JP2000299202A - 厚膜回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に設けられた厚膜抵抗体における応力
集中を防止する。 【解決手段】 表面に導体パターン１２を有するアルミ
ナ積層基板１１（ａ）に対し、導体パターン１２上のう
ち接続端部１４ａに対応する部分にマスク２０を形成す
る（ｂ）。次いで、第１のめっき工程を実行し、導体パ
ターン１２の表面に、マスク２０で覆われた部分を除い
て中間銅めっき層２１を形成する（ｃ）。次に、マスク
２０を除去し（ｄ）、第２のめっき工程を実行すること
により、中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきを形
成すると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端部
１４ａに対応した部分に銅めっきを薄膜状に形成し、銅
めっき電極１４を形成する（ｅ）。この後、アルミナ積
層基板１１の表面に厚膜抵抗体１５を形成する（ｆ）。
接続端部１４ａは他の部分に比べて薄いので、厚膜抵抗
体１５を平坦に近い形状に形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板等
の基板の導体上にめっき電極を設け、そのめっき電極の
接続端部の上面に接続するように厚膜抵抗体を設けるよ
うにした厚膜回路基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】例えばハイブリッドＩ
Ｃ等に用いられる厚膜回路基板においては、回路規模が
大きなものや高集積化が必要なものでは、積層基板が用
いられている。なかでも、銅めっきを電極として形成し
たアルミナ積層基板は、低コストとなると共に、厚膜抵
抗体の形成性やはんだとの接合性に優れる特長を有して
いる。このようなアルミナ積層基板上に厚膜抵抗体を形
成する構造としては、特開昭６３−１０７０８７号公報
に示されたものがある。

【０００３】この構造では、アルミナ積層基板の表面
に、タングステン又はモリブデンを主成分とした導体パ
ターンが形成され、その導体パターン上に銅めっきが施
されて銅めっき電極が形成され、その銅めっき電極を覆
うように銅の厚膜導体が形成され、その厚膜導体に接続
されるように厚膜抵抗体が形成されるようになってい
る。この構成では、厚膜抵抗体と導体パターンとの間に
厚膜導体を介在させているので、接触抵抗や接合強度の
面で優れたものとなる。ところが、厚膜導体は厚膜抵抗
体との接続のためにのみ形成されるので、印刷や焼成の
工程が増えてコストがかかる傾向にあった。

【０００４】そこで、別の従来例として、特開昭５６−
１４６２０１号公報や特開平４−３０１９９号公報に示
されたものがある。このものは、図７に示すように、ア
ルミナ積層基板１の表面に導体パターン２を設け
（ａ）、その導体パターン２の上に銅めっき電極３を形
成し（ｂ）、その銅めっき電極３に直接的に接続するよ
うに厚膜抵抗体４を形成する（ｃ）ようになっている。
尚、この場合、配線抵抗値を小さくするため、銅めっき
（銅めっき電極３）はある程度大きな膜厚で形成されて
いる。

【０００５】しかしながら、上記図７に示す構造では、
コスト的に有利となるものの、次のような欠点を有して
いた。即ち、銅めっき電極３の縁部は、基板１表面から
比較的大きな角度で急峻に立上がって比較的大きな段差
を呈する形態とされ、厚膜抵抗体４の端部がその段差に
倣うように盛上がった（上方に大きく折曲がった）如き
形態に形成されることになる。

【０００６】このため、厚膜抵抗体４に熱サイクルが繰
返し加えられることにより、図７でＡで示す部分に応力
が集中し、ひいては経時的にクラックの発生等を招く虞
がある。また、銅めっき電極３は、導体パターン２の縁
部から外側にはみ出した形態で形成されるようになり、
この銅めっき電極３の縁部と下地（基板１）との接合が
極めて弱くなり、熱サイクルにより図７にＢで示す部分
の変形が生ずる虞もある。このように、厚膜抵抗体４に
経時的にクラックや変形が生ずると、抵抗値が不安定に
なるなど、信頼性に劣るものとなる。

【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、基板上に厚膜抵抗体を設けるものにあ
って、厚膜抵抗体における応力集中を極力防止すること
ができ、耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜
回路基板及びその製造方法を提供するにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、厚膜抵抗体
の抵抗値が経時的に不安定になる要因は、めっき電極の
接続端部が基板の表面から比較的大きな角度で急峻に立
上がるため、厚膜抵抗体の界面に生ずる応力集中にある
ことに着目し、めっき電極の接続端部の縁部の基板から
の立上がり角を小さくすれば、厚膜抵抗体の応力集中を
低減することができることを確認し、本発明を成し遂げ
たのである。

