JP4419394B2 - 電気光学パネルの駆動方法及び駆動回路、これを用いた電気光学パネル、並びに電子機器 - Google Patents
電気光学パネルの駆動方法及び駆動回路、これを用いた電気光学パネル、並びに電子機器 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学パネルの駆動方法及び駆動回路、これを用いた電気光学パネル、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気光学物質として液晶を用いる液晶装置は、複数の画素がデータ線と走査線との交差に対応して配置されている。図１２は、１画素の構成を示す回路図である。この図に示されるように、１画素は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する）５０、画素電極６、液晶、及び画素電極６と液晶を挟んで対向する対向電極（図示せず）とを備える。このような構成において、ＴＦＴ５０がオン状態となると、データ線３の電圧が画素電極６に取り込まれ、画素電極６、液晶、及び対向電極で構成される容量に電荷が蓄積される。
【０００３】
液晶の透過率は引加電圧の実効値によって定まる。液晶に直流電圧を引加するとその組成が変化していわゆる焼き付き等の問題が発生する。このため、液晶に引加する電圧極性を所定周期で反転する交流駆動法が知られている。交流駆動法の一手法として、対向電極の電位（以下、コモン電位と称する）を所定周期で高電位と低電位とに交互に切替えるものが知られている。
【０００４】
図１３にＴＦＴ５０の静特性を示す。この図に示すようにＴＦＴ５０は逆バイアス電圧が増加すると、リーク電流が増加する傾向がある。ある画素が非選択状態であるときは、ＴＦＴ５０をオフ状態にするため走査線２に所定の電位が供給される。しかし、対向電極と画素電極６とは容量結合しているので、対向電極の電位が切り替わると、これに同期して画素電極の電位が変動し、ＴＦＴ５０の逆バイアスの程度が増大されることがある。そこで、非選択状態にある走査線の電位として２レベルを有し、コモン電位の変化に応じて同位相で交互に切替えることにより、逆バイアスの程度の増大を抑えてＴＦＴ５０のリーク電流を低減する技術が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】
特許３０００６３７号公報（請求項１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、非選択状態にある走査線２に接続された各ＴＦＴ５０はオフ状態となっているから、非選択状態にある走査線２の負荷容量は比較的小さな値となる。従って、非選択状態にある走査線２の電位応答は早い。一方、画素電極６と容量結合している対向電極の負荷容量が比較的大きな値となる。従って、画素電極６の電位応答は遅い。このように走査線２の電位（ＴＦＴ５０のゲート電位）と画素電極６の電位（ＴＦＴ５０のドレイン電位）との応答特性は前者の方が速い。このため、非選択状態にある走査線の電位を、コモン電位の変化に応じて同位相で交互に切替えると、ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまうことがある。
【０００７】
図１４は、従来の駆動方法の問題点を説明するためのタイミングチャートである。なお実際には走査線と画素電極間の寄生容量などでさらに複雑な挙動を示すが説明のために簡略化している。この例では、非選択状態にある走査線電位Ｖ１をＶＳＳＨとＶＳＳＬとの間で切替え、ＴＦＴ５０がオン状態の時に画素電極電位Ｖ２がｄａｔａなるように書き込みが行われたものとする。また、走査線２の時定数をτＧ、対向電極の時定数をτＶＣＯＭとすると、負荷容量の関係からτＧ＜τＶＣＯＭとなる。このため、走査線電位Ｖ１の立ち上がり時間ＴＵＡは、画素電極電位Ｖ２の立ち上がり時間ＴＵＢより短く、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形は、画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形と比較して急峻である。そして、期間Ｔａにおいて、画素電極電位Ｖ２が走査線電位Ｖ１を上回り、ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまう。この結果、保持状態の画素において電荷の増減を生じて表示画像が異常となってしまう。
【０００８】
ここで、ＶＳＳＨの値を下げれば、画素電極電位Ｖ２が走査線電位Ｖ１を上回ることを回避することができる。しかしながら、ＶＳＳＨの値を下げると、今度は逆バイアス電圧低減の効果が減ってしまう。
【０００９】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、画素に用いられるトランジスタの逆バイアスによるリーク電流を適切に防止することができる電気光学パネルの駆動回路及び駆動方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学パネルの駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを備え、所定周期で切り替わる低コモン電位と高コモン電位とが前記対向電極に交互に供給される電気光学パネルに用いられるものであって、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を下回るように、前記非選択状態にある前記走査線の電位を低走査線電位と高走査線電位との間で遷移させる駆動手段を備えることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、画素電極の電位を下回るように、非選択状態にある走査線の電位を低走査線電位と高走査線電位との間で遷移させるから、トランジスタがオフ状態にあるときのリーク電流を低減させることができ、かつ画素を構成するトランジスタが対向電極の電位変化に応じて一時的にオンされることが適切に防止される。これにより、表示画像の品質を大幅に向上させることができる。ここで、電気光学物質は、引加電圧に応じて透過率が変化するものであっても発光量が変化するものであってもよく、例えば、液晶が該当する。
【００１２】
前記駆動手段は、前記対向電極の電位が前記低コモン電位から前記高コモン電位へ遷移するタイミングから遅れて非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させることが好ましい。非選択状態にある走査線は、トランジスタがオフ状態にあるので、トランジスタのゲート容量と切り離されている。走査線の最大等価容量はトランジスタのゲート容量が支配的である。従って、非選択状態にある走査線の等価容量は比較的小さい。一方、対向電極は複数の画素電極、データ線、走査線と対向しているので、その等価容量は大きい。また対向電極材料は走査線に使用される金属材料などと比較して面抵抗が大きいＩＴＯなどで形成されている。従って、対向電極の電位は大きな時定数に従って変化する一方、非選択状態にある走査線の電位は小さな時定数に従って変化する。このため、対向電極の電位が低コモン電位から高コモン電位に遷移する過程においては、走査線の電位が急峻に立ち上がって画素電極の電位を上回ることもあり得る。この発明によれば、対向電極の電位が記低コモン電位から高コモン電位へ変化するタイミングから遅れて非選択状態にある走査線の電位を低走査線電位から高走査線電位へ遷移させるので、そのような過渡状態において画素電極の電位を下回るように、非選択状態にある走査線の電位を遷移させることができる。
【００１３】
また、前記駆動手段は、前記対向電極の時定数よりも大きな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させることが好ましい。この場合には、走査線電位の立ち上がり波形は画素電極電位の立ち上がり波形よりも緩やかになるから、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００１４】
また、前記駆動手段は、前記対向電極の時定数よりも小さな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記高走査線電位から前記低走査線電位へ遷移させることが好ましい。この場合には、走査線電位の立ち下がり波形は画素電極電位の立ち下がり波形よりも急峻になるから、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００１５】
また、前記駆動手段は、非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段とを備え、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタのオン抵抗値を設定することが好ましい。走査線電位の立ち上がり波形は、第１トランジスタのオン抵抗値に応じて定まる時定数に従うので、そのオン抵抗値を調整することによって画素電極電位を走査線電位が下回るようにできる。
【００１６】
また、前記駆動手段は、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段を備え、前記第１トランジスタをオン状態にする高電位選択信号の電位と前記高走査線電位との差分値に応じて定まる前記第１トランジスタのオン抵抗値が、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタをオン状態にする高電位選択信号の電位を設定することが好ましい。この場合には、第１トランジスタのゲート・ソース間電圧に応じて、第１トランジスタのオン抵抗値を設定することができる。
【００１７】
また、前記駆動手段は、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段を備え、前記第１トランジスタのサイズに応じて定まる前記第１トランジスタのオン抵抗値が、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタのサイズを設定することが好ましい。この場合には、第１トランジスタのサイズに応じて、第１トランジスタのオン抵抗値を設定することができる。ここで、トランジスタのサイズは、例えば、ゲート幅／ゲート長で表すことができる。
【００１８】
また、前記駆動手段は、非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段とを備え、前記第１トランジスタをオン状態にする前記高電位選択信号の電位と前記高走査線電位との差分値を、前記第２トランジスタをオン状態にする前記低電位選信号の電位と前記低走査線電位との差分値以下となるように設定することが好ましい。この場合には、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲート・ソース間電圧を調整することによって、第１トランジスタのオン抵抗値を第２トランジスタのオン抵抗値以下にすることができる。これにより、走査線電位の立ち上がり波形を緩やかにする一方、その立ち下がり波形を急峻にすることができ、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００１９】
また、前記駆動手段は、非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段とを備え、前記第１トランジスタのサイズが、前記第２トランジスタのサイズ以下であることが好ましい。この場合には、第１トランジスタ及び第２トランジスタのサイズを調整することによって、第１トランジスタのオン抵抗値を第２トランジスタのオン抵抗値以下にすることができる。これにより、走査線電位の立ち上がり波形を緩やかにする一方、その立ち下がり波形を急峻にすることができ、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００２０】
また、前記駆動手段は、非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、第１トランジスタと前記低走査線電位を供給する電源との間の配線中に設けられた抵抗とを備えることが好ましい。この場合には、走査線電位の立ち上がり波形に係る時定数を大きくすることによって走査線電位が画素電極電位を下回るようにできる。
【００２１】
次に、本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極と、所定周期で切り替わる低コモン電位と高コモン電位とを前記対向電極に交互に供給する対向電極駆動手段と、上述した駆動回路と、を備えたことを特徴する。この電気光学パネルによれば、トランジスタのリーク電流を低減させることができるから、表示画像の品質を大幅に改善することができる。なお、画素領域に構成されるトランジスタは薄膜トランジスタであり、駆動回路も薄膜トランジスタで構成することが望ましい。
