JP2006065965A - シフトレジスタ、その制御方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 信号配線を削減する。
【解決手段】 単位制御回路Ub2は、ラッチ回路240とその記憶内容を制御するトランジスタシフト231〜233を備え、許可モードにおいてXクロック信号XCK及び反転Xクロック信号XCKBを単位シフト回路Ua2に供給する。トランジスタ233は入力信号IN2を検知してラッチ回路240の記憶内容を書き換える。トランジスタ232及び231は、Xクロック信号XCKを用いてラッチ回路240の記憶内容を書き換える。これによって、出力信号OUT2を単位制御回路Ub2に供給する信号配線を削減することができる。
【選択図】 図3
【解決手段】 単位制御回路Ub2は、ラッチ回路240とその記憶内容を制御するトランジスタシフト231〜233を備え、許可モードにおいてXクロック信号XCK及び反転Xクロック信号XCKBを単位シフト回路Ua2に供給する。トランジスタ233は入力信号IN2を検知してラッチ回路240の記憶内容を書き換える。トランジスタ232及び231は、Xクロック信号XCKを用いてラッチ回路240の記憶内容を書き換える。これによって、出力信号OUT2を単位制御回路Ub2に供給する信号配線を削減することができる。
【選択図】 図3
Description
本発明は、シフトレジスタ、その制御方法、電気光学装置及び電子機器に関する。
液晶装置のパネルには、複数の走査線と複数データ線が形成される。そして、液晶装置は、複数の走査線を駆動する垂直駆動回路と複数のデータ線を駆動する水平駆動回路とを備える。また、これらの駆動回路は、開始パルスをクロック信号に従って順次シフトするシフトレジスタを備える。
駆動回路に用いられるシフトレジスタとして、特許文献1には、図18に示す回路が開示されている。このシフトレジスタは、基本ユニットが多段接続され、各基本ユニットはクロック信号HCKとこれを反転した反転クロック信号HCKXによって駆動される。ここで、第n段目の基本ユニットUnは、インバータINV1,INV2,INV3、ノア回路NOR、及び制御電圧がローレベルでオン状態となりハイレベルでオフ状態となるスイッチSWa,SWbから構成されている。インバータINV1,INV2は、制御電圧がハイレベルのときに各入力信号を反転して出力し、制御電圧がローレベルのときに出力端子をハイインピーダンス状態にする。
このような回路において、インバータINV1,INV2は常に動作する必要はなく、信号Dnがアクティブとなっている期間又は信号Dn+1がアクティブとなっている期間のみ動作すれば足りる。このため、ノア回路NORは、信号Dnと信号Dn+1の反転論理和を算出し、算出結果に基づいてスイッチSWa,SWbを制御している。この結果、クロック信号HCK及び反転クロック信号HCKXは、所定期間においてのみインバータINV1,INV2に供給される。
したがって、シフトレジスタを構成する各基本ユニットにクロック信号HCK及び反転クロック信号HCKXを供給する期間を制限することができる。この結果、シフトレジスタの消費電力を低減させることが可能となる。
特開平10−199284号公報(段落0003及び第4図)
ところで、従来のシフトレジスタでは、基本ユニットUnの入力端子及び出力端子とで論理和を演算し、この演算結果に基づいてクロック信号の供給を制御するものであった。この場合、基本ユニットの入力側と出力側から信号配線を引き回す必要があった。
しかしながら、従来のシフトレジスタにあっては、引き回された信号配線に浮遊容量が付随するため、駆動能力の大きなトランジスタを用いる必要があり、また、消費電力が増大するといった問題があった。さらに、信号配線のスペース及びトランジスタサイズの増大によってレイアウトに支障を来たすこともあった。特に、高精細度の液晶表示装置においては、画素ピッチの狭ピッチ化が顕著であり、画素ピッチこれに合わせて基本ユニットをレイアウトすることが大きな問題となっていた。
しかしながら、従来のシフトレジスタにあっては、引き回された信号配線に浮遊容量が付随するため、駆動能力の大きなトランジスタを用いる必要があり、また、消費電力が増大するといった問題があった。さらに、信号配線のスペース及びトランジスタサイズの増大によってレイアウトに支障を来たすこともあった。特に、高精細度の液晶表示装置においては、画素ピッチの狭ピッチ化が顕著であり、画素ピッチこれに合わせて基本ユニットをレイアウトすることが大きな問題となっていた。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、信号配線を削減したシフトレジスタ、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
この課題を解決するために、本発明に係わるシフトレジスタは、転送信号に同期して開始パルスを順次シフトして出力信号を出力する複数の単位シフト回路を縦続接続したシフト手段と、前記各単位シフト回路に各々対応して設けられ、前記転送信号を前記単位シフト回路に供給する許可モード、並びに前記転送信号を前記単位シフト回路に供給しない禁止モードのうち一方のモードで動作する複数の単位制御回路を備えたクロック信号制御手段とを備え、前記単位制御回路は、前記転送信号を前記単位シフト回路へ供給する供給手段と、対応する単位シフト回路の入力信号がアクティブになったことを検知して、前記禁止モードから前記許可モードへ移行させて前記転送信号の供給を開始するように前記供給手段を制御し、前記許可モードにおいて前記単位シフト回路へ供給した前記転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知して、前記許可モードから前記禁止モードへ移行させて前記転送信号の供給を停止するように前記供給手段を制御する制御手段と、を備える。
この発明によれば、単位制御回路は、転送信号を単位シフト回路へ供給するか否か制御するが、制御対象となる転送信号そのものを用いて、転送信号の供給停止を制御する。このため、単位シフト回路から単位制御回路へ出力する信号は、入力信号のみとなり、出力信号を供給する必要がなくなる。従って、単位シフト回路の出力信号を単位制御回路へ供給する信号配線を削減することができる。この結果、シフトレジスタの占有面積を削減すると共に、単位制御回路及び単位シフト回路のピッチを狭くすることができる。更に、信号配線に付随する寄生容量が無くなるので、単位シフト回路の出力段の駆動能力を低くすることができ、しかも、消費電力を削減することができる。
上述したシフトレジスタにおいて、前記供給手段は制御信号によって制御され、前記制御手段は、前記許可モードと前記禁止モードの別を2値の論理レベルとして記憶する記憶手段と、前記入力信号がアクティブになったことを検知すると、前記記憶手段に記憶している論理レベルを反転させ、前記転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知すると、前記記憶手段に記憶している論理レベルを反転させる記憶管理手段と、前記記憶手段に記憶している論理レベルに基づいて前記制御信号を生成する生成手段とを備える、ことが好ましい。この発明によれば、許可モードと禁止モードの別を記憶手段に記憶しその記憶内容に従って、供給手段を制御する。このため、許可モードから禁止モードへの遷移、禁止モードから許可モードへの遷移を管理すればよく、記憶管理手段は、入力信号がアクティブになったことを検知すると、記憶手段の記憶内容を許可モードに対応する論理レベルに更新し、前記転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知すると、記憶手段の記憶内容を禁止モードに対応する論理レベルに更新する機能を有する。ここで、記憶手段は、ラッチ回路等によって構成することができる。
