JP3873003B2

JP3873003B2 - 液晶表示装置及びｔｆｔ基板

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Publication number: JP3873003B2
Application number: JP2002121634A
Authority: JP
Inventors: 充後藤; 祐一沼田; 正人澤畑; 明小倉
Original assignee: 株式会社日立ディスプレイズ
Priority date: 2002-04-24
Filing date: 2002-04-24
Publication date: 2007-01-24
Anticipated expiration: 2022-04-24
Also published as: JP2003316328A; US20080252577A1; US7307612B2; US20030201991A1; US7999803B2

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、携帯型表示装置に用いられる液晶表示装置の駆動回路に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）方式、あるいはＴＦＴ（Thin Film Transistor）方式の液晶表示装置は、ノート型パソコン等の表示装置として広く使用されている。これらの液晶表示装置は、液晶表示パネルと、液晶表示パネルを駆動する駆動回路を備えている。
【０００３】
このような液晶表示装置において、携帯電話機等の携帯用端末装置の表示装置として利用されるものが増加している。液晶表示装置を携帯用端末装置の表示装置として用いる場合には、従来の液晶表示装置に比べて、さらに小型、高精細、のものが望まれる。
【０００４】
小型化、高精細化が可能な液晶表示装置では、スイッチング素子としてポリシリコンＴＦＴを用い、画素電極を形成する基板と同一の基板上に、駆動回路を形成する液晶表示装置（以下駆動回路一体型液晶表示装置と呼ぶ）が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
携帯電話機等の携帯用端末装置の表示装置は、画像付きメール等の普及に伴い、高画質、高精細化等、画像表示機能のさらなる向上が望まれている。また、携帯端末であることから低消費電力化が求められており、さらには、コスト競争力の強化も重要な課題である。
【０００６】
携帯端末装置の小型化に伴う問題点として、液晶表示装置の駆動回路を実装するスペースが減少することがあげられる。さらに、実装方法に関して、携帯端末装置では、装置の中心線と表示画面の中心とが重なる配置方法である所謂画面センター化の要望があり、駆動回路を実装する位置が制限され、配置に考慮が必要である。さらには、従来の液晶表示装置では、表示画面の隣合う２辺に駆動回路が設けられていたが、１辺にのみ駆動回路を実装する所謂３辺フリー化の要望もある。また、実装面積の縮小及び、低コスト化のために、実装部品の削減の必要もある。
【０００７】
また、小型の表示装置に高精細化を求めると、１画素あたりのピッチが小さく、画素の開口率が減少する問題がある。さらには、画面サイズの増大に伴い画素数が増加すると、駆動速度に対して駆動回路の性能が追従できなくなる問題や、回路規模が増大し信号及び電源用の配線の引き回しが長くなり、信号波形の歪みや、ノイズの影響が無視できなくなるという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、小型の液晶表示装置において、最適な駆動回路を実現する技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
液晶表示装置が有する第１の基板には保持容量素子が設けられており、前記保持容量素子はＭＯＳにより形成されており、前記ＭＯＳのソース領域とドレイン領域とは画素電極に電気的に接続しており、前記ＭＯＳのゲート電極には走査信号の高電位側よりも高い電圧で変動する電圧が供給されている。また、液晶表示装置には駆動回路が設けられており、前記駆動回路は、走査信号の高電位側の電圧と、前記走査信号の低電位側の電圧と、前記走査信号の高電位側の電圧よりも高い電圧とを生成する昇圧回路を有しており、前記昇圧回路には、時分割で駆動される第１の昇圧容量と第２の昇圧容量と第３の昇圧容量とが接続されている。また、液晶表示装置には駆動回路が設けられており、前記駆動回路には、走査信号の高電位側の電圧と、前記走査信号の低電位側の電圧と、前記走査信号の高電位側の電圧よりも高い電圧とを生成する昇圧回路を有しており、液晶表示装置の電源オフ時に、前記高い電圧を、定電流素子を用いることで、徐々にＧＮＤ電位に近づける。
【００１２】
ＴＦＴ基板が有する基板には保持容量素子が設けられており、前記保持容量素子はＭＯＳにより形成されており、前記ＭＯＳのソース領域とドレイン領域とは画素電極に電気的に接続しており、前記ＭＯＳのゲート電極には走査信号の高電位側よりも高い電圧で変動する電圧が供給されている。また、ＴＦＴ基板が有する基板には駆動回路が電気的に接続されており、前記駆動回路は、走査信号の高電位側の電圧と、前記走査信号の低電位側の電圧と、前記走査信号の高電位側の電圧よりも高い電圧とを生成する昇圧回路を有しており、前記昇圧回路には、時分割で駆動される第１の昇圧容量と第２の昇圧容量と第３の昇圧容量とが接続されている。また、ＴＦＴ基板が有する基板には駆動回路が電気的に接続されており、前記駆動回路は、走査信号の高電位側の電圧と、前記走査信号の低電位側の電圧と、前記走査信号の高電位側の電圧よりも高い電圧とを生成する昇圧回路を有しており、電源オフ時に、前記高い電圧を、定電流素子を用いることで、徐々にＧＮＤ電位に近づける。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の実施の形態の液晶表示装置の基本構成を示すブロック図である。同図に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００は、液晶表示パネル１と、コントローラ３と、電源回路４と、駆動回路５０とから構成される。
