CN113096589B

CN113096589B - 一种像素电路、像素电路的驱动方法及显示装置

Info

Publication number: CN113096589B
Application number: CN202110379535.4A
Authority: CN
Inventors: 耿玓; 黄施捷; 苏悦; 季寒赛; 陈倩; 卢年端; 李泠; 刘明
Original assignee: Institute of Microelectronics of CAS
Current assignee: Institute of Microelectronics of CAS
Priority date: 2021-04-08
Filing date: 2021-04-08
Publication date: 2022-05-06
Anticipated expiration: 2041-04-08
Also published as: CN113096589A

Abstract

本发明公开一种像素电路、像素电路的驱动方法及显示装置，涉及显示技术领域，用于保证显示的最低显示亮度以及保证在发光过程中实现更加稳定的灰阶显示。像素电路包括：驱动电路、比较电路、第一数据输入电路、第二数据输入电路、发光器件、第一节点、第二节点以及第三节点。第一数据输入电路一端与模拟电压调制端电连接，另一端通过第一节点与驱动电路的控制端电连接。第二数据输入电路一端与脉宽调制端电连接，另一端通过第二节点与比较电路的控制端电连接。比较电路的输出端通过第三节点与驱动电路的输入端电连接，驱动电路的输出端与发光器件电连接。

Description

一种像素电路、像素电路的驱动方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路、像素电路的驱动方法及显示装置。

背景技术

目前，由于微发光二极体面板具有比有源矩阵有机发光二极体面板更小的器件尺寸，更快的反应速度，更高的发光效率，更强的稳定性以及更长的使用寿命等优势，基于微发光二极体的显示应用领域得到了迅速发展。

在现有的微发光二极体面板的像素电路中，大多采用传统的2T1C像素电路配合微型硅基CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)驱动实现高灰阶显示，且目前像素电路的驱动方式大多采用数字脉宽调制+模拟电压调制驱动方式。

但通过数字脉宽调制+模拟电压调制驱动方式设计的高灰阶微发光二极体发光电路存在着以下两个问题：(1)在比较发光阶段，比较结果需要多经过一个晶体管的传递才能关闭电流，导致最小发光时间太长，使得屏幕显示的最低灰阶不够低，影响了屏幕最低显示亮度。(2)在发光的过程中，控制发光强度的脉宽调制信号与控制发光强度的模拟电压调制信号均作用于驱动管的栅极，这样会造成其他支路的漏电引起发光电流不断减小，使得在发光过程中屏幕亮度不断降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种像素电路、像素电路的驱动方法及显示装置，用于保证显示的最低显示亮度以及保证在发光过程中实现更加稳定的灰阶显示。

第一方面，本发明提供一种像素电路，应用于显示装置中，像素电路包括：驱动电路、比较电路、第一数据输入电路、第二数据输入电路、发光器件、第一节点、第二节点以及第三节点。第一数据输入电路一端与模拟电压调制端电连接，另一端通过第一节点与驱动电路的控制端电连接。第二数据输入电路一端与脉宽调制端电连接，另一端通过第二节点与比较电路的控制端电连接。比较电路的输出端通过第三节点与驱动电路的输入端电连接，驱动电路的输出端与发光器件电连接。

与现有技术相比，本发明包括第一数据输入电路和第二数据输入电路，该第一数据输入电路的一端与模拟电压调制端电连接，另一端通过第一节点与驱动电路的控制端电连接。第二数据输入电路一端与脉宽调制端电连接，另一端通过第二节点与比较电路电连接，而比较电路的输出端通过第三节点与驱动电路的输入端电连接。以上可以得到，模拟电压调制端通过第一输入电路作用于驱动电路的控制端，脉宽调制端通过第二输入电路和比较电路作用于驱动电路的输入端。因此，本发明中控制发光器件发光强度的模拟电压调制信号与控制发光器件发光时长的脉宽调制信号分别作用于驱动电路的不同位置，实现了发光器件在发光阶段，比较电路的泄漏电流不会对模拟电压调制信号的驱动点产生影响，进而保持了通过发光器件电流的稳定性，有利于实现更加稳定的灰阶显示。再者，在本发明中，脉宽调制端通过第二输入电路与比较电路电连接，在第二数据输入阶段，比较电路向第二节点提供第二数据电压，比较电路导通，第三节点被置为高电平，从而关断驱动电路，进而关闭发光器件。与现有技术相比，本发明不再需要多增加一个晶体管传递才能关闭发光器件，因此，本发明减少了发光器件的最低发光时间，有利于实现更低的最低显示亮度。