より具体的には、前記供給手段は、前記制御信号が前記許可モードを示す場合に前記転送信号を前記単位シフト回路と前記記憶管理手段に出力し、前記記憶管理手段は、前記禁止モードを指示する論理レベルを供給する第1電源と、前記入力信号によってオン・オフが制御され、前記入力信号がアクティブの状態でオフ状態となり、前記入力信号が非アクティブの状態でオン状態となる第1スイッチング手段と、前記許可モードにおいて前記供給手段から供給される前記転送信号によってオン・オフが制御され、前記転送信号の論理レベルが一方の場合にオン状態となり、前記転送信号の論理レベルが他方の場合にオフ状態となり、前記禁止モードにおいてオフ状態となる第2スイッチング手段とを備え、前記第1スイッチング手段及び前記第2スイッチング手段は縦属接続され、前記第1電源と前記記憶手段との間に設けられる、ことが好ましい。
この発明によれば、第1スイッチング手段と第2スイッチング手段が共にオン状態になると、禁止モードに対応する論理レベルが記憶手段に供給され、その記憶内容が更新される。そして、第1スイッチング手段と第2スイッチング手段が共にオン状態になるのは、入力信号が非アクティブの状態であり、かつ、転送信号の論理レベルが一方のレベルである場合である。複数の単位シフト回路は縦属接続されており、ある単位シフト回路の入力信号は前段の単位シフト回路の出力信号となる。出力信号は転送信号によって転送されるので、入力信号がアクティブとなる期間は、転送信号の周期と同期する。そして、入力信号がアクティブになると許可モードに移行するので、許可モードに移行してから入力信号が非アクティブになるまでの期間は、転送信号の周期の自然数倍となる。そして、入力信号が非アクティブになってから転送信号の論理レベルが一方のレベルになるまでの期間も転送信号の周期に応じた時間となる。従って、第1スイッチング手段と第2スイッチング手段が共にオン状態になることを記憶手段の記憶内容の更新条件とすることによって、許可モードにおいて単位シフト回路へ供給した転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知して、許可モードから禁止モードへ移行させることが可能となる。
また、上述したシフトレジスタにおいて、前記入力信号を遅延させて遅延入力信号を出力する遅延手段を備え、前記入力信号の替わりに前記遅延入力信号を用いることが好ましい。許可モードにおいて第2スイッチング手段のオン・オフは転送信号によって制御され、第1スイッチング手段は入力信号によって制御される。従って、転送信号の遅延があると入力信号が非アクティブなった瞬間に第2スイッチング手段のオン状態となり誤動作する可能性がある。この発明によれば、遅延入力信号を用いることによって、転送信号をマスクすることができるので、誤動作を回避してシフトレジスタの信頼性を向上させることができる。
また、前記記憶管理手段は、更に、前記許可モードを指示する論理レベルを供給する第2電源と、前記第2電源と前記記憶手段との間に設けられ、前記入力信号によってオン・オフが制御され、前記入力信号がアクティブの状態でオン状態となり、前記入力信号が非アクティブの状態でオフ状態となる第3スイッチング手段とを備える、ことが好ましい。この場合には、第3スイッチング手段がオン状態になると、許可モードに対応する論理レベルが記憶手段に供給され、その記憶内容が更新される。そして、第3スイッチング手段は、入力信号がアクティブの状態でオン状態となるから、入力信号がアクティブになったことを検知して、禁止モードから許可モードへ移行させることができる。
また、前記転送信号が、第1クロック信号とこれを反転した第2クロック信号から構成されるのであれば、前記供給手段は、前記許可モードにおいて前記転送信号として、前記第1クロック信号及び前記第2クロック信号のうちいずれか一方を前記単位シフト回路と前記第2スイッチング手段に供給し、前記禁止モードにおいて前記第2スイッチング手段をオフ状態にさせる論理レベルの信号を前記第2スイッチング手段に供給する第1供給手段と、前記許可モードにおいて前記転送信号として、前記第1クロック信号及び前記第2クロック信号のうちいずれか他方を前記単位シフト回路に供給する第2供給手段と、を備えることが好ましい。なお、複数の単位制御回路のうち、隣接する単位制御回路においては、第1供給手段及び第2供給手段によって供給するクロック信号を入れ替えることが好ましい。例えば、ある単位制御回路において第1供給手段が第1クロック信号を供給すると共に第2供給手段が第2クロック信号を供給するのであれば、その前段の単位制御回路においては第1供給手段が第2クロック信号を供給すると共に第2供給手段が第1クロック信号を供給することが好ましい。
また、上述したシフトレジスタにおいて、前記第2スイッチング手段はトランジスタで構成され、前記トランジスタのゲートと、前記第1供給手段及び前記単位シフト回路は第1配線で接続され、前記第2供給手段と前記単位シフト回路は第2配線で接続され、前記第2配線に接続される容量を設けることが好ましい。更に、前記容量の値は、前記第1供給手段から前記第1配線を見たときの負荷と、前記第2供給手段から前記第2配線を見たときの負荷が近づくように設定することが好ましい。この場合、単位シフト回路へ供給する第1クロック信号及び第2クロック信号の容量性負荷を近づけることができるので、両者の遅延時間を近づけることができる。この結果、単位シフト回路の動作マージンを拡大することができ、シフトレジスタの信頼性を向上させることができる。
本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して配置された複数の画素回路と、前記複数のデータ線を順次選択して画像信号を供給するデータ線駆動回路と、前記複数の走査線を駆動する走査線駆動回路とを備え、前記データ線駆動回路は、上述したシフトレジスタを備え、当該シフトレジスタの出力信号に基づいて前記複数のデータ線を選択することを特徴とする。
この発明によれば、上述したシフトレジスタを用いるので、単位シフト回路の出力信号を単位制御回路へ供給する信号配線を省略できる。このため、画素回路間のピッチが狭い高精細な電気光学装置であっても、狭ピッチに対応してデータ線駆動回路をレイアウトすることができる。さらに、更に、信号配線に付随する寄生容量が無くなるので、駆動能力を低いトランジスタを用いてデータ線駆動回路を構成することができ、しかも、消費電力を削減できる。なお、電気光学装置とは、電気光学素子の作用によって画像を表示する装置を意味する。電気光学素子とは、電気的な作用によって光学的な特性が変化する素子であり、例えば、液晶や有機発光ダイオード素子などを含む概念である。
また、本発明に係る他の電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して配置された複数の画素回路と、前記複数のデータ線を駆動するデータ線駆動回路と、前記複数の走査線を順次選択する走査線駆動回路とを備え、前記走査線駆動回路は、上述したシフトレジスタを備え、当該シフトレジスタの出力信号に基づいて前記走査線を選択することを特徴とする。この発明によれば、走査線駆動回路に上述したシフトレジスタを用いるので、画素回路間のピッチが狭い高精細な電気光学装置であっても、狭ピッチに対応して走査線駆動回路をレイアウトすることができる。さらに、更に、信号配線に付随する寄生容量が無くなるので、駆動能力を低いトランジスタを用いて走査線駆動回路を構成することができ、しかも、消費電力を削減できる。
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備える。このような電子機器としては、例えば、パーソナルコンピュータや携帯電話機、携帯型情報端末等がある。