【００１５】
液晶表示パネル１は、画素電極１２、薄膜トランジスタ１０、保持容量素子１３等が形成されるＴＦＴ基板２と、カラーフィルタ等が形成されるフィルタ基板（図示せず）とを、所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周縁部近傍に枠状に設けたシール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶を封入、封止し、さらに、両基板の外側に偏光板を貼り付けて構成される。なお、本実施の形態は対向電極１５がＴＦＴ基板２に設けられる所謂横電界方式の液晶表示パネルにも、対向電極１５がフィルタ基板に設けられる所謂縦電界方式の液晶表示パネルにも同様に適用される。
【００１６】
各画素は、画素電極１２と薄膜トランジスタ１０から成り、複数の走査信号線（またはゲート信号線）ＧＬと映像信号線（またはドレイン信号線）ＤＬとの交差する部分に対応して設けられる。
【００１７】
各画素の薄膜トランジスタ１０は、ソースが画素電極１２に接続され、ドレインが映像信号線ＤＬに接続され、ゲートが走査信号線ＧＬに接続される。この薄膜トランジスタ１０は、画素電極１２に表示電圧（階調電圧）を供給するためのスイッチとして機能する。また、画素電極１２には保持容量素子１３が接続されている。保持容量素子１３は画素電極に書き込まれた電圧を保持するための素子である。
【００１８】
なお、ソース、ドレインの呼び方は、バイアスの関係で逆になることもあるが、ここでは、映像信号線ＤＬに接続される方をドレインと称する。
【００１９】
コントローラ３と、電源回路４、駆動回路５０とは、液晶表示パネル１のＴＦＴ基板２を構成する透明性の絶縁基板（ガラス基板、樹脂基板等）に、それぞれ電気的に接続される。コントローラ３から送出されたディジタル信号（表示データ、クロック信号等）、および電源回路４から供給される電源電圧は、駆動回路５０に入力される。
【００２０】
コントローラ３は、半導体集積回路（ＬＳＩ）から構成され、外部から送信されてくるクロック信号、ディスプレイタイミング信号、水平同期信号、垂直同期信号の各表示制御信号および表示用デ−タ（Ｒ・Ｇ・Ｂ）を基に、駆動回路５０を制御・駆動する。
【００２１】
駆動回路５０は、ＴＦＴ基板２とは別の基板に形成された半導体集積回路（ＬＳＩ）又は、ＴＦＴ基板２と同じ基板に形成された半導体回路から構成され、走査信号線ＧＬの駆動と、映像信号線ＤＬの駆動と、保持容量素子１３に保持容量信号線１４を介して、信号を供給している。
【００２２】
駆動回路５０は、コントローラ３から送出されるフレーム開始指示信号（ＦＬＭ、以下スタート信号とも呼ぶ）およびシフトクロック（ＣＬ１）に基づき、１水平走査時間（以下１Ｈとも呼ぶ）毎に、順次液晶表示パネル１の各走査信号線ＧＬにＨｉｇｈレベルの選択走査電圧（走査信号）を供給する。これにより、液晶表示パネル１の各走査信号線ＧＬに接続された複数の薄膜トランジスタ１０が、１水平走査時間１Ｈの間導通する。
【００２３】
また、駆動回路５０は画素が表示すべき階調に対応する階調電圧を映像信号線ＤＬに出力する。薄膜トランジスタ１０がオン状態になると、映像信号線ＤＬがから階調電圧（映像信号）が画素電極１２に供給される。その後、薄膜トランジスタ１０がオフ状態となることで画素が表示すべき映像に基づく階調電圧が画素電極１２に保持される。
【００２４】
保持容量素子１３は画素電極１２に接続された電極と、保持容量信号線１４に接続した電極との間で容量を形成しており、該容量により画素電極１２に入力した階調電圧を保持する。従来、保持容量信号線１４で供給される信号には、対向電極１５に供給される共通電圧（ＶＣＯＭ）と同等な電圧が供給されるが、本実施の形態では、保持容量信号線１４で供給される信号は、画素電極に供給される階調電圧よりも高い電圧が供給される。
【００２５】
図２は、図１に示す駆動回路を２つに分けた実施例を示す。図２では、駆動回路はＴＦＴ基板２に形成された第１駆動回路５と、ＴＦＴ基板２とは別基板に形成され、液晶表示パネル１に接続された第２駆動回路６とで構成される。第１駆動回路５は走査信号線ＧＬに走査信号を出力する第１駆動回路５Ａ、５Ｂとが、ＴＦＴ基板２の図中左右に分離して設けられている。また、第２駆動回路は映像信号線ＤＬに階調電圧を供給する回路であり、図中下方に設けられている。
【００２６】
なお、第１の駆動回路はＴＦＴ基板２と同様の工程で形成される回路であり、第２駆動回路６はシリコン基板等に形成された集積回路で、ＴＦＴ基板２とは別工程で形成され、液晶表示パネル１完成後に異方性導電膜等により接続される回路である。
【００２７】
なお、図２では走査信号線ＧＬに走査信号を出力する第１駆動回路５Ａ、５Ｂとを、分離してＴＦＴ基板２の図中左右に設けたが、走査信号線ＧＬに走査信号を出力する第１駆動回路を一つにして、ＴＦＴ基板２の左右どちらか片側に設けることも可能である。また、ＴＦＴ基板２の図中下側に設けてもよい。
【００２８】
図２に示す構成では、走査信号線ＧＬを駆動する駆動回路は走査信号線ＧＬの延長線上（図中では液晶表示パネル１の左右）に設けられている。しかしながら、携帯電話機等の携帯電子機器では、表示画面部分の横幅が狭いことと、利用者に好まれる機器デザインの理由より、機器の中心線上に表示画面の中心が位置する所謂画面センター化の要望がある。よって、表示画面の両横側には第２駆動回路５Ａ、５Ｂを配置する充分な領域が無いことから、第２駆動回路５Ａ、５Ｂは液晶表示パネル１に設けたスイッチング素子等と同様の半導体製造工程により形成する方法が用いられる。
【００２９】
すなわち、液晶表示パネル１を形成する際に、駆動回路も作り込んでおけば、比較的狭い領域に駆動回路を形成することが可能で、さらには外部接続端子等の構成を省略することができる。なお、絶縁基板上に駆動回路を形成可能な半導体層としてはポリシリコン半導体層等の結晶構造が単結晶に近い半導体層が利用可能である。
【００３０】
