JP3837998B2 - レベル変換回路、データ線駆動回路、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の走査線及び複数のデータ線と、それらの交差に対応してマトリックス状に配置された画素電極及びスイッチング素子とを有する電気光学パネルを駆動するために用いられるレベル変換回路、データ線駆動回路、電気光学装置および電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電気光学パネル、例えば、アクティブマトリクス方式の液晶表示パネルは、主に、マトリクス状に配列した画素電極の各々にスイッチング素子が設けられた素子基板と、カラーフィルタなどが形成された対向基板と、これら両基板との間に充填された液晶とから構成される。このような構成において、走査線を介してスイッチング素子に走査信号（選択電圧）を印加すると、当該スイッチング素子が導通状態となる。そして導通状態の際に、データ線を介して画素電極に信号を印加すると、当該画素電極および対向電極（共通電極）の間の液晶層に所定の電荷が蓄積される。電荷蓄積後、非選択電圧を印加して、当該スイッチング素子をオフ状態としても、液晶層の抵抗が十分に高ければ、当該液晶層における電荷の蓄積が維持される。そして、各スイッチング素子を駆動して蓄積させる電荷の量を制御すると、画素毎に液晶の配向状態が変化して、所定の情報を表示することが可能となる。
【０００３】
このような液晶表示パネルにおいて、各データ線を駆動するために３値の電圧を出力するデータ線駆動回路が用いられることがある。例えば、液晶表示パネルがノーマリーホワイトモードで動作するものとすれば、３値駆動の場合には、共通電極に白レベル電圧ＶＷが供給される一方、データ線には、白レベル電圧ＶＷ、第１黒レベル電圧ＶＫ＋、第２黒レベル電圧ＶＫ−の中から選択されたものが供給される。ここで、第１黒レベル電圧ＶＫ＋と第２黒レベル電圧ＶＫ−とは、白レベル電圧ＶＷを中心として、極性が反転したものである。液晶の透過率は共通電極と画素電極との間の実効電圧に応じて変化するから、データ線に第１黒レベル電圧ＶＫ＋を供給しても第２黒レベル電圧ＶＫ−を供給しても透過率は同じになる。
【０００４】
しかし、液晶には、直流電圧が引加されるとその組成が変化し、特性が劣化するといった性質があるので、データ線に供給する電圧は共通電極の電圧を中心しとして交流駆動するのが一般的である。このため、あるデータ線に着目したとき、あるフィールドでは黒レベルを表示させる際に第１黒レベル電圧ＶＫ＋を選択する一方、次のフィールドにあっては第２黒レベル電圧ＶＫ−を選択するようにしている。
【０００５】
このような従来のデータ線駆動回路にあっては、入力画像データをデータ線の数に応じた線順次画像データに変換して、各線順次画像データのレベルをレベル変換回路によって変換してデータ線に供給していた。図１４は、従来のデータ線駆動回路に用いられるレベル変換回路の回路図である。
【０００６】
この図に示すように、あるデータ線に対応するレベル変換回路は、インバータINV1〜INV3、レベルシフタＬＳ、およびトランスファーゲートＧ１〜Ｇ４から構成されている。奇数フィールド信号FLODは当該フィールドが偶数フィールドのときにのみ‘１’となり、偶数フィールド信号FLEVは当該フィールドが奇数フィールドのときにのみ‘１’となる。
【０００７】
以上の構成によれば、トランスファーゲートＧ１は奇数フィールドにおいて第１黒レベル電圧ＶＫ＋を出力する一方、トランスファーゲートＧ２は偶数フィールドにおいて第２黒レベル電圧ＶＫ−を出力する。そして、トランスファーゲートＧ３は、線順次画像データＤが‘０’のときトランスファーゲートＧ１の出力電圧をデータ線に供給する一方、線順次画像データＤが‘１’のときハイインピーダンス状態となる。また、トランスファーゲートＧ４は線順次画像データＤが‘０’のときハイインピーダンス状態となる一方、線順次画像データＤが‘１’のとき白レベル電圧ＶＷをデータ線に供給する。
【０００８】
ここで、トランスファーゲートＧ３を介してデータ線に供給される電圧は第１および第２黒レベル電圧ＶＫ＋，ＶＫ−であるから、その制御信号のレベルは第２黒レベル電圧ＶＫ＋，ＶＫ−をスイッチングできるように大振幅である必要がある。レベルシフタＬＳは、このために用いられ、小振幅の線順次画像データＤを大振幅に変換する変換器として機能する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のレベル変換回路において、トランスファーゲートＧ１，Ｇ２は、トランスファーゲートＧ３と同様に、第１および第２黒レベル電圧ＶＫ＋，ＶＫ−をスイッチングする。このため、奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVの振幅を大振幅にする必要がある。
【００１０】
しかしながら、これらの信号を大振幅で駆動すると、駆動回路の回路規模が大きくなり、かつ、消費電力が増加するといった問題があった。さらに、従来のレベル変換回路では、４個のトランスファーゲートを使用するので、回路規模が大きいといった問題があった。
【００１１】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電力を低減するとともに、回路規模を縮小したレベル変換回等を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のレベル変換回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された画素電極及びスイッチング素子とを有する電気光学パネルを駆動する駆動回路に用いられるものであって、あるデータ線に対応する小振幅画像データとフィールド種別を示す小振幅フィールド信号とに基づいて、小振幅制御信号を生成する制御部と、前記小振幅制御信号に基づいて、その論理振幅レベルを大振幅に変換して大振幅制御信号を生成するレベルシフト部と、前記大振幅制御信号に基づいて、複数の電圧の中から選択した電圧を当該データ線に出力する選択部とを備えることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、制御部は小振幅画像データと小振幅フィールド信号とに基づいて小振幅制御信号を生成し、選択部はレベルシフト処理が施された大振幅制御信号によって動作する。このため、フィールド信号の振幅を小振幅にすることができ、これを駆動する駆動回路として駆動能力の小さいものを使用することができる。さらに、駆動回路の消費電力を削減することができる。くわえて、制御部は小振幅で動作すれば足りるから、レベル変換回路自体の消費電力を削減することができる。
【００１４】
