KR100427794B1 - 다층 배선 기판의 제조 방법 - Google Patents
다층 배선 기판의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100427794B1 KR100427794B1 KR10-2001-7011128A KR20017011128A KR100427794B1 KR 100427794 B1 KR100427794 B1 KR 100427794B1 KR 20017011128 A KR20017011128 A KR 20017011128A KR 100427794 B1 KR100427794 B1 KR 100427794B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- metal
- metal body
- forming
- wiring board
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 338
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 338
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 151
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 94
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 516
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 64
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 63
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 29
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 27
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 17
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 8
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 13
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N ctk1a7239 Chemical compound C12=CC=CC=C2N2CC=CC3=NC=CC1=C32 VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4647—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits by applying an insulating layer around previously made via studs
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0384—Etch stop layer, i.e. a buried barrier layer for preventing etching of layers under the etch stop layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0542—Continuous temporary metal layer over metal pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0733—Method for plating stud vias, i.e. massive vias formed by plating the bottom of a hole without plating on the walls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법은, 하층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성한 뒤에, 상기 기둥형 금속체에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층을 형성하는 공정을 가지는 다층 배선 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 기둥형 금속체의 형성 공정은, 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속의 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금층의 상기 기둥형 금속체를 형성하는 표면 부분에 마스크층을 형성하는 공정, 그리고 상기 도금층을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 간이한 설비와 종래 공정의 조합으로 제조를 행할 수 있어 배선층의 세선화가 가능하고, 또한 배선기판의 신뢰성이 높은 다층 배선 기판을 제조할 수 있다.
Description
근래, 전자 기기 등의 소형화나 경량화에 따라 전자부품의 소형화에 진행되는 동시에 전자부품을 실장하기 위한 배선기판에 대한 고밀도화의 요구가 높아지고 있다. 배선기판을 고밀도화하는 데에는 배선층 자체의 배선밀도를 높게 하는 방법이나 배선층을 복수 적층하여 다층 구조로 하는 방법 등을 채용하고 있다.
이러한 다층 배선 기판을 제조하는 방법에는, 복수의 기재(基材) 각각에 배선층을 형성한 뒤에 기재 사이에 절연 시트를 삽입하여 접합 등을 행하는 접합방식과, 배선패턴이 형성된 기재 상에 절연층을 형성하고, 이 절연층 상에 배선패턴을 형성하는 방식으로, 절연층과 배선패턴의 형성을 순차 반복함으로써 적층 구조를 형성해 나가는 빌드업 방식(build-up method)이 존재한다. 단, 배선기판을 고밀도화하는 데에는 후자의 빌드업 방식이 유리하기 때문에 다층 배선 기판이 제조 방법의 주류가 되고 있다.
한편, 다층 배선 기판에서는 각각의 배선층 사이에서 회로 설계에 따른 도전접속(conductive connection)을 할 필요가 있다. 이러한 도전접속에는 종래 관통공(via hole)이라고 하는 절연층의 개구부(opening portion)에 원통형으로 도금한 도전 접속 구조가 채용되어 왔다. 그러나, 관통공에서는 개구부의 형성 또는 도금 시에 미세 가공의 곤란성 또는 공기의 혼입 등의 문제가 있어 배선기판의 신뢰성을 유지하는 데에 크기적인 한계가 있었다. 또, 다층으로 적층할 때, 관통공의 바로 위에 관통공을 형성하는 것이 곤란하여 적층 구조의 설계에 제약이 있기 때문에, 이 점으로부터도 다층 배선 기판의 고밀도화에 한계가 있었다.
이에 대하여, 속이 차 있는 기둥형 도전체에 의해서 배선층 사이를 도전접속하는 방법에서는 이러한 문제가 없기 때문에 관통공을 형성하는 경우에 비하여 다층 배선 기판을 한층 고밀도화 할 수 있게 된다. 따라서, 기둥형 도전체에 의한 배선층 사이의 도전접속이 이후 주류가 될 것으로 당업계에서는 예상되고 있어, 여러 가지 방법으로 기둥형 도전체를 형성하는 방법이 수없이 제안되어 있다.
예를 들면 일본 특허공개공보 평 9-23065호 공보에는 하층의 배선층 상에 설치한 절연층에 레이저가공 등으로 개구부를 형성한 뒤, 무전해 도금(electroless plating)을 수행하여 기둥형 도전체를 충전하는 방법이 개시되어 있다. 또, 일본 특허공개공보 평 6-314878호 공보에는 하층의 배선층을 전면 도통시킨 상태로 한 뒤, 개구부를 가지는 레지스트 패턴을 형성하고, 그 오목부에 전해 도금(electrolytic plating)으로 금속을 석출시킴으로써 상기 기둥형 도전체를 형성하는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 상기의 방법에서는 모두 기둥형 도전체의 높이가 불균일하게 되기 쉽고, 또 전자에서는 무전해 도금을 하기 때문에, 기둥형 도전체의 형성에 시간이 걸리는 문제가 있고, 후자에서는 구멍 내에서 전해도금을 수행하기 때문에 전류 밀도를 높일 수 없어 마찬가지로 시간이 걸리는 문제가 있었다. 또한, 레지스트 패턴의 형성에 레이저 조사 등을 위한 대규모 장치가 필요하고 비용면에서도 불리해지며, 또 개구부 저부(低部)의 레지스트를 확실하게 제거하기 어렵기 때문에 기둥형 도전체의 도통 신뢰성이 낮았다.
따라서, 본 발명의 목적은 간이한 설비와 종래 공정의 조합으로 제조할 수 있고 배선층의 세선화가 가능하며, 또한 배선기판의 신뢰성이 높은 다층 배선 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 2층 이상의 배선층을 갖는 다층배선기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성한 뒤에, 상기 기둥형 금속체에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층을 형성하는 공정을 갖는 다층 배선 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법의 제1 실시예를 나타내는 공정도 (1)∼(3)이며,
도 2는 제1 실시예를 나타내는 공정도 (4)∼(6)이며,
도 3은 제1 실시예를 나타내는 공정도 (7)∼(9)이며,
도 4는제1 실시예를 나타내는 공정도 (10)∼(12)이다.
도 5는 제1 실시예의 다른 형태를 나타내는 공정도 (1’), (4’), 그리고 (9’)이다.
도 6은 본 발명에 의해 형성할 수 있는 다층 배선 기판의 일례를 나타내는 부분 단면부이다.
도 7은 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법의 제2 실시예를 나타내는 공정도 (1)∼(4)이며,
도 8은 제2 실시예를 나타내는 공정도 (5a)∼(6)이며,
도 9는 제2 실시예를 나타내는 공정도 (7)∼(9)이다.
도 10은 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법의 제3 실시예를 나타내는 공정도 (1)∼(3)이며,
도 11은 제3 실시예를 나타내는 공정도 (4)∼(6)이며,
도 12는 제3 실시예를 나타내는 공정도 (7)∼(9)이며,
도 13은 제3 실시예를 나타내는 공정도 (10)∼(11)이다.
도 14는 최상층의 배선층에 기둥형 금속체가 형성된 다층 배선 기판의 예를 나타내는 도면이다.
각 도면에서 도면부호 11은 보호 금속층을, 도면부호 20은 감광성 수지층을,도면부호 21은 기재를, 도면부호 22는 하층의 배선층을, 도면부호 23은 도전체층을, 도면부호 24는 도금층을, 도면부호 24a는 기둥형 금속체를, 도면부호 25는 마스크층을, 도면부호 27은 상층의 배선층을, 도면부호 40은 최상층의 배선층에 형성된 기둥형 금속체를 나타낸다.
상기 목적은, 이하와 같은 본 발명에 의해 달성할 수 있다. 즉, 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법은 하층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성한 뒤에, 상기 기둥형 금속체에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층을 형성하는 공정을 가지는 다층 배선 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 기둥형 금속체의 형성 공정은, 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속의 도금층을 형성하는 공정, 그 도금층의 상기 기둥형 금속체를 형성하는 표면부분에 마스크층(mask layer)을 형성하는 공정, 그리고 상기 도금층을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 제조 방법에 의하면, 개구(opening) 내가 아니라 전면(全面)에 도금층을 형성한 뒤, 식각으로 기둥형 금속체를 형성하기 위해 레이저 조사 등을 특별히 필요로 하지 않고, 또한 기둥형 금속체의 직경을 작게 할 수 있게 된다. 또한, 레지스트를 제거한 개구부에의 도금이 아니기 때문에 하층의 배선층과 기둥형 금속체의 도통 신뢰성이 높아진다. 그 결과, 간이한 설비와 종래 공정의 조합으로 제조를 행할 수 있어 배선층의 세선화가 가능하고, 또한 배선기판의 신뢰성이 높은 다층 배선 기판을 제조할 수 있다.
본 발명의 제조 방법은, 이하의 제1 실시예∼제4 실시예를 포함하는 것이다. 제1 실시예는, 상기 기둥형 금속체의 형성 공정이,
(1a) 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속을 식각할 때 내성을 나타내는 별도의 금속을 상기 하층의 배선층의 비(非)패턴부를 포함한 거의 전면에 피복하여 보호 금속층을 형성하는 공정,
(1b) 상기 보호 금속층의 거의 전면에 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속의 도금층을 전해 도금으로 형성하는 공정,
(1c) 상기 도금층의 상기 기둥형 금속체를 형성하는 표면부분에 마스크층을 형성하는 공정,
(1d) 상기 도금층을 식각하는 공정, 그리고
(1e) 적어도 상기 보호 금속층의 침식이 가능한 식각을 수행하여, 적어도 상기 비패턴부를 피복하는 보호 금속층을 제거하는 공정을 포함하는 것이다. 제1 실시예의 제조 방법에 의하면, 상기의 같은 보호 금속층이 설치되어 있기 때문에 도금층의 식각 시에 하층의 배선층이 침식되는 일없이, 마스크층을 형성한 위치에 원하는 기둥형 금속체를 형성할 수 있다. 또한, (1d) 공정 후에 비패턴부에 잔존하는 보호 금속층을 (1e) 공정에 의해 확실하게 제거할 수 있고, 또 기둥형 금속체의 하측의 보호 금속층은 (1e) 공정에서는 침식되기 어렵다. 이로 인하여, 패턴부 사이의 단락이 발생하기 어렵고, 배선기판의 신뢰성이 높아지는 동시에 세선화가 가능하게 된다. 또한, 보호 금속층이 전면에 형성되어 있기 때문에 도금층을 전해 도금으로 형성할 수 있고, 또한 구멍(hole) 내가 아니라 전면에 도금층을 형성하기 위해, 전류 밀도를 높여 단시간에 원하는 두께를 가지는 도금층을 형성할 수 있다.