次に、本発明に係るシフトレジスタの制御方法は、転送信号に同期して開始パルスを順次シフトして出力信号を出力する複数の単位シフト回路を縦続接続したシフト手段を備えたシフトレジスタを制御する方法であって、前記各単位シフト回路に各々に対して、前記転送信号を供給するか否かを制御し、前記各単位シフト回路の入力信号がアクティブになったことを検知して、前記転送信号の供給を開始し、前記各単位シフト回路へ供給した前記転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知して、前記転送信号の供給を終了することを特徴とする。この発明によれば、単位シフト回路の出力信号を用いることなく、転送信号の供給を制御することが可能となる。
次に、本発明に係るシフトレジスタの制御方法は、転送信号に同期して開始パルスを順次シフトして出力信号を出力する複数の単位シフト回路を縦続接続したシフト手段を備えたシフトレジスタを制御する方法であって、前記各単位シフト回路に各々に対して、前記転送信号を供給するか否かを制御し、前記各単位シフト回路の入力信号がアクティブになったことを検知して、前記転送信号の供給を開始し、前記各単位シフト回路へ供給した前記転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知して、前記転送信号の供給を終了することを特徴とする。この発明によれば、単位シフト回路の出力信号を用いることなく、転送信号の供給を制御することが可能となる。
<1.第1実施形態>
<1−1:全体構成>
まず、本発明に係る電気光学装置1として、電気光学材料として液晶を用いた液晶装置を一例にとって説明する。液晶装置は、主要部として液晶パネルAAを備える。液晶パネルAAは、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、「TFT」と称する)を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。
<1−1:全体構成>
まず、本発明に係る電気光学装置1として、電気光学材料として液晶を用いた液晶装置を一例にとって説明する。液晶装置は、主要部として液晶パネルAAを備える。液晶パネルAAは、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、「TFT」と称する)を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。
図1は実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。この液晶装置は、液晶パネルAA、タイミング発生回路300及び画像処理回路400を備える。液晶パネルAAは、その素子基板上に画像表示領域A、走査線駆動回路100、データ線駆動回路200、サンプリング回路SP及び画像信号供給線L1〜L3を備える。
この液晶装置に供給される入力画像データDは、例えば、3ビットパラレルの形式である。タイミング発生回路300は、入力画像データDに同期してYクロック信号YCK、反転Yクロック信号YCKB、Xクロック信号XCK、反転Xクロック信号XCKB、Y転送開始パルスDY、及びX転送開始パルスDXを生成して、走査線駆動回路100及びデータ線駆動回路200に供給する。また、タイミング発生回路300は、画像処理回路400を制御する各種のタイミング信号を生成し、これを出力する。
この液晶装置に供給される入力画像データDは、例えば、3ビットパラレルの形式である。タイミング発生回路300は、入力画像データDに同期してYクロック信号YCK、反転Yクロック信号YCKB、Xクロック信号XCK、反転Xクロック信号XCKB、Y転送開始パルスDY、及びX転送開始パルスDXを生成して、走査線駆動回路100及びデータ線駆動回路200に供給する。また、タイミング発生回路300は、画像処理回路400を制御する各種のタイミング信号を生成し、これを出力する。
ここで、Yクロック信号YCKは、走査線2を選択する期間を特定し、反転Yクロック信号YCKBはYクロック信号YCKの論理レベルを反転したものである。Xクロック信号XCKは、データ線3を選択する期間を特定し、反転Xクロック信号XCKBはXクロック信号XCKの論理レベルを反転したものである。また、Y転送開始パルスDYは走査線2の選択開始を指示するパルスであり、一方、X転送開始パルスDXはデータ線3の選択開始を指示するパルスである。
画像処理回路400は、入力画像データDに、液晶パネルの光透過特性を考慮したガンマ補正等を施した後、RGB各色の画像データをD/A変換して、画像信号40R、40G、40Bを生成して液晶パネルAAに供給する。
画像処理回路400は、入力画像データDに、液晶パネルの光透過特性を考慮したガンマ補正等を施した後、RGB各色の画像データをD/A変換して、画像信号40R、40G、40Bを生成して液晶パネルAAに供給する。
<1−2:画像表示領域>
次に、画像表示領域Aには、図1に示されるように、m(mは2以上の自然数)本の走査線2が、X方向に沿って平行に配列して形成される一方、n(nは2以上の自然数)本のデータ線3が、Y方向に沿って平行に配列して形成されている。そして、走査線2とデータ線3との交差付近においては、TFT50のゲートが走査線2に接続される一方、TFT50のソースがデータ線3に接続されるとともに、TFT50のドレインが画素電極6に接続される。そして、各画素回路は、画素電極6と、対向基板に形成される対向電極(後述する)と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される。この結果、走査線2とデータ線3との各交差に対応して、画素回路はマトリクス状に配列されることとなる。
次に、画像表示領域Aには、図1に示されるように、m(mは2以上の自然数)本の走査線2が、X方向に沿って平行に配列して形成される一方、n(nは2以上の自然数)本のデータ線3が、Y方向に沿って平行に配列して形成されている。そして、走査線2とデータ線3との交差付近においては、TFT50のゲートが走査線2に接続される一方、TFT50のソースがデータ線3に接続されるとともに、TFT50のドレインが画素電極6に接続される。そして、各画素回路は、画素電極6と、対向基板に形成される対向電極(後述する)と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される。この結果、走査線2とデータ線3との各交差に対応して、画素回路はマトリクス状に配列されることとなる。
また、TFT50のゲートが接続される各走査線2には、走査信号Y1、Y2、…、Ymが、パルス的に線順次で印加されるようになっている。このため、ある走査線2に走査信号が供給されると、当該走査線に接続されるTFT50がオンするので、データ線3から所定のタイミングで供給される画像信号X1、X2、…、Xnは、対応する画素回路に順番に書き込まれた後、所定の期間保持されることとなる。
各画素回路に印加される電圧レベルに応じて液晶分子の配向や秩序が変化するので、光変調による階調表示が可能となる。例えば、液晶を通過する光量は、ノーマリーホワイトモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて制限される一方、ノーマリーブラックモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて緩和されるので、液晶装置全体では、画像信号に応じたコントラストを持つ光が各画素毎に出射される。このため、所定の表示が可能となる。また、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量51が、画素電極6と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加される。例えば、画素電極6の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量51により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
