に設けられ
    た卑金属の乾式メッキ層からなる下地層と、 この下地層および前記前記内層接続部上に設けられた銅
    メッキ層とからなることを特徴とするプリント配線板。
  2. 【請求項2】 絶縁体上に設けられた銅箔製第1の内層
    配線層と、 この第1の内層配線層上に設けられた内層絶縁体層と、 この内層絶縁体層の前記第1の内層配線層との内層接続
    部に設けられたスルーホールと、 このスルーホールを含む前記内層絶縁体層上に設けられ
    たレーザー光に対し反射率が前記銅箔より小さい金属の
    乾式メッキ層の乾式メッキ層からなる下地層と、 この下地層および前記前記内層接続部上に設けられた銅
    メッキ層とからなることを特徴とするプリント配線板。
  3. 【請求項3】 絶縁体上に設けられた銅箔製第1の内層
    配線層と、 この第1の内層配線層上に設けられた内層絶縁体層と、 この内層絶縁体層の前記第1の内層配線層との内層接続
    部に設けられたスルーホールと、 このスルーホールを含む前記内層絶縁体層上に設けられ
    たNi、Cr、Al、Zn、Ti、Fe、Siなどの金
    属、又はこれらの合金、又はこれらを主成分とする金属
    材料から選ばれた乾式メッキ層からなる下地層と、 この下地層および前記前記内層接続部上に設けられた銅
    メッキ層とからなることを特徴とするプリント配線板。
  4. 【請求項4】 絶縁体上に第1の内層配線回路パターン
    の銅の第1の内層配線層を形成する工程と、 前記内層配線層上に内層絶縁体層を形成する工程と、 前記内層絶縁体層の前記第1 の内層配線層との内層接続
    位置にスルーホールを形成する工程と、 前記スルーホールを含む前記内層絶縁体層上に卑金属か
    らなる乾式メッキ層を形成する工程と、 前記内層接続位置の前記乾式メッキ層をレーザー蒸散さ
    せる工程と、 前記乾式メッキ層上に第2 の内層配線回路パターンのレ
    ジストマスクを形成する工程と、 前記乾式メッキ層上および前記内層接続位置に銅のメッ
    キ層を形成する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 露出した前記乾式メッキ層を除去する工程とを具備して
    なることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  5. 【請求項5】 絶縁体基板の表裏面上に第1および第2
    の内層配線回路パターンを形成する工程と、 前記第1および第2の内層配線回路パターン間の層間接
    続部で前記絶縁体基板にスルーホールを形成する工程
    と、 前記スルーホール内に導電体を設ける工程と、 前記各第1および第2の内層配線回路パターン上に第1
    および第2の内層絶縁体層を形成する工程と、 前記各第1および第2の内層配線層の内層接続部で前記
    各内層絶縁体層に第1および第2のブラインドビアホー
    ルを形成する工程と、 前記第1および第2のブラインドビアホールを含む前記
    第1および第2の内層絶縁体層および前記内層接続部上
    に卑金属からなる第1および第2の乾式メッキ層を形成
    する工程と、 前記内層接続部上の前記乾式メッキ層をレーザー蒸散さ
    せる工程と、 前記第1および第2の乾式メッキ層上に第2の内層配線
    回路パターンの第1および第2のレジストマスクを形成
    する工程と、 前記第1および第2の乾式メッキ層上および前記内層接
    続部上に銅のメッキ層を形成する工程と、 前記第1および第2のレジストパターンを除去する工程
    と、 露出した前記第1および第2の乾式メッキ層を除去する
    工程とを具備してなることを特徴とするプリント配線板
    の製造方法。
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