ここで、前記複数の電圧は、基準電圧、前記基準電圧を中心電圧として正側にある電位差を有する正極性電圧、前記基準電圧を中心電圧として負側に当該電位差を有する負極性電圧であり、前記制御部は、前記小振幅画像データが一方のデジットを示すときに前記基準電圧を選択するように前記選択部を制御し、前記小振幅画像データが他方のデジットを示すときには、前記小振幅フィールド信号が奇数フィールドを示すか偶数フィールドを示すかに応じて前記正極性電圧または前記負極正電圧のうち一方を選択するように前記選択部を制御することが望ましい。また、基準電圧は、画素電極と電気光学物資たる液晶を狭持してなる共通電極の電圧であることが望ましい。この場合には、データ線を基準電圧を中心として交流駆動することが可能となる。
【００１５】
また、上述したレベル変換回路において、前記選択部は、一方の入出力端子があるデータ線に接続され、他方の入出力端子に前記正極性電圧が供給される第１トランスファーゲートと、一方の入出力端子が前記データ線に接続され、他方の入出力端子に前記基準電圧が供給される第２トランスファーゲートと、一方の入出力端子が前記データ線に接続され、他方の入出力端子に前記負極性電圧が供給される第３トランスファーゲートとを備え、前記制御部は、前記大振幅制御信号を前記第１、第２、および第３トランスファーゲートの各制御入力端子に供給することによって、前記選択部を制御することが望ましい。この構成によれば、各トランスファーゲートを制御するのは大振幅制御信号であるから、フィールド信号がトランスファーゲートの制御入力端子に直接供給されることはない。したがって、フィールド信号として小振幅のものを用いることが可能となる。
【００１６】
本発明の他のレベル変換回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された画素電極及びスイッチング素子とを有する電気光学パネルを駆動する駆動回路に用いられるレベル変換回路であって、あるデータ線に対応する小振幅画像データと奇数フィールドまたは偶数フィールドの種別を示す小振幅フィールド信号とに基づいて、小振幅制御信号を生成する制御部と、電源電圧として、基準電圧、前記基準電圧を中心電圧として正側にある電位差を有する正極性電圧、前記基準電圧を中心電圧として負側に当該電位差を有する負極性電圧が給電され、前記小振幅制御信号に基づいて、前記各電源電圧の中から選択した電圧を当該データ線に出力するレベルシフト部とを備えることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、レベルシフト部は、基準電圧、正極性電圧、および負極性電圧を電源電圧として動作するから、これらの電圧の中から所望の電圧を選択して出力することができる。これにより、選択部を用いることなく、データ線を３値で駆動することができ、レベル変換回路の回路規模を大幅に縮小することが可能となる。
【００１８】
ここで、前記制御部は、前記小振幅画像データが一方のデジットを示し、かつ、前記小振幅フィールド信号が一方のフィールドを示すときにアクティブとなる第１小振幅制御信号と、前記小振幅画像データが一方のデジットを示し、かつ、前記小振幅フィールド信号が他方のフィールドを示すときにアクティブとなる第２小振幅制御信号とを生成し、前記レベルシフト部は、正電源電圧として前記正極性電圧が給電される一方、負電源電圧として前記基準電圧が給電され、前記第１小振幅制御信号がアクティブのとき前記正極性電圧を出力端子から出力し、前記第１小振幅制御信号が非アクティブかつ前記第２小振幅制御信号がアクティブのとき出力端子をハイインピーダンス状態にし、前記第１小振幅制御信号が非アクティブかつ前記第２小振幅制御信号が非アクティブのとき出力端子から前記基準電圧を出力する第１レベルシフタと、正電源電圧として前記基準電圧が給電される一方、負電源電圧として前記負極性電圧が給電され、前記第２小振幅制御信号がアクティブのとき前記負極性電圧を出力端子から出力し、前記第２小振幅制御信号が非アクティブかつ前記第１小振幅制御信号がアクティブのとき出力端子をハイインピーダンス状態にし、前記第１小振幅制御信号が非アクティブかつ前記第２小振幅制御信号が非アクティブのとき出力端子から前記基準電圧を出力する第２レベルシフタとを有し、前記第１レベルシフタの出力端子と前記第２レベルシフタの出力端子との接続点を前記データ線に接続することが望ましい。これにより、第１レベルシフタおよび第２レベルシフタによって、データ線を直接駆動することが可能となる。
【００１９】
次に、本発明のデータ線駆動回路にあっては、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された画素電極及びスイッチング素子とを有する電気光学パネルに用いられるものであって、入力画像データを各点順次画像データに変換する第１変換部と、前記各点順次画像データを各線順次画像データに変換する第２変換部と、上述したレベル変換回路を複数個備え、前記各線順次画像データを前記小振幅画像データとして各レベル変換回路に供給することを特徴とする。このデータ線駆動回路によれば、フィールド信号の振幅を小振幅にすることができ、これを駆動する駆動回路として駆動能力の小さいものを使用することができる。さらに、駆動回路の消費電力を削減することができる。くわえて、レベル変換回路自体の消費電力を削減するとともにその回路規模を縮小でき、ひいてはデータ線駆動回路の消費電力および回路規模を削減できる。
【００２０】
次に、本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された画素電極及びスイッチング素子とを有する画素領域と、上述したデータ線駆動回路と、前記走査線を駆動するための走査線駆動回路と、前記小振幅フィールド信号を生成して前記データ線駆動回路に供給するタイミング生成回路とを備えたことを特徴とする。この電気光学装置によれば、タイミング生成回路で生成する小振幅フィールド信号は小振幅で足りるため、その駆動回路の回路規模を縮小するとともに、電気光学装置全体の消費電力を低減することができる。この場合、画素領域に構成されるスイッチング素子は薄膜トランジスタであり、駆動回路も薄膜トランジスタで構成することが望ましい。
【００２１】
また、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えることを特徴とするものであり、例えば、ビデオカメラに用いられるビューファインダ、携帯電話機、ノート型コンピュータ、ビデオプロジェクタ等が該当する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
＜１．第１実施形態＞
＜１−１：液晶装置の全体構成＞