<1−3:データ線駆動回路及びサンプリング回路>
次に、データ線駆動回路200は、X転送開始パルスDXが入力されるとXクロック信号XCKに同期して順次アクティブとなるサンプリング信号SR1〜SRnを生成する。サンプリング回路SPは、n個のスイッチSW1〜SWnを備える。各スイッチSW1〜SWnは、TFTによって構成されている。そして、ゲートに供給される各サンプリング信号SR1〜SRnが順次アクティブになると、各スイッチSW1〜SWnが順次オン状態となる。すると、画像信号供給線L1〜L3を介して供給される画像信号40R、40G、40Bがサンプリングされ、各データ線3に順次供給される。なお、サンプリング回路SPをデータ線駆動回路200に含めてもよいことは勿論である。
次に、データ線駆動回路200は、X転送開始パルスDXが入力されるとXクロック信号XCKに同期して順次アクティブとなるサンプリング信号SR1〜SRnを生成する。サンプリング回路SPは、n個のスイッチSW1〜SWnを備える。各スイッチSW1〜SWnは、TFTによって構成されている。そして、ゲートに供給される各サンプリング信号SR1〜SRnが順次アクティブになると、各スイッチSW1〜SWnが順次オン状態となる。すると、画像信号供給線L1〜L3を介して供給される画像信号40R、40G、40Bがサンプリングされ、各データ線3に順次供給される。なお、サンプリング回路SPをデータ線駆動回路200に含めてもよいことは勿論である。
次に、図2はデータ線駆動回路200の詳細な構成を示すブロック図である。図に示すようにデータ線駆動回路200は、転送部210とクロック信号制御部220とを含んでいる。転送部210は、縦続接続された単位シフト回路Ua1、Ua2、…Uanを備え、サンプリング信号SR1〜SRnを生成する。クロック信号制御部220は、単位制御回路Ub1、Ub2、…Ubnを備える。j(jは1からnまでの自然数)番目の単位制御回路Ubjには、単位シフト回路Uajの入力信号が信号配線を介して供給されるが、その出力信号は供給されない。そして、入力信号がアクティブになると、単位制御回路Ubjは単位シフト回路UajへXクロック信号XCK及び反転Xクロック信号XCKBの供給を開始し、所定のタイミングでXクロック信号XCK及び反転Xクロック信号XCKBの供給を停止する。
図3に単位シフト回路Ua2及び単位制御回路Ub2の回路図を示す。単位シフト回路Ua2は、クロックドインバータ211及び212、インバータ213、並びにNAND回路214を備える。クロックドインバータ211は、単位制御回路Ub2から供給される反転Xクロック信号XCKBがHレベルのときインバータとして動作し、反転Xクロック信号XCKBがLレベルのとき出力端子をハイインピーダンス状態にする。一方、クロックドインバータ212は、単位制御回路Ub2から供給されるXクロック信号XCKがHレベルのときインバータとして動作し、Xクロック信号XCKがLレベルのとき出力端子をハイインピーダンス状態にする。クロックドインバータ212とインバータ213とは、ラッチ回路を構成する。NAND回路214は、入力信号IN2と出力信号OUT2との論理積の反転を演算して、サンプリング信号SR2として出力する。
単位制御回路Ub2は、トランジスタ231〜233、インバータ241〜243、及びトランスファーゲート251〜254を備える。インバータ241及び242はラッチ回路240を構成し、このラッチ回路に記憶される論理レベルによって、トランスファーゲート251〜254の状態が制御される。ノードPの論理レベルがLレベルであれば、トランスファーゲート251及び253がオン状態となる一方、トランスファーゲート252及び254がオフ状態となる。ノードPの論理レベルがHレベルであれば、トランスファーゲート252及び254がオン状態となる一方、トランスファーゲート251及び253がオフ状態となる。即ち、ノードPの論理レベルがLレベルになると、Xクロック信号CKX及び反転Xクロック信号CKXBが単位シフト回路Ua2に供給される。以下の説明では、単位制御回路Ub1〜UbnがXクロック信号CKX及び反転Xクロック信号CKXBを出力する状態を許可モードと称し、Xクロック信号CKX及び反転Xクロック信号CKXBを出力しない状態を禁止モードと称する。ラッチ回路240は、許可モードと禁止モードとの別を2値の論理レベルとして記憶する記憶手段として機能を備え、単位制御回路Ub1〜Ubnは、ノードPの論理レベルをトランジスタ231〜233によって選択することにより、モードを制御する。ここで、記憶手段の記憶内容であるノードPの論理レベルは、Lレベルが許可モードに対応し、Hレベルが禁止モードに対応する。
図4に、データ線駆動回路200のタイミングチャートを示す。時刻t1から時刻t2までの期間において、入力信号IN2はLレベルであるので、トランジスタ231はオン状態となり、トランジスタ233はオフ状態となる。このとき、ノードPの論理レベルは初期状態(Hレベル)となっているので、トランスファーゲート254を介して高電位VDD(Hレベル)がトランジスタ233に供給される。従って、トランジスタ232はオフ状態となる。よって、時刻t1から時刻t2までの期間では、ラッチ回路240の論理レベルが維持される。
次に、時刻t2において、入力信号IN2がLレベルからHレベルに立ち上がると、トランジスタ233(第3スイッチング手段)がオフ状態からオン状態に切り替わる。すると、低電位VSS(許可モードに対応する論理レベル)がラッチ回路240に供給される。このとき、ノードPの論理レベルがHレベルからLレベルへ変化するので、ラッチ回路240の記憶状態が反転し、単位制御回路Ub2は許可モードとなって、Xクロック信号CKX及び反転Xクロック信号CKXBが単位シフト回路Ua2に供給される。許可モードになるとトランジスタ232のゲートにはXクロック信号XCKが供給されるから、時刻t2から時刻t3までの期間において、トランジスタ232はオフ状態となる一方、時刻t3から時刻t4までの期間において、トランジスタ232はオン状態となる。但し、トランジスタ232がオン状態になってもトランジスタ231はオフ状態を維持するので、ノードPの論理レベルに変化はない。
次に、時刻t4において入力信号IN2がHレベルからLレベルに遷移すると、トランジスタ233がオン状態からオフ状態に切り替わると共にトランジスタ231がオフ状態からオン状態に切り替わる。このとき、トランジスタ232には、HレベルのXクロック信号XCKが供給されるので、トランジスタ232はオフ状態となる。従って、時刻t3から時刻t4までの期間において、ノードPの論理レベルに変化はないので、単位制御回路Ub2は許可モードを維持する。
次に、時刻t5において、Xクロック信号XCKがHレベルからLレベルに変化すると、トランジスタ232(第2スイッチング手段)がオン状態になる。このとき、トランジスタ231(第1スイッチング手段)はオン状態となっている。従って、高電位VDD(禁止モードに対応する論理レベル)がラッチ回路240に供給される。すると、ノードPの論理レベルがLレベルからHレベルに遷移して、単位制御回路Ub2は禁止モードに移行する。時刻t6において、トランスファーゲート253がオフ状態となり、Xクロック信号XCKの供給が停止する一方、トランスファーゲート254がオン状態となって高電位VDD(Hレベル)がトランジスタ233に供給される。従って、トランジスタ232はオフ状態となる。また、入力信号IN2はLレベルとなっているので、トランジスタ233はオフ状態となる。即ち、時刻t6以降はラッチ回路240の記憶状態が維持される。