【０００９】即ち、本発明の請求項１の厚膜回路基板
は、めっき電極のめっき厚みを、厚膜抵抗体が接続され
る接続端部が他の部分に比べて薄くなるように構成した
ところに特徴を有する。これによれば、めっき電極の接
続端部を薄膜化したことにより、その電極の接続端部の
縁部の基板からの立上がり角を小さく抑えることがで
き、形成される厚膜抵抗体を平坦に近い形状とすること
ができる。また、めっき電極の接続端部以外の他の部分
では、所要のめっき厚みとすることができ、例えば所望
の配線抵抗値を確保することができる。

【００１０】この結果、請求項１の発明によれば、厚膜
抵抗体の応力集中を低減し経時的にクラックや変形が生
ずることを抑制することができ、ひいては耐久性，信頼
性を向上させることができるものである。また、この場
合、本発明者の研究によれば、前記接続端部のめっき厚
みを、８μｍ以下とすることがより一層好ましく（請求
項２の発明）、これにより、厚膜抵抗体の応力集中の防
止効果に極めて優れたものとすることができる。

【００１１】そして、上記した厚膜回路基板を製造する
方法としては、以下の工程を含むものとすることができ
る。即ち、基板の導体上のうち接続端部に対応する部分
にマスクを形成した状態でめっきを形成する第１のめっ
き工程と、前記マスクを除去した状態で引続きめっきを
形成する第２のめっき工程と、基板上に厚膜抵抗体を形
成する工程とを含むものとすることができる（請求項３
の発明）。

【００１２】あるいは、基板の導体上に薄い膜厚でめっ
きを形成する第１のめっき工程と、この第１のめっき工
程で形成されためっきのうち接続端部に対応する部分に
マスクを形成した状態で引続きめっきを形成する第２の
めっき工程と、前記マスクを除去した上で基板上に厚膜
抵抗体を形成する工程とを含むものとすることもできる
（請求項４の発明）。

【００１３】これらによれば、２回に分けてめっきの工
程が行なわれることにより、めっき電極の所望のめっき
厚みが得られるのであるが、そのうちどちらか１回のめ
っき工程については、接続端部に対応する部分にマスク
を形成した状態でめっきが行なわれるので、接続端部の
めっき厚みを他の部分に比べて薄くすることができる。
この結果、上記した厚膜抵抗体における応力集中を極力
防止することができ、耐久性，信頼性を向上させること
ができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製
造することができる。

【００１４】また、基板の導体上にめっきを形成する工
程と、このめっき工程で形成されためっきのうち接続端
部に対応する部分をエッチングにより薄膜化する工程
と、基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むものと
することもできる（請求項５の発明）。これによって
も、接続端部のめっき厚みを他の部分に比べて薄くする
ことができ、厚膜抵抗体における応力集中を極力防止す
ることができ、耐久性，信頼性を向上させることができ
る厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造する
ことができる。

【００１５】さらには、基板上に、接続端部に対応する
部分が他の部分よりもガラス成分が多く含まれるように
導体を形成する工程と、この導体上にめっきを形成する
工程と、基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むも
のとすることができる（請求項６の発明）。これによれ
ば、導体のうち、ガラス成分が多く含まれる部分につい
ては、めっきが形成されにくい（金属が析出されにく
い）ため、接続端部のめっき厚みを他の部分に比べて薄
くすることができ、厚膜抵抗体における応力集中を極力
防止することができ、耐久性，信頼性を向上させること
ができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製
造することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化したいくつ
かの実施例について、図１ないし図６を参照しながら説
明する。 （１）第１の実施例 まず、図１ないし図３を参照して、本発明の第１の実施
例（請求項１，２，３に対応）について述べる。

【００１７】図１（ｆ）及び図３は、本実施例に係る厚
膜回路基板の要部（厚膜抵抗体の形成部分）の構成を示
している。ここで、セラミック基板であるアルミナ積層
基板１１は、アルミナ材料から多層状に構成され、その
表面部には、部品接続用のランドやそれらをつなぐ配線
等からなる導体パターン１２が形成されている。この場
合、図２（ｅ）に示すように、アルミナ積層基板１１
は、例えば３層の絶縁基材層１３を有し、表面及び層間
に導体パターン１２を有すると共にそれらの一部がスル
ーホール１１ａを介して接続された形態に構成されてい
る。尚、前記導体パターン１２は、例えばタングステン
又はモリブデン等の高融点金属材料を主成分として構成
されている。