まず、本発明に係る電気光学装置として、電気光学材料として液晶を用いた液晶装置を一例にとって説明する。液晶装置の主要部は、後述するように、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する）を形成した素子基板と対向基板とが互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付されて、この間隙に液晶が挟持された液晶パネルから構成されている。
【００２４】
図１は第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。この液晶装置は、液晶パネル素子基板上に画像表示領域Ａ、データ線駆動回路１００、走査線駆動回路２００を備えており、また、外部処理回路としてタイミング発生回路３００を備えている。
【００２５】
この例では、液晶装置に供給される入力画像データＤｉｎのビット数は１ビットであるものとする。ただし、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、複数ビットであってもよいことは勿論である。また、この例では、入力画像データＤは１色に対応するものとして説明するが、ＲＧＢの３原色に対応するものであっても良いことはいうまでもない。
【００２６】
ここで、タイミング発生回路３００は、入力画像データＤｉｎに同期してＹクロック信号ＹＣＫ、反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢ、Ｘクロック信号ＸＣＫ、反転Ｘクロック信号ＸＣＫＢ、Ｙ転送開始パルスＤＹ、Ｘ転送開始パルスＤＸ、およびラッチパルスＬＡＴ等の他、奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVを生成して、データ線駆動回路１００および走査線駆動回路２００に供給するようになっている。また、タイミング発生回路３００で生成する各種信号は消費電力の低減するために小振幅となっており、例えば、論理レベルが‘０’のとき０Ｖ、論理レベルが‘１’のとき５Ｖとなっている。
【００２７】
次に、走査線駆動回路２００は、Ｙシフトレジスタおよびレベルシフタを備えている（図示略）。Ｙシフトレジスタは、Ｙ転送開始パルスＤＹをＹクロック信号ＹＣＫおよび反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢに従って順次転送して、各水平走査期間毎にアクティブとなる各信号を順次生成する。レベルシフタは、ＴＦＴ５０のオン・オフを制御できるように、Ｙシフトレジスタの各出力信号をレベルシフトして各走査信号Ｙ１〜Ｙｍとして出力する。
【００２８】
＜１−２：画像表示領域＞
次に、画像表示領域Ａは、図１に示されるように、ｍ本の走査線３ａが、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ本のデータ線６ａが、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。そして、走査線３ａとデータ線６ａとの交差付近においては、ＴＦＴ５０のゲートが走査線３ａに接続される一方、ＴＦＴ５０のソースがデータ線６ａに接続されるとともに、ＴＦＴ５０のドレインが画素電極９ａに接続されている。そして、各画素は、画素電極９ａと、対向基板に形成される共通電極（後述する）と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される。この結果、走査線３ａとデータ線６ａとの各交差に対応して、画素はマトリクス状に配列されることとなる。
【００２９】
また、ＴＦＴ５０のゲートが接続される各走査線３ａには、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加されるようになっている。このため、ある走査線３ａに走査信号が供給されると、当該走査線に接続されるＴＦＴ５０がオンするので、データ線６ａから所定のタイミングで供給される画像信号Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎは、対応する画素に順番に書き込まれた後、所定の期間保持されることとなる。
【００３０】
ここで、各画素に印加される電圧レベルに応じて液晶分子の配向や秩序が変化するので、光変調による階調表示が可能となる。例えば、液晶を通過する光量は、ノーマリーホワイトモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて制限される一方、ノーマリーブラックモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて緩和されるので、液晶装置全体では、画像データに応じたコントラストを持つ光が各画素毎に出射される。このため、所定の表示が可能となっているのである。
【００３１】
また、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量５１が、画素電極９ａと共通電極との間に形成される液晶容量と並列に付加される。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量５１により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００３２】
＜１−３：データ線駆動回路＞
次に、データ線駆動回路１００は、図１に示すようにＸシフトレジスタ１１０、入力画像データＤｉｎが供給される画像データ供給線Ｌ、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎ、第１ラッチ１２０、第２ラッチ１３０、レベル変換回路１４０Ａを備えている。また、データ線駆動回路１００を構成する能動素子は、ＴＦＴで構成されており、上述した画像表示領域ＡのＴＦＴ５０ａを形成する際に同時に形成されるようになっている。
【００３３】
まず、Ｘシフトレジスタ１１０は、ＸクロックＸＣＫおよび反転ＸクロックＸＣＫＢにしたがって、Ｘ転送開始パルスＤＸを順次シフトしてサンプリングパルスＳＲ１、ＳＲ２、…、ＳＲｎを順次生成するようになっている。
【００３４】
次に、画像データ供給線Ｌ１は、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎを介して第１ラッチ１２０に接続されており、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎの各制御入力端子には、サンプリングパルスＳＲ１、ＳＲ２、…、ＳＲｎが供給されるようになっている。したがって、サンプリングパルスＳＲ１、ＳＲ２、…、ＳＲｎに各々同期して、入力画像データＤｉｎが第１ラッチ１２０に供給される。
【００３５】