상기한 제조 방법에서, 상기 (1a) 공정이 미리 패턴 형성한 상기 하층의 배선층의 비패턴부를 포함한 전면에 무전해 도금을 수행하여 베이스 도전층을 형성한 뒤, 다시 거의 전면에 전해도금을 수행하여 상기 보호 금속층을 형성하는 것인 동시에, 상기 (1e) 공정이, 상기 보호 금속층의 침식이 가능한 식각을 행한 뒤, 상기 비패턴부에 잔존하는 상기 베이스 도전층을 연식 식각(soft etching)으로 제거하는 것이 바람직하다.
이 경우, 미리 전면에 무전해 도금을 수행하여 베이스 도전층을 형성하였기 때문에 이것을 도금용 전극으로 할 수 있고, 전해 도금으로 보호 금속층을 적절하게 게 형성할 수 있다. 이러한 전해도금을 행하는 것이 바람직한 이유는 무전해 도금에서는 금속 이외의 성분의 혼입 등에 의하여 이후에 보호 금속층을 식각하는 것이 곤란하게 되는 경우가 있기 때문이다. 또, 비패턴부에 잔존하는 베이스 도전층을 연식 식각으로 제거하기 때문에 패턴부 사이의 단락을 확실하게 방지하여 배선기판의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
또, 상기 (1a) 공정이, 절연층의 거의 전면에 무전해 도금을 수행하여 베이스 도전층을 형성한 뒤에 패턴 형성한 하층의 배선층에 대하여 그 거의 전면에 전해도금을 수행하여 상기 보호 금속층을 형성하는 것인 동시에, 상기 (1e) 공정이 상기 보호 금속층의 침식이 가능한 식각을 행한 뒤, 상기 비패턴부에 잔존하는 상기 베이스 도전층을 연식 식각으로 제거하는 것이 바람직하다. 이 경우에도 상기와 같이 보호 금속층을 적절하게 형성할 수 있고, 또 배선기판의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 상기 (1a) 공정에 앞서, 상기 하층의 배선층의 비패턴부에 상기 배선층의 패턴부와 거의 같은 두께의 절연층을 형성하여 표면의 평탄화하는 것이 바람직하다. 이 경우, (1a) 공정에서 형성되는 보호 금속층을 평탄화하기 때문에 (1e) 공정에서 보호 금속층을 제거할 때에 확실하게 제거할 수 있어 패턴 사이의 단락 등을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
상기 방법에서, 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속은 구리이며, 상기 보호 금속층을 구성하는 별도의 금속은 금, 은, 아연, 팔라듐, 루테늄, 니켈, 로듐, 납-주석계 땜납 합금, 또는 니켈-금 합금인 것이 바람직하다. 이 경우, 범용의 식각법에 의해 기둥형 금속체를 저비용으로 도전성이 양호한 구리로 형성할 수 있고, 또한 보호 금속층을 구성하는 상기 금속이 식각에 대하여 양호한 내성을 나타내기 때문에 배선층의 신뢰성을 높게 유지할 수 있다.
또, 본 발명의 다층 배선 기판은 상기 제1 실시예의 제조 방법에 의해 얻어지며, 하층의 배선층과, 상기 배선층의 상면 일부에 형성된 보호 금속층과, 상기 보호 금속층의 상면 전부에 형성된 기둥형 금속체와, 상기 기둥형 금속체에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층에 의해 하층의 배선층과 상층의 배선층이 전기적으로 접속된 구조를 가진다. 본 발명의 다층 배선 기판에 의하면, 상기와 같이 간이한 설비와 종래 공정의 조합으로 제조할 수 있어 배선층의 세선화가 가능하고, 또 배선기판의 신뢰성이 높아진다.
제2 실시예의 제조 방법은, 상기 기둥형 금속체의 형성 공정이,
(2a) 절연층의 거의 전면에 설치한 금속 패널층의 표면에, 그 금속 패널층을 식각할 때에 내성을 가지며, 형성되는 하층의 배선층과 동일 패턴의 도전체층을 형성하는 공정,
(2b) 상기 도전체층을 포함하는 상기 금속 패널층의 거의 전면에, 상기 금속 패널층과 동시에 식각 가능한 금속의 도금층을 형성하는 공정,
(2c) 상기 도금층의 상기 기둥형 금속체를 형성하는 표면부분에, 마스크층을 형성하는 공정, 그리고
(2d) 상기 금속 패널층과 상기 도금층을 식각하여 상기 하층의 배선층과 상기 기둥형 금속체를 형성하는 공정을 포함하는 것이다.
제2 실시예의 제조 방법에 의하면, 금속 패널층의 표면에 식각 레지스트가 되는 도전체층을 형성한 뒤, 도금층과 기둥형 금속체 형성용 마스크층을 형성한 후 식각을 수행하기 때문에, 금속 패널층과 도금층이 침식될 때 기둥형 금속체와 패턴이 형성된 배선층과 도전체층이 잔존하게 된다. 따라서, 기둥형 금속체의 형성과 배선층의 패턴 형성을 동시에 수행할 수 있어, 공정수나 전체 공정시간을 감소시키면서 공정에서의 부하를 줄일 수 있다. 또, 기둥형 금속체와 하층의 배선층 사이에 삽입하는 도전체층이 도전성이기 때문에 기둥형 금속체와 배선층의 도전접속이 가능하게 된다.
상기 제조방법에서, 상기 (2a) 공정이 상기 금속 패널층을 감광성 수지층으로 피복한 뒤, 상기 도전체층을 형성하는 부분을 패턴 노광·현상하여 제거하고, 상기 제거한 부분에 금속을 도금함으로써 상기 도전체층을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 간이한 범용설비로 종래의 배선층을 형성하는 경우와 동일한 방법으로 본 발명에서의 도전체층을 형성할 수 있다. 이 때, 베이스가 되는 금속 패널층에 도통이 가능하므로 전해도금을 할 수 있어 형성되는 배선층과의 밀착성을 더욱 높일 수 있다.
또, 상기 금속 패널층 및 상기 도금층을 구성하는 금속은 구리이며, 상기 도전체층을 구성하는 금속은 금, 은, 아연, 팔라듐, 루테늄, 니켈, 로듐, 납-주석계 땜납 합금, 또는 니켈-금 합금인 것이 바람직하다. 이 경우, 범용의 식각 방법으로 하층의 배선층 및 기둥형 금속체를 저비용으로 도전성이 양호한 구리로 형성할 수 있고, 더욱이 도전체층을 구성하는 상기 금속이 식각에 대하여 양호한 내성을 나타내기 때문에 배선층의 신뢰성을 높게 유지할 수 있다.
본 발명의 다른 다층 배선 기판은 제2 실시예의 제조 방법에 의해 제조되는 것이며, 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 간이한 설비와 종래 공정의 조합으로 제조을 할 수 있어 배선층의 세선화가 가능하고, 또한 배선기판의 신뢰성이 높아진다.
제3 실시예의 제조 방법은, 상기 기둥형 금속체의 형성 공정이,
(3a) 상기 기둥형 금속체를 형성하는 부분이 도전체로 형성되고, 다른 부분이 절연체로 형성된 보호층을, 상기 하층의 배선층의 거의 전면을 피복하도록 형성하는 공정,
(3b) 상기 보호층의 거의 전면에 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속의 도금층을 형성하는 공정,
(3c) 상기 도금층의 상기 기둥형 금속체를 형성하는 표면부분에 마스크층을 형성하는 공정, 그리고
(3d) 상기 도금층을 식각하는 공정을 포함하는 것이다.
제3 실시예의 제조 방법에 의하면, 상기와 같은 보호층이 설치되기 때문에 도금층의 식각 시에 하층의 배선층이 침식되는 일없이 원하는 위치에 원하는 형상의 기둥형 금속체를 형성할 수 있다. 이 때, 보호층에 도전체 부분을 형성하고 있기 때문에 하층의 배선층과 기둥형 금속체가 도통 가능하게 된다. 또, 배선층의 패턴 형성부를 주로 절연체로 피복하기 때문에 패턴 사이의 단락의 가능성이 적고, 신뢰성이 높아지는 동시에 세선화가 가능하게 된다. 또, 패턴을 보호하기 위한 금속을 대부분 이용할 필요가 없기 때문에, 비용면에서도 유리하게 된다.
상기 제조 방법에서, 상기 (3a) 공정이 상기 하층의 배선층을 감광성 수지층으로 피복한 뒤, 상기 도전체를 형성하는 부분을 패턴노광·현상하여 개구(opening)를 형성하고, 이 개구된 부분에 금속을 도금함으로써 상기 보호층을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 비교적 간이한 공정, 저렴한 장치로 신뢰성높은 보호층을 형성할 수 있다.
또, 상기 개구된 부분에 금속을 도금할 때, 상기 하층의 배선층을 구성하는 금속을 촉매로 하는 무전해 도금을 수행하는 것이 바람직하다. 이 경우, 개구부에 선택적으로 원하는 두께의 도전체를 형성할 수 있다.
본 발명의 또다른 다층 배선 기판은 제3 실시예의 제조 방법에 의해 제조되는 것이며, 다른 실시예의 경우와 마찬가로 간이한 설비와 종래 공정의 조합으로 제조할 수 있어, 배선층의 세선화가 가능하고, 또 배선기판의 신뢰성이 높아진다.
본 발명의 다른 제조 방법은, 상기와 같은 기둥형 금속체의 형성 공정에 의해 최상층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성하는 공정을 포함하는 다층 배선 기판의 제조 방법이다. 이러한 기둥형 금속체는 칩(chip) 부품의 실장 등을 위해 형성되지만, 배선층 사이의 기둥형 금속체의 경우와 마찬가지로 간이한 설비와 종래 공정의 조합에 의해 고밀도이고 신뢰성이 높은 기둥형 금속체를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 다층 배선 기판은, 상기와 같은 기둥형 금속체의 형성 공정에 의해 최상층의 배선층에 기둥형 금속체가 형성된 다층 배선 기판이다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.