【００２２】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学パネルを備えたことを特徴とするものであり、例えば、ビデオカメラに用いられるビューファインダ、携帯電話機、ノート型コンピュータ、ビデオプロジェクタ等が該当する。
【００２３】
次に、本発明に係る電気光学パネルの駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルを駆動するものであって、前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を下回るように、前記非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位と前記高走査線電位との間で遷移させる、ことを特徴とする。
この発明によれば、画素電極の電位を下回るように、非選択状態にある走査線の電位を低走査線電位と高走査線電位との間で遷移させるから、トランジスタがオフ状態にあるときのリーク電流を低減させることができ、かつ画素を構成するトランジスタが対向電極の電位変化に応じて一時的にオンされることが適切に防止される。これにより、表示画像の品質を大幅に向上させることができる。
【００２４】
次に、本発明に係る電気光学パネルの駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルの駆動するものであって、前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、前記対向電極の電位が前記低コモン電位から前記高コモン電位へ遷移するタイミングから遅れて非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させる、ことを特徴とする。
【００２５】
この発明によれば、対向電極の電位が記低コモン電位から高コモン電位へ変化するタイミングから遅れて非選択状態にある走査線の電位を低走査線電位から高走査線電位へ遷移させるので、そのような過渡状態において画素電極の電位を下回るように、非選択状態にある走査線の電位を遷移させることができる。
【００２６】
本発明に係る電気光学パネルの駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルを駆動するものであって、前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、前記対向電極の時定数よりも大きな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させることを特徴とする。この場合には、走査線電位の立ち上がり波形は画素電極電位の立ち上がり波形よりも緩やかになるから、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００２７】
本発明に係る電気光学パネルの駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルを駆動するものであって、前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、前記対向電極の時定数よりも小さな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記高走査線電位から前記低走査線電位へ遷移させることを特徴とする。この場合には、走査線電位の立ち下がり波形は画素電極電位の立ち下がり波形よりも急峻になるから、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
＜１：液晶装置の全体構成＞
まず、本発明に係る電気光学装置として、電気光学材料として液晶を用いた液晶装置を一例にとって説明する。液晶装置は、主要部として液晶パネルＡＡを備える。液晶パネルＡＡは、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する）を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。
【００２９】
図１は実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。この液晶装置は、液晶パネルＡＡ、タイミング発生回路３００および画像処理回路４００を備える。液晶パネルＡＡは、その素子基板上に画像表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、データ線駆動回路２００、サンプリング回路２４０、対向電極駆動回路２５０および画像信号供給線Ｌ１〜Ｌ３を備える。走査線駆動回路１００、データ線駆動回路２００、サンプリング回路２４０、及び対向電極駆動回路２５０を構成するトランジスタは、画像表示領域Ａにおけるトランジスタと同一のプロセスで同時に形成される。
【００３０】
この液晶装置に供給される入力画像データＤは、例えば、３ビットパラレルの形式である。タイミング発生回路３００は、入力画像データＤに同期してＹクロック信号ＹＣＫ、反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢ、及びＹ転送開始パルスＤＹを生成して、走査線駆動回路１００に供給する。また、タイミング発生回路３００は、入力画像データＤに同期してＸクロック信号ＸＣＫ、反転Ｘクロック信号ＸＣＫＢ、及びＸ転送開始パルスＤＸを生成して、データ線駆動回路２００に供給する。さらに、タイミング発生回路３００は、画像処理回路４００を制御する各種のタイミング信号を生成し、これを出力する。
【００３１】
ここで、Ｙクロック信号ＹＣＫは１周期が２水平走査期間の信号であり、反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢはＹクロック信号ＹＣＫを反転したものである。Ｘクロック信号ＸＣＫは、所定周期の信号であり、その１周期がデータ線３の選択期間の２倍となっている。反転Ｘクロック信号ＸＣＫＢはＸクロック信号ＸＣＫを反転したものである。また、Ｙ転送開始パルスＤＹは走査線２の選択開始を指示するパルスであり、一方、Ｘ転送開始パルスＤＸはデータ線３の選択開始を指示するパルスである。
【００３２】
対向電極駆動回路２５０は、高コモン電位ＶＣＯＭＨと低コモン電位ＶＣＯＭＬとをコモン同期信号ＶＣと同期して選択しコモン電位ＶＣＯＭとして対抗電極に供給する。従って、コモン電位ＶＣＯＭは、コモン同期信号ＶＣに同期して反転する。コモン同期信号ＶＣは、所定期間毎に極性が反転するものであればよく、フィールド毎に極性が反転するものであっても良いし、１水平走査期間毎に極性が反転するものであってもよい。この例では、１水平走査期間毎にコモン電位ＶＣＯＭの極性が反転するものとする。
【００３３】
画像処理回路４００は、入力画像データＤに、液晶パネルの光透過特性を考慮したガンマ補正等を施した後、ＲＧＢ各色の画像データをＤ／Ａ変換して、画像信号４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを生成し、これらの信号を液晶パネルＡＡに供給する。
【００３４】
＜１−２：画像表示領域＞
次に、画像表示領域Ａには、図１に示されるように、ｍ（ｍは２以上の自然数）本の走査線２が、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ（ｎは２以上の自然数）本のデータ線３が、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。そして、走査線２とデータ線３との交差付近においては、ＴＦＴ５０のゲートが走査線２に接続される一方、ＴＦＴ５０のソースがデータ線３に接続されるとともに、ＴＦＴ５０のドレインが画素電極６に接続される。そして、各画素は、画素電極６と、対向基板に形成される対向電極（後述する）と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される。この結果、走査線２とデータ線３との各交差に対応して、画素はマトリクス状に配列されることとなる。なお、ＴＦＴ５０は、Ｎ型又はＰ型のいずれであってもよいが、この例ではＮ型の半導体を用いるものとする。
【００３５】
また、ＴＦＴ５０のゲートが接続される各走査線２には、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加されるようになっている。このため、ある走査線２に走査信号が供給されると、当該走査線に接続されるＴＦＴ５０がオンするので、データ線３から所定のタイミングで供給される画像信号Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎは、対応する画素に順番に書き込まれた後、所定の期間保持されることとなる。
【００３６】
各画素に印加される電圧レベルに応じて液晶分子の配向や秩序が変化するので、光変調による階調表示が可能となる。例えば、液晶を通過する光量は、ノーマリーホワイトモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて制限される一方、ノーマリーブラックモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて緩和されるので、液晶装置全体では、画像信号に応じたコントラストを持つ光が各画素毎に出射される。このため、所定の表示が可能となる。
【００３７】
また、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量５１が、画素電極６と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加される。例えば、画素電極６の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量５１により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００３８】
＜１−３：走査線駆動回路＞
走査線駆動回路１００には各種の態様がある。ここでは、代表的な３つの態様について説明する。
【００３９】
＜１−３−１：第１態様＞
図２は第１態様に係る走査線駆動回路１００の回路図である。走査線駆動回路１００は、Ｙシフトレジスタ１１０と選択信号生成回路１２０、及び電位選択回路群１３０を備える。Ｙシフトレジスタ１１０は、Ｙ転送開始パルスＤＹをＹクロック信号ＹＣＫ及び反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢに同期して転送して、シフト信号ｙ１、ｙ２、…、ｙｍを順次生成する。シフト信号ｙ１、ｙ２、…、ｙｍは、第１番目から第ｍ番目の走査線２を選択期間において各々アクティブ（ハイレベル）となる。
【００４０】
選択信号生成回路１２０は、コモン同期信号ＶＣに基づいて、低電位選択信号ＳＬと高電位選択信号ＳＨとを生成する。コモン同期信号ＶＣは上述したようにコモン電位ＶＣＯＭの変化に同期した信号である。低電位選択信号ＳＬは、非選択状態にある走査線２の電位を低電位ＶＳＳＬ（低走査線電位）にするときアクティブ（ハイレベル）となり、高電位ＶＳＳＨ（高走査線電位）にするとき非アクティブ（ローレベル）となる。一方、高電位選択信号ＳＨは、非選択状態にある走査線２の電位を高電位ＶＳＳＨにするときアクティブ（ハイレベル）となり、低電位ＶＳＳＬにするとき非アクティブ（ローレベル）となる。図４に示すように、高電位選択信号ＳＨの立ち上がりタイミングは、コモン同期信号ＶＣの立ち上がりタイミングより時間Δｔだけ遅延させたものである。また、高電位選択信号ＳＨの立ち下がりタイミングは、コモン同期信号ＶＣの立ち下がりタイミングと一致する。
【００４１】
図２に示す電位選択回路群１３０は、ｍ個の電位選択回路Ｕ１、Ｕ２、…、Ｕｍを備える。各電位選択回路Ｕ１、Ｕ２、…、Ｕｍは、構成が同一であるので、電位選択回路Ｕ１について説明する。
【００４２】
図３は電位選択回路Ｕ１の回路図である。電位選択回路Ｕ１は第１インバータＩＮＶ１、第２インバータＩＮＶ２、及び電位供給部１３１を備える。電位供給部１３１は、第２インバータＩＮＶ２の低電位側の電位を供給する回路である。電位供給部１３１は、２個のスイッチＳＷ１及びＳＷ２を備える。これらのスイッチＳＷ１及びＳＷ２は、ＮチャネルのＴＦＴから構成されている。スイッチＳＷ１は、高電位選択信号ＳＨがアクティブのときオン状態となり、第２インバータＩＮＶ２に高電位ＶＳＳＨを供給する。一方、スイッチＳＷ２は低電位選択信号ＳＬがアクティブのときオン状態となり、第２インバータＩＮＶ２に低電位ＶＳＳＬを供給する。
【００４３】
以上の構成において、シフト信号ｙ１がアクティブ（ハイレベル）になると、第１インバータＩＮＶ１の出力信号がローレベルとなり、第２インバータＩＮＶ２を構成するＰチャネルＴＦＴがオン状態となる。従って、走査信号Ｙ１のレベルは電位ＶＤＤとなり、第１番目の走査線２が選択状態となる。一方、シフト信号ｙ１が非アクティブ（ローレベル）になると、第１インバータＩＮＶ１の出力信号がハイレベルとなり、第２インバータＩＮＶ２を構成するＮチャネルＴＦＴがオン状態となる。このとき、低電位ＶＳＳＬ又は高電位ＶＳＳＨの一方が選択され、第２インバータＩＮＶ２に供給される。第１番目の走査線２を非選択状態とする電位は、低電位選択信号ＳＬ及び高電位選択信号ＳＨに従って切り替わる。