基于以上分析，与现有技术相比，本发明的像素电路解决了发光器件在发光过程中发光电流不断降低，以及最小发光时间过大的问题，进一步提高了微发光二极体显示电路的性能，实现了高灰阶显示。

第二方面，本发明还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的像素电路。

与现有技术相比，本发明提供的显示装置的有益效果与上述第一方面所述的像素电路的有益效果相同，此处不做赘述。

第三方面，本发明还提供了一种像素电路的驱动方法，应用第一方面所述的像素电路。该像素电路的驱动方法包括：

在第一数据输入阶段，利用所述第一数据输入电路将所述第一节点的电压置为第一数据电压；

在第二数据输入阶段，利用所述第二数据输入电路将所述第二节点的电压拉高第二数据电压，所述第二节点的电压为高电平；

在比较发光阶段，控制所述第二节点保持高电平，所述比较电路关断，所述驱动电路导通，所述驱动发光器件发光，所述第一节点的电压保持为所述第一数据电压，所述发光器件的驱动电流保持不变；随着所述第二节点的电压逐渐减小，所述比较电路导通，所述第三节点被拉高为高电平，所述驱动电路关断，所述发光器件停止发光。

与现有技术相比，本发明提供的像素电路的驱动方法的有益效果与上述第一方面所述的像素电路的有益效果相同，此处不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中像素电路的结构示意图；

图2(a)为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图；

图2(b)为本发明实施例提供的像素电路的其时序图；

图3-图7为本发明实施例提供的像素电路在各个阶段的结构示意图；

图8(a)为本发明实施例提供的另一种像素电路的结构示意图；

图8(b)为本发明实施例提供的另一种像素电路的时序图。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

近年来，由于μLED(微发光二极体面板)具有比AMOLED(有源矩阵有机发光二极体面板)更小的器件尺寸，更快的反应速度，更高的发光效率，更强的稳定性以及更长的使用寿命等优势，基于μLED的显示应用领域得到了迅速发展，吸引着越来越多的目光。在这一领域中，以低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)为代表的氧化物薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)材料由于其高迁移率、高稳定性等优势已经成为有源显示的重要材料。

在基于p型LTPS TFT的有源μLED显示电路中，现有技术大多采用传统2T1C像素电路配合微型硅基CMOS驱动实现高灰阶显示。除此以外，数字脉宽调制(PWM)+模拟电压调制(PAM)驱动方式也得到了广泛关注。PWM驱动即通过控制μLED发光的时间来控制人眼感应到的亮度。相同驱动电流相同刷新频率的条件下，μLED发光时间占总刷新时间的比例越大，人眼感应到的亮度就越高。PAM控制通过μLED电流的大小，PAM越大，通过μLED的电流越大，发光强度越大，通过这种方法，可以实现对灰阶亮度的精确控制。

图1示例出了现有技术中像素电路的结构示意图。参照图1，现有技术中的像素电路的基本工作过程可以简述为：(1)通过Ref信号以及TFT333实现初始化；(2)通过TFT332，TFT331实现比较管的阈值电压补偿，并将PAM信号输入给驱动TFT325并且保存在电容312上；(3)PWM信号通过电容334耦合到比较TFT332的栅极。(4)SWEEP信号通过电容335,334耦合进入比较TFT332的栅极，当达到PWMD-ΔSWEEP<0时，比较TFT332开启，并且通过TFT350晶体管置位TFT325的栅极为高电压，从而关闭驱动TFT325，进而关闭LED200的发光，实现发光时间的控制，达到不同灰阶的显示效果。该方案由于对GOA电路的扫描速度要求不高，可以通过TFT技术实现大面积，低成本，柔性显示，是未来技术发展的主流。