【００１８】そして、このアルミナ積層基板１１の表面
の導体パターン１２上には、その表面全体を覆うように
例えば銅めっきが施され、銅めっき電極１４とされるよ
うになっている。さらに、アルミナ積層基板１１の表面
部には、厚膜抵抗体１５が設けられる。この厚膜抵抗体
１５は、例えばＬａＢ6 抵抗体からなり、その両端部
が、一対の銅めっき電極１４の端部（接続端部１４ａ）
の上面に夫々重なって接続されるように設けられてい
る。

【００１９】このとき、前記銅めっき電極１４のめっき
厚みは、前記厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４
ａが、他の部分に比べて薄い薄膜状に設けられている。
また、この接続端部１４ａは、厚膜抵抗体１５の接続部
よりも平面的にやや大きく形成されている。ちなみに、
この接続端部１４ａのめっき厚み寸法は、８μｍ以下と
されている。尚、アルミナ積層基板１１の表面部には、
前記銅めっき電極１４及び厚膜抵抗体１５の全体を覆う
ように、保護用のオーバーコートガラス１６（図３に想
像線で示す）が形成されるようになっている。また、図
示はしないが、他の銅めっき電極１４には、例えばチッ
プ部品や半導体ベアチップ等が接続されるようになって
いる。

【００２０】次に、上記構成の厚膜回路基板を製造する
手順について、図２も参照して述べる。図２は、アルミ
ナ積層基板１１の形成の工程を概略的に示しており、ま
た、図１は、厚膜回路基板の製造工程における要部（厚
膜抵抗体１５の形成部分）の様子を示している。ここ
で、図２に示すように、アルミナ積層基板１１を形成す
るにあたっては、絶縁基材層１３の材料として、図２
（ａ）に示すように、例えば厚み０．０５〜０．５mm程
度の３枚の周知のアルミナグリーンシート１７が用いら
れ、まず、図２（ｂ）に示すように、これらグリーンシ
ート１７の所要位置に、スルーホール１１ａとなる穴１
７ａが金型プレス等により形成される。

【００２１】次いで、図２（ｃ）に示すように、前記各
グリーンシート１７の穴１７ａ内が高融点金属ペースト
（タングステンペースト）１８により埋められると共
に、各グリーンシート１７の表面に導体パターン１２と
なる高融点金属ペースト１９が、例えば１０μｍ程度の
厚みでスクリーン印刷により印刷塗布される。そして、
図２（ｄ）に示すように、３枚のグリーンシート１７が
積層、加圧されて一体化された状態で、その積層体が還
元雰囲気にて例えば１６００℃で焼成される。これによ
り、図２（ｅ）及び図１（ａ）に示すように、導体パタ
ーン１２が形成されたアルミナ積層基板１１が得られる
のである。

【００２２】さて、このように導体パターン１２が形成
されたアルミナ積層基板１１に対し、導体パターン１２
の表面に銅めっきを施して銅めっき電極１４を形成する
工程、及び厚膜抵抗体１５を形成する工程が順に実行さ
れるのであるが、本実施例では、図１に示す手順にて、
第１及び第２の２回のめっき工程が実行されるようにな
っている。

【００２３】即ち、図１（ａ）に示すアルミナ積層基板
１１に対し、まず、図１（ｂ）に示すように、導体パタ
ーン１２上のうち前記接続端部１４ａに対応する部分
に、マスク２０が形成される。このマスク２０の材質と
しては、銅めっきの工程で剥離や溶解することなく、後
に除去可能なものであれば様々なものを使用できるが、
アクリルやビニール等の合成樹脂材料を用いることが望
ましい。また、マスク２０の形成方法としては、液状の
樹脂を印刷やディスペンスにより塗布した後、硬化させ
る方法や、前面にフォトレジスト等を塗布しその後エッ
チングにより不要部分を除去するといった方法が採用で
きる。また、マスク２０の厚みとしては、１０μｍ〜１
mm程度で良い。