【００４４】
図４は、走査線電位Ｖ１及び画素電極電位Ｖ２の関係を示すタイミングチャートである。対向電極と画素電極６は容量結合しているので、時刻Ｔ１においてコモン同期信号ＶＣと同期して、コモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへ変化すると、画素電極電位Ｖ２が時刻Ｔ１から立ち上がる。この立ち上がり波形は、対向電極の時定数τＶＣＯＭに従った形となる。時定数τＶＣＯＭは、対向電極と画素電極６との間の液晶容量及び等価抵抗等によって定まる。
【００４５】
そして、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの期間Δｔにおいては、低電位選択信号ＳＬがアクティブとなるから、走査線電位Ｖ１は低電位ＶＳＳＬを維持する。時刻Ｔ２において、高電位選択信号ＳＨがアクティブになると、走査線電位Ｖ１が低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへ向けて立ち上がる。この立ち上がり波形は、時定数τＧに従う。この時定数τＧは、走査線２の等価容量及び電位選択回路Ｕ１〜Ｕｍの出力インピーダンス等によって定まる。走査線２の等価容量は、液晶容量と比較して小さいので、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形は画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形と比較して急峻となる。
【００４６】
仮に、コモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへ変化するタイミングと、非選択状態にある走査線の走査線電位Ｖ１が低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへと変化するタイミングが一致すると、画素電極電位Ｖ２が走査線電位Ｖ１を上回り、ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまう可能性がある。
【００４７】
しかしながら、第１態様においては、コモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへ変化するタイミングと、非選択状態にある走査線の走査線電位Ｖ１が低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへと変化するタイミングとを非同期とし、前者のタイミングから後者のタイミングを時間Δｔだけ遅延させたので、ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまうのを回避できる。換言すれば、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を下回るように時間Δｔを定めている。
【００４８】
この結果、非選択状態にある走査線２に接続された各ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまうことを回避しつつ、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を低減することができ、表示画像の品質を大幅に向上させることができる。
【００４９】
＜１−３−２：第２態様＞
第１態様は、非選択状態にある走査線２の走査線電位Ｖ１を低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへと変化させるタイミングをコモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへ変化するタイミングから遅らせることにより、過渡的に走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回ることを防止するものであった。これに対して、第２態様は、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形に係る時定数を調整することによって、過渡的に走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回ることを防止するものである。なお、以下の説明では、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形と立ち下がり波形とで時定数を区別するため、立ち上がり波形に係る時定数をτＧ１、立ち下がり波形に係る時定数をτＧ２と記載することにする。
【００５０】
第２態様の走査線駆動回路１００は、選択信号生成回路１２０の替わりに別の選択信号生成回路を用いる点を除いて、上述した第１態様の走査線駆動回路１００と同様である。この選択信号生成回路は、コモン同期信号ＶＣと同期する高電位選択信号ＳＨ及び低電位選択信号ＳＬを生成する点、及び高電位選択信号ＳＨがアクティブとなるレベルを時定数τＧ１との関係で設定した点が、上述した選択信号生成回路１２０と相違する。
【００５１】
この例では、高電位選択信号ＳＨのハイレベルを電位ＶＤＤ１とし、低電位選択信号ＳＬのハイレベルを電位ＶＤＤ２とする。ＶＤＤ１、ＶＤＤ２、ＶＳＳＨ、ＶＳＳＬには、以下の関係がある。
｜ＶＤＤ１−ＶＳＳＨ｜≦｜ＶＤＤ２−ＶＳＳＬ｜…式１
【００５２】
即ち、図３に示すスイッチＳＷ１のゲート・ソース間電圧は、スイッチＳＷ２のゲート・ソース間電圧より小さい。従って、スイッチＳＷ１のオン抵抗はスイッチＳＷ２のオン抵抗と比較して大きくなる。この結果、図５に示すように走査線電位Ｖ１の立ち上がり時間ＴＵ１はその立ち下がり時間ＴＤ１より長くなる。
【００５３】
スイッチＳＷ１のオン抵抗値をＲ１、スイッチＳＷ２のオン抵抗値をＲ２、走査線２の等価抵抗をＲ３、非選択状態における走査線２の等価容量をＣとすると、時定数τＧ１はτＧ１＝Ｃ・（Ｒ１＋Ｒ３）となり、時定数τＧ２はτＧ２＝Ｃ・（Ｒ２＋Ｒ３）となる。つまり、オン抵抗値Ｒ１及びオン抵抗値Ｒ２によって、時定数τＧ１及び時定数τＧ２を調整することができる。そして、時定数τＧ１に従って走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形が定まると共に時定数τＧ２に従って走査線電位Ｖ１の立ち下がり波形が定まる。即ち、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形はスイッチＳＷ１のオン抵抗値Ｒ１によって調整することができ、走査線電位Ｖ１の立ち下がり波形はスイッチＳＷ２のオン抵抗値Ｒ２によって調整することができる。
【００５４】
そこで、第２態様では、対向電極の時定数をτＶＣＯＭとしたとき、τＧ１≧τＶＣＯＭ、τＧ２≦τＶＣＯＭとする。具体的には、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を下回るようにオン抵抗値Ｒ１及びオン抵抗値Ｒ２を定める。オン抵抗値Ｒ１はＶＤＤ１−ＶＳＳＨによって定まるから、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形を下回るように高電位選択信号ＳＨのハイレベル電位ＶＤＤ１を定める。また、オン抵抗値Ｒ２はＶＤＤ２−ＶＳＳＬによって定まるから、走査線電位Ｖ１の立ち下がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち下がり波形を下回るように低電位選択信号ＳＬのハイレベル電位ＶＤＤ２を定める。
【００５５】
ここで、τＧ２≦τＶＣＯＭ≦τＧ１の関係があることら、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形に係る時定数τＧ１は、立ち下がり波形に係る時定数τＧ２より大きい。このため、オン抵抗値Ｒ１はオン抵抗値Ｒ２より大きく、上述した式１が成り立つ。
【００５６】
図５は、第２態様に係る走査線電位Ｖ１及び画素電極電位Ｖ２の関係を示すタイミングチャートである。時刻Ｔ３において、コモン同期信号ＶＣがローレベルからハイレベルに立ち上がると、コモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへと遷移する。このコモン電位ＶＣＯＭの変化に同期して、高電位選択信号ＳＨがアクティブとなる。このとき、高電位選択信号ＳＨのハイレベル電位はＶＤＤ１であるから、スイッチＳＷ１のオン抵抗値Ｒ１は比較的大きな値となる。そして、走査線電位Ｖ１はオン抵抗値Ｒ１によって定まる時定数τＧ１に従って低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへと立ち上がる。時定数τＧ１は比較的大きな値となっているので、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回ることはない。
【００５７】
次に、時刻Ｔ４においてコモン同期信号ＶＣがハイレベルからローレベルに立ち下がると、コモン電位ＶＣＯＭが高コモン電位ＶＣＯＭＨから低コモン電位ＶＣＯＭＬへと遷移する。このコモン電位ＶＣＯＭの変化に同期して、低電位選択信号ＳＬがアクティブとなる。このとき、低電位選択信号ＳＬのハイレベル電位はＶＤＤ２であるから、スイッチＳＷ２のオン抵抗値Ｒ２は比較的小さな値となる。そして、走査線電位Ｖ１はオン抵抗値Ｒ２によって定まる時定数τＧ２に従って高電位ＶＳＳＨから低電位ＶＳＳＬへと立ち下がる。時定数τＧ２は比較的小さな値となっているので、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回ることはない。
【００５８】
このように第２態様においては、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回らないように電位供給部１３１のスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２のオン抵抗Ｒ１及びＲ２を設定したので、非選択状態にある走査線２に接続された各ＴＦＴ５０を一時的にオンすることなく、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を適切に低減することができ、表示画像の品質を大幅に向上させることができる。
【００５９】
なお、上述した例では、スイッチＳＷ１及びＳＷ２のゲート電圧を調整することによって、オン抵抗Ｒ１及びＲ２を定めたが、オン抵抗はトランジスタのサイズに応じて定まるため、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回らないようにスイッチＳＷ１及びＳＷ２のサイズ（ゲート幅／ゲート長）を設定してもよい。
【００６０】
具体的には、スイッチＳＷ１を構成するトランジスタのゲート幅をＷ１、ゲート長をＬ１とし、スイッチＳＷ２を構成するトランジスタのゲート幅をＷ２、ゲート長をＬ２としたとき、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形を上回らないようにスイッチＳＷ１のサイズＷ１／Ｌ１を設定し、走査線電位Ｖ１の立ち下がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち下がり波形を上回らないようにスイッチＳＷ２のサイズＷ２／Ｌ２を設定してもよい。この場合には、スイッチＳＷ１のサイズをスイッチＳＷ２のサイズ以下とし、Ｗ１／Ｌ１≦Ｗ２／Ｌ２とすることが好ましい。また、上述したベース電圧によるオン抵抗の調整とトランジスタのサイズによるオン抵抗の調整を適宜組み合わせてもよいことは勿論である。
【００６１】
＜１−３−３：第３態様＞
図６に第３態様に係る電位選択回路の回路図を示す。第３態様に係る電位選択回路は、第１スイッチＳＷ１のドレインと高電位ＶＳＳＨを供給する電源との間に抵抗１３２を設けた点を除いて、図３に示す第１態様に係る電位選択回路と同様に構成されている。換言すれば、第３態様は、非選択状態にある走査線２に対して高電位ＶＳＳＨを供給する配線の途中に抵抗を設けるものである。
【００６２】
これにより、時定数τＧ１を時定数τＧ２より大きくすることができる。抵抗１３２に抵抗値は、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形を上回らないように設定されている。ここで、抵抗１３２は、金属配線等によっても形成することができるが、所要面積を縮小する観点から、半導体膜のように抵抗率が大きい薄膜等で形成することが好ましい。なお、第３態様において、走査線電位Ｖ１と画素電極電位Ｖ２との関係は、図５に示す第２態様と同様である。
【００６３】
