JP2012190034A5 - 半導体装置、表示装置及び電子機器 - Google Patents

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  1. トランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、容量素子と、を有し、
    前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続され、
    前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの第２の端子は、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの第１の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの第２の端子は、前記容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
    前記第３のスイッチの第１の端子は、第３の配線と電気的に接続され、
    前記第３のスイッチの第２の端子は、前記容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
    前記第４のスイッチの第１の端子は、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第４のスイッチの第２の端子は、前記画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１の配線は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に入力される第１の電位を伝達する機能を有し、
    前記第２の配線は、ビデオ信号を伝達する機能を有し、
    前記第３の配線は、前記容量素子の第２の電極に入力される第２の電位を伝達する機能を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１において、
    前記第１の配線は、電源線としての機能を有し、
    前記第２の配線は、信号線としての機能を有し、
    前記第３の配線は、電源線としての機能を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記トランジスタのゲート電極として機能する領域を有する導電層は、前記容量素子の第１の電極として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記トランジスタのチャネル幅は、前記第１のスイッチとして用いられるトランジスタのチャネル幅よりも大きい値を有し、
    前記トランジスタのチャネル幅は、前記第２のスイッチとして用いられるトランジスタのチャネル幅よりも大きい値を有し、
    前記トランジスタのチャネル幅は、前記第３のスイッチとして用いられるトランジスタのチャネル幅よりも大きい値を有することを特徴とする半導体装置。
  6. トランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、容量素子と、を有し、
    前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、発光素子と電気的に接続され、
    前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの第２の端子は、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの第１の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの第２の端子は、前記容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
    前記第３のスイッチの第１の端子は、第３の配線と電気的に接続され、
    前記第３のスイッチの第２の端子は、前記容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
    前記第４のスイッチの第１の端子は、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第４のスイッチの第２の端子は、前記発光素子と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
  7. 請求項６において、
    前記第１の配線は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に入力される第１の電位を伝達する機能を有し、
    前記第２の配線は、ビデオ信号を伝達する機能を有し、
    前記第３の配線は、前記容量素子の第２の電極に入力される第２の電位を伝達する機能を有することを特徴とする表示装置。
  8. 請求項６において、
    前記第１の配線は、電源線としての機能を有し、
    前記第２の配線は、信号線としての機能を有し、
    前記第３の配線は、電源線としての機能を有することを特徴とする表示装置。
  9. 請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
    前記トランジスタのゲート電極として機能する領域を有する導電層は、前記容量素子の第１の電極として機能する領域を有することを特徴とする表示装置。
  10. 請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記トランジスタのチャネル幅は、前記第１のスイッチとして用いられるトランジスタのチャネル幅よりも大きい値を有し、
    前記トランジスタのチャネル幅は、前記第２のスイッチとして用いられるトランジスタのチャネル幅よりも大きい値を有し、
    前記トランジスタのチャネル幅は、前記第３のスイッチとして用いられるトランジスタのチャネル幅よりも大きい値を有することを特徴とする表示装置。
  11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
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