[제1 실시예]
본 실시예에서는 기판의 양면에 배선층을 적층할 때에 기둥형 금속체를 기판의 양면에 형성하는 예를 나타낸다.
먼저, 도 1 (1)에 도시한 바와 같이, 기재(21)의 양면 상에 배선층(22)을 패턴 형성한 것을 준비한다. 이 때, 패턴 형성의 방법은 어느 것이나 가능하고, 예를 들면, 식각 레지스트를 사용하는 방법이나 패턴 도금용 레지스트를 사용하는 방법 등으로 제작한 것을 이용할 수 있다. 기재(21)로는 유리 섬유와 폴리이미드 수지 등의 각종 반응경화성 수지로 이루어지는 기재를 이용할 수 있고, 또 배선층(22)을 구성하는 금속으로는 통상 구리, 니켈, 주석 등이 사용된다.
다음에, 도 1 (2)에 도시한 바와 같이, 미리 패턴 형성한 배선층(22)의 비패턴부를 포함한 전면에 무전해 도금을 수행하여 베이스 도전층(10)을 형성한다. 무전해 도금에는, 통상, 구리, 니켈, 주석 등의 도금액이 사용되지만, 이들 금속은 배선층(22)을 구성하는 금속과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 무전해 도금의 도금액은 각종 금속에 대응하여 주지된 것이며, 여러 가지가 시판되고 있다. 일반적으로는 액 조성으로서, 금속이온원(metallic ion source), 알칼리원(alkaline source), 환원제, 킬레이트제, 안정제 등을 함유한다. 또, 무전해 도금에 앞서 팔라듐 등의 도금촉매를 침착(沈着)시킬 수도 있다.
다음에, 도 1 (3)에 도시한 바와 같이, 하층의 배선층(22)의 비패턴부를 포함한 전면을 보호 금속층(11)으로 피복하기 위해 베이스 도전층(10)의 전면에 전해 도금을 수행하여 보호 금속층(11)을 형성한다. 이 때, 보호 금속층(11)을 구성하는 금속으로는 기둥형 금속체를 구성하는 금속을 식각할 때 내성을 나타내는 별도의 금속이 사용된다. 구체적으로는, 기둥형 금속체를 구성하는 금속이 구리인 경우에 보호 금속층을 구성하는 별도의 금속으로는 금, 은, 아연, 팔라듐, 루테늄, 니켈, 로듐, 납-주석계 땜납 합금, 또는 니켈-금 합금 등이 사용된다. 단, 본 발명은 이들 금속이 조합에 한하지 않고 전해 도금이 가능한 금속과 그것의 식각 시에 내성을 나타내는 다른 금속과의 조합이 모두 사용 가능하다.
상기의 전해 도금은 주지의 방법으로 수행할 수 있지만, 일반적으로는 도 1 (2)의 기판을 도금조 내에 침지하면서 베이스 도전층(10)을 음극으로 하여 도금하는 금속의 금속이온 공급원을 양극으로 하고 전기 분해 반응에 의해 음극 측에 금속을 석출시킴으로써 수행된다.
즉, 본 발명의 (1a) 공정은 기둥형 금속체를 구성하는 금속을 식각할 때 내성을 나타내는 별도의 금속을 하층의 배선층(22)의 비패턴부를 포함한 전면에 피복하여 보호 금속층(11)을 형성하는 것이지만, 전술한 바와 같이 베이스 도전층(10) 등이 개재되는 상태에서 보호 금속층(11)에 의한 피복을 수행할 수도 있고, 또 베이스 도전층(10) 등을 개재시키지 않고 직접 보호 금속층(11)에 의한 피복을 행할 수도 있다.
본 발명의 (1b) 공정은 도 2 (4)에 도시한 바와 같이 보호 금속층(11)의 전면에 기둥형 금속체(24a)를 구성하는 금속의 도금층(24)을 전해 도금으로 형성하는 것이다. 상기 금속으로는 통상, 구리, 니켈 등이 사용되지만 배선층(22)을 구성하는 금속과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 전해 도금은 상기와 같은 방법에 의해 수행되지만 보호 금속층(11)이 음극으로서 이용된다. 구체적인 도금층(24)의 두께로는, 예를 들면 20∼200 ㎛ 또는 그 이상의 것이 예시된다. 이와 같이 (1b) 공정에서, 전해 도금으로 전면에 도금층(24)을 형성하기 때문에 도금층(24)의 높이가 거의 동등하게 되어 거의 균일한 높이의 기둥형 금속체(24a)를 신속히 형성할 수 있다.
본 발명의 (1c) 공정은 도 2 (5)에 도시한 바와 같이 상기의 도금층(24)의 기둥형 금속체(24a)를 형성하는 표면 부분에 마스크층(25)을 형성하는 것이다. 본 실시예에서는, 스크린 인쇄로 점점이 산재된 형상으로 마스크층(25)을 인쇄하는 예를 나타낸다. 마스크층(25) 각각의 크기(면적 또는 외경 등)는 기둥형 금속체(24a)의 크기에 대응하여 결정되고, 예를 들면 100∼300 ㎛ 또는 그 이상의 외경을 가지는 것이 예시된다. 이와 같이, (1c) 공정에서 마스크층(24)이 점점이 산재된 형상으로 형성되기 때문에 인쇄 등의 간이하고 또한 저렴한 방법으로 마스크층(25)을 형성할 수 있다.
본 발명의 (1d) 공정은, 도 2 (6)에 도시한 바와 같이 도금층(24)의 식각을수행하는 것이다. 이 때, 식각에 의한 침식량이 너무 많으면 형성되는 기둥형 금속체(24a)의 직경이 작아져(언더컷(undercut)의 증대) 이후의 공정에 지장을 초래하는 경우가 생기고, 반대로 침식량이 너무 적으면 비패턴부에 도금층(24)이 잔존하여 단락의 원인이 되는 경우가 생긴다. 따라서, 상기의 식각에 의한 침식의 정도는 도 2 (6)에 나타내는 정도나 또는 이것보다 약간 증감하는 범위 내가 바람직하다.
식각 방법으로는 도금층(24) 및 보호 금속층(11)을 구성하는 각 금속의 종류에 따른 각종 식각액을 이용한 식각 방법을 들 수 있다. 예를 들면, 도금층(24)(즉 기둥형 금속체(24a))이 구리이고 보호 금속층(11)이 전술한 금속(금속계 레지스트를 포함함)인 경우, 시판하는 알칼리 식각액, 과황산 암모늄, 과산화 수소/황산 등이 사용된다. 상기의 식각에 의하면, 도 2 (6)에 도시한 바와 같이 보호 금속층(11)으로 피복된 배선층(22)(패턴부 및 비패턴부), 기둥형 금속체(24a) 및 마스크층(25)이 식각되지 않고 남게 된다.
다음에, 도 3 (7)에 도시한 바와 같이, 마스크층(25)의 제거를 수행하지만, 이것은 약제 제거, 박리 제거 등, 마스크층(25)의 종류에 따라 적당히 선택하면 된다. 예를 들면, 스크린 인쇄로 형성된 감광성의 잉크인 경우, 알칼리 등의 약품으로써 제거된다.
다음에, 도 3 (8)에 도시한 바와 같이, 보호 금속층(11)의 침식이 가능한 식각을 수행한다. 식각 방법으로는, (1d) 공정과는 상이한 식각액을 이용한 식각 방법을 들 수 있지만, 염화물 식각액을 이용하면 금속계 레지스트 및 구리 모두가 침식되기 때문에 다른 식각액을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 기둥형 금속체(24a)와 하층의 배선층(22)이 구리이고 보호 금속층(11)이 상기의 금속인 경우, 땜납 박리용으로서 시판되고 있는 질산계, 황산계, 시안계 등의 산계의 식각액 등을 이용하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 도 3 (8)에 도시한 바와 같이, 기둥형 금속체(24a)와 배선층(22)(패턴부)에 개재되는 보호 금속층(11)만을 잔존시킬 수 있다. 또, 비패턴부에는 베이스 도전층(10)만이 잔존한다.
다음에, 도 3 (9)에 도시한 바와 같이, 비패턴부에 잔존하는 베이스 도전층(10)을 연식 식각으로 제거하는데, 연식 식각을 수행하는 것은 기둥형 금속체(24a)나 노출되는 배선층(22)(패턴부)을 과도하게 침식하는 것을 방지하기 위해서이다. 연식 식각 방법으로는 베이스 도전층(10)을 구성하는 금속에 대한 식각액을 저농도로 사용하거나 또한 완만한 식각의 처리조건에서 사용하는 방법 등을 들 수 있다.
즉, 본 발명의 (1e) 공정은, 적어도 보호 금속층(11)의 침식이 가능한 식각을 수행하여 적어도 비패턴부를 피복하는 보호 금속층(11)을 제거하는 것이지만, 전술한 바와 같이 베이스 도전층(10)을 가지는 경우에는 보호 금속층(11)과 베이스 도전층(10)을 순차로 식각하여 비패턴부의 보호 금속층(11)과 베이스 도전층(10)을 제거한다. 이렇게 함으로써 패턴부 사이의 단락을 확실하게 방지할 수 있다.
다음에, 도 4 (10)에 도시한 바와 같이, 절연층(26)을 형성하기 위한 절연재(26a)의 도포를 수행한다. 절연재(26a)로는, 예를 들면 절연성이 양호하고 저렴한 액체형 폴리이미드 수지 등의 반응경화성 수지를 이용할 수 있고, 이것을각종 방법으로 기둥형 금속체(24a)의 높이보다 약간 두껍게 되도록 도포한 뒤, 가열 또는 광 조사 등에 의하여 경화시키면 된다. 도포방법으로는 핫 프레스(hot press) 및 각종 코터(coater)를 사용할 수 있다.
다음에, 도 4 (11)에 도시한 바와 같이, 경화한 절연재(26a)를 연삭(硏削)·연마(硏磨) 등을 행함으로써 기둥형 금속체(24a)의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층(26)을 형성한다. 연삭 방법으로는, 다이아몬드제 등의 경질 날(blade)을 회전판의 반경방향으로 복수 배치한 경질 회전날을 가지는 연삭장치를 사용하는 방법을 들 수 있고, 상기 경질 회전날을 회전시키면서 고정 지지된 배선기판 상면을 따라 이동시킴으로써 상면을 평탄화할 수 있다. 또, 연마 방법으로는 벨트 샌더(belt sander), 버프연마(buffering) 등에 의하여 가볍게 연마하는 방법을 들 수 있다.