このように第３態様においては、電位供給部１３１に抵抗１３２を設け、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回らないように抵抗１３２の抵抗値を設定したので、非選択状態にある走査線２に接続された各ＴＦＴ５０を一時的にオンすることなく、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を適切に低減することができ、表示画像の品質を大幅に向上させることが可能となる。
【００６４】
＜１−４：データ線駆動回路及びサンプリング回路＞
データ線駆動回路２００は、Ｘ転送開始パルスＤＸをＸクロック信号ＸＣＫ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＫＢに同期して転送して、サンプリング信号ＳＲ１、ＳＲ２、…、ＳＲｎを順次生成する。各サンプリング信号ＳＲ１〜ＳＲｎは、図１に示すサンプリング回路２４０に供給される。サンプリング回路２４０は、ｎ個のスイッチＳＷ１〜ＳＷｎを備える。各スイッチＳＷ１〜ＳＷｎは、ＴＦＴによって構成されている。そして、ゲートに供給される各サンプリング信号ＳＲ１〜ＳＲｎが順次アクティブになると、各スイッチＳＷ１〜ＳＷｎが順次オン状態となる。すると、画像信号供給線Ｌ１〜Ｌ３を介して供給される画像信号４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂがサンプリングされ、各データ線３に順次供給される。
【００６５】
＜１−５：液晶パネルの構成例＞
次に、上述した電気的構成に係る液晶パネルの全体構成について図７及び図８を参照して説明する。ここで、図７は、液晶パネルＡＡの構成を示す斜視図であり、図８は、図７におけるＺ−Ｚ’線断面図である。
【００６６】
これらの図に示されるように、液晶パネルＡＡは、画素電極６等が形成されたガラスや半導体等の素子基板１５１と、共通電極１５８等が形成されたガラス等の透明な対向基板１５２とを、スペーサ１５３が混入されたシール材１５４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶１５５を封入した構造となっている。なお、シール材１５４は、対向基板１５２の基板周辺に沿って形成されるが、液晶１５５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１５５の封入後に、その開口部分が封止材１５６によって封止されている。
【００６７】
ここで、素子基板１５１の対向面であって、シール材１５４の外側一辺においては、上述したデータ線駆動回路２００が形成されて、Ｙ方向に延在するデータ線３を駆動する構成となっている。さらに、この一辺には複数の接続電極１５７が形成されて、タイミング発生回路３００からの各種信号や画像信号４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを入力する構成となっている。また、この一辺に隣接する一辺には、走査線駆動回路１００が形成されて、Ｘ方向に延在する走査線２をそれぞれ両側から駆動する構成となっている。
【００６８】
一方、対向基板１５２の共通電極１５８は、素子基板１５１との貼合部分における４隅のうち、少なくとも１箇所において設けられた導通材によって、素子基板１５１との電気的導通が図られている。そして、導通材を介してコモン電位ＶＣＯＭが供給されるようになっている。ほかに、対向基板１５２には、液晶パネルＡＡの用途に応じて、例えば、第１に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第２に、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクスが設けられ、第３に、液晶パネルＡＡに光を照射するバックライトが設けられる。特に色光変調の用途の場合には、カラーフィルタは形成されずにブラックマトリクスが対向基板１５２に設けられる。
【００６９】
くわえて、素子基板１５１および対向基板１５２の対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜などが設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光板（図示省略）がそれぞれ設けられる。ただし、液晶１５５として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜、偏光板等が不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。
【００７０】
なお、データ線駆動回路２００、走査線駆動回路１００等の周辺回路の一部または全部を、素子基板１５１に形成する替わりに、例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いてフィルムに実装された駆動用ＩＣチップを、素子基板１５１の所定位置に設けられる異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良いし、駆動用ＩＣチップ自体を、ＣＯＧ（Chip On Grass）技術を用いて、素子基板１５１の所定位置に異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良い。
【００７１】
＜２．応用例＞
＜２−１：素子基板の構成など＞
上述した各実施形態においては、液晶パネルの素子基板１５１をガラス等の透明な絶縁性基板により構成して、当該基板上にシリコン薄膜を形成するとともに、当該薄膜上にソース、ドレイン、チャネルが形成されたＴＦＴによって、画素のスイッチング素子（ＴＦＴ５０）やデータ線駆動回路２００、および走査線駆動回路１００の素子を構成するものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではない。
【００７２】
例えば、素子基板１５１を半導体基板により構成して、当該半導体基板の表面にソース、ドレイン、チャネルが形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって、画素のスイッチング素子や各種の回路の素子を構成しても良い。このように素子基板１５１を半導体基板により構成する場合には、透過型の表示パネルとして用いることができないため、画素電極６をアルミニウムなどで形成して、反射型として用いられることとなる。また、単に、素子基板１５１を透明基板として、画素電極６を反射型にしても良い。
【００７３】
＜２−２：電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
＜２−２−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００７４】
この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００７５】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶パネルＡＡと同等であり、画像信号処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７６】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７７】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７８】
＜２−２−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、この液晶パネルを、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１０は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００７９】
＜２−２−３：携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１１は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶パネル１００５を備えるものである。この反射型の液晶パネル１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００８０】
なお、図９〜図１１を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】 同装置の走査線駆動回路１００の詳細な構成を示す回路図である。
【図３】 第１態様に係る電位選択回路Ｕ１の回路図である。
【図４】 第１態様における走査線電位Ｖ１及び画素電極電位Ｖ２の関係を示すタイミングチャートである。
【図５】 第２態様における走査線電位Ｖ１及び画素電極電位Ｖ２の関係を示すタイミングチャートである。
【図６】 第３態様に係る電位選択回路Ｕ１の回路図である。
【図７】 液晶パネルの構造を説明するための斜視図である。
【図８】 液晶パネルの構造を説明するための一部断面図である。
【図９】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たるビデオプロジェクタの断面図である。
【図１０】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１１】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１２】 従来の液晶装置における１画素の構成を示す回路図である。
同液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１３】 ＴＦＴ５０の静特性を示すグラフである。
【図１４】 従来の駆動方法の問題点を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
２…走査線、３…データ線、６…画素電極、５０…ＴＦＴ、１００…走査線駆動回路、ＳＨ…高電位選択信号、ＳＬ…低電位選択信号、ＶＳＳＬ…低電位、ＶＳＳＨ…高電位。ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学パネルの駆動方法及び駆動回路、これを用いた電気光学パネル、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気光学物質として液晶を用いる液晶装置は、複数の画素がデータ線と走査線との交差に対応して配置されている。図１２は、１画素の構成を示す回路図である。この図に示されるように、１画素は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する）５０、画素電極６、液晶、及び画素電極６と液晶を挟んで対向する対向電極（図示せず）とを備える。このような構成において、ＴＦＴ５０がオン状態となると、データ線３の電圧が画素電極６に取り込まれ、画素電極６、液晶、及び対向電極で構成される容量に電荷が蓄積される。
【０００３】
液晶の透過率は引加電圧の実効値によって定まる。液晶に直流電圧を引加するとその組成が変化していわゆる焼き付き等の問題が発生する。このため、液晶に引加する電圧極性を所定周期で反転する交流駆動法が知られている。交流駆動法の一手法として、対向電極の電位（以下、コモン電位と称する）を所定周期で高電位と低電位とに交互に切替えるものが知られている。
【０００４】
図１３にＴＦＴ５０の静特性を示す。この図に示すようにＴＦＴ５０は逆バイアス電圧が増加すると、リーク電流が増加する傾向がある。ある画素が非選択状態であるときは、ＴＦＴ５０をオフ状態にするため走査線２に所定の電位が供給される。しかし、対向電極と画素電極６とは容量結合しているので、対向電極の電位が切り替わると、これに同期して画素電極の電位が変動し、ＴＦＴ５０の逆バイアスの程度が増大されることがある。そこで、非選択状態にある走査線の電位として２レベルを有し、コモン電位の変化に応じて同位相で交互に切替えることにより、逆バイアスの程度の増大を抑えてＴＦＴ５０のリーク電流を低減する技術が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】
特許３０００６３７号公報（請求項１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、非選択状態にある走査線２に接続された各ＴＦＴ５０はオフ状態となっているから、非選択状態にある走査線２の負荷容量は比較的小さな値となる。従って、非選択状態にある走査線２の電位応答は早い。一方、画素電極６と容量結合している対向電極の負荷容量が比較的大きな値となる。従って、画素電極６の電位応答は遅い。このように走査線２の電位（ＴＦＴ５０のゲート電位）と画素電極６の電位（ＴＦＴ５０のドレイン電位）との応答特性は前者の方が速い。このため、非選択状態にある走査線の電位を、コモン電位の変化に応じて同位相で交互に切替えると、ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまうことがある。
【０００７】