【００２４】このようにマスク２０が形成されたアルミ
ナ積層基板１１に対し、第１のめっき工程が実行され
る。このめっき工程は、周知の無電解めっき（あるいは
電解めっきでも良い）により行なわれ、これにて、図１
（ｃ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面の導
体パターン１２の表面に、前記マスク２０で覆われた部
分を除いて、中間銅めっき層２１が形成されるようにな
る。また、この第１のめっき工程では、中間銅めっき層
２１は、必要なめっき厚みから、接続端部１４ａのめっ
き厚み（例えば８μｍ）分だけ不足した厚み（２回のめ
っき工程により所望のめっき厚が得られる厚み）まで形
成される。

【００２５】次に、図１（ｄ）に示すように、アルミナ
積層基板１１の表面から前記マスク２０を除去すること
が行なわれる。このマスク２０を除去するにあたって
は、有機溶剤を使用する化学的な方法や、機械的に引剥
がす方法等を採用することができる。これにて、導体パ
ターン１２の表面のうち、接続端部１４ａに対応した部
分が露出するようになる。次いで、アルミナ積層基板１
１に対する第２のめっき工程が実行される。この第２の
めっき工程も、上記第１のめっき工程と同様の方法が用
いられ、例えば８μｍの厚みで銅めっきが形成される。

【００２６】これにて、図１（ｅ）に示すように、前記
中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきが堆積状に形
成されると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端
部１４ａに対応した部分に銅めっきが形成され、銅めっ
き電極１４が形成されるのである。この銅めっき電極１
４は、上述のように、厚膜抵抗体１５が接続される接続
端部１４ａについて、厚みが例えば８μｍの薄膜状に形
成され、その他の部分については、例えば配線抵抗値を
十分小さくできるような所要の厚みとされている。

【００２７】この後、図１（ｆ）に示すように、アルミ
ナ積層基板１１の表面に厚膜抵抗体１５を形成する工程
が実行される。この厚膜抵抗体１５の形成工程は、アル
ミナ積層基板１１の表面に、抵抗体ペーストを例えばス
クリーン印刷により所定形状に塗布し、乾燥後、窒素雰
囲気にて例えば９００℃で焼成することにより行なわれ
る。これにて、端部が銅めっき電極１４の接続端部１４
ａに接続された厚膜抵抗体１５が得られるのである。し
かる後、アルミナ積層基板１１の表面に、オーバーコー
トガラス１６が形成される。

【００２８】このようにして形成される厚膜回路基板に
おいては、銅めっき電極１４のめっき厚みを、厚膜抵抗
体１５が接続される接続端部１４ａについては他の部分
に比べて薄くなるように形成したので、接続端部１４ａ
の縁部のアルミナ積層基板１１表面からの立上がり角を
小さく抑えることができ、図７（ｃ）に示した従来のも
のと比べて、厚膜抵抗体１５を平坦に近い形状に形成す
ることができた。また、接続端部１４ａが、導体パター
ン１２の縁部から大きくはみ出すこともないので、アル
ミナ積層基板１１との接合性も良好となる。銅めっき電
極１４の接続端部１４ａ以外の他の部分では、所要のめ
っき厚みとすることができるので、例えば所望の配線抵
抗値を得ることができることは勿論である。

【００２９】従って、本実施例によれば、厚膜抵抗体１
５に熱サイクルが繰返し作用しても、局所的に応力が集
中することを防止することができ、ひいてはクラックや
変形の発生等を効果的に抑制することができる。この結
果、経時的に抵抗値が不安定になることを未然に防止す
ることができ、耐久性，信頼性を向上させることができ
るという優れた効果を得ることができる。この場合、接
続端部１４ａのめっき厚みを８μｍ以下としたことによ
り、厚膜抵抗体１５の応力集中の防止効果に極めて優れ
たものとなる。

【００３０】また、本実施例の製造方法によれば、マス
ク２０の形成及び除去の工程が必要となると共に、めっ
きの工程を２回に分けるものの、焼成の工程が１回増え
るといった場合と比べて、さほど手間や時間が増加する
こともないので、上記したような厚膜抵抗体１５におけ
る応力集中を極力防止することができ、耐久性，信頼性
を向上させることができる厚膜回路基板を、比較的簡単
な工程で容易に製造することができるものである。