このように、トランジスタ231と232が共にオン状態になると、禁止モードに対応する論理レベル(Hレベル)がラッチ回路240に供給され、その記憶内容が更新される。そして、トランジスタ231と232が共にオン状態になるのは、入力信号IN2が非アクティブの状態であり、かつ、Xクロック信号XCKの論理レベルがLレベルである場合である。
このように、トランジスタ231と232が共にオン状態になると、禁止モードに対応する論理レベル(Hレベル)がラッチ回路240に供給され、その記憶内容が更新される。そして、トランジスタ231と232が共にオン状態になるのは、入力信号IN2が非アクティブの状態であり、かつ、Xクロック信号XCKの論理レベルがLレベルである場合である。
ところで、複数の単位シフト回路Ua1〜Uanは縦属接続されており、ある単位シフト回路の入力信号は前段の単位シフト回路の出力信号となる。出力信号はXクロック信号XCK及び反転Xクロック信号XCKBによって転送されるので、入力信号IN2がアクティブとなる期間は、Xクロック信号XCKの周期と同期する。そして、入力信号IN2がアクティブになると許可モードに移行するので、許可モードに移行してから入力信号IN2が非アクティブになるまでの期間は、Xクロック信号XCKの周期の自然数倍となる。また、入力信号IN2が非アクティブになってからXクロック信号XCKの論理レベルがLレベルになるまでの期間もXクロック信号XCKの周期に応じた時間となる。従って、トランジスタ231と232が共にオン状態になることをラッチ回路240の記憶内容の更新条件とすることによって、許可モードにおいて単位シフト回路Ua2へ供給したXクロック信号XCKのパルス数が所定数に達したことを検知して、許可モードから禁止モードへ移行させることが可能となる。
即ち、トランジスタ231〜233は、入力信号IN2がアクティブになったことを検知すると、ラッチ回路240に記憶している論理レベルを反転させ、Xクロック信号XCKのパルス数が所定数に達したことを検知すると、ラッチ回路240に記憶している論理レベルを反転させる記憶管理手段として機能する。
即ち、トランジスタ231〜233は、入力信号IN2がアクティブになったことを検知すると、ラッチ回路240に記憶している論理レベルを反転させ、Xクロック信号XCKのパルス数が所定数に達したことを検知すると、ラッチ回路240に記憶している論理レベルを反転させる記憶管理手段として機能する。
次に、単位シフト回路Ua2の動作について説明する。まず、時刻t1から時刻t2までの期間には、単位制御回路Ub2が禁止モードで動作するため、クロックドインバータ211が非アクティブとなる一方、クロックドインバータ212はアクティブとなる。このため、単位制御回路Ub2の等価回路は、図5(A)に示すように、クロックドインバータ212とインバータ213によってラッチ回路を構成する。時刻t1における出力信号OUT2はLレベルであるので、時刻t1から時刻t2までの期間における出力信号OUT2はLレベルとなる。
時刻t2から時刻t6までの期間において、単位制御回路Ub2は許可モードで動作する。このため、Xクロック信号XCKがHレベルとなる時刻t2から時刻t3までの期間、及び時刻t4から時刻t5までの期間において、単位制御回路Ub2の等価回路は図5(A)に示すものとなる。一方、Xクロック信号XCKがLレベルとなる時刻t3から時刻t4までの期間、及び時刻t5から時刻t6までの期間において、単位制御回路Ub2の等価回路は図5(B)に示すようにバッファとして機能する。この結果、出力信号OUT2は、図4に示すように時刻t3から時刻t5までの期間においてHレベルとなり、時刻t5から時刻t6までの期間においてLレベルとなる。
また、時刻t6以降は再び禁止モードとなり、クロックドインバータ212とインバータ213によって構成されるラッチ回路によって、出力信号OUT2の論理レベルはLレベルに維持される。
また、時刻t6以降は再び禁止モードとなり、クロックドインバータ212とインバータ213によって構成されるラッチ回路によって、出力信号OUT2の論理レベルはLレベルに維持される。
このように単位制御回路Ub2は、入力信号IN2が非アクティブからアクティブに遷移したことを検知して(トランジスタ233)、禁止モードから許可モードへの移行させる。また、許可モードから禁止モードへの移行については、入力信号IN2がアクティブから非アクティブになったことを検知し(トランジスタ231)、その後、Xクロック信号XCKのレベルが遷移したことを検知して(トランジスタ232)、モードを移行させている。即ち、出力信号OUT2を用いることなく許可モードから禁止モードへ移行させる。このため、出力信号OUT2を単位シフト回路Ua2から単位制御回路Ub2へ引き回す信号配線を省略することができ、信号配線のスペースや浮遊容量を削減できる。この結果、狭ピッチ化に対応してデータ線駆動回路200をレイアウトすることができ、インバータ213を構成するトランジスタサイズを縮小でき、さらに、データ線駆動回路200の消費電力を削減することができる。
<1−4:走査線駆動回路>
次に、走査線駆動回路100について説明する。図6は、走査線駆動回路100の構成を示すブロック図である。この図に示すように走査線駆動回路100は、クロック信号制御部101、Yシフトレジスタ102、レベルシフタ103及びバッファ104を備えている。
クロック信号制御部101は、Xクロック信号XCK及び反転Xクロック信号XCKBの替わりにYクロック信号YCK及び反転Yクロック信号YCKBが供給される点及びm本の走査線に対応するm個の単位制御回路を備える点を除いて、上述したデータ線駆動回路200と同様である。また、転送部102は、X転送開始パルスDXの替わりにY転送開始パルスDYが供給される点及びm個の単位シフト回路を備える点を除いて、上述したデータ線駆動回路200の転送部210と同様である。
次に、走査線駆動回路100について説明する。図6は、走査線駆動回路100の構成を示すブロック図である。この図に示すように走査線駆動回路100は、クロック信号制御部101、Yシフトレジスタ102、レベルシフタ103及びバッファ104を備えている。
クロック信号制御部101は、Xクロック信号XCK及び反転Xクロック信号XCKBの替わりにYクロック信号YCK及び反転Yクロック信号YCKBが供給される点及びm本の走査線に対応するm個の単位制御回路を備える点を除いて、上述したデータ線駆動回路200と同様である。また、転送部102は、X転送開始パルスDXの替わりにY転送開始パルスDYが供給される点及びm個の単位シフト回路を備える点を除いて、上述したデータ線駆動回路200の転送部210と同様である。
レベルシフタ103は、Yシフトレジスタ102の各出力信号のレベルをシフトして走査線2を駆動するのに適したレベルに変換している。また、バッファ104は、レベルシフタ103の各出力信号をローインピーダンスに変換し、走査線駆動信号Y1、Y2、…Ymとして各走査線2に出力する。この走査線駆動回路100は、上述したデータ線駆動回路200と同様に、狭ピッチ化に対応して走査線駆動回路100をレイアウトすることができ、インバータ213を構成するトランジスタサイズを縮小でき、さらに、走査線駆動回路100の消費電力を削減することができる。
<1−8:液晶パネルの構成例>