図２では、保持容量素子１３としてスイッチング素子１０と同様の構成を用いている（ＭＯＳキャップ容量）。すなわち、画素に設けられたスイッチング素子１０では、ゲート電極が半導体層及び、絶縁膜を介して、ソース・ドレイン領域と重なっており容量（ゲート寄生容量）を形成する。保持容量素子１３もスイッチング素子１０と同様の構成をしており、ゲート電極は半導体層及び、絶縁膜を介して、ソース・ドレイン領域と重なっており容量素子を形成する。図２に示すように、保持容量素子１３を構成する１方の電極（以下ＳＤ側対向電極とも呼ぶ）は、ドレイン領域とソース領域とが短絡され、画素電極に電気的に接続している。また、保持容量素子１３を構成する他方の電極（Ｇ側対向電極）はゲート電極で形成されている。
【００３１】
本実施の形態では、スイッチング素子１０はｎ型トランジスタであり、保持容量素子１３のゲート電極には、画素電極に印加された電圧よりも高い電圧が印加される。保持容量素子１３のゲート電極に保持容量信号線１４を介して高電圧が印加されると、保持容量素子１３を構成する半導体層（チャネル部）の電気抵抗が低下し、半導体層も容量素子の電極として機能する。特に、ゲート電極と半導体層との間の絶縁膜（例えばゲート酸化膜）は、膜厚が薄いため保持容量素子１３の各電極の面積が、従来に比較して小さくても充分な容量を得ることができる。
【００３２】
従来、保持容量信号線１４で供給される信号には、対向電極１５に供給される共通電圧と同等な電圧が供給されたが、本実施の形態では、画素電圧に供給される階調電圧よりも高い電圧が供給され、さらには、走査信号よりも高い電圧が供給される。スイッチング素子１０がｎ型トランジスタの場合に、保持容量素子１３をオンするためにゲート電極に印加される電圧（Ｖｔｈ）は、画素電極に印加された電圧よりも充分に高い電圧とする必要がある。すなわち、スイッチング素子１０をオンにする走査信号は、画素電極に印加された電圧よりも高い電圧である。
【００３３】
さらに、保持容量素子１３が容量素子として機能するように、チャネル部に充分な反転層が発生するためには、保持容量素子１３のＧ側対向電極に印加される電圧（Ｖｓｇ）は、Ｖｓｇ＞Ｖｔｈである必要がある。すなわち、保持容量素子１３に印加される電圧（Ｇ側対向電極電圧）は走査信号の高電位側電圧よりも高い電圧である必要がある。そのため、電源回路４は走査信号よりも高電圧の電源電圧を形成する必要が生じることとなる。なお、電源回路４で高電圧を形成する昇圧回路の詳細については後述する。
【００３４】
次に図２に示す各回路の配置の問題点について説明する。図２においては、第２駆動回路６とコントローラ３と電源回路４とが、別々に設けられることから、各回路に接続される配線のレイアウトに問題が生じる。図２では、コントローラ３が右側で、電源回路４が左側に位置しており、コントローラ３から左側の第１駆動回路５Ａまでの配線は、電源回路４から出力する配線を避けて設ける必要がある。例えば、配線をフレキシブル基板等に形成する場合では、高価な多層基板を用いる必要がある。そのため、各回路を同一チップで形成したり、出力端子位置を工夫することとした。
【００３５】
図３にコントローラ３と映像信号線出力回路とを１つの基板上にまとめて第２駆動回路６として形成し、フレキシブル基板３０に搭載した構成を示す。
【００３６】
符号３１は入力配線で、外部からの信号が第２駆動回路６や電源回路４に入力する。配線３２は電源回路４から第２駆動回路に電圧を供給する配線で、配線３３は第２駆動回路６から第１駆動回路５に接続する配線である。符号３４は、コンデンサ等の外付け部品であり、第２駆動回路６に必要な外付け部品３４がフレキシブルプリント基板３０に搭載されている。電源回路４には昇圧回路が内蔵されており、昇圧回路に用いられるコンデンサが電源回路４に接続されている。
【００３７】
図３に示すように、コントローラ３と映像信号線出力回路とを１つのチップにまとめて形成すると、フレキシブル基板３０上の配線が省略できる。ただし、高精細表示になり画素数が増加すると、第２駆動回路６を小型に形成することが困難となる。
【００３８】
次に図４に、映像信号線ＤＬに階調電圧を供給する回路を分配回路６０としてＴＦＴ基板２上に形成した概略ブロック図を示す。
【００３９】
図４に示す第２駆動回路６からは１走査期間１Ｈの間、時系列に３本の映像信号線に信号が出力する。分配回路６０は３つの分配スイッチング素子６１が１つの第２駆動回路６の出力に接続されており、順番に分配スイッチング素子６１が導通することで、１走査期間１Ｈの間、３本の映像信号線に信号が分配供給されることになる。符号６２は分配制御信号線で分配スイッチング素子６１を導通状態とする信号が、電源回路４から供給される。
【００４０】
分配回路６０を液晶表示パネル１に設けることで、第２駆動回路６からの出力数を減少することが可能であり、第２駆動回路６の回路規模を縮小することから、チップ面積が小さくなり、低コスト化が可能である。また、出力数が減少することで、フレキシブル基板３０と液晶表示パネル１との接続箇所数も減少し接続信頼性も向上する。
【００４１】
ただし、分配スイッチング素子６１を制御する信号を供給する必要がある。分配スイッチング素子６１は画素部のスイッチング素子１０と同様の構成をしている。すなわち、分配スイッチング素子６１を制御するためには、走査信号同様の電圧が必要となる。
【００４２】
図４では、電源回路４から分配制御信号線６２が出力しており、分配制御信号は電源回路４が供給している。電源回路４では第２駆動回路６から供給される信号の電圧を変換（レベルシフト）して、分配制御信号を形成する。電源回路４からは第１駆動回路５、保持容量素子１３にも高電圧が供給されている。なお、電源回路４から出力する高電圧の制御信号は、第２駆動回路６からの信号をレベルシフトして出力している。
【００４３】
図５に電源回路４を第２駆動回路６に設けた場合の概略ブロック図を示す。図５では、映像信号線ＤＬに階調電圧を出力する回路と、コントローラと、電源回路４とが１チップ化されている。すなわち、図５に示す第２駆動回路６は、高電圧を発生させる回路を内蔵している。また、レベルシフト回路も内蔵されており、第２駆動回路６が分配スイッチング素子６１、第１駆動回路５、保持容量素子１３を制御する高電圧の信号を出力している。