【００３１】（２）第２の実施例 次に、図４を参照して本発明の第２の実施例（請求項４
に対応）について述べる。尚、以下に述べる第２〜第４
の実施例は、上記した第１の実施例の厚膜回路基板と同
様の厚膜回路基板を製造するための別の方法を示す実施
例であるため、厚膜回路基板の構成など上記した第１の
実施例と共通する部分については、新たな図示や詳しい
説明を省略すると共に、符号も共通して使用し、以下異
なる点を中心に述べることとする。

【００３２】この実施例では、図４（ａ）に示すアルミ
ナ積層基板１１に対し、まず、その導体パターン１２上
に、周知の無電解めっきにより薄い膜厚（８μｍ以下）
でめっきを形成する第１のめっき工程が実行される。こ
れにより、図４（ｂ）に示すように、アルミナ積層基板
１１の表面の導体パターン１２上全体に、中間銅めっき
層２２が均一厚みで形成される。そして、図４（ｃ）に
示すように、形成された中間銅めっき層２２のうち接続
端部１４ａに対応する部分に、上記第１の実施例と同様
な方法でマスク２３が形成される。

【００３３】次いで、マスク２３が形成されたアルミナ
積層基板１１に対し、同様に第２のめっき工程が実行さ
れる。これにて、図４（ｄ）に示すように、アルミナ積
層基板１１の表面の中間銅めっき層２２の表面に、前記
マスク２３で覆われた部分を除いて更に銅めっきが形成
されるようになる。この第２のめっき工程では、接続端
部１４ａ以外の部分が所要のめっき厚みとなるまでめっ
きが形成され、その後、図４（ｅ）に示すように、アル
ミナ積層基板１１の表面から前記マスク２３が除去され
ることにより、銅めっき電極１４が形成されるのであ
る。

【００３４】この銅めっき電極１４は、上述のように、
厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａについて、
厚みが例えば８μｍの薄膜状に形成され、その他の部分
については、例えば配線抵抗値を十分小さくできるよう
な所要の厚みとされている。この後、図４（ｆ）に示す
ように、上記第１の実施例と同様の方法で、アルミナ積
層基板１１の表面に厚膜抵抗体１５を形成する工程が実
行される。

【００３５】このような実施例によっても、上記第１の
実施例と同様に、銅めっき電極１４のめっき厚みを、厚
膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａについては他
の部分に比べて薄くなるように形成することができ、厚
膜抵抗体１５を平坦に近い形状に形成することができ
る。従って、厚膜抵抗体１５に熱サイクルが繰返し作用
しても、局所的に応力が集中することを防止することが
でき、ひいては経時的に抵抗値が不安定になることを未
然に防止して耐久性，信頼性を向上させることができる
厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造するこ
とができるものである。

【００３６】（３）第３の実施例 図５は、本発明の第３の実施例（請求項５に対応）を示
している。この実施例では、図５（ａ）に示すアルミナ
積層基板１１に対し、まず、その導体パターン１２上
に、例えば銅めっきを形成するめっき工程が実行され
る。これにより、図５（ｂ）に示すように、アルミナ積
層基板１１の表面の導体パターン１２上全体に、銅めっ
き層２４が所要の厚み（所要の配線抵抗値を得ることが
できる厚み）で形成される。

【００３７】次に、図５（ｃ）に示すように、アルミナ
積層基板１１の表面に、銅めっき層２４の接続端部１４
ａに対応する部分を除いてマスク２５が形成される。こ
のマスク２５の材質としては、次のエッチングの工程に
おいて溶解したり剥離したりすることのない、例えばア
クリルやビニール等の合成樹脂材料を用いることができ
る。

【００３８】そして、このマスク２５を形成した状態
で、前記銅めっき層２４のうち接続端部１４ａに対応す
る部分をエッチングにより薄膜化する工程が実行され
る。このエッチングの工程は、例えば硝酸や過硫酸アン
モニウム水溶液等を用いた化学エッチングを用いること
ができ、これにて、図５（ｄ）に示すように、銅めっき
層２４のうち接続端部１４ａに対応する部分のみが、例
えば厚み８μｍ以下に薄膜化されるのである。次いで、
アルミナ積層基板１１の表面から前記マスク２５が除去
されることにより、図５（ｅ）に示すように、接続端部
１４ａが薄膜化した銅めっき電極１４が形成される。こ
の後、図５（ｆ）に示すように、アルミナ積層基板１１
の表面に厚膜抵抗体１５を形成する工程が実行される。