在实现过程中，申请人发现上述现有技术存在如下技术缺陷：

基于微型硅基CMOS驱动的有源μLED显示技术成本较高，沿用模拟电压驱动的方式意味着IC需要极快速准确的电路结构去满足极高的电压分辨率，电路复杂度高。同时，采用CMOS驱动对面板的柔性、透明度、厚度都产生了不利影响。通过PAM+PWM设计的高灰阶μLED发光电路存在着以下两个问题(1)在比较发光阶段，TFT331开启时，需要首先拉高TFT331漏极，然后通过TFT350将TFT325的栅极拉高，从而关闭发光电流，导致比较结果需要多经过一个TFT350的传递才能关闭电流，导致最小发光时间太长，使得屏幕显示的最低灰阶不够低，影响了屏幕最低显示亮度(2)在发光的过程中，控制发光强度的PAM与控制发光强度的PWM都作用于TFT325的栅极，导致TFT331，350支路以及TFT310支路的漏电引起发光电流不断减小，使得在发光过程中屏幕亮度不断降低。

为了解决以上问题，图2示出了本发明实施例提供的一种像素电路，在像素内部将模拟电压转换为数字脉宽，IC兼容传统模拟电压驱动电路设计，复杂度较低，大大降低了成本。扫描信号可通过GOA电路实现，在每帧时间内仅需开启一次，将时间尽可能多得用于发光控制。

参照图2(a)，上述像素电路包括第一数据输入电路100、第二数据输入电路200、比较电路300、驱动电路400、发光器件μLED、第一节点C、第二节点A以及第三节点B。第一数据输入电路100一端与模拟电压调制端PAMD电连接，另一端通过第一节点C与驱动电路400的控制端电连接。第二数据输入电路200一端与脉宽调制端PWMD电连接，另一端通过第二节点A与比较电路300的控制端电连接。比较电路300的输出端通过第三节点B与驱动电路400的输入端电连接，驱动电路400的输出端与发光器件电连接μLED。

本发明实施例公开的像素电路的发光过程为：在第一数据输入阶段，第一数据输入电路用于将第一节点的电压置为第一数据电压；在第二数据输入阶段，第二数据输入电路用于将第二节点的电压拉高第二数据电压。此时，第二节点的电压为高电平。在比较发光阶段，第二节点保持高电平，比较电路关断，第三节点被置为低电平，驱动电路导通，驱动发光器件发光，第一节点的电压保持为第一数据电压，发光器件的驱动电流保持不变。随着第二节点的电压逐渐减小，比较电路导通，第三节点被拉高为高电平，驱动电路关断，发光器件停止发光。

本发明实施例提供的像素包括第一数据输入电路和第二数据输入电路，该第一数据输入电路的一端与模拟电压调制端电连接，另一端通过第一节点与驱动电路的控制端电连接。第二数据输入电路一端与脉宽调制端电连接，另一端通过第二节点与比较电路电连接，而比较电路的输出端通过第三节点与驱动电路的输入端电连接。以上可以得到，模拟电压调制端通过第一输入电路作用于驱动电路的控制端，脉宽调制端通过第二输入电路和比较电路作用于驱动电路的输入端。因此，本发明实施例中控制发光器件发光强度的模拟电压调制信号与控制发光器件发光时长的脉宽调制信号分别作用于驱动电路的不同位置，实现了发光器件在发光阶段，比较电路的泄漏电流不会对模拟电压调制信号的驱动点产生影响，进而保持了通过发光器件电流的稳定性，有利于实现更加稳定的灰阶显示。再者，在本发明实施例中，脉宽调制端通过第二输入电路与比较电路电连接，在第二数据输入阶段，比较电路向第二节点提供第二数据电压，比较电路导通，第三节点被置为高电平，从而关断驱动电路。与现有技术相比，本发明实施例不再需要多增加一个晶体管传递才能关闭发光器件，因此，本发明减少了发光器件的最低发光时间，有利于实现更低的最低显示亮度。

