JP2011211171A5 - 半導体装置及び電子機器 - Google Patents

Claims (7)

1. 第１のトランジスタと、
   フォトダイオードと、
   選択信号線と、
   出力信号線と、
   基準信号線と、
   リセット信号線と、を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記選択信号線と電気的に接続されており、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記出力信号線と電気的に接続されており、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記基準信号線と電気的に接続されており、
   前記フォトダイオードのアノード又はカソードの一方は、前記リセット信号線と電気的に接続されており、
   前記フォトダイオードのアノード又はカソードの他方は、前記第１のトランジスタのバックゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 表示素子部と、
   第１のトランジスタとフォトダイオードとを有するフォトセンサ部と、
   選択信号線と、
   出力信号線と、
   基準信号線と、
   リセット信号線と、を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記選択信号線と電気的に接続されており、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記出力信号線と電気的に接続されており、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記基準信号線と電気的に接続されており、
   前記フォトダイオードのアノード又はカソードの一方は、前記リセット信号線と電気的に接続されており、
   前記フォトダイオードのアノード又はカソードの他方は、前記第１のトランジスタのバックゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記表示素子部は、液晶素子を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   第２のトランジスタを有し、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードのアノードまたはカソードの他方と電気的に接続されており、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのバックゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記フォトダイオードは、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項４又は５において、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。