次に、第１ラッチ１２０は、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎから供給される入力画像データＤｉｎをラッチするようになっており、これにより、点順次で走査される点順次画像データｄ１〜ｄｎが得られる。また、第２ラッチ１３０は、点順次画像データｄ１〜ｄｎをラッチパルスＬＡＴによってラッチする。ここで、ラッチパルスＬＡＴは１水平走査期間毎にアクティブとなる信号である。したがって、この第２ラッチ１３０は、点順次画像データｄ１〜ｄｎを、線順次画像データＤ１〜Ｄｎに変換している。
【００３６】
次に、レベル変換回路１４０Ａは、線順次画像データＤ１〜Ｄｎ、奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVに基づいて、白レベル電圧ＶＷ、第１黒レベル電圧ＶＫ＋、および第２黒レベル電圧ＶＫ−のなかから選択したものを各データ線６ａにデータ線信号Ｘ１〜Ｘｎとして供給している。なお、白レベル電圧ＶＷは対向基板の共通電極１５８（図６参照）に供給される電圧として作用し、第１黒レベル電圧ＶＫ＋は白レベル電圧ＶＷを中心電圧として正側にある電位差ΔＶを有する正極性電圧として作用し、第２黒レベル電圧ＶＫ−は白レベル電圧ＶＷを中心電圧として負側に電位差ΔＶを有する負極性電圧として作用する。
【００３７】
＜１−４：レベル変換回路＞
次に、レベル変換回路１４０Ａの構成について説明する。図２はレベル変換回路１４０Ａの詳細な構成を示す回路図である。図に示すようにレベル変換回路１４０Ａは、データ線６ａの総数に対応したｎ個の変換ユニットＵａ１〜Ｕａｎを備えている。さらに、各変換ユニットＵａ１〜Ｕａｎは、制御部１４１、レベルシフト部１４２、および選択部１４３をそれぞれ備えている。そして、各変換ユニットＵａ１〜Ｕａｎ毎に、線順次画像データＤ１〜Ｄｎと奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVとに基づいて、データ線信号Ｘ１〜Ｘｎを生成するようになっている。
【００３８】
図３は、変換ユニットＵａ１の回路図である。なお、他の変換ユニットＵａ２〜Ｕａｎは変換ユニットＵａ１と同様に構成されているので説明を省略する。まず、制御部１４１は、アンド回路ａ１，ａ２とインバータinv1〜inv3とを備えており、線順次画像データＤ１と奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVとに基づいて制御信号Ｃａ１，Ｃａ２，Ｃｂ１，Ｃｂ２，Ｃｃ１，Ｃｃ２を生成してレベルシフト部１４２に出力するようになっている。また、制御部１４１を構成する論理回路は小振幅で動作するようになっている。このため、各制御信号Ｃａ１〜Ｃｃ２の振幅は、例えば、Ｌレベルで０Ｖとなる一方、Ｈレベルで３〜５Ｖとなる。
【００３９】
次に、レベルシフト部１４２は、レベルシフタＬＳａ，ＬＳｂ，ＬＳｃとバッファとして機能するインバータinv4〜inv9を備えており、各制御信号Ｃａ１〜Ｃｃ２のレベルを変換して出力するようになっている。ここで、レベルシフタＬＳａ，ＬＳｂ，ＬＳｃとインバータinv4〜inv9には正電源電圧としてＶＨＨが給電される一方、負電源電圧としてＶＳＳが給電されるようになっている。したがって、各インバータinv4〜inv9の出力信号は電圧ＶＨＨと電圧ＶＳＳとの間で振れることになる。この例では、３個のレベルシフタＬＳａ，ＬＳｂ，ＬＳｃを必要とするが、これらはＴＦＴで構成されているから、論理レベルが変化したときにのみ電力を消費する。このため、奇数フィールドにおいてレベルシフタＬＳｃは電力を消費せず、偶数フィールドにおいてレベルシフタＧａは電力を消費しない。したがって、線順次画像データＤ１の論理レベルが変化したときに、２個のレベルシフタにおいて電力が消費されることになる。
【００４０】
次に、選択部１４３は、３個のトランスファーゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃを備えており、各トランスファーゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃの一方の入出力端子は接続点Ｐで接続され、接続点Ｐの電圧がデータ線信号Ｘ１として出力されるようになっている。また、各トランスファーゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃの他方の各入出力端子には、電圧供給線Ｌ１〜Ｌ３を介して第１黒レベル電圧ＶＫ＋，白レベル電圧ＶＷ，および第２黒レベル電圧ＶＫ−が各々供給されるようになっている。この例では、トランスファーゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃのオン・オフ動作が確実に行えるように、正電源電圧ＶＨＨと負電源電圧ＶＳＳは、ＶＨＨ＞ＶＫ＋、ＶＳＳ＜ＶＫ−となるように設定してある。第１黒レベル電圧ＶＫ＋，白レベル電圧ＶＷ，および第２黒レベル電圧ＶＫ−の値は、使用される液晶の特性等にもよるが、例えば、ＶＷが１０Ｖであり、ＶＫ＋が２０Ｖ、ＶＫ−が０Ｖである。
【００４１】
以上の構成において、レベルシフタＬＳａの正入力端子にはアンド回路ａ１の出力信号が供給され、負入力端子にはインバータinv1を介して当該出力信号を反転したものが供給される。このため、トランスファーゲートＧａがオン状態となり、第１黒レベル電圧ＶＫ＋が接続点Ｐに供給されるのは、線順次画像データＤ１のデジットと奇数フィールド信号FLODがともに‘１’となる場合だけである。ここで、トランスファーゲートＧａがオン状態となる場合を‘１’、それがオフ状態となる場合を‘０’で表すと、その真理値表は図４（ａ）に示すものとなる。
【００４２】
さらに、レベルシフタＬＳｂの負入力端子には線順次画像データＤ１が供給され、その正入力端子にはインバータinv2を介して線順次画像データＤ１を反転したものが供給される。このため、トランスファーゲートＧａがオン状態となり、白レベル電圧ＶＷが接続点Ｐに供給されるのは、線順次データＤ１が‘０’となる場合だけである。ここで、トランスファーゲートＧｂがオン状態となる場合を‘１’、それがオフ状態となる場合を‘０’で表すと、その真理値表は図４（ｂ）に示すものとなる。
【００４３】
くわえて、レベルシフタＬＳｃの正入力端子にはアンド回路ａ２の出力信号が供給され、負入力端子にはインバータinv3を介して当該出力信号を反転したものが供給される。このため、トランスファーゲートＧｃがオン状態となり、第２黒レベル電圧ＶＫ−が接続点Ｐに供給されるのは、線順次画像データＤ１のデジットと偶数フィールド信号FLEVがともに‘１’となる場合だけである。ここで、トランスファーゲートＧｃがオン状態となる場合を‘１’、それがオフ状態となる場合を‘０’で表すと、その真理値表は図４（ｃ）に示すものとなる。
