JP2011118887A5 - 半導体装置及び表示装置 - Google Patents

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  1. フォトセンサを有し、
    前記フォトセンサは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、フォトダイオードとを有し、
    前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
    前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
    前記フォトダイオードは、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタとは異なる半導体を含み、
    前記フォトダイオードの一方の電極は、第１の配線に電気的に接続され、
    前記フォトダイオードの他方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  2. 複数のフォトセンサと、回路とを有し、
    前記複数のフォトセンサの各々は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、フォトダイオードとを有し、
    前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
    前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
    前記フォトダイオードは、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタとは異なる半導体を含み、
    前記フォトダイオードの一方の電極は、第１の配線に電気的に接続され、
    前記フォトダイオードの他方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続され、
    前記回路は、前記複数のフォトセンサの一においてリセット動作が行われる期間に、前記複数のフォトセンサの他の一において読み出し動作を行うことができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において
    前記フォトダイオードは、前記半導体としてｐ型の導電型を有する半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記フォトダイオードは、前記第１のトランジスタの上方に位置することを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置と、表示素子とを含むことを特徴とする表示装置。
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