【００３９】このような実施例においても、銅めっき電
極１４のめっき厚みを、厚膜抵抗体１５が接続される接
続端部１４ａについては他の部分に比べて薄くなるよう
に形成することができ、従って、厚膜抵抗体１５におけ
る応力集中を極力防止することができ、ひいては経時的
に抵抗値が不安定になることを未然に防止して耐久性，
信頼性を向上させることができる厚膜回路基板を、比較
的簡単な工程で容易に製造することができるものであ
る。

【００４０】（４）第４の実施例 図６は、本発明の第４の実施例（請求項６に対応）を示
している。この実施例では、アルミナ積層基板１１の形
成工程において、その表面の導体パターン２６を２種類
の異なる材料（高融点金属ペースト）を用いて形成する
ようにしている。即ち、上記第１の実施例で述べたよう
に、アルミナ積層基板１１の材料として、図６（ａ）に
示すアルミナグリーンシート１７が用いられ、このグリ
ーンシート１７に対してスルーホール１１ａとなる穴加
工が行なわれる。

【００４１】次いで、前記各グリーンシート１７の穴１
７ａ内が高融点金属ペースト（タングステンペースト）
１８により埋められると共に、グリーンシート１７の表
面に、導体パターン２６となる高融点金属ペーストが、
例えばスクリーン印刷により印刷塗布されるのである
が、ここでは、高融点金属ペーストの印刷塗布の工程が
２回に分けて行なわれる。１回目の工程では、図６
（ｂ）に示すように、高融点金属ペースト２７が、アル
ミナ積層基板１１の銅めっき電極１４の接続端部１４ａ
の下地となる部分を除いて印刷塗布される。

【００４２】このとき、この高融点金属ペースト２７
は、例えばタングステン又はモリブデン等の高融点金属
の粉末を主成分とし、それに接合性を高めるためのガラ
ス成分（ガラスフリット）を添加し、さらにバインダや
有機溶剤を加えて混合し、ペースト状としたものであ
り、前記ガラス成分は０〜２０％の割合で配合されてい
る。尚、前記バインダや有機溶剤は、後の焼成の工程に
おいて、分解，蒸発されるようになっている。

【００４３】引続き、２回目の工程では、図６（ｃ）に
示すように、高融点金属ペースト２８が、銅めっき電極
１４の接続端部１４ａの下地となる部分に、前記高融点
金属ペースト２７に連続するように印刷塗布される。こ
のとき、この高融点金属ペースト２８として、前記高融
点金属ペースト２７に比べてガラス成分を多く（例えば
３〜３０％）したものが用いられる。

【００４４】そして、グリーンシート１７が積層、加圧
されて一体化された状態で、その積層体が還元雰囲気に
て例えば１６００℃で焼成されることにより、アルミナ
積層基板１１が形成されるのであるが、このとき、図６
（ｄ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面に形
成される導体パターン２６は、接続端部１４ａに対応す
る接続部２６ａが他の部分よりもガラス成分が多く含ま
れるものとなるのである。

【００４５】次に、上記アルミナ積層基板１１に対し、
その導体パターン２６上に、銅めっきを形成するめっき
工程が実行される。このめっき工程では、導体パターン
２６中の金属がいわば核となる様な形で銅が析出（電
着）されるのであるが、導体パターン２６のうち接続部
２６ａでは、ガラス成分が多く（金属成分が少なく）、
めっきが形成されにくい（銅が析出されにくい）ので、
図６（ｅ）に示すように、形成される銅めっき（銅めっ
き電極１４）は、接続端部１４ａのめっき厚みが他の部
分に比べて薄くなるのである。この後、図６（ｆ）に示
すように、アルミナ積層基板１１の表面に厚膜抵抗体１
５を形成する工程が実行される。

【００４６】このような実施例においても、銅めっきの
下地となる導体パターン２６の材料の工夫によって、銅
めっき電極１４のめっき厚みを制御でき、厚膜抵抗体１
５が接続される接続端部１４ａについては他の部分に比
べて薄くなるように形成することができた。従って、厚
膜抵抗体１５における応力集中を極力防止することがで
き、ひいては経時的に抵抗値が不安定になることを未然
に防止して耐久性，信頼性を向上させることができる厚
膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造すること
ができるものである。