次に、上述した電気的構成に係る液晶パネルの全体構成について図7及び図8を参照して説明する。ここで、図7は、液晶パネルAAの構成を示す斜視図であり、図8は、図7におけるZ−Z’線断面図である。これらの図に示されるように、液晶パネルAAは、画素電極6等が形成されたガラスや半導体等の素子基板151と、共通電極158等が形成されたガラス等の透明な対向基板152とを、スペーサ153が混入されたシール材154によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶155を封入した構造となっている。なお、シール材154は、対向基板152の基板周辺に沿って形成されるが、液晶155を封入するために一部が開口している。このため、液晶155の封入後に、その開口部分が封止材156によって封止されている。
次に、上述した電気的構成に係る液晶パネルの全体構成について図7及び図8を参照して説明する。ここで、図7は、液晶パネルAAの構成を示す斜視図であり、図8は、図7におけるZ−Z’線断面図である。これらの図に示されるように、液晶パネルAAは、画素電極6等が形成されたガラスや半導体等の素子基板151と、共通電極158等が形成されたガラス等の透明な対向基板152とを、スペーサ153が混入されたシール材154によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶155を封入した構造となっている。なお、シール材154は、対向基板152の基板周辺に沿って形成されるが、液晶155を封入するために一部が開口している。このため、液晶155の封入後に、その開口部分が封止材156によって封止されている。
ここで、素子基板151の対向面であって、シール材154の外側一辺においては、上述したデータ線駆動回路200が形成されて、Y方向に延在するデータ線3を駆動する構成となっている。さらに、この一辺には複数の接続電極157が形成されて、タイミング発生回路300からの各種信号や画像信号40R、40G、40Bを入力する構成となっている。また、この一辺に隣接する一辺には、走査線駆動回路100が形成されて、X方向に延在する走査線2をそれぞれ両側から駆動する構成となっている。一方、対向基板152の共通電極158は、素子基板151との貼合部分における4隅のうち、少なくとも1箇所において設けられた導通材によって、素子基板151との電気的導通が図られている。ほかに、対向基板152には、液晶パネルAAの用途に応じて、例えば、第1に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第2に、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクスが設けられ、第3に、液晶パネルAAに光を照射するバックライトが設けられる。特に色光変調の用途の場合には、カラーフィルタは形成されずにブラックマトリクスが対向基板152に設けられる。
くわえて、素子基板151及び対向基板152の対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜などが設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光板(図示省略)がそれぞれ設けられる。ただし、液晶155として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜、偏光板等が不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。なお、データ線駆動回路200、走査線駆動回路100等の周辺回路の一部又は全部を、素子基板151に形成する替わりに、例えば、TAB(Tape Automated Bonding)技術を用いてフィルムに実装された駆動用ICチップを、素子基板151の所定位置に設けられる異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続する構成としても良いし、駆動用ICチップ自体を、COG(Chip On Grass)技術を用いて、素子基板151の所定位置に異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続する構成としても良い。
<2.第2実施形態>
第2実施形態に係る電気光学装置は、データ線駆動回路200のクロック信号制御部220、及び走査線駆動回路100のクロック信号制御部101の詳細な構成を除いて、第1実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。第2実施形態におけるデータ線駆動回路200のクロック信号制御部220では、図9に示す単位制御回路Uc2を用いる。この単位制御回路Uc2は、容量素子260を備える点で、図3に示す第1実施形態の単位制御回路Ub2と相違する。
第2実施形態に係る電気光学装置は、データ線駆動回路200のクロック信号制御部220、及び走査線駆動回路100のクロック信号制御部101の詳細な構成を除いて、第1実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。第2実施形態におけるデータ線駆動回路200のクロック信号制御部220では、図9に示す単位制御回路Uc2を用いる。この単位制御回路Uc2は、容量素子260を備える点で、図3に示す第1実施形態の単位制御回路Ub2と相違する。
容量素子260を設けたのは、トランスファーゲート253及び254から見たノードQの負荷と、トランスファーゲート251及び252から見たノードRの負荷とのバランスを保つためである。即ち、第1実施形態においては、ノードQに容量素子260が接続されていなかったので、反転Xクロック信号XCKBの立ち上がり波形及び立ち下がり波形が、Xクロック信号XCKの立ち上がり波形及び立ち下がり波形と比較して急峻となる。このため、単位シフト回路Ua2に供給されるXクロック信号XCKと反転Xクロック信号XCKBとの間に遅延が発生し、動作マージンが減少していた。そこで、第2実施形態においては、容量素子260を設けることによってノードQとノードRの負荷(容量性)をバランスさせて、Xクロック信号XCKと反転Xクロック信号XCKBとの間の遅延を解消したのである。
ここで、容量素子260の容量値は、ノードQとノードRの負荷が等しくなるように設定される。具体的には、トランジスタ232のゲート容量値と等しくなるように容量素子260の容量値を設定することが好ましい。また、容量素子260の替わりにトランジスタ232と同じトランジスタサイズのダミートランジスタを設けてもよい。
なお、他の単位制御回路Uc1、Uc3〜Ucmについても上述した単位制御回路Uc2と同様に構成すればよい。また、走査線駆動回路100のクロック信号制御部101についても、上述した単位制御回路Uc2を用いて構成すればよい。
なお、他の単位制御回路Uc1、Uc3〜Ucmについても上述した単位制御回路Uc2と同様に構成すればよい。また、走査線駆動回路100のクロック信号制御部101についても、上述した単位制御回路Uc2を用いて構成すればよい。
<3.第3実施形態>
第3実施形態に係る電気光学装置は、データ線駆動回路200のクロック信号制御部220、及び走査線駆動回路100のクロック信号制御部101の詳細な構成を除いて、第1実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。第3実施形態におけるデータ線駆動回路200のクロック信号制御部220では、図10に示す単位制御回路Ud2を用いる。この単位制御回路Ud2は、インバータ271及び272が接続された遅延回路270を備える点で、図3に示す第1実施形態の単位制御回路Ub2と相違する。遅延回路270の遅延時間はΔtである。遅延回路270の出力信号を遅延入力信号IN2’と称する。なお、遅延回路270は、遅延時間Δtだけ信号を遅延させるのであれば、どのように構成されてもよい。