【００４４】
次に図６にＴＦＴ基板２上に、電源回路４を構成するチップを搭載した液晶表示装置１００の概略ブロック図を示す。第１駆動回路５はＴＦＴ基板２に形成されており、絶縁膜等を介して第１駆動回路５上に半導体基板を搭載することが可能である。符号４０は第１駆動回路５と電源回路４とが重なって設けられる領域で、第１駆動回路５と電源回路４との接続部が設けられる。また、外付け部品３４とはフレキシブル基板３０に形成された配線を介して電気的に接続されている。
【００４５】
次に、電源回路４に用いられる昇圧回路について説明する。携帯電話機等の小型携帯機器では、電源として電池の利用が一般的である。また、流通量の多さから電池は出力電圧が１．５Ｖ程度から４Ｖ程度のものが利用される。
【００４６】
そのため、昇圧回路を用いて液晶表示装置用に電源電圧を作成している。図７に薄膜トランジスタ方式の液晶表示装置に必要な電源電圧を示す。なお、図７では図１から図６に示す液晶表示装置１００の対向電極１５に供給する電圧ＶＣＯＭを一定周期で反転させる、所謂ＶＣＯＭ反転駆動方式を用いている場合の各駆動電圧を示している。
【００４７】
図７においてＶＧＯＮは画素部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンするための走査信号ＶＧのハイ電圧で、約７．５Ｖ程度が必要となる。また、ＶＧＯＦＦは薄膜トランジスタをオフするための電圧であり、走査信号ＶＧのロウ電圧で、約−５．５Ｖ程度必要となる。ＶＧＨは走査信号ＶＧを出力する第１駆動回路５（ゲートドライバ）用ハイ電源で、ＶＧＬは第１駆動回路５用ロウ電源である。走査信号のハイ電圧ＶＧＯＮが約７．５Ｖなので、ＶＧＨは８Ｖ、走査信号のロウ電圧ＶＧＯＦＦが約−５．５Ｖなので、ＶＧＬは−６Ｖ程度必要となる。
【００４８】
次に、ＶＤＨは階調基準電圧である。階調基準電圧ＶＤＨを基準に第２駆動回路で階調電圧を生成する。液晶材の特性から５．０Ｖ程度が必要である。ＤＤＶＤＨは図４乃至図６に示す第２駆動回路（ソースドライバ）６用の電源電圧である。第２駆動回路６が出力する階調電圧の基準電圧ＶＤＨが５．０Ｖで、第２駆動回路６の最大定格が６．０Ｖであるため、５．５Ｖ程度が必要となる。
【００４９】
ＶＣＯＭＨは対向電極用ハイ電圧で、ＶＣＯＭＬは対向電極用ロウ電圧である。ＶＣＯＭＨは５．０Ｖ以下が必要となり、ＶＣＯＭＬは−２．５Ｖ程度の電圧が必要となる。ＶＣＬは対向電極用電圧生成電源で、対向電極用ロウ電圧ＶＣＯＭＬを生成するための電源電圧である。ＶＣＯＭＬ生成回路の動作マージンを考慮し−３Ｖ程度が必要となる。
【００５０】
さらに、ＶＳＴＧＨとＶＳＴＧＬは保持容量素子１３のＧ側対向電極に供給される電圧で、電圧ＶＳＴＧから形成される。前述したように、ＶＣＯＭ反転駆動方式を用いるため、保持容量素子１３のＧ側対向電極に供給される電圧もハイ側とロウ側が必要であり、ＶＳＴＧＨがＧ側対向電極ハイ電圧で、ＶＳＴＧＬがＧ側対向電極ロウ電圧である。Ｇ側対向電極電圧は保持容量素子１３が機能するように、走査信号よりも充分に高い電圧が印加される。そのため、電圧ＶＳＴＧは１６．５Ｖ程度必要である。
【００５１】
以上液晶表示装置に必要な電源の中で、第２駆動回路６用の電源電圧ＤＤＶＤＨと、第１駆動回路５用ハイ電源ＶＧＨと、第１駆動回路５用ロウ電源ＶＧＬと、対向電極用電圧生成電源ＶＣＬと、保持容量素子１３用の電圧ＶＳＴＧをチャージポンプ方式の昇圧回路を用いて作成することとし、他の電圧は昇圧回路で形成した電圧を分圧等して形成することとした。
【００５２】
チャージポンプ方式の昇圧回路の動作原理について図８を用いて、２倍昇圧を例に取り説明する。昇圧回路は入力電源Ｖｉｎ、昇圧容量Ｃ１１、保持容量Ｃｏｕｔ１、切り替えスイッチＳＷ１、ＳＷ２で構成され，切り替えスイッチにより図８（ａ）の充電状態と、図８（ｂ）の放電状態を実現している。まず図８（ａ）の充電状態では切り替えスイッチＳＷ１により、昇圧容量Ｃ１１の一方の電極をＧＮＤ電位に接続し、スイッチＳＷ２により昇圧容量Ｃ１１の他方の電極を入力電源Ｖｉｎに接続して、昇圧容量Ｃ１１を入力電源Ｖｉｎに対し並列に接続する。これにより入力電源Ｖｉｎ分の電荷が昇圧容量Ｃ１１に充電される。
【００５３】
次に図８（ｂ）では、切り替えスイッチＳＷ３により、図８（ａ）において昇圧容量Ｃ１１のＧＮＤ電位に接続された電極に、入力電源Ｖｉｎを印加するよう直列に接続する。この時、昇圧容量Ｃ１１の他方の電極は、入力電源Ｖｉｎの２倍の電圧である２×Ｖｉｎとなる。スイッチＳＷ４により昇圧容量Ｃ１１、入力電源Ｖｉｎに対し並列にＣｏｕｔ１を接続する。これにより保持容量Ｃｏｕｔ１には２×Ｖｉｎの電圧が保持される。
【００５４】
次に、図８に示す昇圧回路で、前述の第２駆動回路６用の電源電圧ＤＤＶＤＨ（約５．５Ｖ）と、第１駆動回路５用ハイ電源ＶＧＨ（約７．５Ｖ）と、第１駆動回路５用ロウ電源ＶＧＬ（約−６Ｖ）と、対向電極用電圧生成電源ＶＣＬ（約−３Ｖ）と、保持容量素子１３用の電圧ＶＳＴＧ（約１６．５Ｖ）とを作成する場合を検討する。
【００５５】
入力電源Ｖｉｎを３Ｖとすると、第２駆動回路６用の電源電圧ＤＤＶＤＨ（約５．５Ｖ）は約２倍なので、入力電源Ｖｉｎを２倍とする昇圧回路が必要である。第１駆動回路５Ｂ用ハイ電源ＶＧＨ（約７．５Ｖ）は２倍では不足なので、入力電源Ｖｉｎを３倍とする昇圧回路が必要である。、第１駆動回路５用ロウ電源ＶＧＬは約−６Ｖなので、入力電源Ｖｉｎを−２倍とする昇圧回路が必要で、対向電極用電圧生成電源ＶＣＬは約−３Ｖなので、入力電源Ｖｉｎを−１倍とする昇圧回路が必要となる。また、保持容量素子１３用の電圧ＶＳＴＧ（約１６．５Ｖ）用には入力電源Ｖｉｎを３Ｖを６倍とする昇圧回路を用いることとした。
【００５６】
図９に入力電源Ｖｉｎを２倍、３倍、６倍、−２倍、−１倍とする昇圧回路５５の構成を示す。なお、−２倍、−１倍とする場合では、厳密には昇圧ではないが、ここでは、昇圧回路を入力電圧から異なる電圧を形成する回路の意味で用いる。図９に示す回路では、回路の外付部品としてコンデンサ５１を多数使用しており、実装部品点数が多くなり、実装面積が広くなってしまうといった問題がある。なお、図中の符号Ｃｏｕｔ１からＣｏｕｔ５は出力電圧を保持する保持容量である。