다음에, 도 4 (12)에 도시한 바와 같이, 기둥형 금속체(24a)에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층(27)을 형성한다. 이 배선층(27)의 형성은 하층의 배선층(22)을 형성하는 것과 동일한 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 포토리소그래피 기술을 이용하여 소정의 마스크를 형성하고, 식각 처리함으로써 소정의 패턴을 가진 배선층(27)을 형성할 수 있다.
이상의 공정에 의하면, 추가로 상층에 배선층을 형성함으로써, 예를 들면 도 6에 도시한 바와 같은 다층 배선 기판(30)을 제조할 수 있다. 이 다층 배선 기판(30)은 기판 내에 배선층(31∼36)의 6층 회로 구성을 갖는 6층 기판이다. 이것의 내부에는 관통공에 상당하는 층간 접속구조(37, 38, 39)가 기둥형 금속체(24a)에 의해 형성되어 있다. 또, 층간 접속구조(37)는 기판의 양면에 배선층을 형성하는 경우의 제1 층과 제2 층을 접속하는 것이며, 층간 접속구조(38)는 제2 층과 제3 층을 접속하는 것이고, 층간 접속구조(39)는 제1 층과 제3 층을 접속하는 것이다. 본 발명에 있어서, 제1 층과 제3 층을 접속하는 경우, 제1 층과 제2 층을 접속하는 기둥형 금속체(24a)의 위쪽에 추가로 제2 층과 제3 층을 접속하는 기둥형 금속체(24a)를 형성하면 된다.
본 발명의 다층 배선 기판은 이상과 같은 제조 공정으로 제조되는 것이며, 상기 제조 공정에 따른 재료·구조를 가지는 것이다. 또, 이러한 종류의 제조 방법으로 채용되는 다른 공지의 공정이 부가되어 있는 경우, 상기 공정의 부가에 따른 재료·구조를 가지는 것이다.
즉, 본 발명의 다층 배선 기판은 도 4 (12)에 도시한 바와 같이, 하층의 배선층(22), 상기 배선층(22)의 상면 일부에 형성된 보호 금속층(11), 상기 보호 금속층(11)의 상면 전부에 형성된 기둥형 금속체(24a) 그리고 상기 기둥형 금속체(24a)에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층(27)에 의해 하층의 배선층과 상층의 배선층이 전기적으로 접속된 구조를 가진다.
본 발명의 다층 배선 기판은 본 발명의 제조 방법 이외의 방법으로 제조하는 것도 가능하고, 예를 들면 다음 방법에 의해 제조할 수 있다. 즉, 하층의 배선층을 패턴 형성하기 전의 금속층인 제1 층, 보호 금속층을 구성하는 금속인 제2 층 그리고 기둥형 금속체를 구성하는 금속인 제3 층이 적층된 적층체를 압연, 도금 등에 의하여 형성하고, 그 적층체의 제3 층의 표면에 마스크층을 설치한 후 식각하여기둥형 금속체를 형성한다. 필요에 따라 제2 층만을 선택적으로 제거한 뒤, 기둥형 금속체가 형성된 제2 층 측에 절연재(열경화성 수지 등)를 도포한 뒤, 패턴 형성된 상층의 배선층에 대하여 열 프레스를 수행함으로써 기둥형 금속체와 상층의 배선층을 도전 접속시킨다. 그 후, 제1 층을 식각 등을 수행하여 하층의 배선층을 패턴 형성하고, 제2 층을 제거하지 않은 경우에는 그것을 제거한다.
[제1 실시예의 다른 형태]
이하, 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다.
(1) 상기한 실시예에서는 기둥형 금속체를 기판의 양면에 성형하는 예를 나타내었지만, 기둥형 금속체를 기판의 한 면에만 형성하는 것, 즉 배선층의 적층을 한 면에만 할 수도 있다. 이 경우, 적층하지 않은 쪽의 기판면을 견고하게 지지할 수 있기 때문에 연삭·연마 등의 공정을 무리 없이 확실하게 수행할 수 있다. 그 결과, 얻어지는 다층 배선 기판은 신뢰성이 높은 것이 된다.
(2) 상기한 실시예에서는, (1a) 공정이 미리 패턴 형성한 하층의 배선층의 비패턴부를 포함한 전면에 무전해 도금을 수행하여 베이스 도전층을 형성한 뒤, 다시 전면에 전해 도금을 수행하여 보호 금속층을 형성하는 예를 나타내었지만, 절연층의 전면에 무전해 도금을 수행하여 베이스 도전층을 형성한 뒤에 패턴 형성한 하층의 배선층에 대하여 그 전면에 전해 도금을 수행하여 상기 보호 금속층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 베이스 도전층이 이미 존재하기 때문에 전해 도금을 이용한 패턴 도금에 의해 하층의 배선층의 패턴 형성이 가능하게 된다. 또, 상기의 방법은 모두 베이스 도전층을 무전해 도금으로 형성하고 있지만 스퍼터링 등에 의하여형성하는 것도 가능하다.
(3) 상기한 실시예에서는, 마스크층을 인쇄에 의해 형성하는 예를 나타내었지만, 드라이 필름 레지스트(dry film resist) 등을 이용하여 마스크층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 드라이 필름 레지스트의 열압착, 노광, 현상이 수행된다. 또, 마스크층의 제거(박리)에는 메틸렌클로라이드나 수산화나트륨 등이 이용된다.
또, 마스크층을 도금층의 식각 시에 내성을 나타내는 금속으로 형성할 수도 있다. 이 경우, 보호 금속층과 같은 금속을 사용할 수 있으며, 패턴 형성과 동일한 방법으로 소정의 위치에 마스크층을 형성하면 된다. 마스크층을 금속 등의 도전체로 형성하는 경우, 그것을 제거하지 않고 기둥형 금속체와 도통에 상층의 배선층을 형성하는 것도 가능하다. 예를 들면, 금속 마스크층을 남긴 채로,동박(銅箔)을 가지는 절연재(열경화성 수지 등)를 열 프레스하여 절연층을 형성하면, 금속의 마스크층과 동박이 도전 접속되고 동박을 패턴 형성함으로써 상층을 배선층을 형성할 수 있다.
(4) 상기한 실시예에서는 절연재를 연삭·연마 등을 행함으로써, 기둥형 금속체의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층을 형성하는 예를 나타내었지만, 절연재인 수지를 가열가압함으로써, 기둥형 금속체의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 기둥형 금속체 상에 얇게 남는 절연성 수지는 플라즈마처리 등에 의해 간단히 제거할 수 있고, 다시 가열 후에 연마하여 평탄화할 수도 있다.
(5) 상기한 실시예에서는, 마스크층의 제거를 (1d) 공정과 (1e) 공정의 사이에서 수행하는 예를 나타내었지만, 마스크층의 제거공정의 순서는 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 보호 금속층의 식각공정의 직후, 베이스 도전층의 연식 식각 공정의 직후, 또는 절연재(26a)를 연삭·연마 등을 수행할 때에 마스크층을 제거할 수도 있다.
(6) 상기한 실시예에서는, 베이스 도전층을 가지는 하층의 배선층에 보호 금속층을 피복하는 예를 나타내었지만, 베이스 도전층을 형성하지 않고 직접 보호 금속층을 피복할 수도 있다. 이 경우, 무전해 도금 등에 의하여 하층의 배선층에 보호 금속층을 피복하면 되고, 또 보호 금속층의 침식이 가능한 식각만으로 비패턴부를 피복하는 보호 금속층을 제거하여 패턴부 사이의 단락을 방지할 수 있다.
(7) 상기한 실시예에서는, 도 1 (1)로 나타내는 것에 (1a) 공정을 수행하는 예를 나타내었지만, 도 5 (1’)에 도시한 바와 같이 (1a) 공정에 앞서, 하층의 배선층(22)의 비패턴부에 이 배선층(22)의 패턴부와 거의 같은 두께의 절연층(29)을 형성하여 표면의 평탄화를 수행할 수도 있다. 이 경우, 전술한 절연층(26)의 형성과 동일한 재료, 도포 방법, 경화 방법, 연삭·연마 방법에 의해 절연층(29)을 형성하면 된다. 그 후, 전술한 실시예와 같이, 도금층(24)의 형성까지 수행하고(도 5 (4’)참조), 나아가 베이스 도전층(10)의 제거까지 수행하면 된다(도 5 (9’)참조).
[제2 실시예]
본 실시예에서는 절연층인 기재의 양면 측에 배선층과 기둥형 금속체를 형성하는 예를 나타낸다.
먼저, 도 7 (1)에 도시한 바와 같은, 절연층인 기재(21) 양면의 거의 전면에 금속 패널층(22a)을 형성한 것을 준비한다. 기재(21)로는, 예를 들면 유리 섬유와 에폭시 수지, 폴리이미드 수지 등의 각종 반응경화성 수지로 이루어지는 기재를 이용할 수 있다. 또, 금속 패널층(22a)을 구성하는 금속으로는, 통상, 구리, 니켈, 주석 등이 사용되고, 바람직하게는 구리가 사용된다. 금속 패널층(22a)은 도금이나 접착제 또는 열 압착 등에 의한 적층에 의해 형성할 수 있다. 도금을 수행하는 경우, 무전해 도금이나 무전해 도금과 전해 도금의 조합을 채용할 수 있다.
상기 (2a) 공정은 도 7 (2)에 도시한 바와 같이, 기재(21)의 거의 전면에 설치한 금속 패널층(22a)의 표면에 그 금속 패널층(22a)의 식각 시에 내성을 가지며, 형성되는 배선층(22)과 동일 패턴의 도전체층(23)을 형성하는 것이다.
이 (2a) 공정은 드라이 필름, 감광성 수지 도료, 스크린 인쇄 등을 이용하여 원하는 패턴의 도금 레지스트를 형성한 뒤에 도금하는 방법이나, 전면에 설치한 금속층에 드라이 필름, 감광성 수지 도료, 스크린 인쇄 등을 이용하여 원하는 패턴의 식각 레지스트를 형성한 뒤에 식각하는 방법이나, 도전성 도료를 이용한 스크린 인쇄에 의한 인쇄법이나, 원하는 패턴으로 마스크한 상태로 스퍼터링하는 방법 등으로 수행할 수 있다.