図１４は、従来の駆動方法の問題点を説明するためのタイミングチャートである。なお実際には走査線と画素電極間の寄生容量などでさらに複雑な挙動を示すが説明のために簡略化している。この例では、非選択状態にある走査線電位Ｖ１をＶＳＳＨとＶＳＳＬとの間で切替え、ＴＦＴ５０がオン状態の時に画素電極電位Ｖ２がｄａｔａなるように書き込みが行われたものとする。また、走査線２の時定数をτＧ、対向電極の時定数をτＶＣＯＭとすると、負荷容量の関係からτＧ＜τＶＣＯＭとなる。このため、走査線電位Ｖ１の立ち上がり時間ＴＵＡは、画素電極電位Ｖ２の立ち上がり時間ＴＵＢより短く、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形は、画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形と比較して急峻である。そして、期間Ｔａにおいて、画素電極電位Ｖ２が走査線電位Ｖ１を上回り、ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまう。この結果、保持状態の画素において電荷の増減を生じて表示画像が異常となってしまう。
【０００８】
ここで、ＶＳＳＨの値を下げれば、画素電極電位Ｖ２が走査線電位Ｖ１を上回ることを回避することができる。しかしながら、ＶＳＳＨの値を下げると、今度は逆バイアス電圧低減の効果が減ってしまう。
【０００９】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、画素に用いられるトランジスタの逆バイアスによるリーク電流を適切に防止することができる電気光学パネルの駆動回路及び駆動方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学パネルの駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを備え、所定周期で切り替わる低コモン電位と高コモン電位とが前記対向電極に交互に供給される電気光学パネルに用いられるものであって、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を下回るように、前記非選択状態にある前記走査線の電位を低走査線電位と高走査線電位との間で遷移させる駆動手段を備えることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、画素電極の電位を下回るように、非選択状態にある走査線の電位を低走査線電位と高走査線電位との間で遷移させるから、トランジスタがオフ状態にあるときのリーク電流を低減させることができ、かつ画素を構成するトランジスタが対向電極の電位変化に応じて一時的にオンされることが適切に防止される。これにより、表示画像の品質を大幅に向上させることができる。ここで、電気光学物質は、引加電圧に応じて透過率が変化するものであっても発光量が変化するものであってもよく、例えば、液晶が該当する。
【００１２】
前記駆動手段は、前記対向電極の電位が前記低コモン電位から前記高コモン電位へ遷移するタイミングから遅れて非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させることが好ましい。非選択状態にある走査線は、トランジスタがオフ状態にあるので、トランジスタのゲート容量と切り離されている。走査線の最大等価容量はトランジスタのゲート容量が支配的である。従って、非選択状態にある走査線の等価容量は比較的小さい。一方、対向電極は複数の画素電極、データ線、走査線と対向しているので、その等価容量は大きい。また対向電極材料は走査線に使用される金属材料などと比較して面抵抗が大きいＩＴＯなどで形成されている。従って、対向電極の電位は大きな時定数に従って変化する一方、非選択状態にある走査線の電位は小さな時定数に従って変化する。このため、対向電極の電位が低コモン電位から高コモン電位に遷移する過程においては、走査線の電位が急峻に立ち上がって画素電極の電位を上回ることもあり得る。この発明によれば、対向電極の電位が記低コモン電位から高コモン電位へ変化するタイミングから遅れて非選択状態にある走査線の電位を低走査線電位から高走査線電位へ遷移させるので、そのような過渡状態において画素電極の電位を下回るように、非選択状態にある走査線の電位を遷移させることができる。
【００１３】
また、前記駆動手段は、前記対向電極の時定数よりも大きな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させることが好ましい。この場合には、走査線電位の立ち上がり波形は画素電極電位の立ち上がり波形よりも緩やかになるから、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００１４】
また、前記駆動手段は、前記対向電極の時定数よりも小さな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記高走査線電位から前記低走査線電位へ遷移させることが好ましい。この場合には、走査線電位の立ち下がり波形は画素電極電位の立ち下がり波形よりも急峻になるから、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００１５】
また、前記駆動手段は、非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段とを備え、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタのオン抵抗値を設定することが好ましい。走査線電位の立ち上がり波形は、第１トランジスタのオン抵抗値に応じて定まる時定数に従うので、そのオン抵抗値を調整することによって画素電極電位を走査線電位が下回るようにできる。
【００１６】
また、前記駆動手段は、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段を備え、前記第１トランジスタをオン状態にする高電位選択信号の電位と前記高走査線電位との差分値に応じて定まる前記第１トランジスタのオン抵抗値が、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタをオン状態にする高電位選択信号の電位を設定することが好ましい。この場合には、第１トランジスタのゲート・ソース間電圧に応じて、第１トランジスタのオン抵抗値を設定することができる。
【００１７】
また、前記駆動手段は、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段を備え、前記第１トランジスタのサイズに応じて定まる前記第１トランジスタのオン抵抗値が、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタのサイズを設定することが好ましい。この場合には、第１トランジスタのサイズに応じて、第１トランジスタのオン抵抗値を設定することができる。ここで、トランジスタのサイズは、例えば、ゲート幅／ゲート長で表すことができる。
【００１８】
また、前記駆動手段は、非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段とを備え、前記第１トランジスタをオン状態にする前記高電位選択信号の電位と前記高走査線電位との差分値を、前記第２トランジスタをオン状態にする前記低電位選信号の電位と前記低走査線電位との差分値以下となるように設定することが好ましい。この場合には、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲート・ソース間電圧を調整することによって、第１トランジスタのオン抵抗値を第２トランジスタのオン抵抗値以下にすることができる。これにより、走査線電位の立ち上がり波形を緩やかにする一方、その立ち下がり波形を急峻にすることができ、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００１９】
また、前記駆動手段は、非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段とを備え、前記第１トランジスタのサイズが、前記第２トランジスタのサイズ以下であることが好ましい。この場合には、第１トランジスタ及び第２トランジスタのサイズを調整することによって、第１トランジスタのオン抵抗値を第２トランジスタのオン抵抗値以下にすることができる。これにより、走査線電位の立ち上がり波形を緩やかにする一方、その立ち下がり波形を急峻にすることができ、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００２０】
また、前記駆動手段は、非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、第１トランジスタと前記低走査線電位を供給する電源との間の配線中に設けられた抵抗とを備えることが好ましい。この場合には、走査線電位の立ち上がり波形に係る時定数を大きくすることによって走査線電位が画素電極電位を下回るようにできる。
【００２１】
次に、本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極と、所定周期で切り替わる低コモン電位と高コモン電位とを前記対向電極に交互に供給する対向電極駆動手段と、上述した駆動回路と、を備えたことを特徴する。この電気光学パネルによれば、トランジスタのリーク電流を低減させることができるから、表示画像の品質を大幅に改善することができる。なお、画素領域に構成されるトランジスタは薄膜トランジスタであり、駆動回路も薄膜トランジスタで構成することが望ましい。
【００２２】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学パネルを備えたことを特徴とするものであり、例えば、ビデオカメラに用いられるビューファインダ、携帯電話機、ノート型コンピュータ、ビデオプロジェクタ等が該当する。
【００２３】
次に、本発明に係る電気光学パネルの駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルを駆動するものであって、前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を下回るように、前記非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位と前記高走査線電位との間で遷移させる、ことを特徴とする。
この発明によれば、画素電極の電位を下回るように、非選択状態にある走査線の電位を低走査線電位と高走査線電位との間で遷移させるから、トランジスタがオフ状態にあるときのリーク電流を低減させることができ、かつ画素を構成するトランジスタが対向電極の電位変化に応じて一時的にオンされることが適切に防止される。これにより、表示画像の品質を大幅に向上させることができる。
【００２４】
次に、本発明に係る電気光学パネルの駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルの駆動するものであって、前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、前記対向電極の電位が前記低コモン電位から前記高コモン電位へ遷移するタイミングから遅れて非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させる、ことを特徴とする。
【００２５】
この発明によれば、対向電極の電位が記低コモン電位から高コモン電位へ変化するタイミングから遅れて非選択状態にある走査線の電位を低走査線電位から高走査線電位へ遷移させるので、そのような過渡状態において画素電極の電位を下回るように、非選択状態にある走査線の電位を遷移させることができる。
【００２６】
本発明に係る電気光学パネルの駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルを駆動するものであって、前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、前記対向電極の時定数よりも大きな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させることを特徴とする。この場合には、走査線電位の立ち上がり波形は画素電極電位の立ち上がり波形よりも緩やかになるから、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００２７】
本発明に係る電気光学パネルの駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルを駆動するものであって、前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、前記対向電極の時定数よりも小さな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記高走査線電位から前記低走査線電位へ遷移させることを特徴とする。この場合には、走査線電位の立ち下がり波形は画素電極電位の立ち下がり波形よりも急峻になるから、走査線電位が画素電極電位を上回ることを適切に防止できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