【００５７】
次に、図１０に昇圧回路５５の出力を入力電源として利用することで、外付けコンデンサ５１の数を減らす回路の概念ブロック図を示す。昇圧回路５２では入力電源Ｖｉｎを２倍にしているので、昇圧回路５２の出力電圧を利用し、さらに昇圧回路５３で３倍にすることで、入力電源Ｖｉｎを３Ｖとすると、６倍の電圧１８Ｖを形成することが可能である。図１０に示す回路では、外付けコンデンサとして、昇圧回路５２に接続しているＣ１１と、昇圧回路５３に接続している外付けコンデンサＣ１２、Ｃ２１，Ｃ２２の４個となり、図９に示す回路に対して外付けコンデンサの数を１１個から４個に減少することができる。なお、外付けコンデンサＣ１１は２倍用で、外付けコンデンサＣ１２は１倍用（−１倍用）で、外付けコンデンサＣ２１、Ｃ２２は２倍用（−２倍用）である。
【００５８】
図１１を用いて昇圧回路５３の入力電源Ｖｉｎを３倍にする動作を説明する。図１１（ａ）では、入力電源電圧Ｖｉｎを用い、昇圧容量（外付けコンデンサ）Ｃ１２を充電している。また、図１１（ｂ）では、図８で説明したような入力電源電圧Ｖｉｎを２倍とする昇圧回路で、電圧ＤＤＶＤＨが作成されている。その後、図１１（ｃ）に示すように、保持容量Ｃｏｕｔ１の出力である電圧ＤＤＶＤＨを用い、保持容量Ｃｏｕｔ１と昇圧容量Ｃ１２とを直列につなぐことで、入力電源Ｖｉｎの３倍の電圧が作成される。
【００５９】
次に、図１２を用いて昇圧回路５３の入力電源Ｖｉｎを６倍にする動作を説明する。図１２（ａ）では、昇圧回路５２の保持容量Ｃｏｕｔ１の出力である電圧ＤＤＶＤＨを用い、昇圧容量Ｃ２１とＣ２２とを電圧ＤＤＶＤＨに充電する。その後、図１２（ｂ）では、昇圧容量Ｃ２１、Ｃ２２と保持容量Ｃｏｕｔ１とを直列につなぐことで、電圧ＤＤＶＤＨの３倍で、入力電源Ｖｉｎの６倍の電圧を作成している。
【００６０】
次に、図１３を用いて昇圧回路５５の動作を説明する。図１３（ａ）では、入力電源Ｖｉｎを用いて、昇圧容量Ｃ１２を電圧Ｖｉｎに充電する。その後、図１３（ｂ）では、昇圧容量Ｃ１２の正極性側の電極をＧＮＤ電位に接続することで、入力電源Ｖｉｎと極性が反転した電圧ＶＣＬを作成している。そして昇圧容量Ｃ１２と保持容量Ｃｏｕｔ４を並列につなぐことで、保持容量Ｃｏｕｔ４に電圧ＶＣＬが保持される。
【００６１】
次に、図１４を用いて昇圧回路５３の動作を説明する。図１４（ａ）では、昇圧回路５２の保持容量Ｃｏｕｔ１の出力である電圧ＤＤＶＤＨを用いて、昇圧容量Ｃ２１を電圧ＤＤＶＤＨに充電する。その後、図１４（ｂ）では、昇圧容量Ｃ２１の正極性側の電極をＧＮＤ電位に接続することで、電圧ＤＤＶＤＨと極性が反転した電圧ＶＧＬを作成している。そして昇圧容量Ｃ２１と保持容量Ｃｏｕｔ３を並列につなぐことで、保持容量Ｃｏｕｔ３に電圧ＶＧＬが保持される。
【００６２】
なお、図９に示す昇圧回路では、例えば５倍の電圧を作成するのにコンデンサが５個と電源電圧に対して昇圧する電圧の倍数分のコンデンサが必要である。対して図１０に示す昇圧回路では、保持容量Ｃｏｕｔ１で保持されている昇圧した電圧を利用することで、コンデンサを省略し部品数を減少させている。さらに、図１３、図１４に示す回路では、負極性側の電圧をコンデンサの接続を逆転することと、保持容量の昇圧された電圧に加えて入力電源Ｖｉｎを利用することで、コンデンサを兼用可能として部品数を減少させている。このコンデンサの数を省略可能としたり、兼用可能としているのは、液晶表示装置特有の電源が第１駆動回路５Ａ用の電源電圧ＤＤＶＤＨと、第２駆動回路５Ｂ用ハイ電源ＶＧＨと、第２駆動回路５Ｂ用ロウ電源ＶＧＬと、対向電極用電圧生成電源ＶＣＬのように複数あり、また、負極性側の電圧があるためである。そのため昇圧容量Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２を時分割で、複数の昇圧回路の間で兼用することや、昇圧した電圧を利用することが可能となっている。
【００６３】
図１５に図１０に示す昇圧回路５３のより具体的な構成を示し、以下図１６に示すタイミングチャートを用いて動作を説明する。まず、電圧ＶＧＨを作成するために、図１１に示した動作を実現する方法について説明する。図１１（ａ）に示す回路とするには、図１５のスイッチＳＷ１とスイッチＳＷ３をオンにする。スイッチＳＷ１とスイッチＳＷ３をオンにすると、昇圧容量Ｃ１２には入力電源Ｖｉｎの電圧が充電される。この時、図１１（ｂ）に示す回路のように、昇圧回路５２からは電圧ＤＤＶＤＨが出力している。次に、図１１（ｃ）に示す回路となるように、図１５のスイッチ１、スイッチ３をオフとし、スイッチ４をオンにして、昇圧容量Ｃ１２とＣｏｕｔ１とを直列に接続すると同時に、スイッチ１３をオンにして、保持容量Ｃｏｕｔ２を充電する。
【００６４】
次に、図１２に示した回路の動作について説明する。図１２（ａ）に示す回路となるように、図１５のスイッチ５、スイッチ７、スイッチ９、スイッチ１０をオンにして、昇圧容量Ｃ２１、Ｃ２２を電圧ＤＤＶＤＨで充電する。次に、図１２（ｂ）に示す回路となるように、スイッチ５、スイッチ７、スイッチ９、スイッチ１０をオフにし、スイッチ１１、スイッチ８をオンにして、昇圧容量Ｃ２１とＣ２２と、保持容量Ｃｏｕｔ１とを直列に接続すると同時に、スイッチＳＷ１２をオンにして、保持容量Ｃｏｕｔ３を充電する。
【００６５】
次に、図１３に示した回路の動作について説明する。図１３（ａ）に示す回路となるように、図１５のスイッチ１、スイッチ３をオンにして、昇圧容量Ｃ１２を入力電源Ｖｉｎで充電する。次に、スイッチ１、スイッチ３をオフにし、スイッチ２をオンにして極性を反転させ、さらにスイッチ１４をオンにして保持容量Ｃｏｕｔ４を充電する。
【００６６】
次に、図１４に示した回路の動作について説明する。図１４（ａ）に示す回路となるように、図１５のスイッチ５、スイッチ７をオンにして、昇圧容量Ｃ２１を電圧ＤＤＶＤＨで充電する。次に、スイッチ５、スイッチ７をオフにし、スイッチ６をオンにして極性を反転させ、さらにスイッチ１５をオンにして保持容量Ｃｏｕｔ５を充電する。