단, 금속 패널층(22a)을 감광성 수지층으로 피복한 뒤, 도전체층(23)을 형성하는 부분을 패턴 노광·현상하여 제거하고, 상기 제거한 부분에 금속을 도금함으로써 도전체층(23)을 형성하는 방법이 바람직하다. 본 실시예에서는 이 방법에 대해 상세하게 설명한다.
감광성 수지층이란 광에 의해 광분해(photo-decomposition), 광가교(photo-crosslinkage) 또는 광중합(photo-polymerization)을 일으키는 저분자량 및 /또는 고분자량의 성분을 포함하는 수지 조성물을 가리킨다. 피복에는 드라이 필름을 적층(laminating)하는 방법이나 감광성 수지 조성물을 도포·경화시키는 방법 등을 이용할 수 있다. 드라이 필름(포토레지스트)은 유기용제 현상 타입이나 알칼리 수용액 현상 타입이 존재하며, 가열 압착롤 등을 가지는 드라이 필름 라미네이터(laminator) 등을 이용하여 열 압착(라미네이트)이 수행된다. 감광성 수지 조성물의 도포는 각종 코터(coaters)를 이용하여 수행할 수 있다.
이어서, 도전체층(23)을 형성할 부분을 패턴노광·현상하여 제거하여 제거 패턴(removed pattern)으로 한다. 패턴 노광은 포토 마스크용 필름을 개재시키거나, 포토 플로터(potho plotter) 등에 의한 직접 노광에 의해, 또는 노광기를 이용하여 통상 자외선 등에 의하여 수행된다. 현상에는 드라이 필름의 종류에 따른 현상액 등이 사용되고, 예를 들면 유기용제 현상 타입에 대해서는 트리클로로에탄이나 메틸렌클로라이드 등이 사용되고, 알칼리 수용액 현상 타입에 대해서는, 탄산나트륨이나 수산화나트륨 등이 사용된다.
또한, 제거한 부분에 금속을 도금함으로써 도전체층(23)을 형성한다. 상기 도금에는 무전해 도금을 이용할 수도 있지만, 베이스가 되는 금속 패널층(22a)에 도통시켜 전해 도금을 행하는 것이 바람직하고, 이렇게 함으로써 형성되는 배선층(22)과의 밀착성을 보다 높일 수 있다. 도금하는 금속으로는 금속 패널층(22a) 및 도금층(24)을 구성하는 금속이 구리인 경우, 금속이, 금, 은, 아연, 팔라듐, 루테늄, 니켈, 로듐, 납-주석계 땜납 합금, 또는 니켈-금 합금 등이 바람직하게 사용된다. 전해 도금의 방법으로는 이들 금속 등이 용해된 도금액에 도금할 기판을 침지(浸漬)하여 금속 패널층(22a)을 통하여 적당히 도통을 하면서, 소정의 온도로 소정 시간 처리하는 방법 등을 들 수 있다. 이 때, 도금액으로는 상기의 금속에 대응하는 시판되는 것을 사용할 수 있다.
상기와 같이하여, 배선층(22)을 패턴 형성하기 위한 도전체층(23)을 형성할 수 있다. 또, 도전체층(23)의 두께에 대해서는 식각 시에 패턴 형성부분을 보호(레지스트)할 수 있는 두께이면 되고, 10∼100 ㎛이 바람직하다.
상기 (2b) 공정은, 도 7 (3)에 도시한 바와 같이 도전체층(23)을 포함하는 금속 패널층(22a)의 거의 전면에 금속 패널층(22a)과 동시에 식각 가능한 금속의 도금층(24)을 형성하는 것이다. 상기 금속으로는 통상, 구리, 니켈 등이 사용되고, 바람직하게는 금속 패널층(22a)과 같은 금속, 특히 구리를 이용하는 것이 바람직하다. 도금층(24)의 형성에는 무전해 도금, 또는 전해 도금이 채용되지만, 전해 도금을 행하는 것이 전술한 이유로 인해 바람직하다. 구체적인 도금층(24)의 두께로는, 예를 들면 20∼200 ㎛, 또는 그 이상의 것이 예시된다. 이와 같이 (2b) 공정에서는 전면에 도금층(24)을 형성하기 때문에 도금층(24)의 높이가 거의 동등하게 되어 거의 균일한 높이의 기둥형 금속체(24a)를 형성할 수 있다.
상기 (2c) 공정은, 도 7 (4)에 도시한 바와 같이 상기한 도금층(24)의 기둥형 금속체(24a)를 형성하는 표면 부분에 마스크층(25)을 형성하는 것이다. 본 실시예에서는, 스크린 인쇄로 점점이 산재된 형상으로 마스크층(25)을 인쇄하는 예를나타낸다. 마스크층(25) 개개의 크기(면적 또는 외경 등)는 기둥형 금속체(24a)의 크기에 따라 결정되고, 예를 들면 20 ㎛ 이상의 외경을 가지는 것이 예시된다. 이와 같이, (2c) 공정에서 마스크층(24)이 점점이 산재된 형상으로 형성되기 때문에 인쇄 등의 간이하고 저렴한 방법으로 마스크층(25)을 형성할 수 있다.
상기 (2d) 공정은, 도 8 (5a), (5b)에 도시한 바와 같이 금속 패널층(22a)과 도금층(24)의 식각을 수행하는 것이다. 또, 도 8 (5b)는 도 8 (5a)의 부분 단면사시도를 나타내는 것이다. 식각의 방법으로는, 금속 패널층(22a)과 도금층(24) 및 도전체층(23)을 구성하는 각 금속의 종류에 따른 각종 식각액을 이용한 식각 방법을 들 수 있다. 예를 들면, 도금층(24)(즉 기둥형 금속체(24a))이 구리이고, 도전체층(23)이 금, 은, 아연, 팔라듐, 루테늄, 니켈, 로듐, 납-주석계 땜납 합금, 또는 니켈-금합금 등인 경우, 시판되는 알칼리 식각액이 사용된다. 상기의 식각에 의하면 도 8 (5a), (5b)에 도시한 바와 같이 도전체층(23)이 표면에 형성된 배선층(22)과 그 상면의 기둥형 금속체(24a) 및 마스크층(25)이 식각되지 않고 남게 된다.
다음에, 도 8 (6)에 도시한 바와 같이, 마스크층(25)을 제거하지만, 이것은 약제 제거, 박리 제거 등 마스크층(25)의 종류에 따라 적당히 선택하면 된다. 예를 들면, 스크린 인쇄에 의해 형성된 감광성의 잉크인 경우, 알칼리 등의 약품으로써 제거된다.
다음에, 도 9 (7)에 도시한 바와 같이 절연층(26)을 형성하기 위한 절연재(26a)의 도포를 수행한다. 절연재(26a)로는, 예를 들면 절연성이 양호하고저렴한 액체형 폴리이미드 수지 등의 반응경화성 수지를 이용할 수 있고, 이것을 각종 방법으로 기둥형 금속체(24a)의 높이보다 약간 두껍게 되도록 도포한 뒤, 가열 또는 광조사 등에 의하여 경화시키면 된다. 도포방법으로는 핫 프레스 및 각종 코터가 사용된다.
다음에, 도 9 (8)에 도시한 바와 같이, 경화한 절연재(26a)를 연삭·연마 등을 수행함으로써 기둥형 금속체(24a)의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층(26)을 형성한다. 연삭 방법으로는 다이아몬드제 등의 경질 날을 회전판의 반경방향으로 복수 배치한 경질 회전날을 가지는 연삭 장치를 사용하는 방법을 들 수 있고, 상기 경질 회전날을 회전시키면서 고정 지지된 배선기판 상면에 따라 이동시킴으로써 상면을 평탄화할 수 있다. 또, 연마 방법으로는 벨트샌더, 버프연마 등에 의하여 가볍게 연마하는 방법을 들 수 있다.
다음에, 도 9 (9)에 도시한 바와 같이, 상층의 배선층을 형성하기 위한 금속 패널층(27a)을 절연층(26)의 거의 전면에 형성한다. 그 후, 전술한 공정을 순차 반복함으로써 하층의 배선층과 상층의 배선층이 기둥형 금속체를 통하여 전기적으로 접속된 적층 구조를 추가로 상층에 형성할 수 있다. 또, 최상층의 배선층을 형성하는 경우, 특히 그 위쪽으로 기둥형 금속체를 형성할 필요가 없기 때문에 종래와 동일한 방법으로 패턴 형성한 배선층을 형성하면 된다. 예를 들면, 식각 레지스트를 사용하는 방법이나, 패턴 도금용 레지스트를 사용하는 방법 등에 의하여 소정의 패턴을 가진 배선층을 형성할 수 있다.
이상의 공정에 의하면 제1 실시예와 같이, 예를 들면 도 6에 도시한 바와같은 다층 배선 기판(30)을 제조할 수 있다. 본 발명의 다층 배선 기판은 이상과 같은 제조 공정으로 제조되는 것이며, 상기 제조 공정에 따른 재료·구조를 가지는 것이다. 또, 이 종류의 제조 방법으로 채용되는 다른 공지의 공정이 부가되어 있는 경우, 상기 공정의 부가에 따른 재료·구조를 가지는 것이다.
즉, 본 발명의 다층 배선 기판은 도 9 (9)에 도시한 바와 같이, 하층의 배선층(22), 이 배선층(22)의 상면에 형성된 동일 패턴의 도전체층(23), 이 도전체층(23)의 상면에 형성된 기둥형 금속체(24a) 그리고 이 기둥형 금속체(24a)에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층에 의해 하층의 배선층과 상층의 배선층이 전기적으로 접속된 구조를 가진다.
[제2 실시예의 다른 형태]
이하, 본 발명의 별도의 실시예에 대해 설명한다.
(1) 상기한 실시예에서는, 기둥형 금속체를 기판의 양면에 성형하는 예를 나타내었지만, 기둥형 금속체를 기판의 한 면에만 형성하는 것, 즉 배선층의 적층을 한 면에만 행할 수도 있다. 이 경우, 적층하지 않은 쪽의 기판면을 견고하게 지지할 수 있기 때문에, 연삭·연마 등의 공정을 무리없이 확실하게 행할 수 있다. 그 결과, 얻어지는 다층 배선 기판은 신뢰성이 보다 높은 것이 된다.