基于此，本发明实施例提供的像素电路解决了发光器件在发光过程中发光电流不断降低，以及最小发光时间过大的问题，进一步提高了微发光二极体显示电路的性能，实现了高灰阶显示。

参照图2(a)，本发明实施例提供的像素电路还包括第一晶体管T1、第一电容C1和第二电容C2；所述第一晶体管T1的输入端与公共电源端GND电连接，控制端与第一控制信号端SN电连接，输出端通过第一电容C1与第二节点A电连接。第二电容C2的一端第一全局信号端SWEEP电连接，另一端通过第一电容C1与第二节点A电连接。

参照图2(a)，上述第二数据输入电路200包括第二晶体管T2，第二晶体管T2的控制端与第三控制信号端SN+1电连接，输入端与脉宽调制端PWMD电连接，输出端通过第一电容C1与所述第二节点A电连接。

参照图2(a)，进一步的，上述像素电路还包括初始化电路，初始化电路包括第三晶体管T3，第三晶体管T3的输入端与参考电压端REF电连接，输出端与所第二节点A电连接，控制端与第二控制信号端RESET电连接。且上述比较电路300的输入端与电源电压端VDD电连接。

参照图2(a)，在初始化阶段，第二控制信号端RESET用于向所述第三晶体管T3提供低电平，第三晶体管T3导通，第二节点A的电压被置为参考电压，比较电路300导通，第三节点B被拉高至电源电压，驱动电路400关断。

参照图2(a)，在一种可选的实施方式中，上述比较电路300包括第五晶体管T5，像素电路还包括第四晶体管T4，第四晶体管T4的控制端与第二控制端SN电连接，输入端与第二节点A电连接，输出端通过第三节点B与第五晶体管T5的输出端电连接，第五晶体管T5的控制端与第二节点A电连接，输入端与电源电压端VDD电连接。

参照图2(a)，可选的，上述像素电路还包括第六晶体管T6和第三电容C3。第六晶体管T6的控制端与第五控制信号端NM电连接，输入端与第三节点B电连接，输出端与低电压端VGL电连接，第三电容C3一端与第三节点B电连接，另一端与低电压端VGL电连接。

参照图2(a)，进一步的，上述驱动电路包括依次连接的第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9以及第四电容C4。第七晶体管T7的控制端与第三节点B电连接，输入端与公共电源端GND电连接。第八晶体管T8的控制端与第四控制信号端EM电连接。第九晶体管的控制端通过所述第一节点C与所述第一数据输入电路100电连接，输出端与发光器件μLED电连接。第四电容C4的一端与公共电源端GND电连接，另一端与第一节点C电连接。

参照图2(a)，更进一步的，上述第一数据输入电路包括第十晶体管T10，第十晶体管T10的控制端与第一控制信号端SN电连接，输入端与第一节点C电连接，输出端与模拟电压调制端PAMD电连接。

本发明实施例提供的像素电路由四个电容(C1，C2，C3，C4)和十个TFT组成，其中T9为驱动TFT，控制μLED的发光亮度，T5为信号比较TFT，通过PWMD+SWEEP的电压与T5阈值电压的比较控制发光时间，以实现显示时不同的灰阶数。控制信号为RESET、SN、EM、NM和SWEEP，其中EM、NM和SWEEP信号为全局信号，RESET和SN为可复用信号，即当前级SN信号可充当下一级RESET信号。SN+1处于高电平关闭T2。控制信号高电平为VGH，低电平为VGL。另外需要电源VDD(VGH>VDD>REF)，参考电压REF(VGL<REF<GND<＝PWMD)，数据信号PAMD和PWMD。工作方式可以分为6个阶段：