【００４７】尚、本発明は上記した各実施例に限定され
るものではなく、例えば基板としてはアルミナ積層基板
に限らず、他のセラミック基板やガラス基板、ガラスセ
ラミック基板等であっても良く、また、めっきの材質や
マスクの材質、さらには厚膜抵抗体の材質や形状などに
ついても種々の変形が可能である等、要旨を逸脱しない
範囲内で適宜変更して実施し得るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示すもので、厚膜回路
基板の製造工程における厚膜抵抗体の形成部分の概略的
な様子を順に示す縦断面図

【図２】アルミナ積層基板の形成の工程を概略的に示す
図

【図３】厚膜回路基板の厚膜抵抗体形成部分の平面図

【図４】本発明の第２の実施例を示す図１相当図

【図５】本発明の第３の実施例を示す図１相当図

【図６】本発明の第４の実施例を示す図１相当図

【図７】従来例を示す図１相当図

【符号の説明】

図面中、１１はアルミナ積層基板（基板）、１２は導体
パターン（導体）、１４は銅めっき電極（めっき電
極）、１４ａは接続端部、１５は厚膜抵抗体、１７はア
ルミナグリーンシート、２０，２３，２５はマスク、２
１，２２は中間銅めっき層、２４は銅めっき層、２６は
導体パターン（導体）、２６ａは接続部、２７，２８は
高融点金属ペーストを示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡 賢吾 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 長坂 崇 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 5E032 AB01 BA07 BB01 CC14 CC18 5E033 AA18 AA28 BB06 BE01 BG02 BG03 BG04 5E343 AA02 AA07 AA24 AA26 BB14 BB24 BB39 BB40 BB72 CC44 DD03 DD33 DD76 ER37 ER39 GG20

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック基板等の基板の導体上に、め
   っき電極を形成すると共に、前記基板上に、前記めっき
   電極の接続端部の上面に接続されるように厚膜抵抗体を
   形成してなるものであって、 前記めっき電極のめっき厚みは、前記接続端部が他の部
   分に比べて薄くされていることを特徴とする厚膜回路基
   板。
2. 【請求項２】 前記接続端部のめっき厚みは、８μｍ以
   下であることを特徴とする請求項１記載の厚膜回路基
   板。
3. 【請求項３】 セラミック基板等の基板の導体上に、め
   っき電極を設け、そのめっき電極の接続端部の上面に接
   続するように厚膜抵抗体を設けるようにした厚膜回路基
   板を製造するための方法であって、 前記基板の導体上のうち前記接続端部に対応する部分に
   マスクを形成した状態でめっきを形成する第１のめっき
   工程と、 前記マスクを除去した状態で引続きめっきを形成する第
   ２のめっき工程と、 前記基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むことを
   特徴とする厚膜回路基板の製造方法。
4. 【請求項４】 セラミック基板等の基板の導体上に、め
   っき電極を設け、そのめっき電極の接続端部の上面に接
   続するように厚膜抵抗体を設けるようにした厚膜回路基
   板を製造するための方法であって、 前記基板の導体上に薄い膜厚でめっきを形成する第１の
   めっき工程と、 この第１のめっき工程で形成されためっきのうち前記接
   続端部に対応する部分にマスクを形成した状態で引続き
   めっきを形成する第２のめっき工程と、 前記マスクを除去した上で前記基板上に厚膜抵抗体を形
   成する工程とを含むことを特徴とする厚膜回路基板の製
   造方法。
5. 【請求項５】 セラミック基板等の基板の導体上に、め
   っき電極を設け、そのめっき電極の接続端部の上面に接
   続するように厚膜抵抗体を設けるようにした厚膜回路基
   板を製造するための方法であって、 前記基板の導体上にめっきを形成する工程と、 このめっき工程で形成されためっきのうち前記接続端部
   に対応する部分をエッチングにより薄膜化する工程と、 前記基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むことを
   特徴とする厚膜回路基板の製造方法。
6. 【請求項６】 セラミック基板等の基板の導体上に、め
   っき電極を設け、そのめっき電極の接続端部の上面に接
   続するように厚膜抵抗体を設けるようにした厚膜回路基
   板を製造するための方法であって、 前記基板上に、前記接続端部に対応する部分が他の部分
   よりもガラス成分が多く含まれるように導体を形成する
   工程と、 この導体上にめっきを形成する工程と、 前記基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むことを
   特徴とする厚膜回路基板の製造方法。