【００４４】
この結果、線順次画像データが‘０’の場合には、フィールド種別と無関係にトランスファーゲートＧｂのみがオン状態となり、データ線信号Ｘ１の電圧が白レベル電圧ＶＷとなる。一方、線順次画像データが‘１’の場合には、フィールド種別に応じてデータ線信号Ｘ１の電圧が定まる。具体的には、奇数フィールドにおいてデータ線信号Ｘ１の電圧が第１黒レベル電圧ＶＫ＋となり、偶数フィールドにおいてデータ線信号Ｘ１の電圧が第２黒レベル電圧ＶＫ−となる。
【００４５】
したがって、このレベル変換回路１４０Ａによれば、あるデータ線６ａに給電する電圧をフィールド単位で反転させることができ、液晶の特性劣化を防止することができる。
【００４６】
また、この例によれば、レベル変換回路１４０Ａの各変換ユニットＵａ１〜Ｕａｎにおいて、制御部１４１を小振幅で動作させている。このため、奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVの論理振幅は、制御部１４１の論理回路を動作させるだけの小振幅（３〜５Ｖ）で足り、トランスファーゲートＧａ，Ｃｂ，Ｇｃを制御するために必要とされる大振幅（２０Ｖ程度）は不要である。奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVは、液晶パネル１００に対して外部回路であるタイミング生成回路３００で生成されるが、当該回路は小振幅で動作するようになっている。したがって、このレベル変換回路１４０Ａによれば、レベルシフタ等によって信号振幅を大振幅に変換する必要がなく、タイミング生成回路３００の出力信号を直接利用することができる。これにより、レベルシフタを省略して、構成を簡易にすることが可能である。
【００４７】
また、奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVは図２に示すように信号供給線Ｌｏ，Ｌｅを介してｎ個の変換ユニットＵａ１〜Ｕａｎに供給されるので、信号供給線Ｌｏ，Ｌｅにはそれらの配線長に応じた浮遊容量が付随しており、さらに、各制御部１４１の入力容量が付随している。このため、両信号を供給する駆動回路から見れば、信号供給線Ｌｏ，Ｌｅは容量性の重い負荷として作用する。しかしながら、上述したように奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVの振幅は小振幅で足りるから、駆動能力の小さい駆動回路を用いて両信号をレベル変換回路１４０Ａに供給することができ、かつ、消費電力を大幅に削減することができる。
【００４８】
＜１−５：液晶パネルの構成例＞
次に、上述した電気的構成に係る液晶パネルの全体構成について図５および図６を参照して説明する。ここで、図５は、液晶パネルの構成を示す斜視図であり、図６は、図５におけるＺ−Ｚ'線断面図である。
【００４９】
これらの図に示されるように、液晶パネルは、画素電極９ａ等が形成されたガラスや半導体等の素子基板１５１と、共通電極１５８等が形成されたガラス等の透明な対向基板１５２とを、スペーサ１５３が混入されたシール材１５４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶１５５を封入した構造となっている。なお、シール材１５４は、対向基板１５２の基板周辺に沿って形成されるが、液晶１５５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１５５の封入後に、その開口部分が封止材１５６によって封止されている。
【００５０】
ここで、素子基板１５１の対向面であって、シール材１５４の外側一辺においては、上述したデータ線駆動回路１００とが形成されて、Ｙ方向に延在するデータ線６ａを駆動するようになっている。さらに、この一辺には複数の接続電極１５７が形成されて、タイミング発生回路３００からの各種信号や入力画像データＤｉｎを入力するようになっている。また、この一辺に隣接する一辺には、走査線駆動回路２００が形成されて、Ｘ方向に延在する走査線３ａをそれぞれ両側から駆動するようになっている。
【００５１】
一方、対向基板１５２の共通電極１５８は、素子基板１５１との貼合部分における４隅のうち、少なくとも１箇所において設けられた導通材によって、素子基板１５１との電気的導通が図られている。ほかに、対向基板１５２には、液晶パネルの用途に応じて、例えば、第１に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第２に、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクスが設けられ、第３に、液晶パネルに光を照射するバックライトが設けられる。特に色光変調の用途の場合には、カラーフィルタは形成されずにブラックマトリクスが対向基板１５２に設けられる。
【００５２】
くわえて、素子基板１５１および対向基板１５２の対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜などが設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光板（図示省略）がそれぞれ設けられる。ただし、液晶１５５として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜、偏光板等が不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。
【００５３】
なお、データ線駆動回路１００、走査線駆動回路２００等の周辺回路の一部または全部を、素子基板１５１に形成する替わりに、例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いてフィルムに実装された駆動用ＩＣチップを、素子基板１５１の所定位置に設けられる異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良いし、駆動用ＩＣチップ自体を、ＣＯＧ（Chip On Grass）技術を用いて、素子基板１５１の所定位置に異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続するようにしても良い。
【００５４】
＜１−６：液晶装置の動作＞
次に、液晶装置の動作を説明する。図７は、液晶装置の動作を示すタイミングチャートである。
【００５５】