参照图2(b)，第(1)阶段：初始化阶段，参照图3，初始化阶段，RESET处于低电平打开T3；SN处于高电平关闭T1，T4和T10；EM处于高电平关闭T8，防止μLED闪烁；NM处于高电平关闭T6；SWEEP信号保持GND电平不变，电路状态如图5。第二节点A电压(V_A)置位到REF，第三节点B电压(V_B)被T5拉高至VDD，关闭T7；第一节点保持上一帧的电压值不变。

第(2)阶段：PAMD数据输入,T5阈值电压补偿阶段。参照图4，在此阶段，RESET变为高电平关闭T3；SN变为低电平打开T1，T4和T10，第四节点D的电压(V_D)置位到GND，T4和T5组成了二极管连接方式，V_A充电至T5关闭，最终V_A和第三节点B电压(V_B)稳定在VDD-|Vth5|(Vth5为T5管的阈值电压)，T7保持关闭；T10开启，第一节点电压(V_C)被置为PAMD。EM维持高电平关闭T8，防止μLED闪烁；NM保持高电平，T6关闭；SWEEP信号保持GND不变。本阶段补偿过程可保证在发光阶段，T5阈值电压的漂移不会影响T5的开关状态，从而保证灰阶的稳定性。

第(3)阶段，PWMD信号输入阶段.参照图5，在此阶段，RESET处于高电平关闭T3；SN处于高电平关闭T1，T4和T10；SN+1处于低电平，第四节点D被置位到PWMD，通过C1电容的耦合作用，第二节点A被置位为VDD-|Vth5|+PWMD。

EM处于高电平关闭T8，防止μLED闪烁；NM处于高电平关闭T6；SWEEP信号保持GND电平不变。第三节点B和第一节点C点保持上一阶段电压值不变。

第(4)阶段，其余晶体管置位阶段。在这个阶段中，剩余行的晶体管按照第一阶段至第三阶段的顺序依次完成信号置位，等待NM信号以及EM信号的全局控制发光。

第(5)阶段，NM信号控制阶段。参照图6，RESET处于高电平关闭T3；SN处于高电平关闭T1，T4和T10；SN+1处于高电平，关闭T2。EM处于高电平关闭T8，防止μLED闪烁；NM处于低电平打开T6，B点被置位为VB＝VGL电压，T7晶体管被打开；SWEEP信号保持GND电平不变。第二节点A、第一节点C以及第四节点D点保持第四阶段电压值不变。

第(6)阶段，比较发光阶段。参照图7，RESET为高电平关闭T3；SN处于高电平关闭T1，T4，T3和T10；EM变为低电平打开T8。由于存储电容C4的作用，V_C一直保持PAMD，PAMD的大小控制T10的驱动电流，即控制μLED的亮度。根据晶体管饱和电流公式

可得到此阶段I_OLED为电流大小为

其中，μ,C_ox,和

分别表示T10的迁移率、单位面积栅介质电容和沟道宽长比。SWEEP信号开始由高至低线性变化，通过C1，C2电容耦合效应，V_A逐渐线性减小(V_A＝VDD+PWMD-|Vth5|-ΔSWEEP)。在比较发光阶段刚开始时V_A大于VGH，T5关闭，V_B保持低电平，T7保持打开，μLED电流保持上述大小。随着SWEEP信号进一步变大，V_A逐渐小于VDD-|Vth5|，即PWMD+ΔSWEEP<0，T5打开，B拉高到VDD，从而关闭T7，μLED停止发光。上述比较节点与T6阈值电压无关，仅与PWMD大小和SWEEP斜率相关。

通过上述像素电路工作过程可知，通过控制PWMD模拟电压值的大小可以控制T5开启的时间，从而控制T7的关闭时间，最终实现对μLED的发光时间的控制，实现PWM控制发光亮度的目的。例如，PWMD越小，T5关闭时间越短，B点保持低电平时间越短，T7开启时间越短，发光时间越短，本发明实施例通过将控制μLED电流大小的C(PAM驱动)点与控制μLED电路开关的B点(PWM驱动)分离，实现了在发光阶段，比较晶体管(T5)的泄漏电流不会对C点产生影响，进而保持了通过μLED电流的稳定性，有利于实现更加稳定的灰阶显示。通过全局信号NM的使用，避免了传输门晶体管对最小发光时间的限制，实现了更小的最小发光时间，有利于在屏幕显示时实现最小的屏幕发光亮度。