【００６７】
以上述べたように、図１５に示す回路は、昇圧容量Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２を時分割で兼用している。また、図１６に示すように、昇圧容量Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２は、スイッチＳＷ１、ＳＷ３、ＳＷ５、ＳＷ７、ＳＷ９、ＳＷ１０により繰り返し充電され、スイッチＳＷ４、ＳＷ１３、ＳＷ１１、ＳＷ１２により昇圧動作に使用されると共に、スイッチＳＷ２、ＳＷ１４、ＳＷ６、ＳＷ１５により反転（昇圧）動作にも使用される。このように昇圧容量Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２を時分割で兼用することで、外付けコンデンサの数が減少し、液晶表示装置の部品点数が削減される。
【００６８】
次に、交流化駆動のための回路について説明する。図１７は電源回路４に交流化駆動用回路を加えた構成を示す概略ブロック図である。符号８１は対向電極電圧出力回路で、８２は振幅調整回路で、８３は保持容量信号出力回路で、８４は第１レギュレータで、８５は第２レギュレータで、８６は内部基準電圧生成回路で、８７は基準電圧出力回路で、Ｍは交流化信号入力端子である。
【００６９】
交流化駆動を行う目的は、直流電圧が液晶に印加されることによる劣化を防止するためである。画素電極と対向電極との間に電圧を印加するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、交流化駆動を行う一つの方法として、対向電極に一定周期毎に高電圧と低電圧とに変化する電圧を印加し、画素電極には対向電極に対して正極性、負極性の信号電圧を印加する、いわゆるコモン反転駆動方法が知られている。
【００７０】
図１７に示す回路では、コモン反転駆動が可能なように、対向電極電圧出力回路８１は、一定周期で反転する電圧が出力可能に構成されている。対向電極電圧出力回路８１には交流化信号線４２により交流化信号が伝えられており、交流化信号により対向電極高レベル電圧ＶＣＯＭＨと対向電極低レベル電圧ＶＣＯＭＬが出力する。図１８に対向電極高レベル電圧ＶＣＯＭＨと対向電極低レベル電圧ＶＣＯＭＬを有する対向電極電圧の出力波形を示す。
【００７１】
対向電極が反転することに合わせて、保持容量信号の電圧も変動する必要がある。すなわち画素電極と対向電極との電位差により、表示階調が定まるために、対向電極の電圧が変動するタイミングと電圧幅に合わせて、保持容量信号の電圧も変動する必要がある。そこで、保持容量信号出力回路８３にも交流化信号が伝えられ、変動する電圧幅は振幅調整回路８２により定められ、基準電圧幅を示す電圧が、保持容量信号出力回路８３に伝えられる。
【００７２】
なお、振幅調整回路８２で基準電圧幅を定め、対向電極電圧出力回路８１と保持容量信号出力回路８３とに伝えることで、図１８に示す波形のように、保持容量信号出力回路８３からの電圧振幅を対向電極電圧出力回路８１からの電圧振幅に合わせることが可能になる。
【００７３】
図１７に示す回路では、第１レギュレータ８４から、対向電極高レベル電圧ＶＣＯＭＨとして振幅調整回路８２と対向電極電圧出力回路８１の高レベル出力部８１ａに基準電圧が供給されている。振幅調整回路８２では対向電極電圧として必要な振幅となるように、振幅基準電圧を作成し、対向電極高レベル電圧ＶＣＯＭＨから振幅基準電圧を減算することで、対向電極低レベル電圧ＶＣＯＭＬを作成し低レベル出力部８１ｂに出力している。対向電極電圧出力回路８１は交流化信号に従い、高レベル出力部８１ａと低レベル出力部８１ｂとの接続を切換て、対向電極高レベル電圧ＶＣＯＭＨと対向電極低レベル電圧ＶＣＯＭＬを出力する。
【００７４】
なお、対向電極電圧出力回路８１と振幅調整回路８２では、コントローラからの制御により、対向電極の基準電圧と振幅基準電圧の電圧値を変更可能になっている。また、調整用抵抗８８が設けられており、液晶表示パネル毎の微調整が可能になっている。
【００７５】
第２レギュレータ８５からは、保持容量信号用に基準電圧が、保持容量信号低レベル電圧ＶＳＴＧＬとして振幅調整回路８２と、保持容量信号出力回路８３の低レベル出力部８３ｂに供給されている。振幅調整回路８２では振幅基準電圧を作成し、保持容量信号低レベル電圧ＶＳＴＧＬに振幅基準電圧を加算することで、保持容量信号高レベル電圧ＶＳＴＧＨを作成し高レベル出力部８３ａに出力している。保持容量信号出力回路８３は交流化信号に従い、高レベル出力部８３ａと低レベル出力部８３ｂとの接続を切換て、保持容量信号高レベル電圧ＶＳＴＧＨと保持容量信号低レベル電圧ＶＳＴＧＬを出力する。保持容量信号出力回路８３の出力に接続している定電流素子８９は電源オフ時の不要な表示を防止する回路である。定電流素子８９の詳細については後述する。
【００７６】
内部基準電圧生成回路８６は、電池等から供給される外部電源電圧から入力電源Ｖｉｎの電圧値を作成している。昇圧回路５２、５３では入力電源Ｖｉｎをｎ倍しているが、内部基準電圧生成回路８６では昇圧回路５２、５３から出力する電圧値に対して、入力電源Ｖｉｎが最適な電圧となるように微調整が行われる。内部基準電圧生成回路８６から出力する入力電源Ｖｉｎは、基準電圧出力回路８７で電流増幅され他の回路へ出力される。
【００７７】
次に図１９に、電源回路４に分配回路６０の３つの分配スイッチング素子６１を駆動するためのレベルシフト回路９１とミラー用液晶パネル駆動回路９３を設けた構成を示す。
【００７８】
分配スイッチング素子６１を駆動する信号は、例えばコントローラから信号が出力しているが、コントローラ等は比較的低電圧の信号で駆動しており、分配スイッチング素子６１を駆動するためには、電圧レベルを変換する必要がある。そのため、電源回路４は外部から分配スイッチング素子６１を駆動するタイミングを示す信号Ｒ、Ｇ、Ｂを入力し、第１のレベルシフト回路９１で電圧レベルを変換して制御信号ＲＯＵＴ、ＧＯＵＴ、ＢＯＵＴとして出力している。また、第２のレベルシフト回路９２では走査信号線を駆動する駆動回路用にフレーム信号ＦＬＭとシフトクロックＳＦＴＣＬＫの電圧レベルを変換して、フレーム信号ＦＬＭＯＵＴとシフトクロックＳＦＴＯＵＴとして出力している。