(2) 상기한 실시예에서는, 마스크층을 인쇄에 의해 형성하는 예를 나타내었지만, 드라이필름레지스트 등을 이용하여 마스크층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 드라이 필름 레지스트의 열압착, 노광, 현상이 수행된다. 또, 마스크층의 제거(박리)에는, 메틸렌클로라이드나 수산화나트륨 등이 이용된다.
(3) 상기한 실시예에서는, 절연재를 연삭·연마 등을 수행함으로써 기둥형 금속체의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층을 형성하는 예를 나타내었지만, 절연재인 수지를 가열 가압함으로써 기둥형 금속체의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 기둥형 금속체 상에 얇게 남는 절연성 수지는 플라즈마 처리 등에 따라 간단히 제거할 수 있고, 또한 가열 후에 연마하여 평탄화할 수도 있다.
(4) 상기한 실시예에서는, (2d) 공정에서 식각에 의해 표면에 도전체층을 가지는 배선층과 기둥형 금속체를 형성한 뒤, 상기 도전체층을 박리하지 않고, 그 후의 공정을 수행하는 예를 나타내었지만, 배선층의 표면에 잔존하는 도전체층을 박리한 후, 그 후의 공정을 수행할 수도 있다. 이 경우, 박리방법으로는 배선층과 기둥형 금속체를 침식하기 어려운 식각액, 예를 들면 땜납 박리용 산계 식각액을 이용하여 연식 식각하는 방법이나, 스퍼터 식각 등의 물리적인 방법에 의해 수행할 수 있다.
이러한 박리를 행함으로써, 베이스인 배선층의 구리 표면을 노출시킬 수 있어, 노출된 구리표면을 다시 표면처리하고, 그 표면에 형성되는 수지로 이루어지는 절연층과의 밀착성을 높일 수 있다. 이 때의 표면처리로는 구리를 산화제로 산화시키는 흑화처리나, 물리적인 조화처리 등을 들 수 있다.
〔제3 실시예〕
본 실시예에서는 기판의 양면에 배선층을 적층할 때에 기둥형 금속체를 기판의 양면에 형성하는 예를 나타낸다.
먼저, 도 10 (1)에 도시한 바와 같이, 기재(21)의 양면 상에 배선층(22)을 패턴 형성한 것을 준비한다. 이 때, 패턴 형성의 방법은 어느 것이나 가능하고, 예를 들면, 식각 레지스트를 사용하는 방법이나, 패턴 도금용 레지스트를 사용하는 방법 등으로 제작한 것 이용할 수 있다. 기재(21)로는 유리 섬유와 폴리이미드 수지 등의 각종 반응경화성 수지로 이루어지는 기재를 이용할 수 있고, 또 배선층(22)을 구성하는 금속으로는 통상, 구리, 니켈, 주석 등이 사용된다.
상기 (3a) 공정은 도 10 (2)∼ 도 11 (4)에 도시한 바와 같이 기둥형 금속체(24a)를 형성하는 부분이 도전체(23)로 형성되고, 다른 부분이 절연체(20b)로 형성된 보호층을 배선층(22)의 거의 전면을 피복하도록 형성하는 것이다. 본 실시예에서는 배선층(22)을 감광성 수지층(20)으로 피복한 뒤, 도전체(23)를 형성하는 부분을 패턴 노광·현상하여 개구시키고, 형성된 개구부(20a)에 금속을 도금함으로써 보호층을 형성하는 예를 나타낸다.
먼저, 도 10 (2)에 도시한 바와 같이 배선층(22)을 감광성 수지층(20)으로 피복한다. 여기에서, 감광성 수지층(20)이란 광에 의해 광분해, 광가교, 또는 광중합을 일으키는 저분자량 및 /또는 고분자량의 성분을 포함하는 수지 조성물을 말한다. 피복에는 드라이 필름을 적층하는 방법이나 감광성 수지 조성물을 도포·경화시키는 방법 등을 이용할 수 있다. 드라이 필름(포토 레지스트)으로는 유기용제 현상 타입이나 알칼리 수용액 현상 타입이 존재하며, 가열 압착롤 등을 가지는 드라이 필름 라미네이터 등을 이용하여 열압착(적층)이 수행된다. 감광성 수지 조성물의 도포는 각종 코터를 이용하여 수행할 수 있다.
이어서, 도 10 (3)에 도시한 바와 같이, 도전체(23)를 형성하는 부분을 패턴 노광·현상하여 개구시킴으로써 개구부(20a)를 형성하는 동시에, 보호층의 일부를 이루는 절연체(20b)를 잔존시킨다. 패턴 노광은 포토 마스크용 필름을 개재시키거나, 또는 포토 플로터 등에 의한 직접 노광에 의하거나, 노광기를 이용하여 통상, 자외선 등에 의하여 수행된다. 현상에는 드라이 필름의 종류에 따른 현상액 등이 사용되고, 예를 들면 유기용제 현상 타입에 대해서는 트리클로로에탄이나 메틸렌클로라이드 등이 사용되고, 알칼리 수용액 현상 타입에 대해서는 탄산나트륨이나 수산화나트륨 등이 사용된다.
또한, 도 11 (4)에 도시한 바와 같이, 개구부(20a)에 금속을 도금하여, 보호층의 일부을 이루는 도전체(23)를 형성한다. 상기 도금을 수행할 때, 하층의 배선층(22)(패턴 형성부)를 구성하는 금속을 촉매로 하는 무전해 도금을 수행하는 것이 바람직하고, 또, 기둥형 금속체(24a)를 구성하는 금속을 식각할 때 내성을 나타내는 금속을 도금하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는 기둥형 금속체(24a)를 구성하는 금속이 구리이고, 도전체(23)를 구성하는 금속은, 예를 들면 니켈-금합금, 또는 주석-납계의 땜납 합금 등으로 형성된다. 이들 합금은 구리를 촉매로 하는 상기의 선택적인 도금이 가능한 동시에, 구리의 식각 시에 높은 내성을 나타내는 것이며, 본 발명의 도전체를 구성하는 금속으로서 특히 바람직하다.
무전해 도금의 방법으로는, 이들 금속 등이 용해된 도금액에 도금하는 기판을 침지하여 소정의 온도로 소정 시간 처리하는 방법 등을 들 수 있다. 이 때, 도금액 조성으로는 금속이온원, 알칼리원, 환원제, 그리고 킬레이트제 등을 포함하는것을 들 수 있으며, 이들은 시판되는 것을 사용할 수 있다.
상기와 같이 하여 기둥형 금속체(24a)를 형성하는 부분이 도전체(23)로 형성되고, 다른 부분이 절연체(20b)에서 형성된 보호층이 형성된다. 상기에서 도전체(23)부분, 즉 개구부(20a)의 크기나 형상은 하층의 배선층(22)의 패턴폭보다 작고, 기둥형 금속체(24a)와의 도전성을 충분히 확보할 수 있을 정도의 크기가 바람직하고, 형상으로 대해서는 원형 외에 어떤 형상이라도 가능하다. 또, 도전체(23)부분의 두께에 대해서는 식각 시에 하층의 배선층(22)을 보호할 수 있는 두께이면 되고, 5 ㎛ 이상이 바람직하다.
상기 (3b) 공정은 도 11 (5)에 도시한 바와 같이 상기 보호층의 거의 전면에, 기둥형 금속체(24a)를 구성하는 금속의 도금층(24)을 형성하는 것이다. 상기 금속으로는 통상 구리, 니켈 등이 사용되고, 무전해 도금 또는 무전해 도금과 전해 도금의 조합 등의 도금 방법이 채용된다. 구체적인 도금층(24)의 두께로는, 예를 들면 20∼200 ㎛, 또는 그 이상의 것이 예시된다. 이와 같이 (3b) 공정에서, 전면에 도금층(24)을 형성하기 때문에 도금층(24)의 높이가 거의 동등하게 되어 거의 균일한 높이의 기둥형 금속체(24a)를 형성할 수 있다.
상기 (3c) 공정은 도 11 (6)에 도시한 바와 같이 상기한 도금층(24)의 기둥형 금속체(24a)를 형성하는 표면 부분에 마스크층(25)을 형성하는 것이다. 본 실시예에서는, 스크린 인쇄으로 점점이 산재된 형상으로 마스크층(25)을 인쇄하는 예를 나타낸다. 마스크층(25) 개개의 크기(면적 또는 외경 등)는 기둥형 금속체(24a)의 크기에 대응하여 결정되고, 예를 들면 100∼300 ㎛, 또는 그 이상의외경을 가지는 것이 예시된다. 이와 같이, (3c) 공정에서 마스크층(24)이 점점이 산재된 형상으로 형성되기 때문에 인쇄 등의 간이하고 저렴한 방법으로 마스크층(25)을 형성할 수 있다.
상기 (3d) 공정은 도 12 (7)에 도시한 바와 같이 도금층(24)의 식각을 행하는 것이다. 식각 방법으로는, 도금층(24) 및 도전체(23)를 구성하는 각 금속의 종류에 따른 각종 식각액을 이용한 식각 방법을 들 수 있다. 예를 들면, 도금층(24)(즉 기둥형 금속체(24a))이 구리이고, 도전체(23)가 니켈-금 합금, 또는 주석-납계의 땜납 합금인 경우, 시판되는 알칼리 식각액이 사용된다. 상기한 식각에 의하면 도 12 (7)에 도시한 바와 같이 보호층으로 피복된 배선층(22)과 기둥형 금속체(24a) 및 마스크층(25)이 식각되지 않고 남게 된다.
다음에, 도 12 (8)에 도시한 바와 같이 마스크층(25)의 제거를 행하지만, 이것은 약제 제거, 박리 제거 등, 마스크층(25)의 종류에 따라 적당히 선택하면 된다. 예를 들면, 스크린 인쇄에 의해 형성된 감광성의 잉크인 경우, 알칼리 등의 약품으로써 제거된다.
다음에, 도 12 (9)에 도시한 바와 같이 절연층(26)을 형성하기 위한 절연재(26a)의 도포를 행한다. 절연재(26a)로는, 예를 들면 절연성이 양호하고 저렴한 액체형 폴리이미드 수지 등의 반응경화성 수지를 이용할 수 있고, 이것을 각종 방법으로 기둥형 금속체(24a)의 높이보다 약간 두껍게 되도록 도포한 뒤, 가열 또는 광 조사 등에 의하여 경화시키면 된다. 도포 방법으로는 핫 프레스 및 각종 코터가 사용된다.