第3実施形態に係る電気光学装置は、データ線駆動回路200のクロック信号制御部220、及び走査線駆動回路100のクロック信号制御部101の詳細な構成を除いて、第1実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。第3実施形態におけるデータ線駆動回路200のクロック信号制御部220では、図10に示す単位制御回路Ud2を用いる。この単位制御回路Ud2は、インバータ271及び272が接続された遅延回路270を備える点で、図3に示す第1実施形態の単位制御回路Ub2と相違する。遅延回路270の遅延時間はΔtである。遅延回路270の出力信号を遅延入力信号IN2’と称する。なお、遅延回路270は、遅延時間Δtだけ信号を遅延させるのであれば、どのように構成されてもよい。
図11は、第3実施形態のデータ線駆動回路200のタイミングチャートである。この図に示すように遅延入力信号IN2’は、入力信号IN2に対してΔtだけ遅延している。従って、トランジスタ231は、時刻t4から時間Δtだけ経過した時刻t4’においてオフ状態からオン状態に切り替わる。この点は、ノードPの論理レベルを管理する上で重要である。実際の回路では、寄生容量の影響を受けてノードQの波形は、図12に示すように緩やかなものとなる。このため、入力信号IN2の立ち下がりに対して、ノードQの立ち上がり波形が遅れることもあり得る。
トランジスタ232のオン・オフは、ノードQの論理レベルによって制御されるので、図12に示すようなタイミング関係にある場合、時刻t4から時刻t4’までの一部の期間では、ノードQのレベルがトランジスタ232の閾値レベルを超えず、トランジスタ232がオン状態となる。入力信号IN2を用いてトランジスタ231を制御すると、時刻t4以降でトランジスタ231はオン状態となる。このため、トランジスタ231と232が同時にオン状態となり、ラッチ回路240に記憶する論理レベルが反転してしまう。本実施形態においては、遅延入力信号IN2’を用いてトランジスタ231のオン・オフを制御するので、ノードQの波形が鈍っていても、これを確実にマスクして誤動作を防止することが可能となる。
なお、他の単位制御回路Ud1、Ud3〜Udmについても上述した単位制御回路Ud2と同様に構成すればよい。また、走査線駆動回路100のクロック信号制御部101についても、上述した単位制御回路Ud2を用いて構成すればよい。また、第3実施形態においても第2実施形態と同様にノードRに容量素子270を接続してもよい。
図13は、第3実施形態の変形例に係る単位制御回路Ue2と単位シフト回路Ua2の回路図であり、図14はそのタイミングチャートである。単位制御回路Ue2は、遅延回路270として1個のインバータ271を用いる点、トランジスタ232の替わりにトランジスタ234を用いる点、及びトランスファーゲート251〜254の論理を反転させた点が、上述した単位制御回路Ud2と相違する。この単位制御回路Ue2においては、遅延入力信号IN2’は入力信号IN2の論理を反転したものとなっている。このため、禁止モードから許可モードへの遷移はトランジスタ231によって制御され、許可モードから禁止モードへの遷移はトランジスタ234によって制御される。この場合は、ノードRの波形に対して遅延入力信号IN2’を遅延させることができるので、ノードRの波形が鈍っていても、これを確実にマスクして誤動作を防止することが可能となる。
<4.応用例>
(1)上述した実施の形態にあっては、画素回路のスイッチング素子を、TFTで代表される3端子素子として説明したが、ダイオード等の2端子素子で構成しても良い。ただし、画素回路のスイッチング素子として2端子素子を用いる場合には、走査線2を一方の基板に形成し、データ線3を他方の基板に形成するとともに、2端子素子を、走査線2又はデータ線3のいずれか一方と、画素電極との間に形成する必要がある。この場合、画素回路は、走査線2とデータ線3との間に直列接続された二端子素子と、液晶とから構成されることとなる。
(1)上述した実施の形態にあっては、画素回路のスイッチング素子を、TFTで代表される3端子素子として説明したが、ダイオード等の2端子素子で構成しても良い。ただし、画素回路のスイッチング素子として2端子素子を用いる場合には、走査線2を一方の基板に形成し、データ線3を他方の基板に形成するとともに、2端子素子を、走査線2又はデータ線3のいずれか一方と、画素電極との間に形成する必要がある。この場合、画素回路は、走査線2とデータ線3との間に直列接続された二端子素子と、液晶とから構成されることとなる。
(2)また、上述した実施形態では、電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を取り上げて説明したが、これに限られず、STN(Super Twisted Nematic)液晶などを用いたパッシィブ型にも適用可能である。また、電気光学物質として、有機EL(ElectroLuminescent)を用いた有機発光ダイオード素子を発光行素子として有する電気光学装置に上述した実施形態を適用してもよい。また、有機EL以外の電気光学物質を用いた電気光学パネルにも本発明は適用される。電気光学物質とは、電気信号(電流信号または電圧信号)の供給によって透過率や輝度といった光学的特性が変化する物質である。例えば、液晶や発光ポリマーなどを電気光学物質として用いた表示パネルや、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示パネル、極性が相違する領域ごとに異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールディスプレイパネル、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイパネル、あるいはヘリウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネルなど各種の電気光学パネルに対しても上述した各実施形態と同様に本発明が適用され得る。
(3)次に、上述した実施形態及び応用例に係る電気光学装置1を適用した電子機器について説明する。図15に、電気光学装置1を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ2000は、表示ユニットとしての電気光学装置1と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。
図16に、電気光学装置1を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールされる。
図17に、電気光学装置1を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置1を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置1に表示される。
なお、電気光学装置1が適用される電子機器としては、図15〜17に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置が適用可能である。
図16に、電気光学装置1を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールされる。
図17に、電気光学装置1を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置1を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置1に表示される。