【００７９】
なお、図１９において符号９４はレジスタ回路で、９５はシリアルインターフェースである。シリアルインターフェース９５はコントローラ等の外部から制御データを入力し、レジスタ９４に保持する。レジスタ９４に保持された制御データにより、第１レギュレータ８４、第２レギュレータ８５、振幅調整回路８２等の制御が可能である。
【００８０】
次に図２０を用いて、ミラー用液晶について説明する。図２０において符号１は液晶表示パネルで、表示に用いられる。液晶表示パネル１を観察する側には、ミラー用液晶パネル４００が設けられている。ミラー用液晶パネル４００は、透過偏光軸可変部４１０と、反射型偏光部４２０と、吸収型偏光部４１５とを有している。
【００８１】
透過偏光軸可変部４１０は、入射した直線偏光の光が透過する際にその偏光軸を変化させる状態と、変化させない状態に制御が可能である。図２０（ａ）のように、１対の基板４１１と基板４１２に形成した電極間に、電源４１６から電圧を印加していない場合では、入射した直線偏光の光はその偏光軸が変化し、反射型偏光部４２０を透過して液晶表示パネル１に到達する。逆に液晶表示パネル１から出射する光が、反射型偏光部４２０を透過する直線偏光であれば、液晶表示パネル１から出射する光は、ミラー用液晶パネル４００を透過して観察者まで到達する。
【００８２】
対して、図２０（ｂ）の基板４１１と基板４１２に形成した電極間に、電圧を印加した場合では、透過偏光軸可変部４１０に入射した直線偏光の光はその偏光軸が変化しないため、反射型偏光部４２０で反射する。また、液晶表示パネル１から出射した光は、反射型偏光部４２０を透過する直線偏光であれば、吸収型偏光部４１５で吸収され、観察者まで到達しない。
【００８３】
なお、ミラー用液晶パネル４００に印加する電圧は、液晶表示パネル１と同様に交流化駆動する。そのために、電源回路４にはミラー用液晶パネル駆動回路９３が設けられ、ミラー用液晶パネル駆動信号ＭＣＬＫが出力している。ミラー用液晶パネルは液晶に問題が発生しない程度に遅い周波数で駆動することが可能で、ミラー用液晶パネル駆動回路９３は省電力のために、低周波駆動される。ただし、コントローラ等から送られてくる信号ＯＳＣは高周波のためミラー用液晶パネル駆動回路９３は分周回路を備えている。
【００８４】
次に電源回路４に設ける表示オフ時の発光を防止する回路について説明する。反射型の液晶表示パネルの場合に、保持容量に残っている電荷により、電源オフ時に一瞬発光する問題がある。透過型の液晶表示パネルの場合は、バックライトをオフとすることで発光を目立たなくすることが可能であるが、半透過型や反射型の液晶表示パネルでは発光が観察される。
【００８５】
発光の原因は、画素部の薄膜トランジスタ１０がオフ状態のため、画素電極１２に溜まった電荷の行き場がなく、保持容量素子に印加された電圧が急に変化すると、画素電極と対向電極間の電圧が変化し、それが表示の変化として観察されるためである。特にノマリーブラックモードでは画素電極と対向電極間に電圧が印加すると、白表示となり目立つことになる。
【００８６】
上記問題を解決するためには、保持容量に残っている電荷をゆっくりと放電する必要がある。図２１に電荷をゆっくりと放電する場合の各電圧の変化の様子を示す。図２１（ａ）は保持容量素子に高電圧の保持容量信号を供給する場合を示し、図２１（ｂ）は保持容量素子に走査信号を供給する場合を示す。
【００８７】
図中符号Ｃで示すタイミングで、対向電極に出力する電圧を対向電極低レベル電圧ＶＣＯＭＬで出力停止し、保持容量素子に出力する電圧を図２１（ａ）では保持容量信号低レベル電圧ＶＳＴＧＬで出力停止し、図２１（ｂ）では走査信号ＯＦＦ低レベル電圧ＶＧＯＦＦＬで出力を停止する。その後、図中符号Ａ及びＢに示すように保持容量素子に溜まった電荷を放電して、電圧を徐々にＧＮＤ電位に近づける。
【００８８】
このとき、保持容量素子の電圧の変化の割合は、変化率＜（液晶閾値電圧／フレーム周期）の関係を満たす必要がある。フレーム周波数が６０Ｈｚの場合に、フレーム周期は１７ｍｓで、液晶の閾値を０．５Ｖとすると、９Ｖの保持容量信号低レベル電圧ＶＳＴＧＬを３０６ｍｓで下げなくてはならない。電荷を徐々に放電するためには、保持容量信号線に定電流素子を接続することで可能である。前述したように、図１７の保持容量信号出力回路８３の出力には定電流素子８９が接続されており、保持容量信号線の電圧を徐々に放電している。
【００８９】
次に、図２２に電源回路４の端子配置を示す。符号４５１は入力端子領域で、４５２は出力端子領域で、４５３は昇圧回路用端子領域である。出力端子領域４５２は駆動回路５０側に設けられている。対して、接地電位線ＧＮＤは出力端子領域４５２と駆動回路５０とを接続する配線３２となるべく交差しないように配置されており、昇圧回路用端子領域４５３は接地電位線ＧＮＤとの間に、昇圧回路用コンデンサＣｏｕｔ等を接続するため、接地電位線ＧＮＤ側に設けられている。
【００９０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）本発明の液晶表示装置によれば、駆動回路の実装面積が小さく、駆動回路の配置が自由に選ぶことが可能となる。
（２）本発明の液晶表示装置によれば、外付け部品点数を少なくし、携帯に便利な電池を用いて駆動される液晶表示装置が実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の液晶表示装置を示す概略ブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態の液晶表示装置を示す概略ブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態の液晶表示装置を示す概略ブロック図である。
【図４】本発明の実施の形態の液晶表示装置を示す概略ブロック図である。
【図５】本発明の実施の形態の液晶表示装置を示す概略ブロック図である。