다음에, 도 13 (10)에 도시한 바와 같이, 경화한 절연재(26a)를 연삭·연마 등을 행함으로써 기둥형 금속체(24a)의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층(26)을 형성한다. 연삭 방법으로는 다이아몬드제 등의 경질 날을 회전판의 반경방향으로 복수 배치한 경질 회전날을 가지는 연삭 장치를 사용하는 방법을 들 수 있고, 상기 경질 회전날을 회전시키면서 고정 지지된 배선기판 상면에 따라 이동시킴으로써 상면을 평탄화할 수 있다. 또, 연마 방법으로는 벨트샌더, 버프연마 등에 의하여 가볍게 연마하는 방법을 들 수 있다.
다음에, 도 13 (11)에 도시한 바와 같이, 기둥형 금속체(24a)에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층(27)을 형성한다. 이 배선층(27)의 형성은 하층의 배선층(22)을 형성하는 것과 동일한 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 포토리소그래피기술을 이용하여 소정의 마스크를 형성하고 식각 처리함으로써 소정의 패턴을 가진 배선층(27)을 형성할 수 있다.
이상의 공정에 의하면, 추가로 상층에 배선층을 형성함으로써 제1 실시예와 같이, 예를 들면 도 6에 도시한 바와 같은 다층 배선 기판(30)을 제조할 수 있다. 본 발명의 다층 배선 기판은 이상에서와 같은 제조 공정으로 제조되는 것이며, 상기 제조 공정에 따른 재료·구조를 가지는 것이다. 또, 이 종류의 제조 방법으로 채용되는 다른 공지의 공정이 부가되어 있는 경우, 상기 공정의 부가에 따른 재료·구조를 가지는 것이다.
즉, 본 발명의 다층 배선 기판은 도 13 (11)에 도시한 바와 같이 하층의 배선층(22)와, 상기 배선층(22)의 상면에 형성된 도전체(23)와, 그 도전체(23)의 상면에 약간 큰 직경으로 설치된 기둥형 금속체(24a)와, 상기 기둥형 금속체(24a)에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층에 의해 하층의 배선층과 상층의 배선층이 전기적으로 접속된 구조를 가진다.
[제3 실시예의 다른 형태]
이하, 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다.
(1) 상기한 실시예에서는, 기둥형 금속체를 기판의 양면에 형성하는 예를 나타내었지만, 기둥형 금속체를 기판의 한 면에만 형성하는 것, 즉 배선층의 적층을 한 면에만 할 수도 있다. 이 경우, 적층하지 않은 쪽의 기판면을 견고하게 지지할 수 있기 때문에 연삭·연마 등의 공정을 무리 없이 확실하게 행할 수 있다. 그 결과, 얻어지는 다층 배선 기판은 신뢰성이 보다 높은 것이 된다.
(2) 상기한 실시예에서는, 보호층의 일부을 이루는 도전체를 도금에 의해 형성하는 예를 나타내었지만, 도전성 페이스트를 인쇄·도포한 뒤, 경화시킴으로써 도전체부분을 형성하는 것도 가능하다. 이 경우, 스크린 인쇄 등을 이용할 수 있다.
또, 땜납을 이용한 솔더 코팅(solder coating) 등도 가능하다. 예를 들면, 주석-납계의 땜납 합금을 이용하는 경우, 도금층(구리)의 식각액으로서 알칼리 식각액을 이용하면 땜납이 내성을 나타낼 수 있다.
또한, 스퍼터링에 의해 크롬 또는 로듐으로 도전체부분을 형성하는 것도 가능하다. 이 경우, 개구부 이외의 부분을 마스크재로 덮어 개구부에만 도전체를 형성하면 된다.
(3) 상기한 실시예에서는, 마스크층을 인쇄에 의해 형성하는 예를 나타내었지만, 드라이 필름 레지스트 등을 이용하여 마스크층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 드라이 필름 레지스트의 열압착, 노광, 현상이 수행된다. 또, 마스크층의 제거(박리)에는 메틸렌클로라이드나 수산화나트륨 등이 이용된다.
(4) 상기한 실시예에서는, 절연재를 연삭·연마 등을 수행함으로써 기둥형 금속체의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층을 형성하는 예를 나타내었지만, 절연재인 수지를 가열 가압함으로써 기둥형 금속체의 높이와 거의 같은 두께를 가지는 절연층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 기둥형 금속체 상에 얇게 남는 절연성 수지는 플라즈마 처리 등에 따라 간단히 제거할 수 있고, 또한 가열 후에 연마하여 평탄화할 수도 있다.
[본 발명의 다른 제조 방법 및 다층 배선 기판]
본 발명의 다른 제조 방법은, 전술한 제1 ∼ 3실시예의 기둥형 금속체의 형성 공정으로 최상층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성하는 공정을 포함하는 다층 배선 기판의 제조 방법이다. 또, 본 발명의 다른 다층 배선 기판은, 전술한 제1 ∼ 3실시예의 기둥형 금속체의 형성 공정으로 최상층의 배선층에 기둥형 금속체가 형성된 다층 배선 기판이다.
따라서, 전술한 제1 ∼ 3실시예에 준하여, 본 발명의 다른 제조 방법 및 다층 배선 기판을 실시할 수 있지만, 예를 들어 제1 실시예에 준하여 실시한 경우에는 도 14 (12’)에 나타내는 구조의 다층 배선 기판이 얻어지고, 제2 실시예에 준하여 실시한 경우에는 도 14 (9’)에 나타내는 구조의 다층 배선 기판이 얻어진다. 이들은 도 4 (12) 및 도 9 (9)에 나타내는 다층 배선 기판에 대하여, 각 실시예에 준하는 방법으로 칩부품의 실장 등을 위해 사용되는 기둥형 금속체(40)를 형성한 것이다.
본 발명은 하층의 배선층과 상층의 배선층을 기둥형 금속체에 의해 전기적으로 접속한 구조를 가지는 다층 배선 기판의 제조 방법으로서 특히 유용하다. 보다 구체적으로는, 간이한 설비와 종래 공정의 조합으로 제조를 행할 수 있어 배선층의 세선화가 가능하고, 또한 배선기판의 신뢰성이 높은 다층 배선 기판을 제조할 수 있다. 따라서, 본 발명은 산업상의 이용가능성이 높은 것이다.
Claims (20)
- 하층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성한 뒤, 상기 기둥형 금속체에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층을 형성하는 공정을 구비한 다층 배선 기판의 제조 방법에 있어서,상기 기둥형 금속체의 형성 공정은(1a) 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속을 식각할 때 내성을 나타내는 별도의 금속을, 미리 패턴 형성한 상기 하층의 배선층의 비패턴부를 포함한 거의 전면에 피복하여 보호 금속층을 형성하는 공정,(1b) 상기 보호 금속층의 거의 전면(全面)에 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속의 도금층을 전해 도금으로 형성하는 공정,(1c) 상기 도금층의 상기 기둥형 금속체를 형성하는 표면 부분에 마스크층을 형성하는 공정,(1d) 상기 도금층을 식각하는 공정, 그리고(1e) 적어도 상기 보호 금속층의 침식이 가능한 식각을 수행하여 적어도 상기 비패턴부를 피복하는 보호 금속층을 제거하는 공정을 포함하는 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (1a) 공정은 미리 패턴 형성한 상기 하층의 배선층의 비패턴부를 포함한 전면에 무전해 도금을 수행하여 베이스 도전층을 형성한 뒤, 추가로 거의 전면(全面)에 전해 도금을 수행하여 상기 보호 금속층을 형성하고,상기 (1e) 공정은 상기 보호 금속층의 침식이 가능한 식각을 수행한 뒤, 상기 비패턴부에 잔존하는 상기 베이스 도전층을 연식 식각(soft etching)으로 제거하는다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (1a) 공정은 절연층의 거의 전면에 무전해 도금을 수행하여 베이스 도전층을 형성한 뒤, 패턴 형성한 하층의 배선층 거의 전면에 전해 도금을 수행하여 상기 보호 금속층을 형성하고,상기 (1e) 공정은 상기 보호 금속층의 침식이 가능한 식각을 수행한 뒤, 상기 비패턴부에 잔존하는 상기 베이스 도전층을 연식 식각으로 제거하는다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (1a) 공정에 앞서 상기 하층의 배선층의 비패턴부에 상기 배선층의 패턴부와 거의 같은 두께의 절연층을 형성하여 표면을 평탄화하는 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속은 구리이고, 상기 보호 금속층을 구성하는 별도의 금속은 금, 은, 아연, 팔라듐, 루테늄, 니켈, 로듐, 납-주석계 땜납 합금 또는 니켈-금 합금인 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제1항의 제조 방법으로 제조한 다층 배선 기판으로서,하층의 배선층과, 상기 배선층의 상면 일부에 형성된 보호 금속층과, 상기 보호 금속층의 상면 전부에 형성된 기둥형 금속체와, 상기 기둥형 금속체에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층에 의해 하층의 배선층과 상층의 배선층이 전기적으로 접속된 구조를 가지는 다층 배선 기판.
- 하층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성한 뒤, 상기 기둥형 금속체에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층을 형성하는 공정을 구비한 다층 배선 기판의 제조 방법에 있어서,상기 기둥형 금속체의 형성 공정은(2a) 절연층의 거의 전면에 형성한 금속 패널층의 표면에 상기 금속 패널층을 식각할 때에 내성을 가지며, 형성되는 하층의 배선층과 동일 패턴의 도전체층을 형성하는 공정,(2b) 상기 도전체층을 포함하는 상기 금속 패널층의 거의 전면에 상기 금속 패널층과 동시에 식각 가능한 금속의 도금층을 형성하는 공정,(2c) 상기 도금층의 상기 기둥형 금속체를 형성하는 표면 부분에 마스크층을 형성하는 공정, 그리고(2d) 상기 금속 패널층과 상기 도금층을 식각하여 상기 하층의 배선층과 상기 기둥형 금속체를 형성하는 공정을 포함하는 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 (2a) 공정은 상기 금속 패널층을 감광성 수지층으로 피복한 뒤, 상기 도전체층을 형성하는 부분을 패턴 노광·현상하여 제거하고, 상기 제거한 부분에 금속을 도금하여 상기 도전체층을 형성하는 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 금속 패널층 및 상기 도금층을 구성하는 금속은 구리이고, 상기 도전체층을 구성하는 금속은 금, 은, 아연, 팔라듐, 루테늄, 니켈, 로듐, 납-주석계 땜납 합금, 또는 니켈-금 합금인 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조되는 다층 배선 기판.