＜１：液晶装置の全体構成＞
まず、本発明に係る電気光学装置として、電気光学材料として液晶を用いた液晶装置を一例にとって説明する。液晶装置は、主要部として液晶パネルＡＡを備える。液晶パネルＡＡは、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する）を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。
【００２９】
図１は実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。この液晶装置は、液晶パネルＡＡ、タイミング発生回路３００および画像処理回路４００を備える。液晶パネルＡＡは、その素子基板上に画像表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、データ線駆動回路２００、サンプリング回路２４０、対向電極駆動回路２５０および画像信号供給線Ｌ１〜Ｌ３を備える。走査線駆動回路１００、データ線駆動回路２００、サンプリング回路２４０、及び対向電極駆動回路２５０を構成するトランジスタは、画像表示領域Ａにおけるトランジスタと同一のプロセスで同時に形成される。
【００３０】
この液晶装置に供給される入力画像データＤは、例えば、３ビットパラレルの形式である。タイミング発生回路３００は、入力画像データＤに同期してＹクロック信号ＹＣＫ、反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢ、及びＹ転送開始パルスＤＹを生成して、走査線駆動回路１００に供給する。また、タイミング発生回路３００は、入力画像データＤに同期してＸクロック信号ＸＣＫ、反転Ｘクロック信号ＸＣＫＢ、及びＸ転送開始パルスＤＸを生成して、データ線駆動回路２００に供給する。さらに、タイミング発生回路３００は、画像処理回路４００を制御する各種のタイミング信号を生成し、これを出力する。
【００３１】
ここで、Ｙクロック信号ＹＣＫは１周期が２水平走査期間の信号であり、反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢはＹクロック信号ＹＣＫを反転したものである。Ｘクロック信号ＸＣＫは、所定周期の信号であり、その１周期がデータ線３の選択期間の２倍となっている。反転Ｘクロック信号ＸＣＫＢはＸクロック信号ＸＣＫを反転したものである。また、Ｙ転送開始パルスＤＹは走査線２の選択開始を指示するパルスであり、一方、Ｘ転送開始パルスＤＸはデータ線３の選択開始を指示するパルスである。
【００３２】
対向電極駆動回路２５０は、高コモン電位ＶＣＯＭＨと低コモン電位ＶＣＯＭＬとをコモン同期信号ＶＣと同期して選択しコモン電位ＶＣＯＭとして対抗電極に供給する。従って、コモン電位ＶＣＯＭは、コモン同期信号ＶＣに同期して反転する。コモン同期信号ＶＣは、所定期間毎に極性が反転するものであればよく、フィールド毎に極性が反転するものであっても良いし、１水平走査期間毎に極性が反転するものであってもよい。この例では、１水平走査期間毎にコモン電位ＶＣＯＭの極性が反転するものとする。
【００３３】
画像処理回路４００は、入力画像データＤに、液晶パネルの光透過特性を考慮したガンマ補正等を施した後、ＲＧＢ各色の画像データをＤ／Ａ変換して、画像信号４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを生成し、これらの信号を液晶パネルＡＡに供給する。
【００３４】
＜１−２：画像表示領域＞
次に、画像表示領域Ａには、図１に示されるように、ｍ（ｍは２以上の自然数）本の走査線２が、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ（ｎは２以上の自然数）本のデータ線３が、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。そして、走査線２とデータ線３との交差付近においては、ＴＦＴ５０のゲートが走査線２に接続される一方、ＴＦＴ５０のソースがデータ線３に接続されるとともに、ＴＦＴ５０のドレインが画素電極６に接続される。そして、各画素は、画素電極６と、対向基板に形成される対向電極（後述する）と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される。この結果、走査線２とデータ線３との各交差に対応して、画素はマトリクス状に配列されることとなる。なお、ＴＦＴ５０は、Ｎ型又はＰ型のいずれであってもよいが、この例ではＮ型の半導体を用いるものとする。
【００３５】
また、ＴＦＴ５０のゲートが接続される各走査線２には、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加されるようになっている。このため、ある走査線２に走査信号が供給されると、当該走査線に接続されるＴＦＴ５０がオンするので、データ線３から所定のタイミングで供給される画像信号Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎは、対応する画素に順番に書き込まれた後、所定の期間保持されることとなる。
【００３６】
各画素に印加される電圧レベルに応じて液晶分子の配向や秩序が変化するので、光変調による階調表示が可能となる。例えば、液晶を通過する光量は、ノーマリーホワイトモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて制限される一方、ノーマリーブラックモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて緩和されるので、液晶装置全体では、画像信号に応じたコントラストを持つ光が各画素毎に出射される。このため、所定の表示が可能となる。
【００３７】
また、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量５１が、画素電極６と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加される。例えば、画素電極６の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量５１により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００３８】
＜１−３：走査線駆動回路＞
走査線駆動回路１００には各種の態様がある。ここでは、代表的な３つの態様について説明する。
【００３９】
＜１−３−１：第１態様＞
図２は第１態様に係る走査線駆動回路１００の回路図である。走査線駆動回路１００は、Ｙシフトレジスタ１１０と選択信号生成回路１２０、及び電位選択回路群１３０を備える。Ｙシフトレジスタ１１０は、Ｙ転送開始パルスＤＹをＹクロック信号ＹＣＫ及び反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢに同期して転送して、シフト信号ｙ１、ｙ２、…、ｙｍを順次生成する。シフト信号ｙ１、ｙ２、…、ｙｍは、第１番目から第ｍ番目の走査線２を選択期間において各々アクティブ（ハイレベル）となる。
【００４０】
選択信号生成回路１２０は、コモン同期信号ＶＣに基づいて、低電位選択信号ＳＬと高電位選択信号ＳＨとを生成する。コモン同期信号ＶＣは上述したようにコモン電位ＶＣＯＭの変化に同期した信号である。低電位選択信号ＳＬは、非選択状態にある走査線２の電位を低電位ＶＳＳＬ（低走査線電位）にするときアクティブ（ハイレベル）となり、高電位ＶＳＳＨ（高走査線電位）にするとき非アクティブ（ローレベル）となる。一方、高電位選択信号ＳＨは、非選択状態にある走査線２の電位を高電位ＶＳＳＨにするときアクティブ（ハイレベル）となり、低電位ＶＳＳＬにするとき非アクティブ（ローレベル）となる。図４に示すように、高電位選択信号ＳＨの立ち上がりタイミングは、コモン同期信号ＶＣの立ち上がりタイミングより時間Δｔだけ遅延させたものである。また、高電位選択信号ＳＨの立ち下がりタイミングは、コモン同期信号ＶＣの立ち下がりタイミングと一致する。
【００４１】
図２に示す電位選択回路群１３０は、ｍ個の電位選択回路Ｕ１、Ｕ２、…、Ｕｍを備える。各電位選択回路Ｕ１、Ｕ２、…、Ｕｍは、構成が同一であるので、電位選択回路Ｕ１について説明する。
【００４２】
図３は電位選択回路Ｕ１の回路図である。電位選択回路Ｕ１は第１インバータＩＮＶ１、第２インバータＩＮＶ２、及び電位供給部１３１を備える。電位供給部１３１は、第２インバータＩＮＶ２の低電位側の電位を供給する回路である。電位供給部１３１は、２個のスイッチＳＷ１及びＳＷ２を備える。これらのスイッチＳＷ１及びＳＷ２は、ＮチャネルのＴＦＴから構成されている。スイッチＳＷ１は、高電位選択信号ＳＨがアクティブのときオン状態となり、第２インバータＩＮＶ２に高電位ＶＳＳＨを供給する。一方、スイッチＳＷ２は低電位選択信号ＳＬがアクティブのときオン状態となり、第２インバータＩＮＶ２に低電位ＶＳＳＬを供給する。
【００４３】
以上の構成において、シフト信号ｙ１がアクティブ（ハイレベル）になると、第１インバータＩＮＶ１の出力信号がローレベルとなり、第２インバータＩＮＶ２を構成するＰチャネルＴＦＴがオン状態となる。従って、走査信号Ｙ１のレベルは電位ＶＤＤとなり、第１番目の走査線２が選択状態となる。一方、シフト信号ｙ１が非アクティブ（ローレベル）になると、第１インバータＩＮＶ１の出力信号がハイレベルとなり、第２インバータＩＮＶ２を構成するＮチャネルＴＦＴがオン状態となる。このとき、低電位ＶＳＳＬ又は高電位ＶＳＳＨの一方が選択され、第２インバータＩＮＶ２に供給される。第１番目の走査線２を非選択状態とする電位は、低電位選択信号ＳＬ及び高電位選択信号ＳＨに従って切り替わる。
【００４４】
図４は、走査線電位Ｖ１及び画素電極電位Ｖ２の関係を示すタイミングチャートである。対向電極と画素電極６は容量結合しているので、時刻Ｔ１においてコモン同期信号ＶＣと同期して、コモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへ変化すると、画素電極電位Ｖ２が時刻Ｔ１から立ち上がる。この立ち上がり波形は、対向電極の時定数τＶＣＯＭに従った形となる。時定数τＶＣＯＭは、対向電極と画素電極６との間の液晶容量及び等価抵抗等によって定まる。
【００４５】
そして、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの期間Δｔにおいては、低電位選択信号ＳＬがアクティブとなるから、走査線電位Ｖ１は低電位ＶＳＳＬを維持する。時刻Ｔ２において、高電位選択信号ＳＨがアクティブになると、走査線電位Ｖ１が低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへ向けて立ち上がる。この立ち上がり波形は、時定数τＧに従う。この時定数τＧは、走査線２の等価容量及び電位選択回路Ｕ１〜Ｕｍの出力インピーダンス等によって定まる。走査線２の等価容量は、液晶容量と比較して小さいので、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形は画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形と比較して急峻となる。
【００４６】
仮に、コモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへ変化するタイミングと、非選択状態にある走査線の走査線電位Ｖ１が低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへと変化するタイミングが一致すると、画素電極電位Ｖ２が走査線電位Ｖ１を上回り、ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまう可能性がある。
【００４７】
しかしながら、第１態様においては、コモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへ変化するタイミングと、非選択状態にある走査線の走査線電位Ｖ１が低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへと変化するタイミングとを非同期とし、前者のタイミングから後者のタイミングを時間Δｔだけ遅延させたので、ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまうのを回避できる。換言すれば、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を下回るように時間Δｔを定めている。