なお、電気光学装置1が適用される電子機器としては、図15〜17に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置が適用可能である。
1…電気光学装置、100…走査線駆動回路、200…データ線駆動回路、Ua1〜Uan…単位シフト回路、Ub1〜Ubn,Uc1〜Ucn,Ud1〜Udn,Ue1〜Uen…単位制御回路、XCK…Xクロック信号、XCKB…反転Xクロック信号、231〜234…トランジスタ。
Claims (12)
- 転送信号に同期して開始パルスを順次シフトして出力信号を出力する複数の単位シフト回路を縦続接続したシフト手段と、
前記各単位シフト回路に各々対応して設けられ、前記転送信号を前記単位シフト回路に供給する許可モード、並びに前記転送信号を前記単位シフト回路に供給しない禁止モードのうち一方のモードで動作する複数の単位制御回路を備えたクロック信号制御手段とを備え、
前記単位制御回路は、
前記転送信号を前記単位シフト回路へ供給する供給手段と、
対応する単位シフト回路の入力信号がアクティブになったことを検知して、前記禁止モードから前記許可モードへ移行させて前記転送信号の供給を開始するように前記供給手段を制御し、前記許可モードにおいて前記単位シフト回路へ供給した前記転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知して、前記許可モードから前記禁止モードへ移行させて前記転送信号の供給を停止するように前記供給手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とするシフトレジスタ。 - 前記供給手段は制御信号によって制御され、
前記制御手段は、
前記許可モードと前記禁止モードの別を2値の論理レベルとして記憶する記憶手段と、
前記入力信号がアクティブになったことを検知すると、前記記憶手段に記憶している論理レベルを反転させ、前記転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知すると、前記記憶手段に記憶している論理レベルを反転させる記憶管理手段と、
前記記憶手段に記憶している論理レベルに基づいて前記制御信号を生成する生成手段とを備える、
ことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。 - 前記供給手段は、前記制御信号が前記許可モードを示す場合に前記転送信号を前記単位シフト回路と前記記憶管理手段に出力し、
前記記憶管理手段は、
前記禁止モードを指示する論理レベルを供給する第1電源と、
前記入力信号によってオン・オフが制御され、前記入力信号がアクティブの状態でオフ状態となり、前記入力信号が非アクティブの状態でオン状態となる第1スイッチング手段と、
前記許可モードにおいて前記供給手段から供給される前記転送信号によってオン・オフが制御され、前記転送信号の論理レベルが一方の場合にオン状態となり、前記転送信号の論理レベルが他方の場合にオフ状態となり、前記禁止モードにおいてオフ状態となる第2スイッチング手段とを備え、
前記第1スイッチング手段及び前記第2スイッチング手段は縦属接続され、前記第1電源と前記記憶手段との間に設けられる、
ことを特徴とする請求項2に記載のシフトレジスタ。 - 前記入力信号を遅延させて遅延入力信号を出力する遅延手段を備え、前記入力信号の替わりに前記遅延入力信号を用いることを特徴とする請求項3に記載のシフトレジスタ。
- 前記記憶管理手段は、更に、
前記許可モードを指示する論理レベルを供給する第2電源と、
前記第2電源と前記記憶手段との間に設けられ、前記入力信号によってオン・オフが制御され、前記入力信号がアクティブの状態でオン状態となり、前記入力信号が非アクティブの状態でオフ状態となる第3スイッチング手段とを備える、
ことを特徴とする請求項3又は4に記載のシフトレジスタ。 - 前記転送信号は、第1クロック信号とこれを反転した第2クロック信号から構成され、
前記供給手段は、
前記許可モードにおいて前記転送信号として、前記第1クロック信号及び前記第2クロック信号のうちいずれか一方を前記単位シフト回路と前記第2スイッチング手段に供給し、前記禁止モードにおいて前記第2スイッチング手段をオフ状態にさせる論理レベルの信号を前記第2スイッチング手段に供給する第1供給手段と、
前記許可モードにおいて前記転送信号として、前記第1クロック信号及び前記第2クロック信号のうちいずれか他方を前記単位シフト回路に供給する第2供給手段と、
を備えることを特徴とする請求項5に記載のシフトレジスタ。 - 前記第2スイッチング手段はトランジスタで構成され、
前記トランジスタのゲートと、前記第1供給手段及び前記単位シフト回路は第1配線で接続され、
前記第2供給手段と前記単位シフト回路は第2配線で接続され、
前記第2配線に接続される容量を設けた、
ことを特徴とする請求項6に記載のシフトレジスタ。 - 前記容量の値は、前記第1供給手段から前記第1配線を見たときの負荷と、前記第2供給手段から前記第2配線を見たときの負荷が近づくように設定されることを特徴とする請求項7に記載のシフトレジスタ。
- 複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記走査線と前記データ線との交差に対応して配置された複数の画素回路と、
前記複数のデータ線を順次選択して画像信号を供給するデータ線駆動回路と、
前記複数の走査線を駆動する走査線駆動回路とを備え、
前記データ線駆動回路は、請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のシフトレジスタを備え、当該シフトレジスタの出力信号に基づいて前記複数のデータ線を選択する、
ことを特徴とする電気光学装置。 - 複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記走査線と前記データ線との交差に対応して配置された複数の画素回路と、
前記複数のデータ線を駆動するデータ線駆動回路と、
前記複数の走査線を順次選択する走査線駆動回路とを備え、
前記走査線駆動回路は、請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のシフトレジスタを備え、当該シフトレジスタの出力信号に基づいて前記走査線を選択する、
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項9または11に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
- 転送信号に同期して開始パルスを順次シフトして出力信号を出力する複数の単位シフト回路を縦続接続したシフト手段を備えたシフトレジスタの制御方法であって、
前記各単位シフト回路に各々に対して、前記転送信号を供給するか否かを制御し、
前記各単位シフト回路の入力信号がアクティブになったことを検知して、前記転送信号の供給を開始し、
前記各単位シフト回路へ供給した前記転送信号のパルス数が所定数に達したことを検知して、前記転送信号の供給を終了する、
ことを特徴とするシフトレジスタの制御方法。
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JP2004247911A JP2006065965A (ja) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | シフトレジスタ、その制御方法、電気光学装置及び電子機器 |
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