此外，上述对各元件和方法的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方法，本领域普通技术人员可对其进行简单地更改或替换，例如：SWEEP信号通过电容耦合进入T5的栅极实现电压的比较，除此之外，SWEEP信号也可以通过T5的源极输入，可以达到相同的效果并且可以节省一个电容C2的面积，其电路以及时序如图8(a)和图8(b)所示。其工作流程为(1)RESET阶段，RESET信号拉低，A点被置位为V_A＝REF。(2)补偿阶段，SN信号拉低，PWMD信号通过T2,T5,T4输入到A点，A点电压开启，V_A＝PWMD-|Vth5|,PAMD通过T10晶体管输入到C点，V_C＝PAMD。(3)NM信号拉低，B点通过T6被置位为V_B＝VGL；(4)EM信号拉低，电流通过T7，T8，T9晶体管最终输入μLED发光，SWEEP信号通过T1输入到T5源极，当SWEEP增大到PWMD-ΔSWEEP<0时，T5晶体管打开，B点被拉高，T7晶体管关闭，μLED停止发光，从而实现灰阶控制。

又例如：上述第四电容C4的一端与第一节点相连，另一端可与GND相连，也可与其他任意直流电源相连。

又例如：AMD与PWMD可按照上述工作过程通过两条数据信号线(PAMD,PWMD)同时输入，也可用一条数据信号线(DATA)先后输入。

又例如：上述T8晶体管可以去掉，μLED阴极相应的改为EM控制即可。

又例如：控制初始化的RESET信号也可以作为全局信号，控制所有像素同时进行初始化后再逐行进行数据输入补偿。

指的注意的是，本发明实施例中提供的像素电路同样适用于其他P型TFT器件。

因此，本发明实施例提供的像素电路还具有以下效果：

(1)T4，T5的连接方式构成了二极管连接结构，在Vth补偿阶段固定T5源极电压，通过T5，T4对栅极进行充电，可以检测到T5的阈值电压，保证比较发光阶段与T5阈值电压无关。避免了正偏压对T6阈值电压造成的影响(PBS)使比较结果出现漂移。

(2)本发明通过将控制μLED电流大小的C(PAM驱动)点与控制μLED电路开关的B点(PWM驱动)分离，实现了在发光阶段，比较晶体管(T5)的泄漏电流不会对C点产生影响，进而保持了通过μLED电流的稳定性，有利于实现更加稳定的灰阶显示。

(3)本发明通过全局信号NM的使用，避免了传输门晶体管对最小发光时间的限制，实现了更小的最小发光时间，有利于在屏幕显示时实现最小的屏幕发光亮度。

(4)通过本发明的电路结构和工作模式，可以实现传统模拟电压驱动与PWM驱动模式的结合，满足高灰阶的调控。对于60Hz 2k分辨率的显示应用，本发明可调制的发光时间可达到整个刷新时间的84％以上，可实现12bit灰阶。

本发明实施例还提供了一种显示装置，可以包括上述像素电路。

与现有技术相比，本发明实施例提供的显示装置的有益效果与上述像素电路的有益效果相同，此处不做赘述。

本发明实施例还提供了一种像素电路的驱动方法，应用上述像素电路。该像素电路的驱动方法包括：

在第一数据输入阶段，利用第一数据输入电路将所述第一节点的电压置为第一数据电压；

在第二数据输入阶段，利用第二数据输入电路将所述第二节点的电压拉高第二数据电压，此时，所述第二节点的电压为高电平；

在比较发光阶段，控制所述第二节点保持高电平，所述比较电路关断，所述第三节点被置为低电平，所述驱动电路导通，所述驱动发光器件发光，所述第一节点的电压保持为所述第一数据电压，所述发光器件的驱动电流保持不变；随着所述第二节点的电压逐渐减小，所述比较电路导通，所述第三节点被拉高为高电平，所述驱动电路关断，所述发光器件停止发光。