【００４８】
この結果、非選択状態にある走査線２に接続された各ＴＦＴ５０が一時的にオンしてしまうことを回避しつつ、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を低減することができ、表示画像の品質を大幅に向上させることができる。
【００４９】
＜１−３−２：第２態様＞
第１態様は、非選択状態にある走査線２の走査線電位Ｖ１を低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへと変化させるタイミングをコモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへ変化するタイミングから遅らせることにより、過渡的に走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回ることを防止するものであった。これに対して、第２態様は、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形に係る時定数を調整することによって、過渡的に走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回ることを防止するものである。なお、以下の説明では、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形と立ち下がり波形とで時定数を区別するため、立ち上がり波形に係る時定数をτＧ１、立ち下がり波形に係る時定数をτＧ２と記載することにする。
【００５０】
第２態様の走査線駆動回路１００は、選択信号生成回路１２０の替わりに別の選択信号生成回路を用いる点を除いて、上述した第１態様の走査線駆動回路１００と同様である。この選択信号生成回路は、コモン同期信号ＶＣと同期する高電位選択信号ＳＨ及び低電位選択信号ＳＬを生成する点、及び高電位選択信号ＳＨがアクティブとなるレベルを時定数τＧ１との関係で設定した点が、上述した選択信号生成回路１２０と相違する。
【００５１】
この例では、高電位選択信号ＳＨのハイレベルを電位ＶＤＤ１とし、低電位選択信号ＳＬのハイレベルを電位ＶＤＤ２とする。ＶＤＤ１、ＶＤＤ２、ＶＳＳＨ、ＶＳＳＬには、以下の関係がある。
｜ＶＤＤ１−ＶＳＳＨ｜≦｜ＶＤＤ２−ＶＳＳＬ｜…式１
【００５２】
即ち、図３に示すスイッチＳＷ１のゲート・ソース間電圧は、スイッチＳＷ２のゲート・ソース間電圧より小さい。従って、スイッチＳＷ１のオン抵抗はスイッチＳＷ２のオン抵抗と比較して大きくなる。この結果、図５に示すように走査線電位Ｖ１の立ち上がり時間ＴＵ１はその立ち下がり時間ＴＤ１より長くなる。
【００５３】
スイッチＳＷ１のオン抵抗値をＲ１、スイッチＳＷ２のオン抵抗値をＲ２、走査線２の等価抵抗をＲ３、非選択状態における走査線２の等価容量をＣとすると、時定数τＧ１はτＧ１＝Ｃ・（Ｒ１＋Ｒ３）となり、時定数τＧ２はτＧ２＝Ｃ・（Ｒ２＋Ｒ３）となる。つまり、オン抵抗値Ｒ１及びオン抵抗値Ｒ２によって、時定数τＧ１及び時定数τＧ２を調整することができる。そして、時定数τＧ１に従って走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形が定まると共に時定数τＧ２に従って走査線電位Ｖ１の立ち下がり波形が定まる。即ち、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形はスイッチＳＷ１のオン抵抗値Ｒ１によって調整することができ、走査線電位Ｖ１の立ち下がり波形はスイッチＳＷ２のオン抵抗値Ｒ２によって調整することができる。
【００５４】
そこで、第２態様では、対向電極の時定数をτＶＣＯＭとしたとき、τＧ１≧τＶＣＯＭ、τＧ２≦τＶＣＯＭとする。具体的には、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を下回るようにオン抵抗値Ｒ１及びオン抵抗値Ｒ２を定める。オン抵抗値Ｒ１はＶＤＤ１−ＶＳＳＨによって定まるから、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形を下回るように高電位選択信号ＳＨのハイレベル電位ＶＤＤ１を定める。また、オン抵抗値Ｒ２はＶＤＤ２−ＶＳＳＬによって定まるから、走査線電位Ｖ１の立ち下がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち下がり波形を下回るように低電位選択信号ＳＬのハイレベル電位ＶＤＤ２を定める。
【００５５】
ここで、τＧ２≦τＶＣＯＭ≦τＧ１の関係があることら、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形に係る時定数τＧ１は、立ち下がり波形に係る時定数τＧ２より大きい。このため、オン抵抗値Ｒ１はオン抵抗値Ｒ２より大きく、上述した式１が成り立つ。
【００５６】
図５は、第２態様に係る走査線電位Ｖ１及び画素電極電位Ｖ２の関係を示すタイミングチャートである。時刻Ｔ３において、コモン同期信号ＶＣがローレベルからハイレベルに立ち上がると、コモン電位ＶＣＯＭが低コモン電位ＶＣＯＭＬから高コモン電位ＶＣＯＭＨへと遷移する。このコモン電位ＶＣＯＭの変化に同期して、高電位選択信号ＳＨがアクティブとなる。このとき、高電位選択信号ＳＨのハイレベル電位はＶＤＤ１であるから、スイッチＳＷ１のオン抵抗値Ｒ１は比較的大きな値となる。そして、走査線電位Ｖ１はオン抵抗値Ｒ１によって定まる時定数τＧ１に従って低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへと立ち上がる。時定数τＧ１は比較的大きな値となっているので、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回ることはない。
【００５７】
次に、時刻Ｔ４においてコモン同期信号ＶＣがハイレベルからローレベルに立ち下がると、コモン電位ＶＣＯＭが高コモン電位ＶＣＯＭＨから低コモン電位ＶＣＯＭＬへと遷移する。このコモン電位ＶＣＯＭの変化に同期して、低電位選択信号ＳＬがアクティブとなる。このとき、低電位選択信号ＳＬのハイレベル電位はＶＤＤ２であるから、スイッチＳＷ２のオン抵抗値Ｒ２は比較的小さな値となる。そして、走査線電位Ｖ１はオン抵抗値Ｒ２によって定まる時定数τＧ２に従って高電位ＶＳＳＨから低電位ＶＳＳＬへと立ち下がる。時定数τＧ２は比較的小さな値となっているので、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回ることはない。
【００５８】
このように第２態様においては、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回らないように電位供給部１３１のスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２のオン抵抗Ｒ１及びＲ２を設定したので、非選択状態にある走査線２に接続された各ＴＦＴ５０を一時的にオンすることなく、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を適切に低減することができ、表示画像の品質を大幅に向上させることができる。
【００５９】
なお、上述した例では、スイッチＳＷ１及びＳＷ２のゲート電圧を調整することによって、オン抵抗Ｒ１及びＲ２を定めたが、オン抵抗はトランジスタのサイズに応じて定まるため、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回らないようにスイッチＳＷ１及びＳＷ２のサイズ（ゲート幅／ゲート長）を設定してもよい。
【００６０】
具体的には、スイッチＳＷ１を構成するトランジスタのゲート幅をＷ１、ゲート長をＬ１とし、スイッチＳＷ２を構成するトランジスタのゲート幅をＷ２、ゲート長をＬ２としたとき、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形を上回らないようにスイッチＳＷ１のサイズＷ１／Ｌ１を設定し、走査線電位Ｖ１の立ち下がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち下がり波形を上回らないようにスイッチＳＷ２のサイズＷ２／Ｌ２を設定してもよい。この場合には、スイッチＳＷ１のサイズをスイッチＳＷ２のサイズ以下とし、Ｗ１／Ｌ１≦Ｗ２／Ｌ２とすることが好ましい。また、上述したベース電圧によるオン抵抗の調整とトランジスタのサイズによるオン抵抗の調整を適宜組み合わせてもよいことは勿論である。
【００６１】
＜１−３−３：第３態様＞
図６に第３態様に係る電位選択回路の回路図を示す。第３態様に係る電位選択回路は、第１スイッチＳＷ１のドレインと高電位ＶＳＳＨを供給する電源との間に抵抗１３２を設けた点を除いて、図３に示す第１態様に係る電位選択回路と同様に構成されている。換言すれば、第３態様は、非選択状態にある走査線２に対して高電位ＶＳＳＨを供給する配線の途中に抵抗を設けるものである。
【００６２】
これにより、時定数τＧ１を時定数τＧ２より大きくすることができる。抵抗１３２に抵抗値は、走査線電位Ｖ１の立ち上がり波形が画素電極電位Ｖ２の立ち上がり波形を上回らないように設定されている。ここで、抵抗１３２は、金属配線等によっても形成することができるが、所要面積を縮小する観点から、半導体膜のように抵抗率が大きい薄膜等で形成することが好ましい。なお、第３態様において、走査線電位Ｖ１と画素電極電位Ｖ２との関係は、図５に示す第２態様と同様である。
【００６３】
このように第３態様においては、電位供給部１３１に抵抗１３２を設け、走査線電位Ｖ１が画素電極電位Ｖ２を上回らないように抵抗１３２の抵抗値を設定したので、非選択状態にある走査線２に接続された各ＴＦＴ５０を一時的にオンすることなく、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を適切に低減することができ、表示画像の品質を大幅に向上させることが可能となる。
【００６４】
＜１−４：データ線駆動回路及びサンプリング回路＞
データ線駆動回路２００は、Ｘ転送開始パルスＤＸをＸクロック信号ＸＣＫ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＫＢに同期して転送して、サンプリング信号ＳＲ１、ＳＲ２、…、ＳＲｎを順次生成する。各サンプリング信号ＳＲ１〜ＳＲｎは、図１に示すサンプリング回路２４０に供給される。サンプリング回路２４０は、ｎ個のスイッチＳＷ１〜ＳＷｎを備える。各スイッチＳＷ１〜ＳＷｎは、ＴＦＴによって構成されている。そして、ゲートに供給される各サンプリング信号ＳＲ１〜ＳＲｎが順次アクティブになると、各スイッチＳＷ１〜ＳＷｎが順次オン状態となる。すると、画像信号供給線Ｌ１〜Ｌ３を介して供給される画像信号４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂがサンプリングされ、各データ線３に順次供給される。
【００６５】
＜１−５：液晶パネルの構成例＞
次に、上述した電気的構成に係る液晶パネルの全体構成について図７及び図８を参照して説明する。ここで、図７は、液晶パネルＡＡの構成を示す斜視図であり、図８は、図７におけるＺ−Ｚ’線断面図である。
【００６６】
これらの図に示されるように、液晶パネルＡＡは、画素電極６等が形成されたガラスや半導体等の素子基板１５１と、共通電極１５８等が形成されたガラス等の透明な対向基板１５２とを、スペーサ１５３が混入されたシール材１５４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶１５５を封入した構造となっている。なお、シール材１５４は、対向基板１５２の基板周辺に沿って形成されるが、液晶１５５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１５５の封入後に、その開口部分が封止材１５６によって封止されている。
【００６７】
ここで、素子基板１５１の対向面であって、シール材１５４の外側一辺においては、上述したデータ線駆動回路２００が形成されて、Ｙ方向に延在するデータ線３を駆動する構成となっている。さらに、この一辺には複数の接続電極１５７が形成されて、タイミング発生回路３００からの各種信号や画像信号４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを入力する構成となっている。また、この一辺に隣接する一辺には、走査線駆動回路１００が形成されて、Ｘ方向に延在する走査線２をそれぞれ両側から駆動する構成となっている。
【００６８】
一方、対向基板１５２の共通電極１５８は、素子基板１５１との貼合部分における４隅のうち、少なくとも１箇所において設けられた導通材によって、素子基板１５１との電気的導通が図られている。そして、導通材を介してコモン電位ＶＣＯＭが供給されるようになっている。ほかに、対向基板１５２には、液晶パネルＡＡの用途に応じて、例えば、第１に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第２に、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクスが設けられ、第３に、液晶パネルＡＡに光を照射するバックライトが設けられる。特に色光変調の用途の場合には、カラーフィルタは形成されずにブラックマトリクスが対向基板１５２に設けられる。