まず、走査線駆動回路２００にＹ転送開始パルスＤＹが供給されると、走査線駆動回路２００は、Ｙ転送開始パルスＤＹをＹクロック信号ＹＣＫおよび反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢに基づいて順次転送して同図に示す走査線信号Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｍを生成する。各走査線信号Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｍのアクティブ期間は１水平走査期間であり、これが順次ずれていくようになっている。これにより、各走査線３ａが順次選択されることになる。
【００５６】
一方、データ線駆動回路１００にＸ転送開始パルスＤＸが供給されると、Ｘシフトレジスタ１１０は、これを順次シフトして、同図に示すサンプリングパルスＳＲ１，ＳＲ２，…，ＳＲｎを生成する。スイッチＳＷ１〜ＳＷｎは各サンプリングパルスＳＲ１，ＳＲ２，…，ＳＲｎに基づいて入力画像データＤｉｎをサンプリングし、第１ラッチ１２０はサンプリング結果をラッチするから、点順次画像データｄ１，ｄ２，…，ｄｎは、同図に示すものとなる。
【００５７】
この後、第２ラッチ１３０が、水平走査期間の開始で各点順次画像データｄ１ｄ１，ｄ２，…，ｄｎをラッチすることによって、同図に示す線順次画像データＤ１，Ｄ２，…，Ｄｎが生成される。
【００５８】
ここで、偶数フィールドにおいて第１番目の水平走査期間で線順次画像データＤ１のデジットが‘１’であったとする。この場合、奇数フィールド信号FLODは‘０’である一方、偶数フィールド信号FLEVは‘１’であるから、図３に示す変換ユニットＵａ１において、トランスファーゲートＧａ，Ｇｂ，ＧｃのうちＧｃのみがオン状態となる。このため、データ線信号Ｘ１の電圧は第２黒レベル電圧ＶＫ−となり、図１に示す右上隅の画素電極９ａに第２黒レベル電圧ＶＫ−が引加されることになる。ここで、共通電極１５８には白レベル電圧ＶＷが引加されているので、当該画素の液晶は黒を表示することになる。
【００５９】
一方、当該期間において、線順次画像データＤ１のデジットが‘０’であったとすると、トランスファーゲートＧａ，Ｇｂ，ＧｃのうちＧｂのみがオン状態となり、データ線信号Ｘ１の電圧は白レベル電圧ＶＷとなる。このため、当該画素の画素電極９ａと共通電極１５８の電圧が一致し液晶の引加電圧が０Ｖになる。この結果、当該画素は白を表示することになる。
【００６０】
このような変換ユニットＵａ１の動作において、制御部１４１は低論理振幅で動作するようになっているので、奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVの論理振幅は小振幅で足りる。これにより、第１に、レベルシフタ等によって両信号の振幅を大振幅に変換する必要がなく、タイミング生成回路３００の出力信号を直接利用することができる。第２に、駆動能力の小さい駆動回路を用いて両信号をレベル変換回路１４０Ａに供給することができ、かつ、消費電力を大幅に削減することができる。
【００６１】
＜２．第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置の全体構成は、図１に示す第１実施形態の液晶装置と大略同一であり、データ線駆動回路１００のレベル変換回路１４０Ａの替わりにレベル変換回路１４０Ｂを用いる点が相違している。
【００６２】
図８は、第２実施形態の液晶装置に用いるレベル変換回路１４０Ｂの構成を示すブロック図である。この図に示すように、レベル変換回路１４０Ｂは、ｎ個の変換ユニットＵｂ１〜Ｕｂｎを備えており、各変換ユニットＵｂ１〜Ｕｂｎは、線順次画像データＤ１〜Ｄｎと奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVとに基づいて、データ線信号Ｘ１〜Ｘｎを生成するようになっている。さらに、各変換ユニットＵｂ１〜Ｕｂｎは、制御部１４４およびレベルシフト部１４５をそれぞれ備えている。
【００６３】
図９は、変換ユニットＵｂ１の回路図である。なお、他の変換ユニットＵｂ２〜Ｕｂｎは変換ユニットＵｂ１と同様に構成されているので説明を省略する。まず、制御部１４４は、アンド回路ａ３，ａ４を備えており、線順次画像データＤ１と奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVとに基づいて制御信号Ｃ１，Ｃ２を生成してレベルシフト部１４５に出力するようになっている。また、アンド回路ａ３，ａ４は小振幅で動作するようになっている。このため、各制御信号Ｃ１，Ｃ２の振幅は、例えばＬレベルで０Ｖとなる一方、Ｈレベルで５Ｖとなる。
【００６４】
次に、レベルシフト部１４５は、レベルシフタＬＳｄ，ＬＳｅを備えている。レベルシフタＬＳｄには、正電源電圧として第１黒レベル電圧ＶＫ＋が給電される一方、負電源電圧として白レベル電圧ＶＷが給電され、各入力端子ＩＮ１，ＩＮ２に制御信号Ｃ１，Ｃ２が各々供給されるようになっている。また、レベルシフタＬＳｅには、正電源電圧として白レベル電圧ＶＷが給電される一方、負電源電圧として第２黒レベル電圧ＶＫ−が給電され、各入力端子ＩＮ１，ＩＮ２に制御信号Ｃ２，Ｃ１が各々供給されるようになっている。
【００６５】
まず、レベルシフタＬＳｄは、入力端子ＩＮ１の電圧Ｖin1が‘１’の場合に正電源電圧である第１黒レベル電圧ＶＫ＋を出力し、入力端子ＩＮ１の電圧Ｖin1が‘０’かつ入力端子ＩＮ２の電圧Ｖin2が‘１’の場合に出力端子をハイインピーダンス状態とし、入力端子ＩＮ１の電圧Ｖin1が‘０’かつ入力端子ＩＮ２の電圧Ｖin2が‘０’の場合に負電源電圧である白レベル電圧ＶＷを出力するようになっている。
【００６６】
次に、レベルシフタＬＳｅは、入力端子ＩＮ１の電圧Ｖin1が‘１’の場合に負電源電圧である第２黒レベル電圧ＶＫ−を出力し、入力端子ＩＮ１の電圧Ｖin1が‘０’かつ入力端子ＩＮ２の電圧Ｖin2が‘１’の場合に出力端子をハイインピーダンス状態とし、入力端子ＩＮ１の電圧Ｖin1が‘０’かつ入力端子ＩＮ２の電圧Ｖin2が‘０’の場合に正電源電圧である白レベル電圧ＶＷを出力するようになっている。したがって、レベルシフタＬＳｄ，ＬＳｅの出力信号の真理値表は図１０（ａ），（ｂ）に示すようになる。
【００６７】
ここで、制御信号Ｃ１の論理レベルは線順次画像データＤ１と奇数フィールド信号FLODとの論理積で与えられる一方、制御信号Ｃ２の論理レベルは線順次画像データＤ１と偶数フィールド信号FLEVとの論理積で与えられる。
【００６８】
したがって、線順次画像データＤ１のデジットが‘０’の場合には、フィールド種別とは無関係にレベルシフタＬＳｄ，ＬＳｅは白レベル電圧ＶＷをともに出力する。これにより、データ線信号Ｘ１の電圧は白レベル電圧ＶＷとなる。
【００６９】
また、奇数フィールドにおいて、線順次画像データＤ１のデジットが‘１’の場合には、制御信号Ｃ１が‘１’となる一方、制御信号Ｃ２が‘０’となる。この場合には、レベルシフタＬＳｄから第１黒レベル電圧ＶＫ＋が出力される一方、レベルシフタＬＳｅがハイインピーダンス状態となるから、データ線信号Ｘ１の電圧は第１黒レベル電圧ＶＫ＋となる。