【図６】本発明の実施の形態の液晶表示装置を示す概略ブロック図である。
【図７】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる駆動波形を示すタイミング図である。
【図８】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路を説明する概略回路図である。
【図９】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路を説明する概略回路図である。
【図１０】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路を説明する概略回路図である。
【図１１】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路を説明する概略回路図である。
【図１２】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路を説明する概略回路図である。
【図１３】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路を説明する概略回路図である。
【図１４】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路を説明する概略回路図である。
【図１５】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路を説明する概略回路図である。
【図１６】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる昇圧回路の動作を説明するタイミング図である。
【図１７】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる電源回路を説明する概略ブロック図である。
【図１８】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる電源回路から出力する信号波形を説明するタイミング図である。
【図１９】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる電源回路を説明する概略ブロック図である。
【図２０】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられるミラー用液晶パネルを説明する概略ブロック図である。
【図２１】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる電源回路の動作を説明するタイミング図である。
【図２２】本発明の実施の形態の液晶表示装置に用いられる電源回路の端子配置を説明する概略ブロック図である。
【符号の説明】
１…液晶表示パネル、２…ＴＦＴ基板、３…コントローラ、４…電源回路、５…第１駆動回路、６…第２駆動回路、１０…スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、１２…画素電極、１３…保持容量素子、１４…保持容量信号線、１５…対向電極、３０…フレキシブル基板、３１…入力配線、３２、３３…配線、４０…重なる領域、４２…交流化信号線、５０…駆動回路、５１、５２、５３、５４、５５…昇圧回路、６０…分配回路、６１…分配スイッチング素子、６２…分配制御信号、８１…対向電極電圧出力回路、８２…振幅調整回路、８３…保持容量信号出力回路、８４…第１レギュレータ、８５…第２レギュレータ、８６…内部基準電圧生成回路、８７…基準電圧出力回路、９１、９２…レベルシフト回路、９４…レジスタ回路、９５…シリアルインターフェース、１００…液晶表示パネル、４００…ミラー用液晶パネル、４１０…透過偏光軸可変部、４１１、４１２…基板、４１５…吸収型偏光部、４１６…電源、４２０…反射型偏光部。

Claims

第１の基板と、第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板の間に挟まれた液晶組成物と、
前記第１の基板に設けられた画素電極と、
前記画素電極に映像信号を供給するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に映像信号を供給する映像信号線と、
前記スイッチング素子を制御する走査信号を供給する走査信号線と、
前記第１の基板に電気的に接続された駆動回路とを有する液晶表示装置であって、
前記駆動回路は、前記走査信号の高電位側の電圧と、前記走査信号の低電位側の電圧と、
前記走査信号の高電位側の電圧よりも高い電圧とを生成する昇圧回路を有しており、
前記液晶表示装置の電源オフ時に、前記高い電圧を、定電流素子を用いることで、徐々にＧＮＤ電位に近づけることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記高い電圧は、前記第１の基板に設けられ、ソース領域とドレイン領域とが前記画素電極に電気的に接続されたＭＯＳよりなる保持容量素子のゲート電極に供給されていることを特徴とする液晶表示装置。
第１の基板と、
前記第１の基板に設けられた複数の画素電極と、
前記スイッチング素子に映像信号を供給する映像信号線と、
前記スイッチング素子を制御する走査信号を供給する走査信号線と、
前記映像信号線と前記走査信号線とに接続されたスイッチング素子と、
前記第１の基板に電気的に接続された駆動回路とを有するＴＦＴ基板であって、
前記駆動回路は、前記走査信号の高電位側の電圧と、前記走査信号の低電位側の電圧と、
前記走査信号の高電位側の電圧よりも高い電圧とを生成する昇圧回路を有しており、
前記駆動回路の電源をオフにする際に、前記高い電圧を、定電流素子を用いることで、徐々にＧＮＤ電位に近づけることを特徴とするＴＦＴ基板。
前記高い電圧は、前記第１の基板に設けられ、ソース領域とドレイン領域とが前記画素電極に電気的に接続されたＭＯＳよりなる保持容量素子のゲート電極に供給されていることを特徴とする請求項３に記載のＴＦＴ基板。