【００６９】
くわえて、素子基板１５１および対向基板１５２の対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜などが設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光板（図示省略）がそれぞれ設けられる。ただし、液晶１５５として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜、偏光板等が不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。
【００７０】
なお、データ線駆動回路２００、走査線駆動回路１００等の周辺回路の一部または全部を、素子基板１５１に形成する替わりに、例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いてフィルムに実装された駆動用ＩＣチップを、素子基板１５１の所定位置に設けられる異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良いし、駆動用ＩＣチップ自体を、ＣＯＧ（Chip On Grass）技術を用いて、素子基板１５１の所定位置に異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良い。
【００７１】
＜２．応用例＞
＜２−１：素子基板の構成など＞
上述した各実施形態においては、液晶パネルの素子基板１５１をガラス等の透明な絶縁性基板により構成して、当該基板上にシリコン薄膜を形成するとともに、当該薄膜上にソース、ドレイン、チャネルが形成されたＴＦＴによって、画素のスイッチング素子（ＴＦＴ５０）やデータ線駆動回路２００、および走査線駆動回路１００の素子を構成するものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではない。
【００７２】
例えば、素子基板１５１を半導体基板により構成して、当該半導体基板の表面にソース、ドレイン、チャネルが形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって、画素のスイッチング素子や各種の回路の素子を構成しても良い。このように素子基板１５１を半導体基板により構成する場合には、透過型の表示パネルとして用いることができないため、画素電極６をアルミニウムなどで形成して、反射型として用いられることとなる。また、単に、素子基板１５１を透明基板として、画素電極６を反射型にしても良い。
【００７３】
＜２−２：電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
＜２−２−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００７４】
この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００７５】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶パネルＡＡと同等であり、画像信号処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７６】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７７】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７８】
＜２−２−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、この液晶パネルを、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１０は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００７９】
＜２−２−３：携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１１は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶パネル１００５を備えるものである。この反射型の液晶パネル１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００８０】
なお、図９〜図１１を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】 同装置の走査線駆動回路１００の詳細な構成を示す回路図である。
【図３】 第１態様に係る電位選択回路Ｕ１の回路図である。
【図４】 第１態様における走査線電位Ｖ１及び画素電極電位Ｖ２の関係を示すタイミングチャートである。
【図５】 第２態様における走査線電位Ｖ１及び画素電極電位Ｖ２の関係を示すタイミングチャートである。
【図６】 第３態様に係る電位選択回路Ｕ１の回路図である。
【図７】 液晶パネルの構造を説明するための斜視図である。
【図８】 液晶パネルの構造を説明するための一部断面図である。
【図９】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たるビデオプロジェクタの断面図である。
【図１０】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１１】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１２】 従来の液晶装置における１画素の構成を示す回路図である。
同液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１３】 ＴＦＴ５０の静特性を示すグラフである。
【図１４】 従来の駆動方法の問題点を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
２…走査線、３…データ線、６…画素電極、５０…ＴＦＴ、１００…走査線駆動回路、ＳＨ…高電位選択信号、ＳＬ…低電位選択信号、ＶＳＳＬ…低電位、ＶＳＳＨ…高電位。ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチ。
Claims (12)
- 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを備え、所定周期で切り替わる低コモン電位と高コモン電位とが前記対向電極に交互に供給される電気光学パネルの駆動回路であって、
非選択状態にある前記走査線の電位が前記画素電極の電位を下回るように、前記対向電極の時定数よりも大きな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を低走査線電位から高走査線電位へ遷移させる駆動手段を備える
ことを特徴とする電気光学パネルの駆動回路。 - 前記駆動手段は、
非選択状態にある前記走査線の電位が前記画素電極の電位を下回るように、前記対向電極の時定数よりも小さな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記高走査線電位から前記低走査線電位へ遷移させる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学パネルの駆動回路。 - 前記駆動手段は、
非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段とを備え、
非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタのオン抵抗値を設定した
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学パネルの駆動回路。 - 前記駆動手段は、
前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段を備え、
前記第１トランジスタをオン状態にする高電位選択信号の電位と前記高走査線電位との差分値に応じて定まる前記第１トランジスタのオン抵抗値が、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタをオン状態にする高電位選択信号の電位を設定した
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学パネルの駆動回路。 - 前記駆動手段は、
前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段を備え、
前記第１トランジスタのサイズに応じて定まる前記第１トランジスタのオン抵抗値が、非選択状態にある前記走査線に接続される前記トランジスタの前記画素電極の電位を前記走査線の電位が下回るように、前記第１トランジスタのサイズを設定した
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学パネルの駆動回路。 - 前記駆動手段は、
非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段とを備え、
前記第１トランジスタをオン状態にする前記高電位選択信号の電位と前記高走査線電位との差分値を、前記第２トランジスタをオン状態にする前記低電位選信号の電位と前記低走査線電位との差分値以下となるように設定する
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学パネルの駆動回路。 - 前記駆動手段は、
非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、前記第１トランジスタのオン・オフを制御する高電位選択信号と前記第２トランジスタのオン・オフを制御する低電位選択信号とを生成する選択信号生成手段とを備え、
前記第１トランジスタのサイズが、前記第２トランジスタのサイズ以下である
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学パネルの駆動回路。 - 前記駆動手段は、
非選択状態にある前記走査線の電位として前記高走査線電位を選択する第１トランジスタと、非選択状態にある前記走査線の電位として前記低走査線電位を選択する第２トランジスタと、前記第１トランジスタ又は前記第２トランジスタから供給される電位を非選択状態にある前記走査線に供給する供給手段と、第１トランジスタと前記低走査線電位を供給する電源との間の配線中に設けられた抵抗と
を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学パネルの駆動回路。 - 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極と、所定周期で切り替わる低コモン電位と高コモン電位とを前記対向電極に交互に供給する対向電極駆動手段と、
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載した駆動回路と、
を備えたことを特徴する電気光学パネル。 - 請求項９に記載の電気光学パネルを備えたことを特徴とする電子機器。
- 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記走査線の電位に応じて前記データ線と前記画素電極との間の接続状態を切替えるトランジスタと、前記画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極とを有する電気光学パネルの駆動方法であって、
前記対向電極の電位として低コモン電位と高コモン電位とを有し、前記低コモン電位と前記高コモン電位とを所定周期で交互に切替えて前記対向電極に供給し、
非選択状態にある前記走査線の電位として低走査線電位と高走査線電位とを有し、非選択状態にある前記走査線の電位が前記画素電極の電位を下回るように、前記対向電極の時定数よりも大きな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記低走査線電位から前記高走査線電位へ遷移させる
ことを特徴とする電気光学パネルの駆動方法。 - 非選択状態にある前記走査線の電位が前記画素電極の電位を下回るように、前記対向電極の時定数よりも小さな時定数で非選択状態にある前記走査線の電位を前記高走査線電位から前記低走査線電位へ遷移させる
ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学パネルの駆動方法。
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