【００７０】
また、偶数フィールドにおいて、線順次画像データＤ１のデジットが‘１’の場合には、制御信号Ｃ１が‘０’となる一方、制御信号Ｃ２が‘１’となる。この場合には、レベルシフタＬＳｄがハイインピーダンス状態となる一方、レベルシフタＬＳｅから第２黒レベル電圧ＶＫ−が出力されるから、データ線信号Ｘ１の電圧は第２黒レベル電圧ＶＫ−となる。
【００７１】
したがって、このレベル変換回路１４０Ｂによれば、あるデータ線６ａに給電する電圧をフィールド単位で反転させることができ、液晶の特性劣化を防止することができる。
【００７２】
また、この例によれば、レベル変換回路１４０Ｂの各変換ユニットＵａ１〜Ｕａｎにおいて、制御部１４４を低論理振幅で動作させているから、第１実施形態と同様に、奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVの論理振幅は小振幅で足りる。これにより、タイミング生成回路３００の出力信号を直接利用することができる。また、奇数フィールド信号FLODおよび偶数フィールド信号FLEVを駆動能力の小さい駆動回路を用いてレベル変換回路１４０Ｂに供給することができ、かつ、消費電力を大幅に削減することができる。
【００７３】
さらに、この例では、レベルシフタＬＳｄ，ＬＳｅの正負電源として、第１黒レベル電圧ＶＫ＋、白レベル電圧ＶＷ、および第２黒レベル電圧ＶＫ−を用いるようにしたので、これらの電圧を選択するトランスファーゲートを省略することができる。例えば、データ線６ａの総数が１０２４本ある場合に、図３に示す第１実施形態のレベル変換回路を適用すると、３０７２個のトランスファーゲートを必要とするが、この例では、これらを省略することができるので、回路規模を大幅に縮小することが可能となる。
【００７４】
＜３．応用例＞
＜３−２：入力画像データが複数ビットである場合＞
上述した各実施形態にあっては、入力画像データＤｉｎのビット数を１ビット、すなわち、各画素で表示する階調数が２階調である場合を説明したが、入力画像データＤｉｎを複数ビットで構成してもよい。この場合には、例えば、図１に示すデータ線駆動回路１００において、第１に、サンプリングパルスＳＲ１〜ＳＲｎが供給される各スイッチＳＷ１〜ＳＷｎ、第１ラッチ１２０、および第２ラッチ１３０を複数ビットに対応するように構成し、これによって、入力画像データＤｉｎを線順次画像データＤ１〜Ｄｎに変換する。そして、第２に、レベル変換回路１４０Ａ（１４０Ｂ）と第２ラッチ１３０との間に、線順次画像データＤ１〜Ｄｎのデータ値に応じて各出力信号のパルス幅を可変するＰＷＭ回路を設け、データ値に応じたパルス幅を有する信号を、レベル変換回路１４０Ａ（１４０Ｂ）に入力すればよい。
【００７５】
さらに、１フィールド期間を複数の期間に分割し、分割された各期間毎にｍ本の走査線３ａを順次選択し、かつ、分割された各期間を線順次画像データの各ビットに対応付けておき、ビットが‘１’か‘０’かによって、分割された各期間のデータ線信号の電圧を決定するようにしてもよい。
【００７６】
＜３−２：素子基板の構成など＞
上述した各実施形態においては、液晶パネルの素子基板１５１をガラス等の透明な絶縁性基板により構成して、当該基板上にシリコン薄膜を形成するとともに、当該薄膜上にソース、ドレイン、チャネルが形成されたＴＦＴによって、画素のスイッチング素子（ＴＦＴ５０）やデータ線駆動回路１００、および走査線駆動回路２００の素子を構成するものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではない。
【００７７】
例えば、素子基板１５１を半導体基板により構成して、当該半導体基板の表面にソース、ドレイン、チャネルが形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって、画素のスイッチング素子や各種の回路の素子を構成しても良い。このように素子基板１５１を半導体基板により構成する場合には、透過型の表示パネルとして用いることができないため、画素電極９ａをアルミニウムなどで形成して、反射型として用いられることとなる。また、単に、素子基板１５１を透明基板として、画素電極９ａを反射型にしても良い。
【００７８】
さらに、上述した実施の形態にあっては、画素のスイッチング素子を、ＴＦＴで代表される３端子素子として説明したが、ダイオード等の２端子素子で構成しても良い。ただし、画素のスイッチング素子として２端子素子を用いる場合には、走査線３ａを一方の基板に形成し、データ線６ａを他方の基板に形成するとともに、２端子素子を、走査線３ａまたはデータ線６ａのいずれか一方と、画素電極との間に形成する必要がある。この場合、画素は、走査線３ａとデータ線６ａとの間に直列接続された二端子素子と、液晶とから構成されることとなる。
【００７９】
また、本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置として説明したが、これに限られず、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶などを用いたパッシィブ型にも適用可能である。さらに、電気光学材料としては、液晶のほかに、エレクトロルミネッセンス素子などを用いて、その電気光学効果により表示を行う表示装置にも適用可能である。すなわち、本発明は、上述した液晶装置と類似の構成を有するすべての電気光学装置に適用可能である。
【００８０】
＜３−３：電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【００８１】
＜３−３−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００８２】
この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００８３】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶パネルと同等であり、画像信号処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００８４】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８５】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００８６】
＜３−４−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、この液晶パネルを、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１２は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００８７】