与现有技术相比，本发明实施例提供的像素电路的驱动方法的有益效果与上述像素电路的有益效果相同，此处不做赘述。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种像素电路，其特征在于，应用于显示装置中，所述像素电路包括：第一数据输入电路、第二数据输入电路、比较电路、驱动电路、发光器件、第一节点、第二节点以及第三节点；

所述第一数据输入电路一端与模拟电压调制端电连接，另一端通过所述第一节点与所述驱动电路的控制端电连接；所述第二数据输入电路一端与脉宽调制端电连接，另一端通过所述第二节点与所述比较电路的控制端电连接；所述比较电路的输出端通过所述第三节点与所述驱动电路的输入端电连接，所述驱动电路的输出端与所述发光器件电连接；

其中，所述驱动电路包括依次连接的第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管以及第四电容，所述第七晶体管的控制端与所述第三节点电连接，输入端与公共电源端电连接，所述第八晶体管的控制端与第四控制信号端电连接，所述第九晶体管的控制端通过所述第一节点与所述第一数据输入电路电连接，输出端与所述发光器件电连接；所述第四电容的一端与所述公共电源端电连接，另一端与所述第一节点电连接。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括第一晶体管、第一电容和第二电容；

所述第一晶体管的输入端与公共电源端电连接，控制端与第一控制信号端电连接，输出端通过所述第一电容与第二节点电连接；

所述第二电容的一端第一全局信号端电连接，另一端通过所述第一电容与所述第二节点电连接；

所述第二数据输入电路包括第二晶体管，所述第二晶体管的控制端与第三控制信号端电连接，输入端与所述脉宽调制端电连接，输出端通过所述第一电容与所述第二节点电连接。

3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括第一晶体管以及第一电容；所述第一晶体管的输入端与第一全局信号端电连接，输出端与所述比较电路的输入端电连接，控制端与第四控制信号端电连接；所述第一电容的一端与公共电源端电连接，另一端与第二节点电连接；

所述第二数据输入电路包括第二晶体管，所述第二晶体管的控制端与第一控制信号端电连接，输入端与所述脉宽调制端电连接，输出端通过所述比较电路的输入端电连接。

4.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括初始化电路，所述初始化电路包括第三晶体管，所述第三晶体管的输入端与参考电压端电连接，输出端与所述第二节点电连接，控制端与第二控制信号端电连接；

所述比较电路的输入端与电源电压端电连接；

在初始化阶段，所述第二控制信号端用于向所述第三晶体管提供低电平，所述第三晶体管导通，所述第二节点的电压被置为参考电压，所述比较电路导通，所述第三节点被拉高至电源电压，所述驱动电路关断。

5.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述比较电路包括第五晶体管，所述像素电路还包括第四晶体管，所述第四晶体管的控制端与第一控制信号端电连接，输入端与所述第二节点电连接，输出端通过所述第三节点与所述第五晶体管的输出端电连接，所述第五晶体管的控制端与所述第二节点电连接，输入端与电源电压端电连接。

6.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括第六晶体管和第三电容，所述第六晶体管的控制端与第五控制信号端电连接，输入端与所述第三节点电连接，输出端与低电压端电连接，所述第三电容一端与所述第三节点电连接，另一端与所述低电压端电连接。

7.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一数据输入电路包括第十晶体管，所述第十晶体管的控制端与第一控制信号端电连接，输入端与所述第一节点电连接，输出端与所述模拟电压调制端电连接。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的像素电路。

9.一种像素电路的驱动方法，应用于权利要求1-7任一项所述的像素电路中，其特征在于，所述像素电路的驱动方法包括：

在比较发光阶段，控制所述第二节点保持高电平，所述比较电路关断，所述驱动电路导通，驱动所述发光器件发光，所述第一节点的电压保持为所述第一数据电压，所述发光器件的驱动电流保持不变；随着所述第二节点的电压逐渐减小，所述比较电路导通，所述第三节点被拉高为高电平，所述驱动电路关断，所述发光器件停止发光。