- 하층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성한 뒤, 상기 기둥형 금속체에 일부가 전기적으로 접속된 상층의 배선층을 형성하는 공정을 구비한 다층 배선 기판의 제조 방법에 있어서,상기 기둥형 금속체의 형성 공정은(3a) 상기 기둥형 금속체를 형성하는 부분이 도전체로 형성되고 다른 부분이 절연체로 형성된 보호층을, 상기 하층의 배선층의 거의 전면을 피복하도록 형성하는 공정,(3b) 상기 보호층의 거의 전면에 상기 기둥형 금속체를 구성하는 금속의 도금층을 형성하는 공정,(3c) 상기 도금층의 상기 기둥형 금속체를 형성하는 표면 부분에 마스크층을 형성하는 공정, 그리고(3d) 상기 도금층을 식각하는 공정을 포함하는 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 (3a) 공정은 상기 하층의 배선층을 감광성 수지층으로 피복한 뒤, 상기 도전체를 형성하는 부분을 패턴 노광·현상하여 개구(opening)시키고, 상기 개구된 부분에 금속을 도금하여 상기 보호층을 형성하는 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 개구된 부분에 금속을 도금할 때, 상기 하층의 배선층을 구성하는 금속을 촉매로 하는 무전해 도금을 수행하는 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조되는 다층 배선 기판.
- 제1항, 제7항 및 제11항 중 어느 한 항의 기둥형 금속체의 형성 공정으로 최상층의 배선층에 기둥형 금속체를 형성하는 공정을 포함하는 다층 배선 기판의 제조 방법.
- 제1항, 제7항 및 제11항 중 어느 한 항의 기둥형 금속체의 형성 공정에 의해 최상층의 배선층에 기둥형 금속체가 형성된 다층 배선 기판.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-1999-00055731 | 1999-03-03 | ||
| JP5573199 | 1999-03-03 | ||
| JP11453899 | 1999-04-22 | ||
| JPJP-P-1999-00114538 | 1999-04-22 | ||
| PCT/JP2000/001186 WO2000052977A1 (fr) | 1999-03-03 | 2000-03-01 | Procede de fabrication d'un panneau de cablage multicouche |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010105366A KR20010105366A (ko) | 2001-11-28 |
| KR100427794B1 true KR100427794B1 (ko) | 2004-04-28 |
Family
ID=26396634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-7011128A KR100427794B1 (ko) | 1999-03-03 | 2000-03-01 | 다층 배선 기판의 제조 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6555209B1 (ko) |
| EP (1) | EP1168900A1 (ko) |
| KR (1) | KR100427794B1 (ko) |
| CN (1) | CN1176567C (ko) |
| IL (1) | IL145202A0 (ko) |
| TW (1) | TW493366B (ko) |
| WO (1) | WO2000052977A1 (ko) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4798858B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2011-10-19 | 電気化学工業株式会社 | 柱状金属体の形成方法及び多層配線基板の製造方法 |
| WO2002080639A1 (fr) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | North Corporation | Panneau de cablage multicouche, procede permettant de le produire, polisseuse pour panneau de cablage multicouche et plaque de metal pour produire ledit panneau |
| JP4582277B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2010-11-17 | デンカＡｇｓｐ株式会社 | 柱状金属体の形成方法及び多層配線基板の製造方法 |
| TW544824B (en) * | 2002-02-01 | 2003-08-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Method of manufacturing conduction wire in touch panel |
| US7320173B2 (en) * | 2003-02-06 | 2008-01-22 | Lg Electronics Inc. | Method for interconnecting multi-layer printed circuit board |
| KR100652132B1 (ko) * | 2004-07-12 | 2006-11-29 | 곽경숙 | 인쇄 회로 기판 및 이의 제작 방법 |
| JP3841096B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 配線パターンの形成方法、多層配線基板の製造方法、電子機器 |
| JP2006108211A (ja) | 2004-10-01 | 2006-04-20 | North:Kk | 配線板と、その配線板を用いた多層配線基板と、その多層配線基板の製造方法 |
| KR100645625B1 (ko) * | 2004-12-01 | 2006-11-15 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| JP2008016653A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Fujitsu Ltd | 半導体パッケージ、その製造方法、プリント基板及び電子機器 |
| KR100789533B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2007-12-28 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지용 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| US20100065318A1 (en) * | 2006-11-28 | 2010-03-18 | Kyocera Corporation | Circuit board and semiconductor element mounted structure using the same |
| CN101286454B (zh) * | 2007-04-10 | 2011-03-30 | 上海美维科技有限公司 | 印制电路板的制作方法 |
| US8309864B2 (en) * | 2008-01-31 | 2012-11-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Device mounting board and manufacturing method therefor, and semiconductor module |
| JP5474316B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2014-04-16 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅張積層板、その銅張積層板製造に用いる表面処理銅箔及びその銅張積層板を用いて得られるプリント配線板 |
| CN102197498A (zh) | 2008-10-31 | 2011-09-21 | 电气化学工业株式会社 | 发光元件封装用基板及发光元件封装体 |
| US20110284914A1 (en) | 2008-11-25 | 2011-11-24 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing substrate for light emitting element package, and light emitting element package |
| CN102224605A (zh) | 2008-11-25 | 2011-10-19 | 电气化学工业株式会社 | 发光元件封装用基板的制造方法及发光元件封装体 |
| KR100909265B1 (ko) * | 2009-02-23 | 2009-07-27 | (주)이엔에이치테크 | 정전용량 방식의 터치스크린 패널의 제조방법 |
| CA2772040C (en) | 2009-09-11 | 2015-11-10 | Nissha Printing Co., Ltd. | Narrow frame touch input sheet, manufacturing method of the same, and conductive sheet used in narrow frame touch input sheet |
| US8519516B1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-08-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions |
| CN105874537A (zh) * | 2013-07-31 | 2016-08-17 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 涂覆磁性带头 |
| US10568212B2 (en) | 2014-11-28 | 2020-02-18 | Intel Corporation | Manufacturing method for multi-layer printed circuit board |
| JP6555907B2 (ja) * | 2015-03-16 | 2019-08-07 | アルパッド株式会社 | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213451A (ja) | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Hitachi Ltd | 多層配線の形成法 |
| JPH0710030B2 (ja) | 1990-05-18 | 1995-02-01 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH05291744A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線板の製造法および多層金属層付絶縁基板 |
| JPH06216527A (ja) | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 薄膜多層回路の製造方法 |
| JPH06310857A (ja) | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Hitachi Ltd | 薄膜多層回路とその製造方法 |
| JPH06314878A (ja) | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JP3112059B2 (ja) | 1995-07-05 | 2000-11-27 | 株式会社日立製作所 | 薄膜多層配線基板及びその製法 |
| WO1997019579A1 (fr) * | 1995-11-17 | 1997-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tableau de connexion multicouches, materiau prefabrique pour ce tableau, procede de fabrication de ce dernier groupement de composants electroniques et procede de formation de connexions verticales conductrices |
| JPH10135639A (ja) | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法、層間接続方法および多層プリント配線板 |
-
2000
- 2000-03-01 IL IL14520200A patent/IL145202A0/xx unknown
- 2000-03-01 KR KR10-2001-7011128A patent/KR100427794B1/ko active IP Right Grant
- 2000-03-01 EP EP00906588A patent/EP1168900A1/en not_active Withdrawn
- 2000-03-01 CN CNB008045410A patent/CN1176567C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-01 WO PCT/JP2000/001186 patent/WO2000052977A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2000-03-01 US US09/914,819 patent/US6555209B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-02 TW TW089103711A patent/TW493366B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW493366B (en) | 2002-07-01 |
| US6555209B1 (en) | 2003-04-29 |
| CN1176567C (zh) | 2004-11-17 |
| KR20010105366A (ko) | 2001-11-28 |
| IL145202A0 (en) | 2002-06-30 |
| EP1168900A1 (en) | 2002-01-02 |
| WO2000052977A1 (fr) | 2000-09-08 |
| CN1342391A (zh) | 2002-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100427794B1 (ko) | 다층 배선 기판의 제조 방법 | |
| US7802361B2 (en) | Method for manufacturing the BGA package board | |
| US7462555B2 (en) | Ball grid array substrate having window and method of fabricating same | |
| US6291779B1 (en) | Fine pitch circuitization with filled plated through holes | |
| US6515233B1 (en) | Method of producing flex circuit with selectively plated gold | |
| KR100598274B1 (ko) | 저항 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 | |
| US6383401B1 (en) | Method of producing flex circuit with selectively plated gold | |
| US20060060558A1 (en) | Method of fabricating package substrate using electroless nickel plating | |
| US7169313B2 (en) | Plating method for circuitized substrates | |
| JP4060629B2 (ja) | メッキスルーホールの形成方法、及び多層配線基板の製造方法 | |
| EP2496062A1 (en) | Method of forming solid blind vias through the dielectric coating on high density interconnect (HDI) substrate materials | |
| US7910156B2 (en) | Method of making circuitized substrate with selected conductors having solder thereon | |
| KR100343389B1 (ko) | 다층 배선기판의 제조방법 | |
| KR20020022477A (ko) | 물리적 기상 증착법을 이용한 빌드업 다층 인쇄회로판제조방법 | |
| JP3178677B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2007013048A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2002208779A (ja) | 柱状金属体の形成方法及び導電構造体 | |
| JP4582277B2 (ja) | 柱状金属体の形成方法及び多層配線基板の製造方法 | |
| JP2003318534A (ja) | 層間接続構造及びその形成方法 | |
| JP4798858B2 (ja) | 柱状金属体の形成方法及び多層配線基板の製造方法 | |
| JP2004281752A (ja) | 片面回路基板の製造方法及び片面回路基板 | |
| JP4385482B2 (ja) | フィルムキャリアの製造方法 | |
| JP2005011918A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP2004095768A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| KR20120012676A (ko) | 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20010831 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20011203 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20040225 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20040407 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20040408 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20070201 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080328 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090303 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100212 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110216 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120329 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130404 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130404 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140307 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140307 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160318 Year of fee payment: 13 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160318 Start annual number: 13 End annual number: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170302 Year of fee payment: 14 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170302 Start annual number: 14 End annual number: 14 |
|
| PC1801 | Expiration of term |
Termination date: 20200901 Termination category: Expiration of duration |