＜３−５−３：携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１３は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶パネル１００５を備えるものである。この反射型の液晶パネル１００にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００８８】
なお、図１１〜図１３を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明よれば、レベル変換回路に入力する信号の振幅を小振幅にすることができるから、当該信号の駆動回路において消費電力を低減できるとももに、駆動能力の小さいものを使用することができる。さらに、レベル変換回路自体の回路規模を縮小することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】 同装置のレベル変換回路１４０Ａのブロック図であるである。
【図３】 同レベル変換回路の変換ユニットＵａ１の回路図である。
【図４】 同変換ユニットＵａ１の真理値表である。
【図５】 同装置における液晶パネルの構造を説明するための斜視図である。
【図６】 同装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図７】 同Ｘシフトレジスタ１１０'のタイミングチャートである。
【図８】 本発明の第２実施形態に係るレベル変換回路１４０Ｂのブロック図であるである。
【図９】 同レベル変換回路の変換ユニットＵｂ１の回路図である。
【図１０】 同変換ユニットＵｂ１の真理値表である。
【図１１】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たるビデオプロジェクタの断面図である。
【図１２】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１３】 同液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１４】 従来のレベル変換回路を構成する変換ユニットの回路図である。
【符号の説明】
３ａ……走査線
６ａ……データ線
９ａ……画素電極
５０……ＴＦＴ（スイッチング素子）
Ｄ１〜Ｄｎ……線順次画像データ（小振幅画像データ）
FLOD……奇数フィールド信号（小振幅フィールド信号）
FLEV……偶数フィールド信号（小振幅フィールド信号）
Ｃａ１，Ｃａ２，Ｃｂ１，Ｃｂ２，Ｃｃ１，Ｃｃ２，Ｃ１，Ｃ２……制御信号（小振幅制御信号）
１００……データ線駆動回路
１４０Ａ，１４０Ｂ……レベル変換回路
１４１……制御部
１４２……レベルシフト部
１４３……選択部
２００……走査線駆動回路
３００……タイミング発生回路
Ｇａ，Ｇｂ，Ｇｃ，Ｇｅ，Ｇｄ……トランスファーゲート
ＬＳａ，ＬＳｂ，ＬＳｃ，ＬＳｄ，ＬＳｅ……レベルシフタ
ＶＫ＋……第１黒レベル電圧（正極性電圧），第２黒レベル電圧
ＶＷ……白レベル電圧（基準電圧）
ＶＫ＋，ＶＫ−……第２黒レベル電圧（負極性電圧）

Claims (4)

1. 複数のデータ線を具備し、マトリックス状に配置された画素を有する電気光学パネルを駆動する駆動回路に用いられるレベル変換回路であって、
   前記各データ線に対応する小振幅画像データとフィールドの種別を示す小振幅フィールド信号とに基づいて、小振幅制御信号を生成する制御部と、
   電源電圧として、基準電圧、前記基準電圧に対して正の電位差を有する正極性電圧、及び前記基準電圧に対して負の電位差を有する負極性電圧が給電され、前記小振幅制御信号に基づいて、前記各電源電圧の中から選択した電圧を当該データ線に出力するレベルシフト部とを備え、
   前記制御部は、前記小振幅画像データが一方のデジットを示し、かつ、前記小振幅フィールド信号が一方のフィールドを示すときにアクティブとなる第１小振幅制御信号と、前記小振幅画像データが一方のデジットを示し、かつ、前記小振幅フィールド信号が他方のフィールドを示すときにアクティブとなる第２小振幅制御信号とを生成し、
   前記レベルシフト部は、
   正電源電圧として前記正極性電圧が給電される一方、負電源電圧として前記基準電圧が給電され、前記第１小振幅制御信号がアクティブのとき前記正極性電圧を出力端子から出力し、前記第１小振幅制御信号が非アクティブかつ前記第２小振幅制御信号がアクティブのとき出力端子をハイインピーダンス状態にし、前記第１小振幅制御信号が非アクティブかつ前記第２小振幅制御信号が非アクティブのとき出力端子から前記基準電圧を出力する第１レベルシフタと、
   正電源電圧として前記基準電圧が給電される一方、負電源電圧として前記負極性電圧が給電され、前記第２小振幅制御信号がアクティブのとき前記負極性電圧を出力端子から出力し、前記第２小振幅制御信号が非アクティブかつ前記第１小振幅制御信号がアクティブのとき出力端子をハイインピーダンス状態にし、前記第１小振幅制御信号が非アクティブかつ前記第２小振幅制御信号が非アクティブのとき出力端子から前記基準電圧を出力する第２レベルシフタとを有し、
   前記第１レベルシフタの出力端子と前記第２レベルシフタの出力端子との接続点を前記データ線に接続した
   ことを特徴とするレベル変換回路。
2. 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された画素電極及びスイッチング素子とを有する電気光学パネルに用いられるデータ線駆動回路であって、
   入力画像データを各点順次画像データに変換する第１変換部と、
   前記各点順次画像データを各線順次画像データに変換する第２変換部と、
   請求項１に記載したレベル変換回路を複数個備え、
   前記各線順次画像データを前記小振幅画像データとして各レベル変換回路に供給する
   ことを特徴とするデータ線駆動回路。
3. 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリックス状に配置された画素電極及びスイッチング素子とを有する画素領域と、
   請求項２に記載したデータ線駆動回路と、
   前記走査線を駆動するための走査線駆動回路と、
   前記小振幅フィールド信号を生成して前記データ線駆動回路に供給するタイミング生成回路と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載した電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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