JP2010171415A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第１の電極層と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の電極層と、
   前記第１の電極層は、前記ゲート電極層と重畳する領域を有し、
   前記第２の電極層は、前記ゲート電極層と重畳する領域を有し、
   前記ゲート絶縁膜上の第１の半導体層と、
   前記第１の電極層と、前記第１の半導体層との間の第２の半導体層と、
   前記第２の電極層と、前記第１の半導体層との間の第３の半導体層と、を有し、
   前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層の導電率以下の導電率となる領域を有し、
   前記第３の半導体層は、前記第１の半導体層の導電率以下の導電率となる領域を有し、
   前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層よりも厚さが薄い領域を有し、
   前記第３の半導体層は、前記第１の半導体層よりも厚さが薄い領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の電極層及び第２の電極層と、
   前記第１の電極層及び前記第２の電極上の第１の半導体層と、
   前記第１の電極層と、前記第１の半導体層との間の第２の半導体層と、
   前記第２の電極層と、前記第１の半導体層との間の第３の半導体層と、
   前記第１の半導体層上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、を有し、
   前記第１の電極層は、前記ゲート電極層と重畳する領域を有し、
   前記第２の電極層は、前記ゲート電極層と重畳する領域を有し、
   前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層の導電率以下の導電率となる領域を有し、
   前記第３の半導体層は、前記第１の半導体層の導電率以下の導電率となる領域を有し、
   前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層よりも厚さが薄い領域を有し、
   前記第３の半導体層は、前記第１の半導体層よりも厚さが薄い領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の半導体層は、酸化物半導体を含み、
   前記第２の半導体層は、酸化物半導体を含み、
   前記第３の半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
   前記第２の半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
   前記第３の半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層と同じ元素を含み、
   前記第３の半導体層は、前記第１の半導体層と同じ元素を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一に記載された半導体装置を含む液晶表示装置であって、ＦＦＳモードの表示モジュールを有することを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項６に記載された液晶表示装置を含む携帯電話機であって、表示部はタッチ操作を行うことができる機能を有することを特徴とする携帯電話機。